TEMA 5.

CIRCUITOS EN CONMUTACIN

http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

1. Introduccin 2. 3. Circuitos en conmutacin con BJT. Circuitos en conmutacin con MOSFET. 1. Etapa inversora MOSFET 2. Etapa CMOS 3. Etapa inversora MOS de carga integrada

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.1. INTRODUCCIN

Hasta ahora, los circuitos estudiados en la asignatura (salvo el oscilador de relajacin) son lineales (establecemos una relacin lineal entre la entrada y la salida)

Para ello hemos operado (polarizados dentro de sus caractersticas I-V) en la regin lineal:

Los BJTs : Regin activa Los MOSFETs: Regin de saturacin

Ahora vamos a estudiar cuando estos mismos dispositivos trabajan en conmutacin:

CONMUTACION: Paso de un punto de corte (OFF) a conduccin (ON)

Partiendo de un punto de funcionamiento esttico (POE) de las caractersticas I-V del transistor Llevamos al dispositivo a trabajar en otro punto suficientemente alejado del primero.

BJT
IC ( mA) IB = 80 A IB = 60 A IB = 40 A IB = 20 A IB = 0 A VCE (V)
FFI-UPV.es

MOSFET

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.1. INTRODUCCIN

Transistor Bipolar de Unin (BJT) en conmutacin:

El de un punto de corte (OFF) es en la regin de corte El punto de corriente elevada es en la regin de saturacin (ON) RC IC ( mA) RB VBB VBE VCE VCC

IB = 80 A

FFI-UPV.es

IB = 60 A

Q
Regin de saturacin Regin activa Regin de corte

IB = 40 A

ln ea de ca rg a

IB = 20 A

IB = 0 A

Q
En regin activa: unin EB en directa, BC en inversa. Aplicacin en amplificacin. En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente: circuito abierto. En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas directamente: cortocircuito.

VCE (V)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

VBB = IB RB+ VBE VCC = IC RC + VCC VBE 0,7 V

Retomamos el estudio del punto de operacin ESTACIONARIO

= 100
IB

RC =1 k RB=16 k VBB = 2 V IB VBE VCE IC

VCC=10 V

VBB VBE 2 0,7 81,25 A 16000 RB Ic = IB = 8,125 mA

VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

FFI-UPV.es

IC
VCC RC

Q Q
IB2 IB1

IB4 IB3
ln ea de ca rg a

VBB (V) 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,3

VCE (V) 10 9,375 8,75 8,125 6,875 5,625 4,375 3,125 1,875 0,625 0

Ic (mA) 0 0,625 1,25 1,875 3,125 4,375 5,625 6,875 8,125 9,375 10

IB (A) 0 6,25 12,5 18,75 31,25 43,75 56,25 68,75 81,25 93,75 100

Corte Regin activa Saturacin 5

VCC = 10 V

VCE
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC zona de saturacin cortocircuito VCE = 0

+VCC RC RB V0=Vsalida

IC

Q Q

Vi=Ventrada

FFI-UPV.es

ln ea de ca rg a
FFI-UPV.es

Q
Zona de corte circuito abierto VCE = VCC

VCE (V)

Si VBB = 0 IB = 0, IE IC 0, VCE = VCC

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

D. Pardo, et al. 1999

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC

zona de saturacin
cortocircuito VCE = 0

IC

Q Q
ln ea de ca rg a
FFI-UPV.es

Q
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

VCE (V)

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0, IE IC 0, VCE = VCC

La salida V0 est invertida con respecto a la entrada Vi Etapa inversora

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

+VCC RC RB Ventrada Vsalida
VBB (V) 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,3 VCE (V) 10 9,375 8,75 8,125 6,875 5,625 4,375 3,125 1,875 0,625 0 Ic (mA) 0 0,625 1,25 1,875 3,125 4,375 5,625 6,875 8,125 9,375 10 IB (A) 0 6,25 12,5 18,75 31,25 43,75 56,25 68,75 81,25 93,75 100

INVERSOR

Y = not X
Y

X
Ventrada Vsalida

FFI-UPV.es

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

TIEMPOS DE CONMUTACION Cuando la entrada cambia bruscamente: tambin lo hace la salida Pero el cambio en la salida no se produce en un tiempo nulo.

El tiempo que la salida tarda en ir desde V0=+VCC hasta V0= 0 V tiempo de paso de corte a saturacin : toff-on El tiempo que la salida tarda en ir desde V0= 0 V hasta V0=+VCC tiempo de paso de saturacin a corte : ton-off La suma de estos dos tiempos es el periodo mnimo de la seal cuadrada que se puede aplicar a la entrada para que la etapa inversora pueda responder en conmutacin.

Jim Stiles, Dept. of EECS. The Univ. of Kansas

ton-off
9

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFET

Transistor MOSFET en conmutacin: Configuracin en fuente comn.

El de un punto de corte (OFF) es en la regin de corte El punto de corriente elevada es en la regin de NO-SATURACION (ON)

Es utilizado en circuitos digitales.

Cuando Vin toma un valor bajo, el transistor est cortado y Vout es elevado. Cuando Vin es elevado el transistor conduce y Vout es bajo.

D. Pardo, et al. 1999

Regin de NOSATURACION

Regin de CORTE
FFI-UPV.es

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

10

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFET

Transistor MOSFET en conmutacin: Configuracin en fuente comn. 10V

4

ID

ID [mA] VGS = 4,5V

2,5K
D G VGS VDS S

VGS = 4V

+ -

+ -

VGS = 3,5V VGS = 3V VGS = 2,5V

4 8 12 VDS [V]

0
www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

Comportamiento resistivo Comportamiento lineal

VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento como circuito abierto

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

11

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa inversora: MOSFET en aplicaciones digitales Vin Vout VCC ID B VGS(B)

B
www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

VGS(A) VDS

D. Pardo, et al. 1999

Aplicando una onda cuadrada en los terminales VGS se puede conseguir que el MOSFET acte como un inversor

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

12

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa CMOS (Complementary MOSFET)

En la mayora de los Cis, se utiliza una etapa inversora con dos transistores MOSFET de realce complementarios:
Uno Canal N y otro Canal P Presenta numerosas ventajas con respecto a la anterior: menor consumo en estado OFF, mayor velocidad de conmutacin. Sus desventajas son: fabricacin ms costosa y mayor del rea del chip.
D. Pardo, et al. 1999

D. Pardo, et al. 1999

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

13

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa inversora MOS con carga integrada de realce

En esta etapa, un transistor acta como resistencia: QL0

D. Pardo, et al. 1999 D. Pardo, et al. 1999

En general, en todos los circuitos vistos en el TEMA 5 podemos decir que: Si la entrada toma uno de los dos valores discretos que mantienen al transistor en corte y conduccin La salida nicamente tomar tambin dos valores discretos Aplicaciones en Electrnica DIGITAL.
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 14

Referencias

Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999. Universidad de Oviedo. Area de tecnologa Electrnica (ATE). Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas. Area de Tecnologia Electrnica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica (FFI). Universidad Politcnica de Valencia. http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html Material de Prof. Jim Stiles, Dept. of EECS. The Univ. of Kansas, USA.

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

15