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3) simulacin 3.

1 simule el cdigo
Amplificador MOSFET polarizacin R1 3 4 10meg RD 6 4 6k R2 3 0 10meg *Mname ND NG NS NB ModName L=20u W=5.5u Mmitransistor 6 3 5 5 IRF510 L=3u W=100u .model IRF510 NMOS(KP=2.4845 VTO=2.5) RS 5 0 6k Vdd 4 0 DC 10 .tran 10n 5m 0.1n 1u .probe .end

Resultados simulados y experimentales primer montaje Terico (Pspice) Medida Multmetro Modo Operacin Modo de saturacin VGS 2.5032v 2.713v VDS 5.0064v 5.56v ID 0.416mA 0..3374mA

Tabla 1 Para determinar el modo de operacin del transistor se toma Vt=2.5v

Vt=2.5v VD=7,5032v VG=5v

VGD < Vt 5-7,5032 <Vt -2.5032<Vt modo de saturacion

Por lo tanto el circuito funciona como amplificador.

3.2

NETLIST - Figura 1

Figura 1 v1 1 0 sin (0 100m 1k) vdd 4 0 dc 10 r1 4 3 10meg r2 3 0 10meg r3 1 2 5k rD 4 6 6k rS 5 0 6k rL 7 0 50k c1 6 7 1u c2 5 0 1u c3 2 3 100n Mmitransistor 6 3 5 5 IRF510 L=3u W=100u .model IRF510 NMOS(KP=2.4845m VTO=2.5) .tran 10n 5m 0.1n 1u .probe .end

La siguiente grfica muestra la entrada y salida del circuito, se observa que este funciona como un amplificador de voltaje cuya ganancia es 20.58v/v, adems tiene un desfase aproximado de 180 grados respecto a la entrada; de este desfase se puede concluir que la ganancia de este circuito es negativa, por la inversin en la fase.

3.3) Paramtrice

el valor de la resistencia de carga RL, Obtenga grficas para los distintos valores de la seal de entrada contra la seal de salida (Ganancia).

la simulacin de este punto haciendo variar la resistencia de salida RL desde 10K hasta 100K con incrementos de 10K, esto se realiz por medio del .param del netlist de este circuito.

Figura 1.1 v1 1 0 sin (0 100m 1k) vdd 4 0 dc 10 r1 4 3 10meg r2 3 0 10meg r3 1 2 5k rD 4 6 6k rS 5 0 6k *rL 7 0 50k rL 7 0 {Rvar} .param Rvar=10k

.step lin param Rvar 10k 100k 10k c1 6 7 1u c2 5 0 1u c3 2 3 100n Mmitransistor 6 3 5 5 IRF510 L=3u W=100u .model IRF510 NMOS(KP=2.4845 VTO=2.5) .tran 10n 5m 0.1n 1u .probe .end

4)

trabajo de laboratorio
se encuentra en la tabla 1, que se ubica en lo anterior.

4.1) 4.2)

4.3)

La siguiente tabla resume los resultados. Vop


Simulacin Medida osciloscopio

Vip 100mV 100mv


Tabla 2

Vop/Vip 20.58 12

2.0587v 1.2v

Paramtrice el valor de la resistencia de carga RL, Obtenga grficas para los distintos valores de la seal de entrada contra la seal de salida (Ganancia).
4.4)

Para este punto se vari la resistencia de carga (RL) con un valor de 30k y 70k. Las grficas obtenidas fueron las siguientes

Con RL=30K

Con RL=30K

En los casos anteriores la ganancia oscila entre 12V/V, los cambios en esta, se deben al cambio de la resistencia de carga, y esta afecta directamente la ganancia del circuito, mediante la ecuacin:

Donde gm es la transconductancia del transistor (KP en spice) RD y RL como fueron marcadas en el circuito y ro un parmetro del circuito que se obtiene mediante la

realizacin de clculos en la aproximacin de amplificador a pequea seal de un MOSFET.

5) conclusiones

Los resultados simulados salieron con ciertas diferencias a los llevados a cabo en el laboratorio, debido a que las caractersticas fsicas (W, L) eran aproximaciones, no las especficas del transistor utilizado el IRF510. La ganancia de voltaje es dependiente de RL y de las dems en paralelo con esta, al disminuir a RL el paralelo tiende a la ms pequea y la ganancia disminuye. Al aumentar a RL el paralelo casi no cambia ya que las otras resistencias permanecen constantes y la ganancia aumenta pero en menor proporcin.

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