ndiceTema2.

1 ndice Tema 2 1
2.El transistorMOSFET(MOS FieldEffect Transistors) ( )
2.1Estructura 2.2Funcionamiento 2 2 Funcionamiento 2.3Modelosequivalentes 2.4Polarizacin 2 4 P l i i 2.5Modeloenpequeaseal 2.6Configuraciones 2.7Aplicaciones 2.8Hojasdecaractersticas

Tema2.2

2.1EltransistorMOSFET. Estructura
NMOSdeEnriquecimiento
SurtidorPuertaDrenador Surtidor Puerta Drenador

aislante

Fuertementedopadas MOS:MetalxidoSemiconductor
Tema2.2 2

2.1EltransistorMOSFET. Estructura

VGS

Al aplicar la tensin VGS los huecos del substrato son Al repelidos, por lo que se forma la regin de deplexin. Los electrones libres que se encuentran en el surtidor y en el drenador son atrados por la tensin VGS p GS. Se crea un canal inducido entre el drenador y el surtidor. p El valor de VGS necesario para crear este canal se denomina tensin umbral Vt (0.5 V <Vt < 1V)
VDS

VGS

Al aplicar la tensin VDS pequea los electrones fluyen p p q y del drenador al surtidor a travs del canal inducido. Entre la puerta y el canal inducido se origina una capacidad cuyo dielctrico ser la capa de SiO2

A travs de la tensin aplicada sobre la puerta controlamos el flujo de corriente entre surtidor y drenador. Zona triodo y hmica
Tema2.2 3

2.1EltransistorMOSFET. Estructura

Al aumentar la tensin VDS la tensin en el canal no ser constante por lo que al anchura del canal vara entre el drenador y el surtidor. Llega un momento en el que se satura la corriente, por lo que aunque aumente VDS, la corriente ser la misma Zona Saturacin VDS SAT = VGS Vt

Tema2.2

2.1EltransistorMOSFET. Estructura TecnologaMOScomplementaria(CMOS):NMOS+PMOS Seusaencircuitosdigitales

Tema2.2

2.2Funcionamiento
Curvaentrada
IDS(mA)
IDS(mA)

Curvasalida
VDS<VGSVt VDSVGSVt
VGS=Vt+2.0 V 20 VDS=VGS Vt VGS=Vt+1.5

VGS=Vt+1.0

Corte

Vt

VGS(V) Saturacinotriodo d

VGS=Vt+0.5

VDS(V)

VGS<Vt Corte

Tema2.2

2.2Funcionamiento 2 2 Funcionamiento
Zonasdefuncionamiento:
IDS(mA) VDS <VGS Vt DS VGS V VDSVGSVt V
VGS=Vt+2.0 VDS=VGS Vt VGS=Vt+1 5 V +1.5

ZonadeSaturacin:amplificacin IDS controladaporVGS

ZonaTriodo oreginhmica: IDScontroladaporVDS yVGS Zonadecorte IDS=0

2.3Modelosequivalentes MOSFETCanalN MOSFET Canal N

Reginhmica(triodo)
RDS = k (VGS Vt ) 1

Ctos dig gitales

Tema2.2

VGS =Vt+1.0 GS V VGS=Vt+0.5

VDS(V) VGS<Vt Corte

VlidosiVDS<2(VGSVt)

ReginSaturacin

I DS =

k 2 (VGS Vt ) 2

ReginCorte

I DS = 0
1 W k = n Cox 2 L
8

n movilidadsuperficialdeloselectrones CoxCapacitanciadelapuertaporunidadderea Tema2.2

L,Wlong yanchuradelcanal

2.3Modelosequivalentes MOSFETCanalP MOSFET Canal P

Reginhmica(triodo)

RDS =

k (VSG Vt )
VlidosiVDS<2(VGSVt)

ReginSaturacin Regin Saturacin

I SD =

k 2 (VSG Vt ) 2

ReginCorte

I SD = 0
Tema2.2 9

2.4Polarizacin 2 4 Polarizacin

hmica VGS VDS >Vt <VGSVt

Satur. >Vt >VGSVt

Corte <Vt

PuntodefuncionamientoQ(IDS,VDS)

Tema2.2

10

2.4.1Polarizacin:Circuitopolarizacinfija

Paso1. Sustituimoseltransistorporvoltmetrosenlasunionesymedimos VGS

VGS = 0 (VSS ) VGS > Vt

SuponemosSaturacin Paso2. Sustituimoseltransistorporsumodeloequivalente S i i l i d l i l

IG=0

I DS = VGS

VDS = VD VS = (VSS RD I DS ) (Rs I DS Vss )

Tema2.2 11

k 2 (VGS Vt ) 2 = VG VS = 0 (Rs I DS Vss )

2.4.1Polarizacin:Circuitopolarizacinfija

ClculodeIDS
I DS =
I DS =

k 2 (VGS Vt ) 2

VGS = Vss Rs I DS

k k 2 2 (Vss Rs I DS Vt ) = ((Vss V ) Rs I DS t ) 2 2 k k 2 k 2 Rs Vss Rs Vss R 2 I DS 2 (V Vt ) R + 1 I DS + (V Vt ) = 0 2 2 2 4 4 4 444 24444 14 244 3 123 1 4 3

a b c 2 a I DS + b I DS + c = 0

b b 4ac 2a ComprobamosqueVDS >VGSVt I DS =

2

SeobtienendosvaloresdeIDS Se eligeelvalordeIDS quenosproporcioneunaVGS>Vt

VDS = VD VS = (VSS RD I DS ) (Rs I DS Vss )

ElpuntodefuncionamientoQ={V El punto de funcionamiento Q={VGS,VDS,IDS} I
Tema2.2 12

2.4.2Polarizacin:CircuitoPolarizacinautomtica
Paso1. Sustituimoseltransistorporvoltmetrosenlasunionesymedimos VGS
RG 2 RG 2 VSS VGS = VG = VSS RG1 + RG 2 RG1 + RG 2 VS = 0 Si VGS > Vt suponemos Saturacin VGS = VG Vs

IG=0

Paso2. Sustituimoseltransistorporsumodeloequivalente S i i l i d l i l k 2 I DS = (VGS Vt ) 2 RG 2 (Rs I DS ) VGS = VG VS = VSS RG1 + RG 2 ComprobamosqueVDS >VGS Vt GS

VDS = VD VS = (VSS RD I DS ) (Rs I DS )

Q={VGS,VDS,IDS}

Tema2.2

13

2.4.3Polarizacin:CircuitoPolarizacincon resitencia puertadrenador

Paso1. Sustituimoseltransistorporvoltmetrosenlasunionesymedimos VGS

VGS = Vss 0 Si VGS > Vt suponemos Saturacin

Paso2. Sustituimoseltransistorporsumodeloequivalente
I DS = VGS k 2 (VGS Vt ) 2 = VG VS = VD 0 = (VSS RD I DS )

IG=0

ComprobamosqueVDS >VGSVt VDS = VGS

Tema2.2

Q={VGS,VDS,IDS}

14

2.5Modeloenpequeaseal 2 5 Modelo en pequea seal

Sloenaltafrecuencia Slo en alta frecuencia

gm transconsductancia

gm =

2 I DS V GS V t

ro resistenciadrenadorsurtidor

ro =

VA = rDS I DS

Tema2.2

15

2.5Modeloenpequeaseal 2 5 Modelo en pequea seal

NMOS
gm transconsductancia

gm =

2 I DS VGS Vt ro = VA = rDS I DS

ro resistenciadrenadorsurtidor
IDS

VGSVt =2.0V

VGSVt =1.5V

VGSVt =1.0V VGSVt =0.5V

VDS

TensindeEarly

Tema2.2

VGSVt 0V

16

2.5Modeloenpequeaseal 2 5 Modelo en pequea seal

PMOS
gm transconsductancia

gm =

2 I SD VGS Vt ro = VA = rDS I SD

ro resistenciadrenadorsurtidor
ISD

VSGVt =2.0V

VSGVt =1.5V

VSGVt =1.0V VSGVt =0.5V

VSD

TensindeEarly

Tema2.2

VSGVt 0V

17

2.6Configuraciones(NMOSyPMOS) 2 6 Configuraciones (NMOS PMOS)

Surtidor Comn SurtidorComn

Drenador Comn

PuertaComn

Tema2.2

18

2.6Configuraciones

ResumenconfiguracionesMOSFET Resumen configuraciones MOSFET

Zin Surtidor Comn Drenador Comn Puerta Comn Muy Alta Muy Alta Baja Zout v i Desfase Aplicacin
Elevadaamplificacin.Adecuadopara lasetapasintermediasde amplificadoresencascada. amplificadores en cascada Buffersdetensin(aslanla cargadel circuitodeentrada). Etapasdesalidadeunamplificadoren cascada. Buenarespuestaenaltafrecuencia. Aplicacionesenlasquenonecesitamos A li i l it Zin elevada.

Alta Baja

>1 ~1

>1 >1

180 0

Alta

>1

~1

Etapasencascada vin

Amplificador1 A lifi d 1 v1

Amplificador2 A lifi d 2 v2
Tema2.1

Amplificador3 A lifi d 3 v3

vout

v = v1 v 2 v 3

19

2.7Aplicaciones p
MOSFETcomointerruptor
Funcionaenelmododecorteysaturacin/hmico: F i l d d t t i /h i
Corte IDS 0A,circuitoabierto. Otromododeoperacin RDS,interesaqueseadebajamagnitudparaqueVDS pequeo, seaproximaauncortocircuito. i t i it

Ejemplo: VDD=5V,k=2mA/V2,Vt=4V,R=4.7k AplicamosVin=5V Caso1:Sustituimoseltrt pordosvoltmetrosy Caso 1: Sustituimos el trt por dos voltmetros y medimosVGS,VDS
VGS = VG Vs VG = 5V VGS = 5V VS = 0 Como VGS > Vt
Tema2.2

suponemos Saturacin
20

2.7Aplicaciones

MOSFET como interruptor MOSFETcomointerruptor

Paso1.aSuponemosqueeltransistorestensaturacinylosustituimosporsu q modeloequivalenteenDC

VGS = 5V I DS = Vout k 2 10 3 2 2 A (VGS Vt ) = (5 4 ) = 1mA 2 2 = VDS = VDD RD I DS = 5V 4.7 k 1mA = 0.3V < VGS Vt

Estaremosenlazonahmica

Tema2.2

21

2.7Aplicaciones

MOSFET como interruptor MOSFETcomointerruptor

Paso1.bSustituimoseltransistorporsumodeloequivalenteenDCenlazona hmica

VGS = 5V RDS = I DS = k (VGS Vt ) 1 = 1 = 0.5k 2 10 (5 4 )

3

VDD 5 = = 0.96mA RD + RDS 4.7 k + 0.5k

Vout = VDS = RDS I DS = 0.5k 0.96mA = 0.48V < VGS Vt

Secomportacomouninterruptorcerrado Se comporta como un interruptor cerrado

Tema2.2 22

2.7Aplicaciones

MOSFET como interruptor MOSFETcomointerruptor

Caso2.AplicamosunafuenteVin de0V Paso2.aSustituimoseltrans.porunvoltmetroymedimosV para Paso 2 a Sustituimos el trans por un voltmetro y medimos VGS para hallarelmododefuncionamiento
VGS = VG Vs VG = 0V VGS = 0V VS = 0 Como VGS < Vt CORTE

Paso2.bSustituimoseltrans.porsumodeloequivalenteenCORTE
I DS = 0mA Vout = VDS = VDD = 5V V GS= 0V < Vt

Secomportacomouninterruptorabierto Se comporta como un interruptor abierto

Tema2.2 23

2.7Aplicaciones p
CMOS
Paraconseguirelevadavelocidad,menorconsumodepotenciaymayorcapacidadde integracinsecombinandostransistores(unodecanalPyotrodecanalN)enunamisma pastilla MOSFETComplementariooCMOS Actualmenteloscircuitosdigitalessebasanenestatecnologa. EjemploinversorCMOS(Vss=5V)
VSS + VSG1 _
Vi=5V T1cortado(VSG1<VT) IDS10A. T2nocortado(V T2 no cortado (VGS2>VT) Calculamos VDS2 ) CalculamosV VO =VDS2 Vi=0V T2cortado(VGS2<VT) IDS20A. T1nocortado(VSG1>VT) CalculamosVSD1 VO =VSS VSD1 EnamboscasosIDS pequea BajaPdisipada
Tema2.2 24

T1: Canal P Vo

Vi
+ VGS2

T2: Canal N

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Tema2.2

25

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Tema2.2

26

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Vt ro

gm

Paracualquierpuntodetrabajo

ro =

Tema2.2

VA = rDS I DS

gm =

2 I DS VGS Vt

27

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Tema2.2

28

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Tema2.2

29

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Valoresmximospermitidos:

Variacindelascaractersticascuandovaralatemperatura: p

Tema2.2

30

2.8Hojasdecaractersticas j
Aproximacindekapartirdelashojasdecaractersticas

IDS2 IDS1

VGS1 VGS2
V GS1 I DS 2 V GS 2 I DS1 I DS 2 I DS1 8 1. 2 6. 7 1. 6 1.6 1.2

Vt =

= 1.7V

Quedadentrodelmargendadoenlas hojas

I DS1 =

k 2 (VGS1 Vt ) k = 80.6mV / A2 2

Tema2.2

31

2.8Hojasdecaractersticas 2 8 Hojas de caractersticas

Eltransistorenconmutacin:

Tema2.2

32