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31 ATENUACIN DE LA LINEA MICROSTRIP En la figura siguiente se explica las causa ms importantes

generadoras de la atenuacin en una lnea MICROSTRIP. Es posible describir los efectos de la atenuacin por medio de: Modelos matemticos aproximados. Familia de curvas para la determinacin de la atenuacin.
RADIACIN ASPEREZA SUPERFICIAL CONDUCTIVIDAD CONDUCTIVIDAD

MICROSTRIP CAPA DE ADHERENCIA

DIELECTRICO

DERIVACIN, DESCARGA

CAPA DE ADHERENCIA

CONDUCTIVIDAD CONDUCTIVIDAD

ELECTRODO DE MASA

ASPEREZA SUPERFICIAL

Efectos de las diferentes capas y de la atenuacin en


una lnea MICROSTRIP generalizada.
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32 ATENUACIN DEL CONDUCTOR


En la mayora de los sustratos la frecuencia de operacin de

una lnea MICROSTRIP se establece por debajo de la denominada frecuencia de aceptancia de la atenuacin f. Donde las prdidas longitudinales y transversales se igualan. Bajo esta condicin normalmente se desprecia las prdidas dielctricas respecto a las prdidas en el conductor (A excepcin de sustrato EPG Fibra de vidrio epxida)

La resistencia finita de la lnea MICROSTRIP y la metalizacin de


masa generan la atenuacin en el conductor. Debido a que la operacin ocurre por debajo de la frecuencia de aceptancia, se incrementan proporcional a f La Impedancia superficial especfica RF. Y como consecuencia se incrementa la Atenuacin debido al efecto piel. La dependencia de la frecuencia que presentan las densidades de corriente Longitudinales y transversales, no es tan precisa. Sera necesario un Anlisis Dinmico para obtener una solucin exacta de este tipo de problema. No se conoce un modelo matemtico aproximado para los resultados ni se han obtenido paquetes de curvas para la evaluacin grfica. Para una frecuencia de operacin por debajo de la frecuencia esttica lmite los resultados pueden presentar un error de 8%.

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33 ATENUACIN DEL CONDUCTOR Estas relaciones se obtuvieron en base al Principio del Incremento de la
Inductividad: A travs del cual se toma en cuenta la represin que experimenta el flujo de corriente en la periferia del conductor, Por lo tanto se parte del supuesto de que slo fluyen corrientes longitudinales sobre el conductor de cinta MICROSTRIP. Se obtienen:

El Coeficiente de Atenuacin.

La Impedancia Superficial.

Siendo:
La Impedancia especfica. La profundidad de penetracin. A el factor geomtrico en dB independiente de r y dependiente de la relacin w/h por lo que es vlido:

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34 ATENUACIN DEL CONDUCTOR


Se

puede calcular la anchura equivalente del conductor weq,0 con las ecuaciones siguientes:

Ecuacin analtica

Ecuacin sinttica

Las ecuaciones anteriores obtenidas para:


A el factor geomtrico y para La anchura equivalente del conductor weq,0 Se representan grficamente en el diagrama de curvas a continuacin. Con la relacin siguiente se obtiene la atenuacin real partiendo del valor normado *, para cualquier valor de f en GHz, h en mm, r,eff(w/h, r) y en cm, se expresa en dB/cm.

La Profundidad de penetracin est dada por: Para cobre es vlido: Por lo tanto:
para 100GHz.

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35 ATENUACIN DEL CONDUCTOR


Grosor del conductor normado y conductor de cobre Coeficiente de Atenuacin
con

Anchura normada del conductor w/h

r=1, h=1mm y =1,72.10-6cm para el cobre en funcin de la anchura normada del conductor w/h. ATENUACIN DE LA LINEA MICROSTRIP

Coeficiente de Atenuacin normado * del MICROSTRIP para f=1GHz,

36 EFECTO DE LA SUJECIN SUPERFICIAL En la tcnica MICROSTRIP de pelcula fina se necesita


aplicar una delgada capa de sujecin de unos 0,02-0,1m de grosor entre el sustrato y la cinta conductora de la lnea as como entre el sustrato y la capa metalizada de masa. Para la cinta conductora se usa un material con elevada conductividad, como Oro con un =2,6.10-6cm y un grosor de un valor de varias profundidades de penetracin . Para la capa de sujecin se usan materiales con muy baja conductividad como el Cromo con =13.10-6 a 15,6.10-6 cm

Con esta tecnologa se eleva la atenuacin del conductor en


dependencia con la relacin: Entre el grosor de la capa de sujecin respecto a la profundidad de penetracin tH/H. Y entre la relacin de la Impedancia del conductor respecto a la Impedancia de la capa de sujecin L/ H. El resultado del clculo esttico se observa en la figura a continuacin.
A

travs de un proceso especial, se puede evitar el uso de la capa de sujecin por medio de una aplicacin directa del revestimiento de cobre. La capa de cobre tiene un grosor entre 0,127 hasta 0,305mm. Este tipo de sustrato es excelente en aplicaciones con altas temperaturas y para transmisiones con relativa altas potencias.
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37 EFECTO DE LA SUJECIN SUPERFICIAL

Parmetros:

Grosor de la capa de sujecin por profundidad de penetracin

Efecto que presenta la capa de sujecin sobre la Atenuacin del conductor: a. Conductor con capa de sujecin. b. Conductor sin capa de sujecin. c. Incremento de la Atenuacin del conductor dependiente de la capa de sujecin ,efec/ ,efec en funcin del grosor normado de la capa de sujecin.

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38 EFECTO DE LA ASPEREZA SUPERFICIAL


los sustratos presentan a nivel microscpico superficies speras. La superficie spera aparece despus de la metalizacin del sustrato tanto del lado de la cinta conductora como del lada de masa. La superficie superior y el lmite lateral de la cinta conductora presentan tambin cierta aspereza. Se generan ms prdidas como consecuencia de la distribucin no homognea de la densidad de corriente, la cual es modulada por el ritmo de la aspereza superficial, Debido al incremento de la densidad de corriente causado por el efecto piel. Este efecto se expresa con un incremento de la Atenuacin superficial del conductor donde: El valor de del sustrato liso pasa a: ,efec para el sustrato spero.
Todos

Superficie lisa

Superficie spera

Conductor

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39 EFECTO DE LA ASPEREZA SUPERFICIAL


Se define una profundidad efectiva de aspereza eff,

representa el valor medio cuadrtico de la Aspereza Superficial.

Algunos valores prcticos de eff son: Para Cermica pulida Al2O3: Para Cermica sin pulimento Al2O3: Para sustrato de plstico: Si la Aspereza permanece despreciable respecto a la longitud de onda,

es posible determinar la Atenuacin normal del conductor de la relacin:


Con la impedancia superficial Donde de sustituye con ayuda de la grfica a continuacin la

impedancia superficial especfica RF por la impedancia superficial especfica efectiva RF,eff


La atenuacin ,eff se obtiene de la atenuacin .

Siendo:

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40 EFECTO DE LA ASPEREZA SUPERFICIAL

Corriente

Impedancia superficial especfica efectiva en funcin de la profundidad de aspereza efectiva normada.

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41 ATENUACIN DEL DIELCTRICO


Se generan prdidas dielctricas debido a las prdidas por descargas en el sustrato, Estas prdidas pueden determinarse con el Factor de Prdidas o Tangente de Prdidas tan, Vlido para frecuencias no muy altas y que aproximadamente es independiente de la frecuencia En la tabla siguiente se representa con otras caractersticas para diferentes sustratos. Para los Dielctricos es vlido:

introduce el Factor Geomtrico F debido a que las prdidas aparecen en la regin del campo del sustrato, La relacin siguiente considera tanto, La dependencia de la frecuencia, El efecto de la geometra. Representada en las curvas siguientes.

Se

Atenuacin Superficial en dB/cm para cualquier frecuencia f en GHz y para todo Factor de Prdidas, se obtiene con la expresin siguiente:

La

ATENUACIN DE LA LINEA MICROSTRIP

Material Factor de Prdidas Dielctricas para 10GHz a 250C Coeficiente De dilatacin Trmica lineal Para 25OC

Permeabilidad relativa

Conductividad Trmica Especfica Para 25OC

Coeficiente de temperatura de r

Tipo

Observaciones

42 ATENUACIN DEL DIELCTRICO

Alto

Muy Alto
Muy Bajo

Caractersticas tcnicas de los sustratos ms importantes: An: Material dielctrico inorgnico. Ha: Semiconductor. Fe: Material ferromagntico. K: Dielctrico de Plstico.

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43 ATENUACIN DEL DIELCTRICO

Atenuacin superficial normada del dielctrico

con

Anchura normada del conductor

f=1GHz, tan=0,001 en funcin de la anchura normada del conductor w/h. ATENUACIN DE LA LINEA MICROSTRIP

Atenuacin superficial normada del dielctrico * del MICROSTRIP para

44 PRDIDAS POR DERIVACIN


Las prdidas por derivacin la genera el valor finito de la conductividad elctrica especfica del material usado como sustrato. se desprecia en materiales aislantes convencionales. Sin embargo es apreciable en materiales semiconductores medio aislantes. Al utilizar este tipo de sustrato es posible determinar la Atenuacin superficial dependiente de la geometra a travs de las curvas de la grfica a continuacin. Para la Atenuacin Superficial se obtiene para in (cm)-1 la relacin:

Conductividad de algunos materiales semiconductores:


SEMICONDUCTOR CONDUCTIVIDAD /(cm)-1

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45 PRDIDAS POR DERIVACIN

Atenuacin Superficial de derivacin normada * par una conductividad especfica del sustrato =10-3(cm)-1

Anchura normada del conductor w/h

para =0,001(cm)-1 en funcin de la Anchura normada del conductor w/h.

Atenuacin Superficial de Derivacin normada * de la lnea MICROSTRIP


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46 PRDIDAS POR RADIACIN


Lneas MICROSTRIP abiertas no encapsuladas irradian

potencia de microondas en zonas donde existen discontinuidades como: En una lnea adaptadora abierta. Como tambin en un cambio de direccin perpendicular de la lnea. Estas prdidas por Radiacin estn compuestas por: La Potencia irradiada en el espacio, y, Por la radiacin transportada por las ondas superficiales. Debido a que las Ondas Superficiales TMO no presentan frecuencias de corte, su aporte a la radiacin siempre est presente.
Las diferentes componentes de las Prdidas por

Radiacin se pueden calcular por el mtodo de los momentos. Estas componentes para Altas Frecuencias son siempre ms pequeas que las frecuencias de corte de las Ondas Superficiales TEO, Para las Altas Frecuencias las prdidas por radiacin estn dominadas por las Ondas Superficiales TMO
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