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Transistor de Unión Bipolar
Transistor de Unión Bipolar
Introducción
Introducción

Introducción

Introducción
Introducción
Introducción
Introducción

El transistor de unión bipolar es el principal dispositivo de tres terminales. Es más útil que un dispositivo de dos terminales, tal como el diodo. Su aplicación es más amplia, desde un amplificador hasta circuitos lógicos. El flujo de corriente es controlado por una terminal. Aunque no es el más utilizado en la actualidad 1 , es el preferido en aplicaciones analógicas de alta frecuencia y circuitos lógicos de alta velocidad. Los componentes del flujo de corriente son huecos y

electrones, debido a esto se le llama Bipolar.

1 2 1. El dispositivo de mayor uso es el MOSFET Analogía (flujo de agua-flujo
1
2
1. El dispositivo de mayor uso es el MOSFET
Analogía (flujo de agua-flujo de corriente)
Estructura
La Figura 1 muestra una
analogía del transistor de
unión bipolar con el
d
C
contro
l d
e paso
l
e
l fl
ujo
de un líquido. Dispositivo
de tres terminales (EBC).
B
El flujo del colector (C)
hacia el emisor (E) es
controlado por una
Figura 2. Estructura simplificada de
un BJT tipo npn
Figura 3. Estructura simplificada de
un BJT tipo p np
E
El transistor consta de dos
uniones pn: la unión BE
y la unión BC.
El transistor consta de
dos uniones pn: la unión
EB y la unión CB.
pequeña terminal, la base
(B).
Figura 1. Flujo controlado de un
líquido, analogía de un BJT.
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Modos de operación Tabla 1. Modos de operación del transistor BJT Unión Unión Modo Base-Emisor
Modos de operación
Tabla 1. Modos de operación del transistor BJT
Unión
Unión
Modo
Base-Emisor
Base-Colector
Corte
Inversa
Inversa
Activo
Directa
Inversa
Saturación
Directa
Directa

Los modos de operación mostrados en la Tabla 1, son con base en el modelo del transistor tipo npn , por lo tanto, para el modelo p n p se considera primero el lado p de la unión y sus nombres son: unión Emisor-Base y unión Colector-Base.

Aplicaciones El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.
Aplicaciones El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.

Aplicaciones

Aplicaciones El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.
El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.

El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.

Aplicaciones El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador.

Los modos de operación corte y saturación se utilizan de manera conjunta para que el transistor trabaje como interruptor, por ejemplo en los circuitos digitales como TTL.

5 6 Estructura de un transistor BJT npn Flujo de corriente en un transistor npn
5
6
Estructura de un transistor BJT npn
Flujo de corriente en un transistor npn para
operar en modo activo
El colector rodea las regiones de la base y del emisor, esto
hace difícil que los electrones inyectados a la base escapen, lo
que produce el que el factor α sea cercano a uno y el factor β
sea muy grande.
Es un dispositivo no simétrico, lo que significa que el colector y
el emisor no pueden ser intercambiados.
La unión BC es mucho mas grande que la unión BE. El diodo
BC (D C ) tiene una I SC mucho mas grande que I SE del diodo BE
( D E ). Típicamente, I SC es de 10 a 100 veces mayor que I SE ( I SE =
I S /α≈ I S )
Figura 5. Flujo de corriente en un BJT tipo npn polarizado para
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Figura 4. Sección transversal de la construcción de un BJT tipo npn

operar en modo activo.

Flujo de Corriente en BJT npn

Flujo de Corriente en BJT npn El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT

El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT es difusión. El emisor está altamente dopado, sus portadores mayoritarios son electrones. La base está ligeramente dopada, sus portadores mayoritarios son huecos. La polarización directa de la unión Base-Emisor hace que huecos de la base sean inyectados al emisor, algunos electrones difundidos del emisor a la base se recombinan, ambos producen la corriente de base i B . La polarización directa en la unión Base-Emisor también causa un flujo de corriente a través de la unión. Esta corriente consta de dos componentes:

electrones inyectados del emisor a la base y huecos del la base al emisor. La corriente se denomina i E y es igual a la suma de ambos. El exceso de electrones del emisor hace que se difundan hacia la base, pero como la concentracn es muy alta y existe un potencial positivo en la unn Base-Colector (en polarización inversa), los electrones cruzan dicha unión. El colector colecta lo emitido por el emisor, con lo que se forma la corriente de colector i C . La dirección de la corriente convencional es en sentido opuesto al movimiento de los electrones, de colector a emisor.

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Corrientes en el BJT modo activo

 

Corriente de colector

 

i

C

= Ie

S

v

BE

/

V

T

Corriente de base

 

i

C

i =

B

β

β

Ganancia de corriente de emisor-común

Corriente de emisor

 

i

C

⎛ + 1

β

i

C

iiii

ECBC

=+=+ =

β

C

i

=

βα

α

Ganancia de corriente de base-común

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Circuitos de modelos-equivalentes en gran señal Figura 6. Circuitos de modelos-equivalentes de primer orden en
Circuitos de modelos-equivalentes en gran
señal
Figura 6. Circuitos de
modelos-equivalentes de
primer orden en gran
señal (CD) de un BJT npn
polarizado para operar en
modo activo. i C (a) control
v BE , (b) control α, (c)
control v BE , (d) control β.

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Flujo de corriente en un transistor pnp para operar en modo activo
Flujo de corriente en un transistor pnp para
operar en modo activo

Figura 7. Flujo de corriente en un BJT tipo pnp polarizado para

operar en modo activo.

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Flujo de Corriente en BJT pnp

Flujo de Corriente en BJT pnp El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT

El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT es difusión. El emisor está altamente dopado, sus portadores mayoritarios son huecos. La base está ligeramente dopada, sus portadores mayoritarios son electrones. La polarización directa de la unión Emisor-Base hace que electrones de la base sean inyectados al emisor, algunos huecos difundidos del emisor a la base se recombinan, ambos producen la corriente de base i B . La polarización directa en la unión Emisor-Base causa un flujo de corriente a través de la unión. Esta corriente consta de dos componentes: huecos inyectados del emisor a la base y electrones de la base al emisor. La corriente se denomina i E y es igual a la suma de ambos. El exceso de huecos en el emisor hace que se difundan hacia la base, pero como la concentracn es muy alta y existe un potencial positivo en la unn Colector-Base (en polarización inversa), los huecos cruzan dicha unión, el colector colecta lo emitido por el emisor, con lo que se forma la corriente de colector i C . La dirección de la corriente convencional es en sentido del movimiento de los huecos.

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Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal
Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal
Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal

Circuitos de modelos-equivalentes en gran señal

Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal
Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal
Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal
13 Circuitos de modelos-equivalentes en gran se ñal Figura 8. Circuitos de modelos-equivalentes de primer orden

Figura 8. Circuitos de modelos-equivalentes de primer orden en gran señal (CD) de un BJT pnp polarizado para operar en modo activo. i C (a) y (b) control v EB .

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Símbolos y polaridades Símbolos Polaridades Figura 9. Símbolos, (a) transistor tipo npn , (b) transistor
Símbolos y polaridades
Símbolos
Polaridades
Figura 9. Símbolos, (a) transistor
tipo npn , (b) transistor tipo pnp .
Figura 10. Polarización para operar
el transistor en modo activo (a) tipo
npn , (b) tipo p np.

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Relaciones corriente-voltaje de un BJT en modo activo

i

C

= Ie

S

v

BE

/

V

T

 

i

i

C

I

S

v

BE

/ V

T

 

=

=

e

B

β β

i

C

I

S

 

v

BE

/ V

T

i

E

=

=

 

e

 
 
 

α α

 

i

=

i

α

C

i

C

=

E

β

i

B

i

B

(

α

)

 

i

E

1

=−

i

E

=

   

β

+ 1

i

E

=

(

β

+ 1

)

i

B

α β = 1 − α β α = β+ 1 V = voltaje térmico
α
β
=
1 −
α
β
α
=
β+
1
V
=
voltaje térmico =
T

kT

q

25mV, a temperatura interior ambiente

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Análisis en CD (1)

 

El transistor del siguiente circuito tiene una β = 100, cuando v BE es 0.7 V la i C es 1 mA. Diseñar el circuito para que circule una corriente de colector de 2 mA y haya un voltaje en el colector de + 5 V.

R

Se puede calcular primero el valor de R

V V

15

==

C

15 V

(5 V)

−+

= 5 k

C

C

Si

v

BE

I

C

2 mA

es 0.7 V cuando

= 1 mA,

iv

C

BE

cuando

i

C

= 2 mA es

 

2

mA

V

BE

0.7

=+

V

T

ln

⎝ ⎜

1

mA

⎠ ⎟

=

0.717 V

 

V

E

El voltaje en el emisor es

0

= −

V

BE

0

= −

0.717 V

=−

0.717 V

I E
I
E

Es necesario el valor de la corriente de emisor para obtener el valor de R

E

I

C

==

α

β

+ 1

β

I

C

=

101

100

2 mA

=

2.02 mA

de R E I C == α β + 1 β I C = 101 100
de R E I C == α β + 1 β I C = 101 100

Por lo tanto

C == α β + 1 β I C = 101 100 2 mA = 2.02

Análisis en CD (2)

 

Calcular todos los voltajes y corrientes en el siguiente circuito. Asumir que el valor de β es muy grande y V BE = 0.7 V

Si

β

es

, de acuerdo con

 

α=

β

1

 

β

+

1

Por lo tanto

I

E

=

I ⎞ ⎜ ⎝

⎟ ⎠

C

α

=

I

C

 
 

I

C

 

+ 4 V

I

=

= 0

B

β

El voltaje en el emisor es

 

V =

E

4 V

V =

B E

4 V

0.7 V

=

3.3 V

La corriente de emisor es

I

E

=

V

E

0 V

=

3.3 V

R

E

3.3 k

== 1 mA

I

C

El voltaje en el colector es

V R E 3.3 k Ω == 1 mA I C El voltaje en el colector
V −− ( 15 V) − 0.717 V + 15 V 17 18 E R
V −−
(
15 V)
0.717 V
+
15 V
17
18
E
R =
=
=Ω 7.07 k
V =−V IR =
10 V
(
1 mA i 4.7 kΩ
)
=
5.3 V
E
C
CC
C
C
I
2.02 mA
E
Análisis en CD (3)
PNP en CD
Calcular todos los voltajes y corrientes en el siguiente circuito. Asumir que el
valor de β es muy grande y V BE = 0.7 V
En el circuito de la siguiente figura el voltaje en la base
es de 1 V, considere V EB = 0.7 V. ¿Cuáles son los
valores de α y β del transistor?
Si β es
, de acuerdo con
β
α
=
≅ 1
β
+
1
Por lo tanto
C
C
I
II e
0
== ⎛ ⎜ I ⎞ ⎟
E
CB
== ⎝ ⎛ ⎜ I ⎠ ⎞ ⎟
α
β
El voltaje en el emisor es
V =−=−V
6V
6V
0.7V=5.3V
E
B E
La corr ente
i
d
e em sor es
i
V
− 0 V
5.3
E
I =
=
V 1.6 mA
E
R
3.3
kΩ
E
I
=
I
C
E
El voltaje en el colector es
V =−V IR =
10 V
(
1.6 mA i 4.7 kΩ
)
=
2.58 V
C
CC
C
C
19
20
= I C E El voltaje en el colector es V =−V IR = 10 V
EFECTO EARLY
EFECTO EARLY
EFECTO EARLY
EFECTO EARLY

EFECTO EARLY

EFECTO EARLY
EFECTO EARLY

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Característica i C -v CE y el Efecto Early Cuando el BJT se opera en
Característica i C -v CE y el Efecto
Early
Cuando el BJT se opera
en la región activa, la
ecuación
v
/
V
= Ie
BE
T
i C
S
muestra que i
tiene
C

dependencia únicamente de v BE , sin embargo, no existe una dependencia del voltaje v CE . La pendiente que se muestra en la región activa es producto de el efecto Early, que se convierte en una resistencia entre el emisor y el colector

a) Circuito conceptual para medición de las características i C - v CE del BJT. (b) característica

práctica i C - v CE del BJT.

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Modelos a gran señal con r O El valor de la resistencia proviene de un
Modelos a gran señal con r O
El valor de la resistencia proviene de un valor de
voltaje fijo denominado voltaje Early (VA) el cual se
encuentra entre 50 y 10 V.
V
A
r =
o
I
C

Circuito de modelo equivalente híbrido π (a) con r o y dependencia de v BE . (b) con r o con dependencia de la ganancia de emisor común.

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Punto de Operación Circuito demostrativo de localización del punto de operación Q. El punto Q
Punto de Operación Circuito demostrativo de localización del punto de operación Q. El punto Q

Punto de Operación

Punto de Operación Circuito demostrativo de localización del punto de operación Q. El punto Q es

Circuito demostrativo de localización del punto de operación Q. El punto Q es el valor de corriente de colector y voltaje colector-emisor a los cuales el BJT se encuentra polarizado cuando trabaja en activo

de colector y voltaje colector-emisor a los cuales el BJT se encuentra polarizado cuan d o
de colector y voltaje colector-emisor a los cuales el BJT se encuentra polarizado cuan d o
BJT se encuentra polarizado cuan d o t ra baj a en ac tivo Gráfica del

Gráfica del localización del punto de operación y recta de carga

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polarizado cuan d o t ra baj a en ac tivo Gráfica del localización del punto
Efecto de variación del punto Q El fijar el valor de IE permite fijar el
Efecto de variación del punto Q
El fijar el valor de IE permite
fijar el valor de IC a través del
factor a. Por lo tanto, la
resistencia de colector fija el
valor del voltaje de colector

Una incorrecta forma de polarización del BJT, para modo activo, hace que el punto de operación quede muy cerca de la regn de saturacn (Q B ) o en los límites del valor de la fuente de alimentación (Q A ), el ideal es tener un punto de operación simétrico

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Sumario

 

Dependiendo de las condiciones de polarización de sus dos uniones, el BJT puede operar en tres modos de operación:

corte (ambas uniones en inversa), activo (BE directa y BC inversa), saturación (ambas uniones en directa). Para aplicaciones como amplificador, el BJT es operado en modo activo. Aplicaciones de conmutación, el BJT utiliza los modos corte y activo. Para asegurar la operación en modo activo el transistor tipo npn

debe tener un voltaje de colector 0.4 V más que el voltaje en la

base. Para un transistor tipo pnp el voltaje de colector debe ser al menos 0.4 V menos que el voltaje de base. Existe una interrelación entre las tres corrientes del transistor, de acuerdo con las constantes de ganancia α y β.

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Referencias

 

Sedra Adel S., Smith Kenneth C., Microelectronic Circuits, Fourth edition, Oxford University Press, 1998. Boylestad, Robert L., Louis Nashelsky, Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 10 a edición, México:

Pearson Educación, 2009. Sedra Adel S., Smith Kenneth C., Microelectronic Circuits, Sixth edition, Oxford University Press, 2010. Semiconductor Technical Data, MPS 2222/D, Motorola.

© Todas las figuras son propiedad de Microelectronics Circuits, sixth Ed.

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