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Celda_fotoelctrica Celda fotoelctrica.

Dispositivo electrnico que permite transformar la energa luminosa (fotones) en energa elctrica (electrones) mediante el efecto fotovoltaico. Es tambin llamada fotocelda o celda fotovoltaica,

Contenido
1 Composicin 2 Principio de funcionamiento de la fotocelda elctrica 3 Usos 3.1 Zona de Carga de Espacio 4 Generaciones de clulas fotoelctricas 4.1 Primera Generacin 4.2 La Segunda Generacin 4.3 Tercera generacin 5 Tcnica de fabricacin 6 Materiales de fabricacin 7 Vea tambin 8 Fuentes

Composicin
Estn compuestas de un material que presenta efecto fotoelctrico: absorben fotones de luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad. La eficiencia de conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 11-12%, pero segn la tecnologa utilizada vara desde el 6% de las clulas de silicio amorfo hasta el 14-19% de las clulas de silicio monocristalino. Tambin existen Las clulas multicapa, normalmente de Arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30%. En laboratorio se ha superado el 42% con nuevos paneles experimentales.[cita requerida] La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a partir del cual la potencia entregada disminuye.

Principio de funcionamiento de la fotocelda elctrica


En un semiconductor expuesto a la luz, un fotn de energa arranca un electrn, creando al pasar un hueco. Normalmente, el electrn encuentra rpidamente un hueco para volver a llenarlo, y la energa proporcionada por el fotn, pues, se disipa. El principio de una clula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en l: as, se producir una diferencia de potencial y por lo tanto tensin entre las dos partes del material, como ocurre en una pila. Para ello, se crea un campo elctrico permanente, a travs de una unin pn, entre dos capas dopadas respectivamente, p y n: La capa superior de la celda se compone de silicio dopado de tipo n. En esta capa, hay un nmero de electrones libres mayor que una capa de silicio puro, de ah el nombre del dopaje n, como carga negativa (electrones). El material permanece elctricamente neutro: es la red cristalina quien tiene globalmente una carga negativa. La capa inferior de la celda se compone de silicio dopado de tipo p. Esta capa tiene por lo tanto una Contenido 1

Celda_fotoelctrica cantidad media de electrones libres menor que una capa de silicio puro, los electrones estn ligados a la red cristalina que, en consecuencia, est cargada positivamente. La conduccin elctrica est asegurada por los huecos, positivos (p).

Usos
Las clulas fotovoltaicas o fotoelctricas se utilizan a veces solas (iluminacin de jardn, calculadoras, ...) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos. Se utilizan para reemplazar a las bateras (cuya energa es con mucho la ms cara para el usuario), las clulas han invadido las calculadoras, relojes, aparatos, etc. Es posible aumentar su rango de utilizacin almacenndola mediante un ( condensador o pilas). Cuando se utiliza con un dispositivo para almacenar energa, es necesario colocar un diodo en serie para evitar la descarga del sistema durante la noche. Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satlites, parqumetros, ...), y para la alimentacin de los hogares o en una red pblica en el caso de una central solar fotovoltaica.

Zona de Carga de Espacio


En el momento de la creacin de la unin pn, los electrones libres de la capa n entran en la capa p y se recombinan con los huecos en la regin p. Existir as durante toda la vida de la unin, una carga positiva en la regin n a lo largo de la unin (porque faltan electrones) y una carga negativa en la regin en p a lo largo de la unin (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma la ?Zona de Carga de Espacio? (ZCE) y existe un campo elctrico entre las dos, de n hacia p. Este campo elctrico hace de la ZCE un diodo, que solo permite el flujo de corriente en una direccin: los electrones pueden moverse de la regin p a la n, pero no en la direccin opuesta y por el contrario los huecos no pasan ms que de n hacia p. En funcionamiento, cuando un fotn arranca un electrn a la matriz, creando un electrn libre y un hueco, bajo el efecto de este campo elctrico cada uno va en direccin opuesta: los electrones se acumulan en la regin n (para convertirse en polo negativo), mientras que los huecos se acumulan en la regin dopada p (que se convierte en el polo positivo).

Este fenmeno es ms eficaz en la (ZCE), donde casi no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercana inmediata a la (ZCE): cuando un fotn crea un par electrn-hueco, se separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creacin tiene lugar en un sitio ms alejado de la unin, el electrn (convertido en hueco) mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n (resp. la zona p). Pero la ZCE es necesariamente muy delgada, as que no es til dar un gran espesor a la clula. En suma, una clula fotovoltaica es el equivalente de un Generador de Energa a la que hemos aadido un diodo. Es preciso aadir contactos elctricos (que permitan pasar la luz: en la prctica, mediante un contacto de rejilla, una capa antireflectante para garantizar la correcta absorcin de fotones, etc. Para que la clula funcione, y produzca la potencia mxima de corriente se le aade la banda prohibida de los semiconductores a nivel de energa de los fotones. Es posible aumentar las uniones a fin de explotar al mximo el espectro de energa de los fotones, lo que produce las clulas multijuntas.

Principio de funcionamiento de la fotocelda elctrica

Celda_fotoelctrica

Generaciones de clulas fotoelctricas


Las clulas fotoelctricas se clasifican en tres generaciones que indican el orden de importancia y relevancia que han tenido histricamente. En el presente hay investigacin en las tres generaciones mientras que las tecnologas de la primera generacin son las que ms estn representadas en la produccin comercial con el 89.6% de produccin en 2007.

Primera Generacin
Las clulas de la primera generacin tienen gran superficie, alta calidad y se pueden unir fcilmente. Las tecnologas de la primera generacin no permiten ya avances significativos en la reduccin de los costes de produccin. Los dispositivos formados por la unin de clulas de silicio se estn acercando al lmite de eficacia terica que es del 31%[14] y tienen un periodo de amortizacin de 5-7 aos.[15]

La Segunda Generacin
Los materiales de la segunda generacin han sido desarrollados para satisfacer las necesidades de suministro de energa y el mantenimiento de los costes de produccin de las clulas solares. Las tcnicas de fabricacin alternativas, como la deposicin qumica de vapor, y la galvanoplastia tiene ms ventajas,[16] ya que reducen la temperatura del proceso de forma significativa. Uno de los materiales con ms xito en la segunda generacin han sido las pelculas finas de teluro de cadmio (CdTe), CIGS, de silicio amorfo y de silicio microamorfo. Estos materiales se aplican en una pelcula fina en un sustrato de apoyo tal como el vidrio o la cermica, la reduccin de material y por lo tanto de los costos es significativa. Estas tecnologas prometen hacer mayores las eficiencias de conversin, en particular, el CIGS-CIS, el DSC y el CdTe que son los que ofrecen los costes de produccin significativamente ms baratos. Estas tecnologas pueden tener eficiencias de conversin ms altas combinadas con costos de produccin ms baratos. Entre los fabricantes, existe una tendencia hacia las tecnologas de la segunda generacin, pero la comercializacin de estas tecnologas ha sido difcil. En 2007, First Solar produjo 200 MW de clulas fotoelctricas de CdTe, el quinto fabricante ms grande de clulas en 2007. Wurth Solar comercializ su tecnologa de CIGS en 2007 produciendo 15 MW. Nanosolar comercializ su tecnologa de CIGS en 2007 y con una capacidad de produccin de 430 MW para 2008 en los EEUU y Alemania. Honda, tambin comenz a comercializar su base de paneles solares CIGS en 2008. En 2007, la produccin de CdTe represent 4.7% del mercado, el silicio de pelcula fina el 5.2%, y el CIGS 0.5%.

Tercera generacin
Se denominan clulas solares de tercera generacin a aquellas que permiten eficiencias de conversin elctrica tericas mucho mayores que las actuales y a un precio de produccin mucho menor. La investigacin actual se dirige a la eficiencia de conversin del 30-60%, manteniendo los materiales y tcnicas de fabricacin a un bajo costo. Se puede sobrepasar el lmite terico de eficiencia de conversin de energa solar para un solo material, que fue calculado en 1961 por Shockley y Queisser en el 31% No utilizan turbinas ni generador si no la luz natural del sol.

Generaciones de clulas fotoelctricas

Celda_fotoelctrica Existen diversos mtodos para lograr esta alta eficiencia incluido el uso de clula fotovoltaica con multiunin, la concentracin del espectro incidente, el uso de la generacin trmica por luz ultravioleta para aumentar la tensin, o el uso del espectro infrarrojo para la actividad nocturna

Tcnica de fabricacin
El silicio es actualmente el material ms comnmente usado para la fabricacin de clulas fotovoltaicas. Se obtiene por reduccin de la slice, compuesto ms abundante en la corteza de la Tierra, en particular en la arena o el cuarzo. El primer paso es la produccin de silicio metalrgico, puro al 98%, obtenido de pedazos de piedras de cuarzo provenientes de un filn mineral (la tcnica de produccin industrial no parte de la arena).El silicio se purifica mediante procedimientos qumicos (Lavado + Decapado) empleando con frecuencia destilaciones de compuestos clorados de Silicio, hasta que la concentracin de impurezas es inferior al 0.2 partes por milln. As se obtiene el Silicio grado semiconductor con un grado de pureza superior al requerido para la generacin de Energa Solar Fotovoltaica. Este ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del aprovisionamiento de las industrias. Sin embargo, para usos especficamente solares, son suficientes (dependiendo del tipo de impureza y de la tcnica de cristalizacin), concentraciones de impurezas del orden de una parte por milln. Al material de esta concentracin se le suele denominar Silicio de grado solar. Con el silicio fundido, se realiza un proceso de crecimiento cristalino que consiste en formar capas monomoleculares alrededor de un germen de cristalizacin o de un cristalito inicial. Nuevas molculas se adhieren preferentemente en la cara donde su adhesin libera ms energa. Las diferencias energticas suelen ser pequeas y pueden ser modificadas por la presencia de dichas impurezas o cambiando las condiciones de cristalizacin. La semilla o grmen de cristalizacin que provoca este fenmeno es extrada del silicio fundido, que va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un monocristal y si es menor, un policristal. La temperatura a la que se realiza este proceso es superior a los 1500 C. El procedimiento ms empleado en la actualidad es el Proceso Czochralski, pudindose emplear tambin tcnicas de colado. El Silicio cristalino as obtenido tiene forma de lingotes. Estos lingotes son luego cortados en lminas delgadas cuadradas (si es necesario) de 200 micrmetros de espesor, que se llaman obleas. Despus del tratamiento para la inyeccin del enriquecido con dopante (P, As, Sb o B) y obtener as los semiconductores de silicio tipo P o N. Despus del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales y defectos de corte, adems de la posibilidad de que estn sucias de polvo o virutas del proceso de fabricacin. Esta situacin puede disminuir considerablemente el rendimiento del panel fotovoltaico as que se realizan un conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las obleas tales como un lavado preliminar, la eliminacin de defectos por ultrasonidos, el decapado, el pulido o la limpieza con productos qumicos. Para las celdas con ms calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea absorba con ms eficiencia la radiacin solar incidente. Tercera generacin 4

Celda_fotoelctrica Posteriormente, las obleas son metalizadas, un proceso que consiste en la colocacin de unas cintas de metal incrustadas en la superficie conectadas a contactos elctricos que sn las que absorben la energa elecrica que generan las uniones P/N a causa de la irradicacin solar y la transmiten. La produccin de clulas fotovoltaicas requiere energa, y se estima que un mdulo fotovoltaico debe trabajar alrededor de 2 a 3 aos[4] segn su tecnologa para producir la energa que fue necesaria para su produccin (mdulo de retorno de energa).

Materiales de fabricacin
Estos son objeto de programas de investigacin ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de las clulas fotovoltaicas. Las tecnologas de pelcula delgada sobre sustratos sin marcar recibi la aceptacin de la industria ms moderna. En 2006 y 2007, el crecimiento de la produccin mundial de paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de clulas de silicio y los precios no han cado tanto como se esperaba. La industria busca reducir la cantidad de silicio utilizado. Las clulas monocristalinas han pasado de 300 micras de espesor a 200 y se piensa que llegarn rpidamente a las 180 y 150 micras, reduciendo la cantidad de silicio y la energa requerida, as como tambin el precio.

Vea tambin
Sistema fotovoltaico Energa solar Fotoresistencia Fotodiodo Tcnica fotoelctrica

Fuentes
Q/pr4/Celdas%2Bfotoel%E9ctricas.htm Quiminet Cosmos /4_Paneles_Fotovoltaicos/7_Conceptos_basicos_de_generacion_fotovolaica_Celdas_fotovoltaic Conceptos Bsicos Energa Solar Componentes electrnicos [1] Historia Energa solar Wiki Tecnologa Energa solar

Tcnica de fabricacin