Fundamentos de Óptica

Apuntes de Óptica Curso 2010/11

TEMA 3 FUENTES DE LUZ Y EMISIÓN LÁSER

Prof.Dr. E. Gómez González
Departamento de Física Aplicada III E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla
© E.G.G. DFA III-ESI 2010/11
UNIVERSIDAD DE SEVILLA

2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser)

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Tema 3: Fuentes de luz y emisión láser
• • • • • • • • • • • • • • • • • • • Consideraciones cuánticas Emisión espontánea y absorción Emisión estimulada y amplificación Inversión de población Cavidad resonante y modos de funcionamiento Emisión láser Coherencia espacial y temporal Componentes generales y luz emitida Comparación con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halógena) y nuevas fuentes (lámparas de diodos LED, lámparas de bajo consumo, solares) Tipos de láser Láser de medio sólido (rubí) Láser de gas (He-Ne) Láser de semiconductor (GaAS) Almacenamiento óptico de información Aplicaciones en comunicaciones ópticas Otros tipos y aplicaciones. Holografía. Riesgos en el uso de fuentes de luz láser. Normas legales. Clasificación y medidas de seguridad Dispositivos de protección ocular

Estos Fundamentos de Óptica han sido específicamente adaptados como Apuntes para el Curso de Óptica que imparte el autor en la asignatura Campos Electromagnéticos de Ingeniería de Telecomunicación de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilización combinada con los demás materiales y referencias de la asignatura. Propiedad Intelectual Estos Apuntes, así como el material contenido en ellos, están protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y únicamente pueden destinarse al estudio personal. Para citar la información contenida en los mismos debe indicarse: Gómez González, E.: Fundamentos de Óptica: Fuentes de luz y emisión láser, Universidad de Sevilla 2006-09. así como los datos específicos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes. 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 2
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DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing. En el modelo corpuscular. la mayoría de los átomos de una población se encuentran en su estado más bajo de energía (nivel fundamental). el átomo es estimulado a emitir un fotón de la misma frecuencia y fase. Telecom. Cuando sobre un electrón incide radiación de energía ∆E.G. promocionándose el electrón a un nivel de energía superior. Emisión estimulada y amplificación Si sobre un electrón en un estado excitado incide una radiación de energía correspondiente a una cierta diferencia de niveles. La emisión estimulada se puede producir en condiciones normales pero es un efecto muy pequeño porque hay pocos átomos en estado excitado. En estos niveles. tiene lugar un proceso de absorción. denominándose emisión espontánea y los fotones emitidos no son coherentes. Este es el proceso de emisión estimulada y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la amplificación de la radiación. es decir. no guardan ninguna relación de fase (espacial ni temporal) unos con otros. pero el resto están excitados. Cada nivel tiene una cierta densidad de ocupación. Los átomos que se encuentran en estado excitado emiten espontáneamente fotones. Emisión espontánea y absorción En condiciones normales. la radiación emitida está constituida por fotones. Recordemos que la frecuencia está relacionada con la longitud de onda (λ) de la radiación por c = λ·ν Cada λ visible es percibida por el ser humano como un color.G. Algunos estados son estables y otros metaestables. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 3 .Consideraciones cuánticas Los electrones están alrededor de los núcleos en determinadas órbitas o niveles de energía (definidos por los números cuánticos). volviendo al nivel energético inferior. los electrones están en un estado estable: ni absorben ni emiten energía. Entre cada par de niveles existe una probabilidad de transición medida por los coeficientes de Einstein. © E. con alguno de sus electrones en un nivel superior de energía. Cuando un electrón “salta” de un nivel a otro se produce una radiación cuya frecuencia (ν) está relacionada con la diferencia de energía entre los niveles por la fórmula de Planck: ∆E = h·ν. Este proceso es aleatorio. Esta radiación es una onda electromagnética propagándose con la velocidad de la luz c ≈ 3·108 m/s.

Telecom. sino resultado de la superposición de ondas esféricas elementales • incoherente: espacial y temporalmente Algunas fuentes de luz naturales (MA + AE): • estrellas (sol): H. Para que se pueda alcanzar. mayor es la intensidad de la radiación procedente del mismo y. La inversión de población es un estado en el que el nivel de energía metaestable (E2) está “superpoblado”.G. Mientras mayor probabilidad de ocupación tenga un nivel. esa longitud de onda (color) tiene mayor proporción en la luz emitida. es necesario que haya i) un conjunto de (al menos 3) niveles relativamente próximos con energías E1<E2<E3. La luz emitida por una fuente convencional se caracteriza por ser • policromática: el color es la suma (ponderada) de las diferentes λ • no colimada. con más electrones que un nivel inferior (E1). Fuentes de luz “convencionales” En toda fuente de luz hay una sustancia emisora de la luz (sustancia o medio activo. diferente según el tipo y estado de agregación de la sustancia activa. ii) una pareja (E3-E2) con alta probabilidad de transición por emisión espontánea y iii) que el nivel “intermedio” (E2) sea metaestable.G. y se pueden obtener muchos fotones coherentes. uno de los cuales sea “fácilmente alcanzable” (E3). emiten la diferencia de energía en forma de radiación. MA) y un mecanismo de aporte energético (AE). Al excitarse el MA se ocupan los diferentes niveles energéticos superiores y al desexcitarse. He + reacción termonuclear • llama: proceso de combustión • luminiscencia (inducida): sustancia química + luz de λ adecuada Algunas fuentes de luz artificiales: • bombilla incandescente: filamento de metal + efecto Joule • tubo fluorescente: mezcla de gases + campo eléctrico • diodos LED / lámparas de bajo consumo / … 2º Ing. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .Inversión de población Algunas sustancias activas tienen una estructura de niveles con ciertas características particulares que les permiten alcanzar un estado denominado inversión de población. En esas condiciones la probabilidad de que tenga lugar una emisión estimulada es muy alta. en consecuencia. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 4 © E.

Telecom. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .Fuentes “convencionales”: Tubos de gas (fluorescentes) [8] 2º Ing. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 5 © E.G.G.

CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 6 © E.G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . Telecom.Fuentes “convencionales”: Lámparas halógenas [12] Bombillas incandescencia Duración ≈ 1000 horas Luz: amarillenta (3000 K) Lámparas Halógenas Duración ≈ 2000 horas Luz: blanca – amarilla (2800-3000 K) Consumo: 30% menor 2º Ing.G.

pda. …) • espectáculos “dinámicos” • comunicación inalámbrica “segura” 10-100 Mb/s • interacción biológica / química Inconvenientes • sensibles al calor (precisan disipación) • coste Otros tipos: • microleds: 20 µm.G. Telecom. dispositivos móviles (teléfonos. patrones espaciales y modulación temporal • emisión: hasta 20 lm Eficacia luminosa • bombilla incandescencia (60-100 W) ≈ 15 lm/W • fluorescente hasta ≈ 100 lm/W • LED de alta potencia (1 W) ≈ 100 lm/W 2º Ing.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas de diodos LED • diodos LED de alta luminosidad • tripletes rojo + verde + azul. temperatura de color. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . polarización. con modulación de intensidades emitidas • luz blanca: triplete RGB con igual “peso relativo” o diodo UV + capa de fósforo (single phospor) Características • pueden incorporan microlentes • larga duración: hasta 50. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 7 © E. … • señales (tráfico. montaje sobre soportes flexibles.G.…) Luz emitida: • elevada saturación y brillo (reproduce cualquier color del espectro) • sin radiación UV e IR: adecuados para materiales o productos fotosensibles • controlable: espectro. focos. GaN.000 horas • fuentes de alimentación de baja tensión y corriente constante (muy útil en entornos peligrosos o con riesgo de incendio o explosión) Aplicaciones • iluminación arquitectónica (adaptable). 30-550 nm. en arrays ultraplanos • organic (OLEDs): bajo consumo.

halógenas. fluorescentes) Ej: con consumo eléctrico de 20 W producen 1300 lm mientras que con bombilla incandescente son necesarios 100 W.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas de bajo consumo (magnitudes radiométricas y fotométricas en Tema 4) Características • consumo eléctrico mucho menor • duración muy superior (6000-10000 horas) • mejor reciclaje Inconvenientes • contienen pequeñas cantidades de mercurio → reciclado • coste por unidad Luz emitida • alta saturación y brillo.haces direccionales: medidos en candelas (cd) Eficacia luminosa • muy superior a lámparas convencionales (incandescencia.G. Telecom. 2º Ing.haces amplios / isótropos: medidos en lumen (lm) .G. Temperaturas de color blancoamarillo desde 2700 K – 3000 K • algunos tipos no regulables en intensidad • según el tipo de lámpara emiten . DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 8 © E.

G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 9 © E. Telecom.“Nuevas” Fuentes de luz: Lámparas solares Elementos Cúpula acrílica Sensor óptico (detección del sol) Lente concentradora Posicionador orientable Fibra Óptica de transmisión Sistema de control Principales características • Captación de luz para iluminación en interiores • Óptica de concentración (lente) y fibra óptica para transmisión • Usa la aberración cromática para filtrar los UV e IR • Cono de luz emitido por la fibra de unos 58º→ a unos 2 m consigue una iluminancia de aprox 500 lux • Un sistema de 12 lentes proporciona un flujo luminoso total de 4000 lm •Otras tecnologías: mediante espejos Valores de referencia de Iluminancia (sobre la superficie iluminada) • 1000 lux para tareas de detalle (costura) • 500 lux para lectura • 200 lux para uso recreativo 2º Ing.G.

principalmente. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) • coherente: en cada punto de la SA (y en cada instante) la emisión es estimulada por lo que hay una relación de fase entre la emisión de diferentes puntos / en otro instante): coherencia espacial / temporal.G. Componentes básicos de un emisor de luz láser: • sustancia activa: sólido / líquido / gas / plasma • mecanismo de aporte energético (o sistema de bombeo): depende de la sustancia activa. en μrad) muy pequeña (debida. La sección del haz emitido puede ser muy pequeña por lo que la irradiancia puede ser muy alta. hasta ∆λ/λ ≤ 10-15 • colimada: únicamente se amplifica la luz emitida en la dirección del eje de la cavidad resonante. uno totalmente reflectante (99. a efectos de difracción y defectos de paralelismo entre los espejos).G. 10 © E. … • cavidad resonante: compuesta por 2 espejos alineados. θ θ θ = divergencia angular (muy exagerada) 2º Ing.LÁSER: Mecanismo “especial” de emisión de luz. por lo cual la emisión tiene una divergencia angular (θ. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .9%) y el otro semitransparente (refleja 95-97%). eléctrico. Combina la emisión estimulada y la amplificación de la radiación (luz) emitida en una cavidad resonante. Puede ser óptico. por lo que el ancho de banda (de longitudes de onda) es muy pequeño. químico. La sustancia activa tiene que poder alcanzar la inversión de población. La SA está contenida en su interior. Telecom. Características de la luz emitida: LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation • monocromática: la emisión de radiación corresponde (casi totalmente) a una única transición energética.

En Modo CW. a la amplificación alcanzable).G. 2º Ing.Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. frecuencia de repetición (Hz) y ancho de pulso (s). DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . se reduce su sección. Para transmisión de datos puede modularse la emisión CW pero es preferible usar un láser pulsado. P) y se caracteriza la energía por las propiedades de cada pulso: energía por pulso (J). el ancho de los pulsos y su energía): . por tanto. Pulsos de μs / ms .Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta. ¡ Ojo ! Independientemente de la cavidad y del modo de funcionamiento. el área (A) de la sección transversal del haz emitido determina su densidad de energía / potencia por unidad de superficie. Hay varias formas de controlar la ganancia de la cavidad (y. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 11 Modo P Energía (J) En modo-P se consiguen mayores energías (láseres de alta potencia). se dice que emite en modo pulsado (pulsed mode.Cavidad resonante: la radiación se confina en forma de ondas estacionarias. Telecom. y se va amplificando por emisión estimulada en cada ciclo de recorrido hasta que alcanza suficiente energía para vencer al espejo semitransparente = emisión de un pulso láser. el láser emite en modo continuo (continuous wave.G. Haz emitido La geometría de la cavidad es muy importante porque afecta a su estabilidad y a la ganancia (y. CW) y la energía de la radiación emitida se caracteriza por su potencia (W). alcanzándose hasta 1015 W/m2 Potencia (W) Modo CW Modos de funcionamiento: Si la frecuencia de emisión de los pulsos es muy alta.gain switched: lámpara de bombeo se enciende/apaga. mediante una lente a la salida del haz. Pulsos de ns . Si se diferencian los pulsos. si el láser emite una potencia P. Pulsos de ps → fs Tiempo Tiempo © E. en consecuencia. se define la irradiancia como I = P / A (W/m2) La irradiancia se puede aumentar si.

3 nm. hasta 1012 Hz. El SB es un campo eléctrico creado por una diferencia de potencial (fuente de alta tensión) entre electrodos en los extremos del tubo que contiene a la SA. de rayos X. Emiten un haz cilíndrico. Se usan en aplicaciones industriales (corte. Requieren el recipiente de contención del gas a presión. recipientes) y de gran tamaño.G. Injected Laser Diode ILD): la SA es la región de unión de una pareja de capas de semiconductor p-n. … 2º Ing. Otros tipos: • láser de colorante (medio líquido). Otros emiten en el IR. Telecom. Otro muy usado es el de Nd:YAG. las λ requeridas para excitar a la SA. sistemas médicos. con λ ~ 1064 nm. CO2 (alta potencia). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 12 © E. con pulsos del orden de 5J y potencias ~ 1012 W. Puede conseguirse que esta densidad sea alta con intensidades de corrientes pequeñas (como las de una pila botón) si el volumen del semiconductor es muy pequeño. Tienen la gran ventaja de que son sintonizables: se puede cambiar la λ emitida mediante la modificación de la composición de la mezcla líquida que forma la SA. Otros son de vapor de Cd. con potencias bajas-medias (hasta kW). lectores de códigos de barras. justamente. 1960). Emiten en modo CW o pulsado. El SB es “bombeo óptico”: una lámpara flash (estroboscópica) cuya frecuencia e intensidad de destellos determina las características de la luz láser emitida. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .G. • láser de gas: la SA es una mezcla de gases. El más conocido es el de He-Ne (proporción 7:1. Muy utilizados en análisis químico / ambiental. los niveles de energía son líneas discretas y la emisión es muy monocromática. por lo cual estos láseres son de tamaño muy reducido. con ancho de pulso ~100 ns y potencia ~ 50 W. Los tipos más comunes son • láser de medio sólido: Primer láser operativo (T. El SB es la luz emitida por una lámpara cuyo espectro de emisión contiene.8 nm. soldadura. La SA es un sólido cristalino. Suele añadirse un elemento óptico de colimación del haz emitido. Son complejos (tuberías. SB). …). Dependen de la sustancia activa (SA) y del mecanismo de aporte energético (sistema de bombeo. Habitualmente utilizados para transmisión de datos y en sistemas médicos. No confundir con diodo LED. son menos monocromáticos que los otros tipos. El más conocido es el “láser de rubí” en el que la SA es una varilla de rubí (óxido de aluminio dopado con cromo) y el SB es una lámpara de xenon. presión ~ 1 torr) que emite λ ~ 632. Como sus átomos/moléculas están en las posiciones de una red cristalina. energías ~ 30 mJ/pulso. nucleares. El SB es una densidad volumétrica de corriente que atraviesa a la SA. Puede conseguirse emisión láser en (casi) todo el espectro óptico. Mainman.Tipos de emisores láser. Ar. usos industriales. El más conocido es el de GaAs que emite λ ~ 690 / 870 nm. ~20 μrad. La cavidad resonante se forma recubriendo con material reflectante las paredes del semiconductor por lo que el haz emitido tiene sección aproximadamente rectangular y una divergencia angular mayor que los otros tipos de láser. muy adecuado para transmisión por fibra óptica. … • láser de semiconductor (láser de diodo. en modo CW. • otros: láseres de gel. Los iones (o electrones) de uno de los componentes de la mezcla se aceleran hasta alcanzar la energía cinética necesaria para excitar (por colisiones inelásticas) a las moléculas del otro componente. Emite una λ = 694. Son muy fácilmente modulables. Pueden ser de pequeño tamaño. Emiten en modo pulsado y pueden conseguirse niveles de energía muy altos. Diferentes mezclas de gases producen la emisión en diferentes λ. Como el diagrama de niveles es de bandas.

Telecom.IR λ ~ 690 / 870 nm. P~220 mW CD-R/RW 2º Ing. Láser de Nd:YAG Diámetro ~ 0.5 cm Longitud ~ 5 cm (r = 100%) (r = 99.G. P~50 mW comunicaciones / imagen alta velocidad • GaN: azul λ ~405-410 nm.Láser de medio sólido [1] Láser de semiconductor ILD = Injected Laser Diode c Láser de Rubí Bombeo óptico: Iluminación con luz de una lámpara de Xe (láser de rubí) o de yoduro de tungsteno (láser de NdYAG).G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 13 © E. P~220 mW CD-ROM • AlGaAs: IR λ ~780→830 nm. P~30 mW DVD blu-ray disc ¡OJO! No confundir con • AlGaInP: rojo LED = Ligth Emitting Diode λ ~635→670 nm.9%) [1] Rojo • GaAs: rojo . DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .

…) • CO2: λ ~ 10.Láser de gas e- [1] Para conseguir la emisión de luz con polarización controlada.G. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . • He-Ne λ ~ 632. P~10 mW análisis ambiental (polución. P~ kW cortes. P~ W aplicaciones industriales • Ar+: λ ~ 515 nm. El haz emitido tiene polarización plana (aunque se pierde energía luminosa). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 14 © E. Telecom.2 μm. P~10 W aplicaciones médicas • He-Cd: λ ~ 442 nm. los extremos del recipiente del gas se tallan en forma de ventanas correspondientes al ángulo de Brewster.8 nm. 2º Ing.G. taladros.

Telecom. Reflexión especular. mucho mayor si es especular (la divergencia angular aumenta muy poco). Para un adulto sano.Distribución espacial de la energía de un haz láser La distribución espacial de la luz emitida en una sección transversal del haz depende de los modos electromagnéticos (modos TEM) de la cavidad. Su irradiancia es P P I= = = . aunque en muchas aplicaciones puede considerarse θ = 0 y la sección del haz constante. Irradiancia (W/m2) en la sección del haz [4] [1] En modo CW está dada por el cociente entre la potencia (luminosa P) y la sección (A) del haz (suele ser circular).25 s). θ no cambia Reflexión difusa. Ej. la irradiancia (I) disminuye al aumentar la distancia al emisor. Si interesa concentrar el haz se usa una lente convergente. y es el límite máximo de protección del ojo mediante el reflejo de aversión ocular y parpadeo (tarda unos 0. El valor de I ≈ 750 – 1000 W/m2 corresponde a la irradiancia del sol a nivel del mar (!!). θ aumenta mucho. y específicamente para la transmisión de datos por una fibra. En general.. interesa conseguir el modo TEM00 porque tiene un perfil de intensidad gausiano.G. = 9.6 ⋅10 2 W/m 2 ≈ 1000 W/m 2 2 A π ⋅R La energía total incidente sobre la superficie iluminada es el producto de la irradiancia por el tiempo de duración de la exposición.. Esto es muy importante para determinar el riesgo al exponerse a un haz reflejado. Incidencia sobre una superficie Según la λ y la rugosidad de la superficie puede producirse reflexión especular o difusa. Valores superiores de irradiancia pueden ser muy peligrosos y causar daños irreversibles porque en el tiempo que tarda el reflejo en activarse ya ha entrado suficiente energía como para producir daño en la retina. Debido a la divergencia angular (θ) del haz. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) . Un puntero láser consta de un láser de semiconductor de P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de diámetro sobre la pantalla. 15 © E. que reduce A.G. este es el valor máximo tolerable en el sistema ocular. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing.

CD): consta de una película (aleación) de Te. el Te experimenta un cambio de fase a temperatura ambiente. En el proceso de lectura. con lo que el tamaño del punto se reducía casi a la mitad. pasando de policristalino a amorfo. write once. aumentando notablemente la capacidad de almacenamiento en el mismo tamaño de disco.G. Lectura: La ablación láser provoca un cambio de reflectividad (de especular a difusa) de la superficie del disco. el mismo láser (operando a una potencia inferior) ilumina el disco y la luz reflejada es redirigida hacia un fotodetector que la interpreta como 1/0 (según su intensidad). En los discos regrabables. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) . read many) o una “deformación local” (disco regrabable) correspondiente a cada bit (1/0). Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora. permitiendo una nueva grabación. Sucedieron a los discos magnéticos (1950) y a los videodiscos (1970). DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing. Se denomina “ablación láser”.G. Los primeros sistemas (1980) usaban diodos emisores rojo/IR con λ~800 nm → 17 MB/cm2 .Almacenamiento óptico de información: CD / DVD Disco Óptico Compacto (compact disc. El tamaño del mínimo punto que almacena información está dado por la λ del láser. λ~410 nm →387 MB/cm2. a lo largo de diferentes pistas. Telecom. Físicamente. Escritura: La luz de un diodo láser se concentra (mediante lentes) hasta alcanzar un nivel de irradiancia sobre la superficie del disco que produce un “punto de quemadura” (disco WORM. un calentamiento de la superficie “borra” las deformaciones. En el año 2000 se consiguieron semiconductores que emitían luz azul (blu-ray). ¡ no tocar ! normal arañazo polvo polvo transparente 16 grasa de huella dactilar © E.

para facilitar la identificación de las marcas. Se basa en una red de difracción que descompone el haz del láser en uno central y dos laterales. Telecom. 2º Ing.G. Para λ = 780 nm y n = 1. separados un ángulo tal que los haces laterales inciden sobre el espaciado inter-pistas. separadas ~ 1. Realimentación para mantener alineamiento Para poder seguir con precisión las pistas en espiral. Esto permite que la lectura/escritura sea más resistente a las vibraciones. las señales (reflejadas) de los haces laterales cambian y se activa un mecanismo de realimentación y desplazamiento de las lentes para corregir la dirección de incidencia. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .Proceso óptico de lectura / escritura Profundidad y extensión de las marcas en el disco Como la luz reflejada es una señal débil. el láser de lectura/escritura debe contar con un mecanismo de realimentación para controlar si se desvía.G. El valor “d” depende de la λ.5 μm.12 μm = 120 nm. Si el haz de lectura se desvía. su profundidad “d” es tal que se produzca interferencia destructiva en la incidencia sobre los flancos (límites) de la marca. y del índice de refracción de la capa de material sobre el disco.50 la profundidad d ~ 0. d Estructura de las pistas y las marcas de grabación. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 17 © E.

Fischetti.G.Tipos de discos ópticos y capacidad de almacenamiento Prismas Espejo semitransparente M. Investigación y Ciencia. 2º Ing. Telecom.G. octubre 2007. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 18 © E. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .

el haz láser debe producir una irradiancia I ~ 108 W/m2. Ej: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s respecto al haz láser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 μm y R ~ 1 μm. Según su polarización se interpreta si la señal ha sido reflejada en un punto magnetizado o no (1/0). Una vez que el material se enfría. Telecom. a la que tiene lugar la transición de ferromagnético a no-ferromagnético).G. codificando un 1/0. de 0. Fundamentos: dos fenómenos físicos • La orientación de los dominios magnéticos puede cambiarse con un campo magnético débil (300 G) si el material ha sido previamente calentado por un láser hasta su temperatura de Curie (Tc.G. El material ferromagnético tiene temperatura de Curie TC = 600 K. Con estos datos.0º. Lectura: el haz del láser (polarizado) incide sobre el material ferromagnético. La luz reflejada se hace pasar por un polarizador e incide sobre un detector (en montaje diferencial porque son señales muy débiles). CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) . • si sobre un material ferromagnético incide luz polarizada plana. I↑ I↓ I↑ 19 © E. calor específico Ce = 300 J/(K oC) y densidad ρ = 2·103 kg/m3. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA 2º Ing. la orientación permanece (hasta campos de kG).Disco magneto-óptico Disco: película (aleación) de metales/tierras raras (TbFeCo) con una estructura de dominios magnéticos. Escritura: el láser calienta el material hasta Tc y el cabezal magnético (electroimán modulado por la señal digital a grabar) orienta los dominios en ese punto. el plano de polarización de la luz reflejada está rotado un cierto ángulo (efecto Kerr magneto-óptico).5-1.

La carcinogénesis puede ocurrir para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm).protecciones EN 60825-1:2007 – fabricante. Eléctrico: La mayoría de los láseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales. ¡¡ hay que consultarlas siempre !! ¡¡ buscar las últimas actualizaciones !! Algunas son: EN 60825-4:2006 . Las lámparas de flash o de alto voltaje puede ocasionar ignición.: láseres de colorante o láseres de excímero). La exposición al láser Nd:YAG Qswitched (1064 nm) es particularmente peligrosa. Fuentes defectuosas de >15 kV pueden emitir rayos-X. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .G. Para potencias superiores el daño profundo es inmediato. la retina o ambas. Para potencias 1 W 5 W el daño inicial es superficial. Machinery Directive) Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificación y son obligatorias legalmente A nivel internacional las normas las definen la Comisión Electrotécnica Internacional (IEC) y la Organización Internacional de Estandarización (ISO) y sus análogos europeos (CENELEC y CEN). Otros riesgos Químico: Algunos láseres necesitan sustancias peligrosas o tóxicas para su funcionamiento (p. Los láseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisión óptica. Telecom. siendo adaptadas por los organismos nacionales de cada país. Normas legales. 2º Ing. Los láseres pueden inducir reacciones químicas con liberación de productos peligrosos gaseosos (F). Otros riesgos hay que evaluarlos por separado (Low Voltage Directive.Riesgos en el uso de fuentes de luz láser. Los materiales inflamables pueden entrar en ignición debido a incidencia directa o reflexiones especulares de láseres infrarrojos continuos de alta potencia. Radio &Telecom.G. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 20 © E. EN 208:1999 – protectores oculares EN 60825-2:2004 – sistemas de fibra óptica Directiva sobre Exposición a Radiación Óptica Artificial (AORD) EN 60825-12:2004 – comunicaciones aéreas 2006/25/EC a implementar antes del 27/4/10. Riesgos debidos a la radiación óptica Ocular: La exposición aguda (“puntual”) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar quemaduras en la córnea. clasificación EN 207:1999.Terminal Equipment Directive. La franja de daño retinal es de 400-1400 nm.ej. Dérmico: La exposición aguda a altos niveles de radiación óptica puede causar quemaduras en la piel. Incendio: Los disolventes utilizados en los láseres de colorante son inflamables. Los efectos visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de daño térmico sea muy alto. La exposición crónica (“prolongada”) a niveles excesivos puede causar opacidad en la córnea o en el cristalino (cataratas) o daño retinal.

La Exposición Máxima Permitida (Maximum Permitted Exposure. 2º Ing. 2. Para entorno abierto (unrestricted locations) en el rango de 400 nm a 700 nm la Clase es 2 y para todas las otras longitudes de onda es Clase 1. Si el láser emite en múltiples longitudes de onda. Para clasificar los láseres pulsados se consideran la energía total por pulso (J). Con los criterios anteriores se generan las 4 Clases (7 niveles) de riesgo láser (p. La MPE. la frecuencia de repetición de pulsos y la exposición radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure). la clasificación se basa en aquella más peligrosa. especialmente si es posible que los usuarios puedan superar los niveles de exposición admisibles. 4. aumentando su irradiancia y hacer que el nivel de exposición real de un usuario sea superior al correspondiente al nivel del sistema láser.Criterios de clasificación de los láseres (según su riesgo) 1. 3. Para clasificar los láseres de onda continua (continuous wave. El uso de gafas o cualquier otro instrumento óptico puede reducir la sección del haz. La clasificación solo es válida para el uso normal del equipo. CW) o los láseres pulsados repetitivos se consideran la potencia promedio de salida (average power output) (W) y el tiempo de exposición límite (limiting exposure time) inherentes al diseño. la duración (ancho) del pulso . CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 21 © E. 4. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . El nivel de riesgo permisible depende del entorno y uso. Requieren especial atención con los dispositivos láser emisores de haces no visibles (IR. Ej: sistemas de fibra óptica. Longitud de Onda. 5. La Directiva AORD impone realizar una evaluación de riesgo para los equipos de Clases 3B y 4. según el acuerdo de los expertos. 3.G. depende de los parámetros del láser. MPE) se define como “El nivel de radiación láser al que una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biológicos adversos en el ojo o en la piel“. La MPE no es una “línea de diferenciación” entre una exposición segura y una peligrosa. en una fibra óptica) pueden hacer que los niveles de exposición sean superiores. Las operaciones de servicio y mantenimiento o desmontaje (incluso parcial) o una rotura (por ejemplo. NHZ) es la zona donde se supera la MPE. A veces se usan haces visibles paralelos o tarjetas luminiscentes para marcar la trayectoria del haz no visible. Telecom. Esto no quiere decir que no sea también necesaria para equipos de clase inferior. pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. 2. 5. Hay que tener en cuenta que 1. UVA). 6. Debe estar señalizada y restringida (según la Clase).G. siguiente). Cada Clase tiene tabulado un Límite de Emisión Accesible (Accesible Emission Limit. AEL) . Se diferencia si se trata la exposición directa o a la luz reflejada y si es reflexión especular o difusa. expresada en [J/cm2] or [W/cm2]. sino que representa los niveles máximos que. La Zona de Riesgo Nominal (nominal hazardous zone.

Para láseres pulsado entre 400-700 nm el límite es 30 mJ. IIIa y IV.25s en producirse. Para láseres CW. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algún dispositivo óptico en el haz. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algún dispositivo óptico en el haz.: punteros. el AEL = 500 mW. incluyendo el reflejo del parpadeo. Para los láseres continuos (CW) la protección de los ojos es la dada por la respuesta de aversión natural. III. 2º Ing. llave para funcionar e interruptor de seguridad. Las reflexiones directa y difusa son también peligrosas. Para láseres CW. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran diámetro. II. Ej. Estos láseres no son intrínsecamente seguros. llave para funcionar e interruptor de seguridad. que tarda aproximadamente 0. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 22 © E. Puede superarse la MPE pero con bajo riesgo de daño. el AEL = 1 mW (o superior si la exposición es menor de 0. La visión directa del haz (o reflexión especular) es siempre peligrosa. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .5 nm hasta 4000 nm Láser seguro en condiciones de uso normal. Nunca supera la MPE. incluyendo el reflejo del parpadeo. Requieren protector ocular. Peligro de incendio. Para láseres CW.G. Clase 2 BAJA POTENCIA Sólo visible Clase 2M SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIÓN Sólo visible Clase 3R BAJA /MEDIA POTENCIA Visible / no visible Clase 3B MEDIA /ALTA POTENCIA Visible / no visible Clase 4 ALTA POTENCIA Visible / no visible *Esta clasificación coexiste con una Clasificación (anterior) norteamericana que define las Clases I. Se considera seguro si se maneja cuidadosamente y sin visión directa. que tarda aproximadamente 0. Protección ocular recomendada.Clase* / POTENCIA / rango de λ Características Láser seguro en condiciones de uso normal. La visión de reflexión difusa es normalmente segura si el ojo está a más de 13 cm de la superficie difusora y si la exposición es menor de 10 s. Generalmente contiene un láser de clase superior en una carcasa no accesible sin desmontarla.25s en producirse.G.25s). Requieren protector ocular. el AEL = 5 mW. IIa. La protección de los ojos es la dada por la respuesta de aversión natural. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran diámetro. Telecom. Clase 1 SEGURO Visible / no visible Clase 1M SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIÓN 302. Riesgo ocular y dérmico. La visión directa del haz (o reflexión especular) es siempre peligrosa.

CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 23 © E.G. …) 2º Ing. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA .Precauciones y Medidas de Seguridad El Etiquetado debe indicar • punto / dirección de salida del haz • tipo (gas / diodo / iones / …) • modo (continuo / pulsado) • energía y frecuencia de pulsos / potencia • longitud de onda (y si es invisible) • Clase • advertencias (para piel y ojos) según Clase • [norma legal de referencia] • advertencias según sustancias (tóxicas.G. Telecom. …) y mecanismo de excitación (riesgo eléctrico. inflamables.

peso y comodidad.modo continuo: potencia y número máximo de segundos .G. Deben permitir el máximo de visión (mínima atenuación) en el resto del espectro visible. resistencia a impactos y salpicaduras. Otros factores a considerar: ángulo de visión y visión periférica.G. Tipos (comunes) de protectores oculares Goggles (gafas “submarinas”) Full-view spectacles (gafas de campo completo) Lightweight spectacles (gafas ligeras) wrap-around spectacles (gafas envolventes) 2º Ing.modo pulsado: número máximo de pulsos / frecuencia y energía/pulso 3. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 24 © E. posibilidad de llevar gafas de corrección oftálmica simultáneas. Los protectores específicos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean próximas o “del mismo color”). especialmente al manipular sistemas con riesgo de exposición imprevista o λ no visibles. Para la mayoría de las aplicaciones. Telecom. 5. Son obligatorios (al menos) con sistemas de Clases 3 y 4. El fabricante debe señalar el tiempo máximo de resistencia (del protector) a la exposición indicando: .Dispositivos de protección ocular. 2. no deben atenuar por completo el láser para permitir ver la localización del haz. DFA III-ESI 2010/11 UNIVERSIDAD DE SEVILLA . atenuación en otras longitudes de onda. El material absorbente se degrada con el tiempo: ¡¡ ojo a la fecha de caducidad !! 4. Los protectores oculares se fabrican en polímeros o cristales con un absorbente: 1. Muy recomendables siempre.

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