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Diodo Laser

Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con una polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido. La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica como funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura. Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos que refuerza la emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso, enfocado y puro. El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin conocidos como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja). Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha. APLICACIN BSICA La aplicacin bsica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de alimentacin lumnica para sistemas de telecomunicaciones va fibra ptica. El diodo lser es capaz de proporcionar potencia ptica entre 0.005-25mW, suficiente para transmitir seales a varios kilmetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un diodo lser como fuente lumnica, es necesario disear un sistema de control que mantenga el punto de operacin del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operacin o incluso daarlo. CARACTERISTICAS BASICAS

Caracterstica de salida de los diodos lser Dependencia de la caracterstica de salida como Funcin de la temperatura Los diodos lser son ms recomendables como fuentes pticas para sistemas de comunicacin con grandes separaciones entre repetidores y altas velocidades de transmisin. Se puede lograr distancias de 100Km sin repetidores con velocidades de 1 GHz. Diferencias del diodo lser con un diodo LED. LASER *Ms rpido *Potencia de salida mayor LED *Mayor estabilidad trmica *Menor potencia de salida, mayor tiempo de vida *Emisin coherente de luz *Emisin incoherente *Construccin es ms compleja *Mas econmico *Actan como fuente s adecuadas en Se acoplan a fibras pticas en distancias sistemas de telecomunicaciones cortas de transmisin *Modulacin a altas velocidades, *Velocidad de modulacin hasta 200MHz hasta GHz Ventajas del diodo lser con un diodo LED La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

La emisin de luz lser es monocromtica: Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

Con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Un diodo lser requiere de una fuente de alimentacin de 100 a 200 mW. Se les hizo funcionar primero en el modo de pulsos en 1962. Luego se usaron en operacin en onda continua (OC) en los aos setentas. Los diodos lser han tenido uso extenso como emisores en comunicacin por fibras pticas de alcance corto y largo, y como sensores en los reproductores de discos de compactos (DC). Los diodos lser se modulan con facilidad, conmutando la corriente de entrada a conectado y desconectado Los diodos lser de un solo modo, capaces de emitir de 20 a 50 mW, tienen demanda para grabacin ptica, impresin a alta velocidad, sistemas de distribucin de datos, transmisin de datos y comunicaciones espaciales entre satlites en rbita. COMPOSICION QUIMICA DE UN DIODO LASER DE ESTADO SLIDO El funcionamiento del diodo lser lo determinan su composicin qumica y su geometra. Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor. Los materiales son contaminados con impurezas por medio de qumicos, para darles ya sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).

Los diodos lser que emiten en la regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por capas de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP.

La ilustracin muestra las caractersticas estructurales comunes a todos los diodos lser de onda continua (OC). La base del diodo es un subestrato formado por GaAs o InP, tipo N, con alta impurificacin. Sobre la parte superior del subestrato, y a manera de descubrimiento, se desarrolla una capa plana ms ligera del mismo material, Tipo N y con impurificacin. Sobre la capa de recubrimiento tipo N se desarrolla una capa activa de semiconductor (AlGaAs o InGaAsP) sin impurificaciones. Despus, sobre la capa activa de tipo P, con alto grado de impurificacin. Cuando pasa la corriente por los contactos metlicos los electrones inyectados desde la capa tipo N y los huecos inyectados desde la capa tipo P se recombinan en el rea activa delgada, y emiten luz. La luz viaja hacia atrs y hacia delante entre las facetas parcialmente reflectantes de los extremos del diodo. La accin lasrica comienza al incrementarse la corriente. La ganancia ptica en viaje redondo debe superar las prdidas debidas a absorcin y dispersin que se dan en la capa activa, para sostener dicha accin. Muchos diodos lser tienen una capa delgada de oxido, depositada sobre la parte superior de la capa de cubierta final tipo P. En esta capa de oxido se hace un ataque qumico de manera que pueda formarse una cinta metlica de contacto en receso de poca profundidad, longitudinalmente a lo largo de la superficie superior del diodo. El ndice de refraccin de la capa activa es mayor que el del material tipo P y del material tipo N (las capas de recubrimiento) que estn arriba y abajo de sta. Como resultado, la luz es atrapada en una gua dielctrica de ondas formada por las dos

capas de recubrimiento y la capa activa, y se propaga en ambas, la capa activa y las de recubrimiento. El haz de luz que emerge del diodo lser forma una elipse vertical (en seccin transversal), aunque la regin lasrica es una elipse horizontal. La luz que se propaga dentro del diodo, se extiende hacia afuera en forma transversal (verticalmente) desde las capas de recubrimiento superior e inferior. Cuando el diodo est funcionando en el modo fundamental, el perfil de intensidad de su haz emitido en el plano transversal, es una curva de Gauss de forma acampanada. En el lser se amplifica la luz al viajar hacia atrs y hacia adelante en la direccin longitudinal, entre las facetas de cristal de cada extremo del diodo. Los modos resonantes que se extienden en direccin perpendicular a la unin PN, se llaman modos transversales. La inyeccin de electrones y huecos en la capa activa situada abajo de la cinta metlica de contacto, altera el ndice de refraccin de la capa activa, y confina la luz lateralmente para que no se disperse hacia afuera, hacia ambos lados del centro de la capa activa. ALGO MS ACERCA DE LOS DIODOS LASER En un lser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de inyeccin. De esta manera, los pares electrn-hueco dan la inversin de poblacin necesaria para la emisin lser. La recombinacin estimulada lleva a la amplificacin de la luz, generando fotones con la misma direccin de propagacin, polarizacin, frecuencia y fase que el fotn que ha inducido la recombinacin. Los pares electrn-agujero deben estar confinados en una zona estrecha para mantener la inversin de poblacin a un nivel elevado. Si no es as, hay que suministrar inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisin lser. Por simplicidad, los pares electrn-hueco se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los portadores en recombinar.

La sencilla unin p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento necesario, porque la anchura de la regin en que los portadores estn confinados aumenta debido a la difusin de los portadores. El problema de la difusin de los portadores puede resolverse parcialmente usando heterostructuras. Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del mecanismo de

confinamiento lateral de los portadores. En lseres semiconductores guiados por la ganancia, no se incorpora ningn confinamiento aadido, y el perfil de la ganancia viene determinado esencialmente por la regin con corriente de inyeccin y efectos difusivos. En los lseres guiados por el ndice, la regin activa est rodeada lateralmente por material con un ndice de refraccin menor. En estos dispositivos, se consigue un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a los portadores, los lseres de doble heterostructura guiados por el ndice tambin incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de gua es debido a un mayor ndice de refraccin en la regin activa que en el resto de capas que la rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrs como lo hara en el interior de una fibra ptica. Una cavidad ptica adecuada es necesaria para conseguir la emisin lser. En otros tipos de lser, la cavidad est limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre ellos y de la geometra del medio activo. Mientras uno de los espejos puede disearse totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.

Los lseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente est incorporado en la estructura lser a partir del mismo sustrato, y est formado de muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que as resulta permite una caracterstica casi plana de la reflectividad para un rango considerable de longitudes de onda. Lseres ms convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisin lser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separacin lser-aire es cercana al 32 %. El valor grande del ndice de refraccin en la zona activa confina la luz a la regin con ganancia material. EJEMPLO DE APLICACINEL LECTOR DE DISCOS COMPACTOS Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin. BIBLIOGRAFIA Principios de electrnica, Malvino-Mc Graw Hill. Sexta edicin. Trabajo del semestre pasado realizado por Rossybell Martinez y Juan Fernando torres.