Fsica de semiconductores

Fsica de semiconductores
La Fsica de semiconductores es el conjunto de teoras y modelos que explican el comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo gran parte de los semiconductores son estudiados en Fsica del estado slido.

Primeras observaciones
Michael Faraday descubri que el sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo de resistencia. En 1839 A. E. Becquerel observ un fotovoltaje al alumbrar un electrodo de un electrolito. W. Smith, en 1873, advirti que la resistencia del selenio disminuye al iluminarlo. En 1874, F. Braun descubri que la resistencia de los contactos entre metales y piritas de galena depende de la tensin aplicada sobre ellos; A. Schuster observ algo similar en superficies pulidas y no pulidas en cables de cobre. En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primera fotoclula, y C. E. Fritts presenta el primer rectificador con selenio. En la dcada de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de portadores de carga elctrica en los semiconductores es mucho menor que en los metales, aunque a diferencia de stos, aumentan rpidamente con la temperatura, y tambin que en los semiconductores tienen mucha mayor movilidad. Tambin observ que en algunos casos los portadores eran negativos y en otros positivos.

Conduccin elctrica
Debido a que la banda que efectivamente conduce es la que est casi vaca o casi llena, la poca densidad de los portadores de carga en el seno del cristal hace que se comporten como un gas clsico o maxweliano.

Portadores de cargas
En un cristal hay dos clases de portadores de carga: electrones y huecos. Si bien estos ltimos son ficticios, ya que resultan de un estado vacante en la banda de valencia, esta condicin no invalida los modelos. Sin entrar en detalles, un semiconductor presenta dos tipos de corriente elctrica: Corriente de arrastre (o deriva): debida a un campo elctrico. Corriente de difusin: debida a la diferencia de concentracin de portadores.

Tipos de Semiconductores
Una de las propiedades ms importantes de los semiconductores es la cantidad de portadores como funcin de la temperatura. El modelo de las 2 corrientes es el usado para describir los portadores, donde los electrones exitados son los que conducen cargas negativas y los huecos transportan carga positiva. As que las cantidades importantes a determinar son la cantidad de portadores en la banda de conduccin ( ) y la cantidad de portadores en la banda de valencia ( ). Dependiendo de la relacin entre la cantidad de portadores en cada banda podremos clasificar a los semiconductores. As es como si la cantidad de portadores (huecos) en la banda de valencia es igual a la cantidad de portadores de la banda de conduccin (electrones) tendremos lo que se llama un semiconductor intrnseco ( ). Si, en cambio, la relacin cambia se dice que es un semiconductor extrnseco.

Fsica de semiconductores El caso intrnseco se da en cristales puros, donde la densidad de carga es despreciable. Las bandas de conduccin solo pueden ser ocupadas por electrones que abandonaron la banda de valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco. De esta manera la cantidad de cada tipo de portador esta siempre balanceada. El caso extrinseco, por el contrario, tiene exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se debe que el cristal puro se encuentra "contaminado" con un tomo de otro tipo que puede agregar un donor (electron) o un aceptor (hueco), esto pasa cuando ese tomo contaminante tiene una cantidad distinta de electrones en la capa de valencia a los de la red pura.

Contaminacin o dopaje
Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por esto se los contamina para darles alguna propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear centros de recombinacin, y otros. Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb); al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: np = ni Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro. En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

Fsica de semiconductores

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso:

Fuentes y contribuyentes del artculo

Fuentes y contribuyentes del artculo

Fsica de semiconductores Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=47859918 Contribuyentes: AldanaN, Antur, ChrisH, Diegusjaimes, Dodo, Indurilo, Joseaperez, Manw, Matdrodes, Matiasasb, Smrolando, Superzerocool, Tortillovsky, 19 ediciones annimas

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