Está en la página 1de 36

Nombre del proyecto:

Calculo del Espesor de Pelculas Delgadas por un Mtodo Interferomtrico

Rigoberto Carbajal Valdez Boleta: 89302045

Ingeniera en Comunicaciones y Electrnica.

Responsable del servicio social:

________________________________ Dr. Isaac Hernndez-Caldern Director del Grupo MBE Dpto. de Fsica CIVESTAV-IPN

Mxico, diciembre del 2000

OBJETIVO DEL PROYECTO

Determinacin del espesor de pelculas delgadas semiconductoras de materiales II-VI, crecidas por la tcnica de MBE (Molecular Beam epitaxy), a partir de los espectros de reflectividad.

JUSTIFICACION DEL PROYECTO

1) El espesor de las pelculas delgadas que forman una heteroestructura o dispositivo semiconductor es de gran importancia para que cada capa cumpla su funcin especifica. 2) La velocidad de crecimiento de una pelcula delgada crecida por evaporacin, en nuestro caso epitaxia de haces moleculares (molecular beam epitaxy, MBE) depende fuertemente de los diversos parmetros de crecimiento, principalmente de la temperatura del substrato y los flujos de las celdas de efusin, por lo que se hace necesario conocer

adecuadamente esas velocidades con la finalidad de poder crecer las pelculas con el espesor deseado.

NDICE I. II. Introduccin. Fundamentos tericos. II.1. Interferencia en Pelculas Delgadas.

II.2.- Proceso de interferencia, para reflexin en pelculas delgadas. II.3. Calculo del espesor de la pelcula delgada cuando se conocen los ndices de refraccin y las longitudes de onda de dos mximos consecutivos. II.4. III. El modelo de Sellmeier para el ndice de refraccin.

Detalles Experimentales. III.1. Crecimiento por MBE. III.2. Reflectividad.

IV. IV.1.

Resultados y discusin. Obtencin de los parmetros del modelo de Sellmeier.

IV.2 Presentacin paso a paso del procedimiento para la determinacion del espesor. IV.3 Resultados de los espesores y descripcion de los parametros de

crecimiento de las muestras restantes. V. VI. Conclusiones. Referencias.

I.

INTRODUCCION

El desarrollo actual de los dispositivos electrnicos cada vez mas sofisticados es el resultado del estudio de sus propiedades fsicas y del descubrimiento de nuevos materiales, principalmente semiconductores. Los materiales con los que estamos trabajando son semiconductores II-VI tales como ZnSe, CdSe, CdTe, etc. Los semiconductores mencionados anteriormente son compuestos binarios. Son tambin de gran interes las aleaciones ternarias como Zn1-xCdxSe y el Zn1-xCdxTe. Uno de los semiconductores que ms nos ha interesado es el ZnSe y sus aleaciones con Cd como el Zn1-xCdxSe debido a que su ancho de banda prohibida (Eg) esta en el rango rojo-azul-verde del espectro visible. De particular importancia son los diodos lser y LEDs con emisin sintonizable en el rango azul-verde entre cuyas aplicaciones tenemos paneles luminosos para anuncios; semforos, donde se ahorra mucha energa elctrica debido a que en los LEDs es mucho menor la perdida de energa trmica que es la que se pierde en las lamparas de filamento; almacenamiento ptico en CDs con mucho mayor densidad de datos que la obtenida con lseres rojos e infrarrojos debido a que el lser acta como una aguja lectora mas fina por tener una longitud de onda menor y puede leer mucha mas informacin. Los DVD tendran la capacidad de almacenar hasta 20 veces mas informacin respecto a los CDs normales. Otros dispositivos de interes son las celdas solares de alta eficiencia, las cuales se utilizan en la tecnologa

espacial, en satlites de comunicacin, en la produccin industrial de energa convirtiendo la energa solar en energa elctrica, etc. Todos estos dispositivos se fabrican creciendo varias capas delgadas de los semiconductores mencionados sobre un substrato. En nuestro caso el substrato es GaAs (arseniuro de galio). Cuando se crecen varias capas stas forman algo parecido a un emparedado de muchas capas (heteroestructura) y cada capa tiene su funcin especifica. El espesor de estas capas es una caracterstica fundamental, dependiendo de este espesor la pelcula tendr diferentes funciones y propiedades. Por ejemplo, podemos tener capas colchn, que es la primera capa que se crece sobre el substrato para cubrir las irregularidades en su superficie, esta capa tiene un espesor tpico del orden de 1 o 2 m. Los espesores de las barreras de los pozos cunticos son del orden de 300 a 1000 , un pozo cuntico tiene un espesor de 20 a 200 ; tambin podemos crecer una sola capa de algunos cientos de para formar la ventana de una celda solar, etc. En este trabajo se presenta la metodologa empleada para la determinacin de espesores de pelculas de ZnSe. Posteriormente en el laboratorio de MBE se extender esta metodologa a otros materiales. Este reporte se desarrolla de la siguiente forma: en la primera parte describimos el fenmeno de interferencia en pelculas delgadas en particular en la configuracin de reflexin. En la seccin siguiente se describe brevemente el modelo de Sellmeier, el cual es empleado para obtener el ndice de refraccin de las pelculas en su regin transparente. A continuacin se presentan los detalles

experimentales sobre el mtodo de crecimiento (MBE). Y posteriormente se

describe el mtodo empleado para el calculo del espesor basado en medicin experimental de reflectividad. Finalmente, se calcula el espesor de diversas muestras se discuten los resultados y se presentan las conclusiones.

II. FUNDAMENTOS TERICOS


II.1 Para Reflexin y transmisin de ondas electromagnticas. estudiar las diferentes capas de la muestra se utilizan ondas

electromagnticas con diferentes longitudes de onda tenindose por lo tanto diferentes profundidades de penetracin, parametro que depende del ancho de la banda prohibida (Eg) de la muestra.

II.1.1. Reflexin.

En la figura No. 1 se muestra el caso en el cual la onda electromagntica tiene polarizacin perpendicular al plano de incidencia.

Figura No. 1. Presentacin del rayo de luz formado por los haces: incidente, reflejado y transmitido.

Analizando la componente elctrica perpendicular al plano de incidencia, tenemos que la suma de las amplitudes de las componentes elctricas, tangenciales a la interfaz son continuas, o sea que en la interfaz (condiciones de frontera) la suma de las componentes en el vaco es igual a la del medio, como se describe en la siguiente ecuacin: Eoi + Eor= Eot (1)

De forma anloga la componente tangencial del campo magntico total tiene la siguiente forma:

1 1 E + E cos = E cos t 0r i v 0t v 0i t i Multiplicando por la velocidad de la luz c obtenemos: ni(Eoi + Eor)cosi= nt Eot cost (2)

Combinando la ecuacin (1) con la ecuacin (2) obtenemos para la reflexin con polarizacin perpendicular al plano de incidencia:

E r = 0r E 0i

n cos n cos i t t = i n cos + n cos i i t t

(3)

Donde r (perpendicular) denota la amplitud del coeficiente de reflexin. El segundo caso es cuando la componente elctrica tiene polarizacin paralela al plano de incidencia, como se observa en siguiente figura:

Figura No. 2. Presentacin del rayo de luz formado por los haces incidente, reflejado y transmitido.

Analizando la componente elctrica paralela al plano de incidencia, tenemos que la suma de las amplitudes de las componentes elctricas totales, tangenciales a la interfaz son continuas, o sea que en la interfaz (condiciones de frontera) la suma de las componentes en el vaco es igual a la del medio, como se describe en la siguiente ecuacin: Eoi cos i - Eor cosr = Eot cost (4)

De forma anloga la componente tangencial del campo magntico tiene la siguiente forma: ni(Eoi + Eor)= nt Eot (5)

Combinando la ecuacin (4) con la ecuacin (5) obtenemos para la reflexin con polarizacin paralela al plano de incidencia: E r = 0r II E 0i = n cos n cos t i i t n cos + n cos i t t i (6)

Usando la ley de Snell (nicosi= ntcost) en las ecs (4) y (6) obtenemos para la reflexin:

sen i t r = sen + i t

( (

) )

tan i t r = II tan + i t

( (

) )

A incidencia casi normal, para i0 tenemos que tan( i-t) sen( i-t). Por lo tanto obtenemos la siguiente igualdad.

( rII )

sen i t = = -r = 0 sen + =0 i i i t

( )

( (

) )

Usando la ley de Snell (nicosi= ntcost) obtenemos:

( rII )

n cos n cos i i t = t = -r = 0 n cos + n cos =0 i i t i i t

( )

En el limite cuando i va a cero, cosi y cost se tienden ambos a la unidad y, consecuentemente:

( rII )

n n i = t = -r = 0 n +n =0 i i t i

( )
2

La reflectancia a incidencia normal esta dada por la siguiente ecuacin:

n ni I E R = r = 0r = r 2 = t n +n E Ii 0i i t Donde = -r r= r =0 II = 0 i i

( )

( )

La ecuacin para la reflectancia R es muy importante, de ella se obtiene mucha informacin sobre los ndices de refraccin de la onda electromagntica en el medio nt, a partir del estudio de la onda electromagntica incidente y reflejada.

II.1.2. Transmisin.

El primer caso es cuando la componente elctrica tiene polarizacin perpendicular al plano de incidencia, para este caso tenemos: Combinando la ecuacin (1) con la ecuacin (2) obtenemos para la transmisin: t E = 0t E 0i 2n cos i i = n cos + n cos i i t t (7)

El segundo caso es cuando la componente elctrica tiene polarizacin paralela al plano de incidencia, para este caso tenemos: Combinando la ecuacin (4) con la ecuacin (5) obtenemos para la transmisin: E t = 0t II E 0i 2n cos i i = n cos + n cos i t t i (8)

Usando la ley de Snell (nicosi= ntcost) en las ecs (4) y (8) obtenemos para la transmisin:

De las ecuaciones (7) y (8) se obtiene la siguiente igualdad.


i n +n i i t i De esta ecuacin tambin obtenemos informacin sobre los ndices de refraccin =0 = t =0 =

( tII )

( )

2n

del medio nt estudiando la onda electromagntica incidente y transmitida1.

II.2.- Proceso de interferencia, para reflexin en pelculas delgadas.

Uno de los efectos ms comunes de la interferencia lo constituyen las franjas coloreadas que a menudo vemos en las pelculas de jabn y aceite, formndose un arco iris. Cuando se seca una placa jabonosa en ella se observan a veces reflejos coloreados. Ocurre un efecto parecido cuando la luz se refleja en un charco que tenga aceite, ya que una capa delgada del aceite (con menor densidad que el agua) flota sobre el agua. A continuacin analizaremos este tipo tan importante de interferencia. Examinemos lo que sucede cuando un haz monocromtico se refleja en la pelcula delgada de la figura 3. En este caso se obtienen dos haces reflejados, uno de la superficie de la pelcula (lnea continua) y otro de la superficie del substrato o interfaz entre la pelcula y el substrato (lnea punteada). Como ambos forman parte del mismo haz o fuente, ambos son coherentes. Por consiguiente dan origen a interferencia como se explica a continuacin: el rayo L2 se retarda con relacin al rayo L1 (hay una diferencia de fase entre el rayo L2 y el rayo L1), L2 ha recorrido una distancia mayor. Algo similar sucede cuando observamos la intereferencia en las pompas de jabn.

Figura No. 3. Interferencia en pelculas delgadas observadas por reflexin

Donde: d = espesor de la pelcula delgada n0= ndice de refraccin del vaci = 1 n = c/v = 0/ = ndice de refraccin de la pelcula delgada 0 = longitud de onda en el vaci. = longitud de onda en la pelcula delgada. S = Fuente de luz P= sensor receptor = ngulo de incidencia De la componente del campo elctrico de una onda electromagntica en el medio n tenemos: E = E0 et-kx

k= 2/= nmero de onda en la pelcula delgada. k 0 = 2/0 = nmero de onda en el aire.

nx =longitud del camino ptico.

0 kx = k nx = = fase 0 n

La longitud del camino ptico no necesariamente es una distancia fsica. De la figura obtenemos los caminos pticos L1 (lnea continua, SCEP) y L2 (lnea punteada SP) del rayo A y del rayo B respectivamente:
L = n SP 1 0 L 2 = n SC + n( CE + EP ) 0

La diferencia de longitud camino ptico es la siguiente:


L L = n ( SP - SC ) + n( CE + EP ) 1 0 (9)

De la figura obtenemos cuando la pelcula es muy delgada, PC es mucho mas pequeo que SC obtenindose de la figura la siguiente aproximacin. n0(SP-SC)=n0PCsen Tambin se obtiene. n(CE+EP)=2nd/cos y n0PC=2ndtan (12) (11) (10)

Despus de una serie de procesos algebraicos con las ecs. (9),(10),(11) y (12) y teniendo en cuenta que se llega a la siguiente ecuacin. L2 - L1 = 2nd cos A incidencia normal, cos = 1 L2 - L1 = 2nd

2nd = diferencia de longitud del camino ptico. La diferencia de fase se obtiene de la siguiente forma: k0 (L2 - L1) =2 1= (2 / 0) ( 2nd ) A la fase del rayo A se le suma una fase adicional debido a que se refleja en la superficie de la heteroestructura la cual es una interface que cambia de un ndice de refaccin menor n0 diferencia de fase queda: a un ndice de refraccin mayor n2, 3. Por lo tanto la

2 + = 2 1 0

(2nd )

donde = diferencia de fase. Bajo estas condiciones tenemos que los rayos de luz A y B interfieren de la siguiente forma:
Mximo de Interferencia.

debe ser un mltiplo entero de 2.


m= 2nd 1 2 m = 1,2,3,... (13 )

Mnimo de Interferencia.

debe ser un mltiplo semientero de 2.


m= 2nd

(14 )

m=1,2.3,... donde m = numero de orden de la reflexin. Si observamos los mximos y mnimos de interferencia que se forman con luz monocromtica sobre una pantalla blanca, habr brillantes en los mximos de interferencia y obscuridad en los mnimos de interferencia.

Si la luz blanca (que contiene todos los colores) se emplea en una situacin como esta, las diferentes longitudes de onda suministran reforzamiento en varios

lugares. Y por eso las franjas estn muy coloreadas presentando el efecto de arco iris mencionado antes en relacin con las pelculas de jabn y aceite, las cuales a menudo son muy delgadas y en forma de cua.

II.3. Calculo del espesor de la pelcula delgada cuando se conocen los ndices de refraccin y las longitudes de onda de dos mximos consecutivos.

De la ec. (13) tenemos para interferencia mxima.

2nd 1 (15 ) 1 2 si le sumamos a m1 un numero de orden 1 m1 =

m2 = m +1 =
Donde:

2nd 1 (16 ) 2 2

1 = longitud de onda para una interferencia de orden m1. 2 = longitud de onda para una interferencia de orden m2. Sustituyendo la ec. (15) en la ec. (16) tenemos.

2nd 1 2nd 1 = 1 2 2 2 Despejando d. 1+

d=

1 2n

1 2 2 1

Ya que en general el ndice de refraccin en un medio cambia con la variacin de la longitud de onda tendremos: n1 = ndice de refraccin para 1 n2= ndice de refraccin para 2 De la ec. (13) tenemos para interferencia mxima

m1 =

2n 1d 1 (17 ) 1 2

m2 =

2n 2 d 1 (18 ) 2 2 Restndole (17) a (18) tenemos

2n 2 d 1 2n 1d 1 = m 2 m1 2 1 2 2
Despejando d.

d=

m 2 m1 2

1 2 n n 1 2 2 1

(19 )

De esta forma hemos obtenido una relacin de gran utilidad que nos permite determinar el espesor de pelculas delgadas a travs de las franjas de interferencia observadas en un espectro de reflectividad. En la figura No. 4 se observa que (m2m1=N) es el numero de mnimos de interferencia contenidos entre los mximos de interferencia m1 y m2.

Es importante mencionar que una relacin idntica es encuentra para el caso de transmisin. Otra observacin importante es que esta misma relacin puede ser aplicada a los mximos o a los mnimos de interferencia.

Figura No. 4. Espectro de reflectancia en el visible de una pelcula de delgada

II. 4

El modelo de Sellmeier para el ndice de refraccin.

Para estar en condiciones de determinar el espesor de una pelcula delgada semiconductora a travs del empleo de la relacin (19) es necesario el conocimiento del ndice de refraccin. Este puede ser determinado experimentalmente o modelado tericamente. Para el caso de muchos materiales el ndice de refraccin es razonablemente conocido y se ha demostrado que en la regin transparente se puede expresar por medio del modelo de oscilador de Sellmeier4, 5, 6. Para este modelo se tiene la siguiente formula:

A 2 A 2 n =1+ 2 n = 1+ 2 B B
2

(20)

La cual se puede escribir de cmo:

1 1 B 1 = n +1 A A 2 de donde podemos hacer una ecuacin lineal con la siguiente siguiente sustitucin
2

de variables. x=1/2 e y=1/(n2+1) por lo tanto y= -(B/A)x+1/A a los parmetros A y B se les conoce como coeficientes de Sellmeier.

Cuando la medicin no se hace a incidencia normal y son diferentes de cero y la diferencia de longitud de camino ptico esta dada por la siguiente ecuacin: L2 - L1 = 2nd cos Encontrada en el inciso a) de reflectancia. La diferencia de fase se obtiene de la siguiente forma: K0 (L2 - L1) =2 1= (2 / 0) ( 2nd cos ) A la fase del rayo A se le suma una fase adicional debido a que se refleja en la superficie de la heteroestructura la cual es una interface que cambia de un ndice de refaccin menor n0 a un ndice de refraccin mayor n. Por lo tanto la diferencia de fase queda:

= diferencia de fase Bajo estas condiciones tenemos que los rayos de luz A y B interfieren .
mximo de Interferencia.

debe ser un numero entero de 2.

mnimo de Interferencia.

debe ser un numero semientero de 2.

Donde: m = numero de orden de la reflexin.

III DETALLES EXPERIMENTALES


III.1. Crecimiento por MBE.

La base sobre la cual se crecen las pelculas semiconductoras se llama substrato, es una oblea (disco muy delgado, tipicamente de 5cm dimetro) cuyo espesor varia, por lo general, de 100 a 400 m. Los materiales ms tpicos usados como substratos son Si, GaAs, Ge, Zafiro, MgO, ZnSe, etc. Los mismos son cortados con mucho cuidado (evitando que se dae la oblea o parte de la misma, puesto que son bastante caras) en pequeas partes mediante cortadores de punta de diamante o fracturandolas cuidadosamente, para su posterior uso. El substrato es entonces pegado a un portasubstratos de molibdeno (debido a las propiedades del molibdeno para que no contamine el substrato), llamado tambin molyblock, mediante calentamiento del mismo con una pequea cantidad de indio entre el portasustrato y la muestra. Este proceso es extremadamente importante, puesto que si la muestra no queda pegada debidamente al portasustrato, se corre el peligro de que durante el crecimiento la muestra se caiga dentro de alguna de las cmaras de alto vaco. El crecimiento sobre el substrato se realiza mediante la tcnica de evaporacin trmica. El portasustrato se coloca sobre una serie de resistencias, las cuales se calientan a una temperatura ptima de crecimiento que depende del substrato utilizado (en nuestro caso, para el substrato de GaAs, se

calienta a una temperatura de 275 a 325C). La temperatura es controlada por un termopar, colocado en un orificio en el centro del portasustrato. Sin embargo, el termopar registra la temperatura del portamuestra y no necesariamente es igual a la temperatura de la superficie de la misma muestra. Para conocer la temperatura exacta de la superficie del substrato se utiliza un pirmetro colocado en una de las ventanas de la cmara de crecimiento del equipo de MBE. El pirmetro mide la temperatura de la muestra presentando el resultado en A, por medio de una tabla se asocian estos valores con la temperatura. Cuando el substrato ha alcanzado la temperatura ptima se empieza el proceso de crecimiento. El portasubstrato es colocado en un elemento rotatorio, lo cual permite que el crecimiento se realice lo ms uniformemente posible. La cmara de crecimiento posee celdas de efusion con material semiconductor dentro de las mismas, el cual es calentado a una temperatura deseada, de tal manera que las celdas evaporen un flujo molecular (o atomico ) del material que contienen. Este flujo llega al substrato caliente y se deposita en su superficie. El crecimiento se realiza por el depsito tomo por tomo sobre el substrato; la cristalinidad de la pelcula est gobernada por la estructura cristalina tanto del substrato como del material que se quiere crecer. En principio, cuando un tomo llega a la superficie del cristal, se ubicara siguiendo el orden establecido por la red cristalina del substrato (epitaxia). Ya que el substrato esta caliente, se transfiere energa hacia el tomo incidente, el cual buscar por si mismo la mejor manera de acomodarse, puesto que tendr la energa suficiente para moverse localmente en la superficie del substrato; si este no estuviese caliente no habra trasferencia de energa hacia

el tomo que llega y por lo tanto este ltimo no tendra energa suficiente para acomodarse lo mejor posible de acuerdo a la red cristalina que ve, y por ende s situara en el primer lugar que encontrase, lo cual resultara en una deposicin desordenada y al final tendramos una capa policristalina o amorfa.

III.2 Reflectividad

Para realizar las mediciones de reflectancia se utilizo un espectrmetro que trabaja en el ultravioleta cercano y en el visible (UV-VIS) y esta en un rango de (200 nm a 900 nm) aproximadamente. Para generar la variacin de la longitud de onda en el rayo monocromtico se usaron lmparas de luz ultravioleta (lmparas de deuterio) y lmparas de luz blanca (luz visible), estos rayos de luz son enfocados y dirigidos a la muestra por una serie de espejos y despus de reflejarse son detectados por un sensor (fotodiodo especial, detector en el ultravioleta y el visible). Tambin se uso un equipo que trabaja en tres rangos de infrarrojo: infrarrojo cercano (IC) en el rango de (11000cm-1 a 2100cm-1), infrarrojo mediano (IM) el cual esta en el rango de (4000cm-1 a 400cm-1), infrarrojo lejano (IL) el cual esta en el rango de (600cm-1 a 100cm-1). Como se observa los rangos estn traslapados, para poder unir los espectros. Los rayos de luz luz son enfocados y dirigidos a la muestra por una serie de espejos y despus de reflejarse son detectados por un sensor (fotodiodo especial, detector en el infrarrojo), adems utiliza un lser que hace la alineacin automtica de la muestra. Las mediciones se hicieron a incidencia de 15.

IV RESULTADOS Y DISCUSIN
IV.1 Obtencin de los parmetros del modelo de Sellmeier.

Los coeficientes de Sellmeier A y B se calculan usando los datos tericos de los ndices de refraccin mostrados en la siguiente tabla 7.
Tabla No 1. Indices de refraccin tericos y longitudes de onda.

Longitud de onda

ndice de refraccin nmed.

x 1/2(nm-2)

y 1/(n2-1)

ndice de refraccin ncalc. del modelo de Sellmeier

(nm) 823.954 795.378 773.036 747.828 722.312 702.939 684.579 665.540 649.825 633.373 617.042 602.849 588.665 573.933 560.490

2.494 2.501 2.506 2.514 2.523 2.530 2.538 2.546 2.556 2.565 2.576 2.586 2.598 2.612 2.626

1.4730E-06 1.5807E-06 1.6734E-06 1.7881E-06 1.9167E-06 2.0238E-06 2.1338E-06 2.2576E-06 2.3681E-06 2.4928E-06 2.6265E-06 2.7516E-06 2.8858E-06 3.0358E-06 3.1832E-06

0.1916 0.1903 0.1894 0.1880 0.1864 0.1852 0.1838 0.1824 0.1807 0.1792 0.1774 0.1758 0.1739 0.1717 0.1696

2.486 2.494 2.501 2.511 2.521 2.530 2.539 2.550 2.559 2.570 2.582 2.594 2.606 2.620 2.634

551.504 538.553 532.818 527.710 521.214 516.809 512.478 507.282 500.820

2.637 2.655 2.665 2.674 2.687 2.696 2.707 2.716 2.731

3.2878E-06 3.4478E-06 3.5224E-06 3.5909E-06 3.6810E-06 3.7440E-06 3.8076E-06 3.8860E-06 3.9869E-06

0.1680 0.1653 0.1639 0.1626 0.1608 0.1595 0.1580 0.1568 0.1548

2.644 2.660 2.668 2.675 2.684 2.691 2.697 2.706 2.716

En la siguiente figura esta el ajuste por mnimos cuadrados de los datos de la tabla anterior al modelo de Sellmeier, para la obtencin de los parmetros A y B.
datos teoricos ajuste al modelo Sellmeier por el metodo de minimos cuadrados y=C+D*x C=0.214 D=-14460.231 A=1/C=4.664 2 B=-AD=67438.817nm

0.195 0.190 0.185 0.180 1/(n -1) 0.175 0.170 0.165 0.160 0.155 0.150

1.5x10 2.0x10 2.5x10 3.0x10 3.5x10 4.0x10 x 2 -2 1/ (nm )

-6

-6

-6

-6

-6

-6

Figura No. 5. Ajuste por el modelo de Sellmeier a los datos del ndice de refraccin.

En esta figura se observa que los parmetros A y B tienen los siguientes valores A=4.664 y B=67438.817 nm2. Por lo tanto obtenemos la siguiente expresin para el modelo de Sellmeier. n2-1=(4.6642)/(267438.817nm2) (21)

IV.2 Presentacin paso a paso del procedimiento para la determinacion del espesor.

Usaremos como ejemplo la muestra cuyo espectro se observa en la figura (6) y esta en el visible, fue crecida a una temperatura de 325 oC y durante un tiempo de dos horas, la celda de selenio se calento a una temperatura de 155 oC con un flujo de 2.9x10-6 torr y el zinc se calento a una temperatura de 224 oC con un flujo de 1x10-6 torr. Es una muestra cuyo espectro presenta doce mximos y once mnimos, por lo que debe tener un espesor grande. Para la medicin del espesor se toman en cuenta solo 11 mximos y 11 minimos, debido a que el primer maximo esta muy cerca de la banda prohibida (Eg) del ZnSe y su valor es dudoso. En la siguiente figura se presentan los valores de las longitudes de onda de los mximos de interferencia de la muestra analizada 296 de ZnSe.

C296ZnSe 50 40 30 %R 20 10 0 450
474.79 490.272 509.625 533.402 561.141

593.948

632.47

678.364 732.92

881.477 800.471

525

600

(nm)

675

750

825

900

Figura No. 6. Mximos y mnimos de interferencia de la pelcula delgada c296 de ZnSe.

Para el calculo del espesor se usaron slo los mximos, de la misma forma se puede hacer la medicin usando slo los mnimos. En las siguientes tablas se obtiene el ndice de refraccin usando el modelo Sellmeier ecuacin (21). Aplicando la ecuacin (19) se obtiene el espesor de la pelcula delgada.
Tabla No 2. Indices de refraccin y longitudes de onda de los mximos de interferncia de la muestra c296.

CALCULO DEL NDICE DE REFRACCIN USANDO EL MODELO DE SELLMEIER DE LA MUESTRA 296 ZnSe Longitud de onda ncal Se calcula con la ec. (21) Modelo Sellmeier

(nm) 474.790 490.272 509.625 533.402 561.141 593.948 632.470 678.364 732.920 800.471 881.477

2.767 2.735 2.702 2.667 2.633 2.601 2.571 2.543 2.517 2.493 2.471

i) Determinacin del espesor usando mximos de interferencia consecutivos.


Tabla No 3. Espesores calculados utilizando los valores de las longitudes de onda de los mximos de interferencia consecutivos de la muestra c296.

CALCULO DEL ESPESOR POR MAXIMOS DE INTERFERENCIA N

2
(nm)

1
(nm)

n2

n1

d (nm)

d=| d- dprom|
(nm)

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

474.790 490.272 509.625 533.402 561.141 593.948 632.470 678.364 732.920 800.471

490.272 509.625 533.402 561.141 593.948 632.470 678.364 732.920 800.471 881.477

2.767 2.735 2.702 2.667 2.633 2.601 2.571 2.543 2.517 2.493

2.735 2.702 2.667 2.633 2.601 2.571 2.543 2.517 2.493 2.471
dprom. =(d)/10 =

2006 1808 1656 1625 1597 1592 1581 1590 1564 1607
1662

344 146 6 37 65 70 81 72 98 55

dprom.=( d)/10=
Error(%) =dprom/dprom.=

98 5.9

Por lo tanto en esta medicin tenemos un espesor de 1662 nm con un error del 5.9% en la medicin.

ii) Determinacion del espeosr usando mximos de interferencia no consecutivos.


Tabla No 4. Espesores calculados utilizando los valores de las longitudes de onda de los mximos de interferencia no consecutivos de la muestra c296.

CALCULO DEL ESPESOR POR MXIMOS DE INTERFERENCIA N

2
(nm)

1
(nm)

n2

n1

d (nm) Se calcula con la ec. (19)

d=| d- dprom|
(nm)

9 7 5 3 8 6 4 2

490.272 509.625 533.402 561.141 509.625 533.402 561.141 593.948

881.477 800.471 732.920 678.364 881.477 800.471 732.920 678.364

2.735 2.702 2.667 2.633 2.702 2.667 2.633 2.601

2.471 2.493 2.517 2.543 2.471 2.493 2.517 2.543


dprom.=( d)/8 =

1621 1600 1597 1590 1601 1591 1590 1586


1597

41 62 65 72 61 71 72 76

dprom.=( d)/8=
Error(%)=dprom/dprom. =

65 3.9

Por lo tanto en esta medicin tenemos un espesor de 1597 nm con un error del 3.9% en la medicin. Se observa un menor error promedio en la medicin de los espesores en la tabla No. 4 (mximos de interferencia no consecutivos) que en la tabla No. 3 (mximos de interferencia consecutivos) con lo que se observa que entre mas alejados estn los mximos (N muy grande), menor es la variacin del espesor calculado. Por lo tanto tomamos como espesor de la muestra el valor mas preciso que es el obtenido en la tabla No.4.

La velocidad de crecimiento (o razon de crecimiento) se calcula con la siguiente expresin: r=d/t=1597 nm/120 min donde: d=espesor de la pelicula. t=tiempo de crecimiento. Por lo tanto su velocidad de crecimiento es r=13.3 nm/min=2.2 /seg=0.22 nm/seg De forma similar siguiendo el procedimiento anterior se obtiene cada uno de los espesores y velocidades de crecimiento para las dems muestras. Entonces, para la muestra c296 tenemos:
d=1597nm y r= 0.22nm/seg.

IV.3

Resultados de los espesores y descripcin de los parmetros de

crecimiento de las muestras restantes. C187


50 40 30 %R 20 10 0 450 525 600 675 750 825 900 975 (nm) 187ZnSeVIS-IR

Figura No. 7. Mximos y mnimos de interferencia de la pelcula delgada c187 de ZnSe.

Esta muestra cuyo espectro se observa en la figura anterior y esta en el visible, fue crecida a una temperatura de 323 oC y durante un tiempo de 30 min, es una muestra en la cual se observan tres mximos y tres mnimos principalmente por lo que debe tener un espesor pequeo (a mayor numero de mximos mayor espesor y viceversa), pero para la medicin del espesor se toman en cuenta solo dos mximos y dos mnimos, debido a que el primer mnimo esta muy cerca de la banda prohibida (Eg) del ZnSe y su valor es dudoso y el ultimo mximo tiene mucho ruido y tambin su valor es dudoso. En la medicin de la muestra c187 se obtuvo un espesor de 364 nm con un error del 0.27% en la medicin. Entonces, para la muestra c287 tenemos:
d=364 nm y r= 0.2 nm/seg C301
301ZnSe UV-VIS-IRC 60 50 40 %R 30 20 10 0 450 525 600 675 750 825 900 (nm) 975

Figura No. 8. Mximos y mnimos de interferencia de la pelcula delgada c301 de ZnSe.

Esta muestra cuyo espectro se observa en la figura once y esta en el visible, fue crecida a una temperatura de 323 oC y durante un tiempo de 40 minutos, el selenio se deposito a una temperatura de 142 oC con un flujo de 1.03x10-6 torr. y el zinc se deposito a una temperatura de 230 oC con un flujo de 3.01x10-6 torr., es una muestra en la cual se observan tres mximos y dos mnimos por lo que debe tener un espesor pequeo, pero para la medicin del espesor se toman en cuenta solo 2 mximos y 2 mnimos, debido a que el primer mximo esta muy cerca de la banda prohibida (Eg) del ZnSe y su valor es dudoso. En la medicin de la muestra c301 se obtuvo un espesor de 330 nm con un error del 0.15% en la medicin. Entonces, para la muestra c301 tenemos:
d=330 nm y r=0.14 nm/seg c306

C306ZnSeUV-VIS-IRC 50 40 % R 30 20 10 0 450 525 600 675 750 825 900 975

(nm)

Figura No. 9. Mximos y mnimos de interferencia de la pelcula delgada c306 de ZnSe.

Esta muestra cuyo espectro se observa en la figura doce y esta en el visible, fue crecida a una temperatura de 325 oC y durante un tiempo de 1 hora, el selenio se deposito a una temperatura de 154 oC y el zinc se deposito a una temperatura de 230 oC., es una muestra en la cual se observan tres mximos y dos minimos por lo que debe tener un espesor pequeo, pero para la medicin del espesor se toman en cuenta solo 2 mximos y 2 minimos, debido a que el primer maximo esta muy cerca de la banda prohibida (Eg) del ZnSe y su valor es dudoso. En la medicin de la muestra c306 se obtuvo un espesor de 441 nm con un error del 1.0% en la medicin. Entonces, para la muestra c306 tenemos:
d=441 nm y r=0.12 nm/seg

CONCLUSIONES.

En base a los resultados se puede concluir que, el espesor de la pelicula calculado con mximos no consecutivos nos da un valor mas aproximado y es el que presenta un menor error, por lo tanto es recomendable calcular el espesor de la pelicula usando mximos no consecutivos cuando el numero de estos mximos es muy grande. En las velocidades de crecimiento se observo en algunas peliculas que la velocidad de crecimiento es mas lenta cuando la pelicula es mas gruesa, a escepcion de la muestra c306. En la siguiente tabla estan los valores del espesor, velocidad y tiempo de crecimiento de las muestras.
Tabla No.5. Resultados obtenidos de las muestras.

Numero de muestra

Espesor d(nm)

Tiempo de crecimiento t(min)

Velocidad de crecimiento r(nm/seg) 0.2 0.22 0.14 0.12

C187 C296 C301 C306

364 1597 330 441

30 120 40 60

AGRADECIMIENTOS
Al Dr. Isaac Hernndez Caldern, director del proyecto, por su apoyo en la realizacin del trabajo desarrollado para el informe final del servicio social. Tambin quiero agradecer al M. en C. Carlos Vargas Hernandez y a Marcela por su apoyo en la medicin de las muestras.

VI

REFERENCIAS

1.- Hecht Zajac, Optica 2.- Jackes Panckove, Properties Optics of Semiconductors. 3.- Born, Optica. 4.- J.A. Wunderlich and L.G. DeShazer, Applied Optics. Vol. 16. pags. 1584-87 (1977) 5.- D.T.F. Marple, J. Applied Physics Vol. 35. pags. 539-42 (1964) 6.- J.N. Hodgson, Optical Absorption and dispersion in solids, (Chapman and Hall, London, 1970), pags. 13-19 7.- Articulo de Sadao Adachi, Physics Review B. Vol. 43, Num. 12. pags. 9569-77 (1991)