Está en la página 1de 17

NANOTECNOLOGIA Y APLICACIONES RELACIONADAS CON LA COMPUTACIN Ms. Ing. Jairo E. Mrquez D.

Nanotecnologa1 La palabra "nanotecnologa" es usada extensivamente para definir las ciencias y tcnicas que se aplican a un nivel de nanoescala, esto es unas medidas extremadamente pequeas "nanos" que permiten trabajar y manipular las estructuras moleculares y sus tomos. En sntesis nos llevara a la posibilidad de fabricar materiales y mquinas a partir del reordenamiento de tomos y molculas. El desarrollo de esta disciplina se produce a partir de las propuestas de Richard Feynman (Breve cronologa - historia de la nanotecnologa). La nanotecnologa es el estudio, diseo, creacin, sntesis, manipulacin y aplicacin de materiales, aparatos y sistemas funcionales a travs del control de la materia a nano escala, y la explotacin de fenmenos y propiedades de la materia a nano escala.

Cuando se manipula la materia a la escala tan minscula de tomos y molculas, demuestra fenmenos y propiedades totalmente nuevas. Por lo tanto, cientficos utilizan la nanotecnologa para crear materiales, aparatos y sistemas novedosos y poco costosos con propiedades nicas Nos interesa, ms que su concepto, lo que representa potencialmente dentro del conjunto de investigaciones y aplicaciones actuales cuyo propsito es crear nuevas estructuras y productos que tendran un gran impacto en la industria, la medicina (nanomedicina), etc. Estas nuevas estructuras con precisin atmica, tales como nanotubos de carbn, o pequeos instrumentos para el interior del cuerpo humano pueden introducirnos en una
1

Fuente. Nanotechnology. [on line] [Consultado el 13 de http://www.euroresidentes.com/futuro/nanotecnologia/nanotecnologia_que_es.htm.

mayo

de

2012]

nueva era, tal como seala Charles Vest (ex-presidente del MIT). Los avances nanotecnolgicos protagonizaran de esta forma la sociedad del conocimiento con multitud de desarrollos con una gran repercusin en su instrumentacin empresarial y social. La nanociencia est unida en gran medida desde la dcada de los 80 con Drexler y sus aportaciones a la "nanotecnologa molecular", esto es, la construccin de nanomquinas hechas de tomos y que son capaces de construir ellas mismas otros componentes moleculares. Desde entonces Eric Drexler (personal webpage), se le considera uno de los mayores visionarios sobre este tema. Ya en 1986, en su libro "Engines of creation" introdujo las promesas y peligros de la manipulacin molecular. Actualmente preside el Foresight Institute. El padre de la "nanociencia", es considerado Richard Feynman, premio Nbel de Fsica, quin en 1959 propuso fabricar productos en base a un reordenamiento de tomos y molculas. En 1959, el gran fsico escribi un artculo que analizaba cmo los ordenadores trabajando con tomos individuales podran consumir poqusima energa y conseguir velocidades asombrosas. Hay varias razones por las que la Nanociencia se ha convertido en un importante campo cientfico con entidad propia. Una es la disponibilidad de nuevos instrumentos capaces de "ver" y "tocar" a esta escala dimensional. A principios de los ochenta fue inventado en Suiza (IBM-Zurich) uno de los microscopios capaz de "ver" tomos. Unos pocos aos ms tarde el Atomic Force Microscopefue inventado incrementando las capacidades y tipos de materiales que podan ser investigados. En respuesta a estas nuevas posibilidades los cientficos han tomado conciencia de potencial futuro de la actividad investigadora en estos campos. La mayor parte de los pases han institucionalizado iniciativas para promover la nanociencia y la nanotecnologa, en sus universidades y laboratorios. Existe un gran consenso en que la nanotecnologa nos llevar a una segunda revolucin industrial en el siglo XXI tal como anunci hace unos aos, Charles Vest (ex-presidente del MIT). Supondr numerosos avances para muchas industrias y nuevos materiales con propiedades extraordinarias (desarrollar materiales ms fuertes que el acero pero con solamente diez por ciento el peso), nuevas aplicaciones informticas con componentes increblemente ms rpidos o sensores moleculares capaces de detectar y destruir clulas cancergenas en las partes ms delicadas del cuerpo humano como el cerebro, entre otras muchas aplicaciones.

MAGNETORESISTENCIA GIGANTE2 Este efecto fue descubierto de forma independiente en 1988 por un equipo liderado por Peter Grnberg del Jlich Research Centre en capas cristalinas de Fe/Cr/Fe, los cuales poseen la patente, y en capas de Fe/Cr por el grupo de Albert Fert de la Universidad de Pars-Sur, quienes por primera vez observaron el fenmeno en las multicapas que dio lugar al nombre y que primeramente explicaron la fsica subyacente.

Un equipo de IBM liderado por Stuart Parkin reconoci rpidamente las posibilidades de utilizacin del efecto para un sensor de campo magntico y, por consiguiente, para la cabeza de lectura en un disco duro de ordenador y replic el efecto en capas policristalinas en 1989. En diciembre de 1997 IBM liber al mercado el primer dispositivo comercial basado en este efecto. El descubrimiento de esta tecnologa supuso para Peter Grnberg y Albert Fert el Premio Nobel de Fsica del ao 2007. La magnetorresistencia gigante (en ingls, Giant Magnetoresistance Effect o GMR) es un efecto mecnico cuntico que se observa en estructuras de pelcula delgada compuestas de capas alternadas ferromagnticas y no magnticas. Se manifiesta en forma de una bajada significativa de la resistencia elctrica observada bajo la aplicacin de un campo magntico externo: cuando el campo es nulo, las dos capas ferromagnticas adyacentes tienen una magnetizacin antiparalela puesto que estn sometidas a un acoplamiento ferromagntico dbil entre las capas. Bajo efecto de un campo magntico externo, las magnetizaciones respectivas de las dos capas se alinean y la resistencia de la multicapa cae de manera sbita. Los spines de los electrones de la sustancia no magntica se alinean en igual nmero de manera paralela y antiparalela al campo magntico aplicado, y por tanto sufren un cambio de difusin magntica en una menor medida respecto a las capas ferromagnticas que se magnetizan de forma paralela.
2

Fuente. Magnetorresistencia gigante. http://es.wikipedia.org/wiki/Magnetorresistencia_gigante [on line] [Consultado el 10 de mayo de 2012]

Tipos de fenmenos de GMR Magnetorresistencia gigante en las multicapas En este caso, al menos dos capas ferromagnticas estn separadas por una pelcula ultradelgada (cerca de 1 nanmetro) de metal no ferromagntico (por ejemplo, dos capas de hierro separadas por el cromo: Fe / Cr / Fe). Para ciertos espesores, el acoplamiento RKKY entre las capas ferromagnticas adyacentes, se hace un acoplamiento antiferromagntico: a nivel energtico, se hace preferible para las capas adyacentes que sus magnetizaciones respectivas se alineen de manera antiparalela. La resistencia elctrica del dispositivo normalmente es ms grande en el caso antiparalelo, y la diferencia puede alcanzar varias decenas de porcentuales a temperatura ambiente. En estos dispositivos, la capa intermediaria corresponde al segundo pico antiferromagntico en la oscilacin antiferromagntico-ferromagntico del acoplamiento RKKY. La magnetoresistencia gigante fue observada por primera vez en una configuracin multicapa, trabajndose con apilamientos de 10 o ms capas. Magnetorresistencia gigante de vlvula de spin

GMR de vlvula de spin.

En el GMR de vlvula de spin dos capas ferromagnticos estn separadas por una capa no magntica (aproximadamente 3nm), pero sin acoplamiento RKKY. Si el campo coercitivo de ambos electrodos ferromagnticos es diferente, es posible conmutarlos

independientemente. As, podemos realizar una alineacin paralela o antiparalela, y la resistencia debe ser ms grande en el caso antiparalelo. Este sistema es a veces llamado vlvula de espn puesto que permite controlar el espn de los electrones que circulan. Esta es la que presenta mayor inters comercial puesto que es la configuracin usada en la mayora de los discos duros. Magnetorresistencia gigante granular El magnetoresistencia gigante granular es un fenmeno que se produce en precipitados slidos de materiales magnticos en una matriz no magntica. En la prctica, el GMR granular es observado nicamente en matrices de cobre que contienen grnulos de cobalto. La razn de ello es que el cobalto y el cobre no son miscibles,3 y por tanto es posible crear precipitado slido enfriando rpidamente una mezcla en fusin de cobre y cobalto. La talla de los grnulos depende de la velocidad de enfriamiento y del recocido posterior. Los materiales que muestran una magnetoresistencia gigante granular no parecen en el 2005 capaces de reproducir los efectos tan importantes como los presentados por los formados a partir de multicapas. MRAM4 La MRAM (RAM magnetorresistiva o magntica) es un tipo de memoria no voltil5 desarrollada desde los aos 90. El desarrollo de la tecnologa existente, principalmente Flash y DRAM han evitado la generalizacin de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o despus alcanzar un uso muy elevado. A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga elctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamiento magntico. Los elementos estn formados por dos discos ferromagnticos, cada uno de los cuales puede
3

En qumica, una mezcla es un sistema material formado por dos o ms sustancias puras pero no combinadas qumicamente. En una mezcla no ocurre una reaccin qumica y cada uno de sus componentes mantiene su identidad y propiedades qumicas. No obstante, algunas mezclas pueden ser reactivas, es decir, que sus componentes pueden reaccionar entre s en determinadas condiciones ambientales, como una mezcla airecombustible en un motor de combustin interna. Los componentes de una mezcla pueden separarse por medios fsicos como destilacin, disolucin, separacin magntica, flotacin, filtracin, decantacin o centrifugacin. Si despus de mezclar algunas sustancias, estas reaccionan qumicamente, entonces no se pueden recuperar por medios fsicos, pues se han formado compuestos nuevos. Aunque no hay cambios qumicos, en una mezcla algunas propiedades fsicas, como el punto de fusin, pueden diferir respecto a la de sus componentes. Las mezclas se clasifican en homogneas y heterogneas. Los componentes de una mezcla pueden ser slidos, lquidos o gaseosos.
4

Fuente. MRAM. http://es.wikipedia.org/wiki/DRAM [on line] [Consultado el 10 de mayo de 2012]. Es un tipo de memoria cuyo contenido de datos almacenados no se pierde an si no este energizada.

generar un campo magntico, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sita en un imn permanente con una polaridad dada; el otro variar para adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria. La lectura se realiza midiendo la resistencia elctrica de la celda. En general, una celda se selecciona con base en la alimentacin de un transistor asociado que conduce la corriente desde una lnea de alimentacin a travs de la celda a tierra. El efecto tnel provoca cambios en la resistencia de la celda segn la orientacin de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada, puede calcularse la resistencia y a partir de sta la polaridad del disco escribible. En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es la misma (el estado de menor resistencia). La escritura puede realizarse de varias maneras. La ms sencilla es que cada celda est situada entre dos lneas de escritura que formen un ngulo adecuado entre s por encima y debajo de la celda. Con la corriente se induce un campo magntico en la unin, y este campo influye en el disco escribible. Este patrn de operacin es similar al de la memoria de ncleo de ferrita de los aos 60. Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo magntico lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo consumo. Adems, conforme el tamao se escala, los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes. Este problema parece imponer un tamao de celda relativamente grande. Aunque se intent solucionar con dominios circulares y la magneto resistencia colosal (CMR),6 no parece que esta solucin se est desarrollando ltimamente.
6

Es la propiedad de algunos materiales, principalmente xidos con estructura de perovskita basados en manganeso) que les permite cambiar considerablemente su resistencia elctrica en presencia de un campo magntico. La magnetoresistencia de los materiales convencionales permite cambios en la resistencia de hasta un 5%, pero los materiales que tienen como rasgo el CMR pueden demostrar cambios en la magnetorresistencia superiores a la convencional en rdenes de magnitud. Descubierta por primera vez en 1993 por von Helmolt y otros, no hay una explicacin plausible para esta propiedad que se base en las teoras fsicas actuales, incluyendo la magnetoresistencia convencional o el mecanismo de doble intercambio, siendo por ello el foco de una intensa actividad de investigacin. La comprensin y la aplicacin de CMR ofrecer tremendas oportunidades para el desarrollo de nuevas tecnologas como las cabezas de lectura/escritura de disco para almacenamiento magntico de alta capacidad, y de la espintrnica.

Otro enfoque realiza una escritura en varias fases por medio de una celda multinivel. La celda contiene ahora un material antiferromagntico7 en el que la orientacin magntica se alterna en la superficie. Los niveles fijos y libres estn formados ahora por pilas de varios niveles aisladas por unnivel de acoplamiento. La estructura resultante slo tiene dos estados estables, que pueden cambiarse (toggling) ajustando el retraso relativo en la seal de escritura propagada por cada una de las dos lneas, provocando una rotacin del campo. Cualquier voltaje que no sea el completo aumenta la resistencia de forma que las celdas que compartan una de las lneas de escritura no se ven afectadas. Esto permite celdas ms pequeas. Una tcnica ms reciente se basa en la transferencia de torsin de spin (spin torque transfer o spin transfer switching). Utiliza electrones polarizados (con su momento de spin alineado) para realizar la torsin sobre los dominios magnticos. En concreto, si los electrones que fluyen a una capa han de cargar su spin, se genera una fuerza de torsin que se transfiere a la capa prxima. De esta forma se reduce la corriente necesaria para realizar la escritura a aproximadamente el mismo nivel de la lectura. Se sospecha que la celda MRAM clsica sea difcil de producir en gran densidad por la cantidad de corriente necesaria para la escritura, algo que este mtodo evita. El problema es que, por el momento, el transistor de control debe conmutar ms corriente y debe mantener la coherencia de spin. En todo caso, la corriente de escritura es mucho menor que en las otras variantes.

El antiferromagnetismo es el ordenamiento magntico de todos los momentos magnticos de una muestra, en la misma direccin pero en sentido inverso (por pares, por ejemplo, o una subred frente a otra). Un antiferromagneto es el material que puede presentar antiferromagnetismo. La interaccin antiferromagntica es la interaccin magntica que hace que los momentos magnticos tiendan a disponerse en la misma direccin y en sentido inverso, cancelndolos si tienen el mismo valor absoluto, o reducindolos si son distintos. Ha de extenderse por todo un slido para alcanzar el antiferromagnetismo. Como el ferromagnetismo, la interaccin antiferromagntica se destruye a alta temperatura por efecto de la entropa. La temperatura por encima de la cual no se aprecia el antiferromagnetismo se llama temperatura de Neel. Por encima de esta, los compuestos son paramagnticos. Generalmente, los antiferromagnetos estn divididos en dominios magnticos. En cada uno de estos dominios, todos los momentos magnticos estn alineados. En las fronteras entre dominios hay cierta energa potencial, pero la formacin de dominios est compensada por la ganancia en entropa. Al someter un material antiferromagntico a un campo magntico intenso, algunos de los momentos magnticos se alinean paralelamente con l, an a costa de alinearse tambin paralelo a sus vecinos (superando la interaccin antiferromagntica). Generalmente, se requiere un campo magntico muy intenso para conseguir alinear todos los momentos magnticos de la muestra. Las interacciones antiferromagnticas pueden producir momentos magnticos grandes, incluso imanacin. El ferromagnetismo ocurre en sistemas en los que una interaccin antiferromagntica entre momentos magnticos de diferente magnitud implica un momento magntico resultante grande. La magnetita es un slido extendido que presenta ferrimagnetismo: es un imn, aunque las interacciones son antiferromagnticas.

Esquema simplificado de una celda MRAM.

DRAM (Dynamic Random Access Memory)8 Es un tipo de memoria dinmica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad. La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
8

Fuente. DRAM. http://es.wikipedia.org/wiki/DRAM [On line] [Consultado el 10 de mayo de 2012].

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la direccin.

Los pasos principales para una lectura son:

Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lgico. Esto es posible ya que las lneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms alto que la de los condensadores en las celdas. Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la direccin y la seal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexin elctrica entre las lneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos

con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es un condensador ms grande que el de la celda. El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene circuitos de realimentacin positiva: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo. La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la seal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor indicado por la lnea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una lnea gruesa en el grfico. A-RAM (Advanced-Random Access Memory): Es un tipo de memoria DRAM basada en celdas de un solo transistor. Esta tecnologa ha sido inventada en la Universidad de Granada (Espaa) en colaboracin con el Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS (Francia). La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias DRAM convencionales, no necesita de ningn elemento extrnseco de almacenamiento de la informacin (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseado. A medida que la tecnologa de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm9, es de esperar que la tecnologa convencional de almacenamiento no-voltil DRAM encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los transistores de silicio-sobre-aislante (Silicon-on-insulator).10 Estas

Nmero de patente: FR09/52452, "Point mmorie RAM un transistor", Institut Nationalle de la Propit Industrielle.
10

Silicon on insulator (SOI) es una tecnologa de fabricacin microelectrnica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricacin de obleas de silicio monocristalino, por un sandwich de capas de semiconductor-aislante-semiconductor.

memorias conocidas como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologas A-RAM, TT-RAM y Z-RAM.11 MEMORIA FETRAM Esta memoria est hecha de material ferroelctrico, que almacena la informacin leyendo la polaridad cambiante de los transistores ferroelctricos creados, combinando nanocables de silicio con un polmero ferroelctrico. Este tipo de memoria puede mantener la informacin durante aos, permiten innumerables ciclos de escritura y lectura, son ms veloces en general, y son capaces de consumir un 99% menos que los chips de memoria flash.

Este tipo de memoria aunque aun no est en el mercado, es muy probable que dentro de pocos aos haga su aparicin. Este desarrollo es fruto de investigaciones en nanotecnologa y disciplinas como la nanoelectrnica y electrnica molecular.

Esta tcnica reduce las capacidades parsitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de latch-up en los circuitos lgicos CMOS, y mejora la escalabilidad de los circuitos integrados. El aislante empleado suele ser tpicamente dixido de silicio o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la radiacin, zafiro. Las lminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. Dependiendo del espesor de la lmina de silicio sobre el aislante se distinguen dos tipos de tecnologa SOI. Si la lmina de silicio se encuentra completamente deplexionada de portadores mviles (electrones o huecos) se habla de FD-SOI (Fully-Depleted SOI); si est parcialmente deplexionada PD-SOI (Partially-Depleted SOI). La tecnologia FD-SOI es muy prometedora para la miniaturizacin de los dispositivos electrnicos, mientras que la PD-SOI muestra sus ventajas en la fabricacin de transistores que deban operar a altas frecuencias (como enmicroprocesadores) as como en la fabricacin de memorias de un solo transistor (1TDRAM). El uso de SOI tiene la ventaja de no requerir apenas cambios en el proceso de fabricacin de los circuitos integrados ms all de utilizar obleas SOI distintas de las tradicionales. Su principal inconveniente es el coste: las obleas SOI son significativamente ms caras que las ordinarias.
11

A-RAM: Novel capacitor less DRAM memory. 2009 IEEE International SOI Conference. Foster City, CA.

MEMORIA DDR4 Las nuevas memorias RAM DDR4 de Samsung han llegado con una serie de novedades y mejoras con respecto a sus antecesoras, tanto en el rendimiento como en el consumo, con las cuales seguramente se abrirn paso en el mercado y darn el pie a otros desarrollos de mejor nivel.

Esta memoria utiliza una tecnologa de 30nm a 50nm, y se espera que salga al comercio este ao. Con este tamao el consumo energtico es del orden de 1.2v. Por otra parte, estas memorias actualmente ofrecen una frecuencia de 2133Mhz, pero segn la misma Samsung, podrn utilizar desde los 1.600Mhz hasta los 3200Mhz. MEMORIA RERAM La ReRAM (Memoria Resistiva de Acceso Aleatorio), o memoria de resistencia, usa materiales que cambian de resistencia en respuesta al voltaje. De este modo, "recuerdan incluso cuando el aparato deja de recibir energa. El fabricante de memorias japons Elpida anunci la fabricacin de un prototipo de memoria ReRAM con una velocidad comparable a la DRAM. Su mayor ventaja es que puede leer y escribir datos a alta velocidad usando poco voltaje, tiene una velocidad de escritura de 10 nanosegundos, ms o menos la misma que la DRAM. Pero las DRAM no slo tienen como ventaja respecto a las memorias "no voltiles" su alta velocidad, tambin tienen una mayor durabilidad, es decir, cuntas veces pueden usarse antes de ser inestables. Las memorias flash slo pueden escribir datos unas decenas o cientos de miles de veces en el mismo punto antes de que el riesgo de fallos en el aparato sea alto. Aunque en Elpida anunciaron que su prototipo tiene una durabilidad de ms de un milln de escrituras de datos, aun no llega a los niveles de durabilidad de la DRAM. La ReRAM se estima que salga al mercado para el 2013. Este nuevo componente, cuyo desarrollo estara comandado por la Universidad de Tokio y el Instituto Nacional Japons

de Ciencia Industrial Avanzada, tendr un consumo energtico de casi cero cuando no est en uso, y en cuanto a su rendimiento, todava no se ha publicado valores reales de sus tiempos. LAS NUEVAS MEMORIAS RAM KINGSTON HYPERX T112 Kingston, ha presentado su nueva memoria RAM DDR3 HyperX T1, ideal para experimentar velocidades extremas. Con este nuevo modelo, los usuarios pueden sacan el mximo provecho a la board y procesador mediante el overclock, para ello disponen de un disipador de aluminio en color azul que se encarga de evitar los problemas de sobrecalentamiento al subirles la frecuencia y voltaje. Caractersticas: -Capacidades de hasta 12GB (doble canal), 24GB (triple canal). -Una velocidad de hasta 2133MHz (doble canal), 1866MHz (triple canal). -Tensin de servicio 1.65V permite un overclocking estable, por lo que Intel Core i7 corre ms rpido con un ciclo de vida ms largo. -Compatible con Intel XMP auto-overclocking. -Diseo del disipador de calor alcanza el mantenimiento eficaz de la velocidad, mientras que la prolongacin del ciclo de vida de la memoria se mantiene estable. Estarn disponibles con velocidades de DDR3-2133 y DDR3-2600 con una capacidad por mdulo de 8GB. MEMRISTOR13 En teora de circuitos elctricos, el memristor es un elemento de circuito pasivo. Ha sido descrito como el cuarto elemento de los circuitos pasivos, junto con los tres mejor conocidos: el condensador, la resistencia y el inductor. El nombre es una palabra compuesta de memory resistor (resistencia-memoria). De forma general, se trata de resistencias variables que tienen la capacidad de recordar lo que ha ocurrido antes, su resistencia previa, por lo que en teora puede ser usado como mtodo de almacenaje. En teora de circuitos es considerado un cuarto elemento, junto con las resistencias, la capacidad y la inductancia. Aunque la teora se conoce desde hace tiempo, ms de 30 aos, no ha sido hasta ahora, cuando se ha podido pensar y desarrollar algo real aplicando esos conocimientos.14
12

Fuente. Las nuevas memorias RAM Kingston HyperX T1. http://tecnobetas.com/las-nuevas-memorias-ramkingston-hyperx-t1/ [on line] [Consultado el 12 de mayo de 2012]
13 14

Fuente. Menristor. http://es.wikipedia.org/wiki/Memristor [on line] [Consultado el 13 de mayo de 2012]

Fuente. Memristor, la base de los ordenadores que aprenden. http://www.xataka.com/otros/memristor-labase-de-los-ordenadores-que-piensen [on line] [Consultado el 13 de mayo de 2012]

Un memristor efectivamente almacenara informacin porque el nivel de su resistencia elctrica cambia cuando es aplicada la corriente. Donde una resistencia tpica proporciona un nivel estable de resistencia, un memristor puede tener un alto nivel de resistencia que puede ser interpretado en una computadora en trminos de datos como un "1", y un bajo nivel que puede ser interpretado como un "0". As, controlando la corriente, los datos pueden ser guardados y reescritos. Lo primero que se puede obtener si esta tecnologa de desarrolla adecuadamente, seran ordenadores que aun apagados, podran volver a estar operativos al instante. Esto ser posible gracias a que el estado anterior queda memorizado en la circuitera. Dentro de las aplicaciones ms relevantes de los memristors de estado slido, es que pueden ser combinados para formar transistores, aunque son mucho ms pequeos. Pueden tambin ser formados como memoria de estado slido no voltil, que permitira una mayor densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso similares a la DRAM, sustituyendo ambos componentes.15 Adems, al ser un dispositivo analgico, no solo podra almacenar bits ("1"s y "0"s), sino bytes o cadenas de bytes en el mismo espacio, solamente mejorando el dispositivo de control del memristor. Esto ofrece un futuro muy prometedor a largo plazo. Computacin cuntica16 La informtica cuntica descansa en la fsica cuntica sacando partido de algunas propiedades fsicas de los tomos o de los ncleos que permiten trabajar conjuntamente con bits cunticos (en el procesador y en la memoria del ordenador. Interactuando unos con otros estando aislados de un ambiente externo los bits cunticos pueden ejecutar clculos exponenciales mucho ms rpidamente que los ordenadores convencionales. Mientras que los computadores tradicionales codifican informacin usando nmeros binarios (0, 1) y pueden hacer solo clculos de un conjunto de nmeros de una sola vez cada uno, las computadoras u ordenadores cunticos codifican informacin como serie de estados mecnicos cunticos tales como direcciones de los electrones o las orientaciones de la polarizacin de un fotn representando un nmero que expresaba que el estado del bit cuntico est en alguna parte entre 1 y 0, o una superposicin de muchos diversos nmeros de forma que se realizan diversos clculos simultneamente.
15

Kanellos, Michael (2008-04-30). HP makes memory from a once theoretical circuit. CNET News.com. Consultado el 30-04-2008.
16

Fuente. Computacin cuntica. http://es.wikipedia.org/wiki/Computaci%C3%B3n_cu%C3%A1ntica [on line] [Consultado el 13 de mayo de 2012]

En resumen, se habla de computadores cuyo comportamiento es determinado de forma importante por leyes de la mecnica cuntica. El sistema descrito est formado por bits cunticos (quantum bits) o qubits, y pueden ser por ejemplo: ncleos, puntos cunticos semiconductores y similares.

Algunos visionan computadoras cunticas que utilizan este tipo de estado slido, qubits (quantum dots), es decir un material nanoestructurado preciso que se podra considerar como un arsenal de qubits. Pero la produccin de ese arsenal ordenado qubits a nanoescala aislado del exterior puede ser una tarea tecnolgica absolutamente exigente y compleja. 17 La computacin cuntica es un paradigma de computacin distinto al de la computacin clsica. Se basa en el uso de qubits en lugar de bits, y da lugar a nuevas puertas lgicas que hacen posibles nuevos algoritmos. Una misma tarea puede tener diferente complejidad en computacin clsica y en computacin cuntica, lo que ha dado lugar a una gran expectacin, ya que algunos problemas intratables pasan a ser tratables. Mientras un computador clsico equivale a una mquina de Turing,18 un computador cuntico equivale a una mquina de Turing cuntica. Uno de los obstculos principales para la computacin cuntica es el problema de la decoherencia cuntica, que causa la prdida del carcter unitario (y, ms especficamente, la reversibilidad) de los pasos del algoritmo cuntico. Los tiempos de decoherencia para los sistemas candidatos, en particular el tiempo de relajacin transversal (en la terminologa usada en la tecnologa de resonancia magntica nuclear e imaginera por resonancia magntica) est tpicamente entre nanosegundos y segundos, a temperaturas bajas. Las tasas de error son tpicamente proporcionales a la razn entre tiempo de operacin frente a tiempo de decoherencia, de forma que cualquier operacin debe ser

17

Fuente. Informtica cuntica / Quantum computing. Computacin Cuntica. http://www.euroresidentes.com/futuro/nanotecnologia/diccionario/computacion_cuantica.htm [on line] [Consultado el 13 de mayo de 2012]
18

Agustn Rayo, Computacin cuntica, Investigacin y Ciencia, 405, junio de 2010, pgs. 92-93.

completada en un tiempo mucho ms corto que el tiempo de decoherencia. Si la tasa de error es lo bastante baja, es posible usar eficazmente la correccin de errores cuntica, con lo cual s seran posibles tiempos de clculo ms largos que el tiempo de decoherencia y, en principio, arbitrariamente largos. Se cita con frecuencia una tasa de error lmite de 10 -4, por debajo de la cual se supone que sera posible la aplicacin eficaz de la correccin de errores cunticos.

Otro de los problemas principales es la escalabilidad, especialmente teniendo en cuenta el considerable incremento en qubits necesarios para cualquier clculo que implica la correccin de errores. Para ninguno de los sistemas actualmente propuestos es trivial un diseo capaz de manejar un nmero lo bastante alto de qubits para resolver problemas computacionalmente interesantes hoy en da.

An no se ha resuelto el problema de qu hardware sera el ideal para la computacin cuntica. Se ha definido una serie de condiciones que debe cumplir, conocida como la lista de Di Vinzenzo, y hay varios candidatos actualmente. Condiciones a cumplir

El sistema ha de poder inicializarse, esto es, llevarse a un estado de partida conocido y controlado. Ha de ser posible hacer manipulaciones a los qubits de forma controlada, con un conjunto de operaciones que forme un conjunto universal de puertas lgicas (para poder reproducir cualquier otra puerta lgica posible). El sistema ha de mantener su coherencia cuntica a lo largo del experimento. Ha de poder leerse el estado final del sistema, tras el clculo. El sistema ha de ser escalable: tiene que haber una forma definida de aumentar el nmero de qubits, para tratar con problemas de mayor coste computacional.