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Celdas Peltier: Una alternativa para sistemas de enfriamiento con base en semiconductor.
Arturo P. Sandoval G., Enrique Espinosa J., Jorge L. Barahona A.
Instituto de Electrnica. Universidad Tecnolgica de la Mixteca. Huajuapan de Len, Oaxaca. Mxico. C.P. 69000. Tel. 9535320214 ext. 200.

Resumen El descubrimiento de los fenmenos termoelctricos hace dos siglos, y la bsqueda de nuevas alternativas de generacin de energa, ha permitido un avance continuo en la tecnologa termoelctrica en los ltimos aos. Desde 1834 es conocido el efecto Peltier; no obstante, su aplicacin prctica necesit del desarrollo de los materiales semiconductores. El efecto Peltier se caracteriza por la aparicin de una diferencia de temperaturas entre las dos caras de un semiconductor cuando por l circula una corriente. Por lo general dichas celdas estn fabricadas con Bismuto para la cara del semiconductor tipo P y Telurio para la cara tipo N. En ste trabajo se realiza la caracterizacin en voltaje, corriente y temperaturas de una celda Peltier cuyos parmetros son los siguientes: tensin mxima de 6V, corriente mxima de 2.5 A, los cuales provocan una diferencia de temperaturas T=35C entre la cara caliente y la cara fra de la celda. Para ello, se emple el sistema de adquisicin de datos USB-1208FS del fabricante Measurement Computing y sensores de temperatura de circuito integrado. Los resultados experimentales fueron obtenidos utilizando instrumentacin virtual implementada con el software Labview de National Instruments. Palabras clave: Efecto Peltier, Temperatura, Semiconductores, Celda Peltier. Introduccin El efecto Peltier se caracteriza por la aparicin de una diferencia de temperaturas entre las dos caras de un semiconductor cuando por l circula una corriente. Una celda Peltier est conformada por dos materiales semiconductores uno tipo P y otro tipo N en un arreglo como el mostrado en la Figura 1, producindose internamente el as llamado efecto termoelctrico de Peltier [1], [2].

Figura 1. Diagrama que muestra la estructura interna de una celda Peltier, donde se observan los elementos semiconductores dispuestos elctricamente en serie y trmicamente en paralelo.

2 Internamente la celda Peltier posee elementos semiconductores altamente impurificados y dispuestos elctricamente en serie mediante conductores de cobre [1], [2]. Para aislar los conductores de cobre del disipador se agrega entre ellos una placa de cermica que funciona como aislante, figura 2.

Figura 2. Corte transversal de la celda Peltier donde se muestran los elementos semiconductores y las aletas disipadoras.

Una polarizacin como la mostrada en la figura 3, se distribuye a lo largo de cada elemento semiconductor de la celda, es decir, cada elemento semiconductor posee una diferencia de potencial proporcional a la polarizacin de entrada. Por esta razn, los portadores mayoritarios, electrones dbilmente ligados, emigran hacia el lado positivo de cada uno de sus extremos en los elementos semiconductores tipo N, debido a la atraccin de cargas de diferente signo. Mientras que los portadores mayoritarios, huecos de los elementos semiconductores P, emigran hacia la terminal negativa que se encuentra en cada uno de sus extremos. Esta ausencia de cargas en cada elemento semiconductor cerca de la unin metal - semiconductor provoca un enrarecimiento de cargas y el consecuente descenso de temperatura en el rea circundante [2], [3]. Por otro lado, la compresin o acumulacin de portadores cerca de la unin metal semiconductor en la parte baja de los elementos semiconductores en la figura 3, provoca un ascenso de temperatura. Este comportamiento nos permite afirmar que si invertimos la polaridad de la fuente de alimentacin, la cara fra ahora calentar y la cara caliente sufrir un descenso de temperatura [4].

Figura 3. Compresin y enrarecimiento de portadores de carga cerca de la unin metal semiconductor en una celda Peltier.

Motivados por el inters prctico en la generacin de energa en forma alternativa, ste trabajo aborda el tema de la caracterizacin de una Celda de Peltier [4]. ste documento est organizado como sigue: en la seccin de Metodologa se describe en que consisten las pruebas de caracterizacin; en la seccin de Resultados y Discusin se describe la plataforma experimental utilizada as como los resultados obtenidos; en la seccin siguiente se dan algunas conclusiones y finalmente en la ltima seccin se proporcionan algunas referencias empleadas para la elaboracin de ste escrito.

Metodologa

Este trabajo est relacionado con la caracterizacin de una celda Peltier. Dicha caracterizacin consiste en describir el comportamiento de la corriente a travs de la celda contra la diferencia de temperaturas (T) para 6 niveles de voltaje de polarizacin distintos.

La celda es alimentada con un voltaje de corriente directa a travs de sus terminales. El procedimiento de caracterizacin consiste en realizar un registro del comportamiento de la diferencia de temperaturas entre las caras de la celda contra del tiempo. Adicionalmente es necesario realizar un registro de la corriente y el voltaje de polarizacin. El tiempo de operacin de la celda para cada evento de medicin, a nivel de voltaje distinto, es de 45 minutos, dejando transcurrir un lapso de al menos 2 horas entre evento y evento.

Figura 4. Plataforma experimental utilizada para la caracterizacin de una celda Peltier..

Resultados y Discusin La plataforma experimental utilizada para realizar la caracterizacin de la celda Peltier es mostrada en la figura 4. Como puede apreciarse en dicha figura, la plataforma consta de los siguientes elementos: un mdulo Peltier el cual consiste de una celda Peltier, aislantes trmicos y disipadores para las caras fra y caliente; una fuente de alimentacin de corriente directa variable; sensores de temperatura LM35DZ del fabricante National Semiconductor; dos multmetros MUL-500 del fabricante Steren con capacidad de comunicacin serial, empleados para medir el voltaje y la corriente en el mdulo [5]. La adquisicin de datos se llev a cabo a una temperatura ambiente de 25 y mediante un C sistema DAQ, USB-1208FS del fabricante Measurement Computing [6]. Los datos adquiridos fueron registrados en pantalla y en archivo utilizando un instrumento virtual, figuras 5 y 6. Implementado con el software Labview 6.1 de National Instruments en una computadora personal [7]. Los parmetros adquiridos son: voltaje del mdulo, corriente del mdulo, temperatura de la cara fra, temperatura de la cara caliente y el tiempo. El voltaje de polarizacin mximo del mdulo Peltier empleado es de 6 VCD, con una corriente nominal mxima de 3 A y con una diferencia de temperaturas mxima de 40 C.

Las diferentes pruebas de caracterizacin de la celda fueron realizadas conforme a la metodologa descrita anteriormente en la seccin correspondiente. El nivel de voltaje de

Figura 5. Cdigo del instrumento virtual para la adquisicin de datos en Labview.

Figura 6. Interfase grfica de usuario del instrumento virtual.

6 polarizacin fue incrementado desde 1V hasta 6 V en incrementos de 1V. Los resultados obtenidos para el comportamiento de las temperaturas de las caras fra y caliente del mdulo Peltier contra el tiempo se muestran en la figura 7. Puede verse de dicha figura que conforme transcurre el tiempo se logra una temperatura mas alta en la cara caliente y consiguientemente una temperatura mas baja en la cara fra para un voltaje de polarizacin ms alto. De igual manera puede apreciarse que, para el caso de un voltaje de polarizacin de 6V, una vez iniciado el proceso, la temperatura mnima en la cara fra es de 16 y despus de transcurridos los primeros 12 minutos. se produce un C incremento gradual de la temperatura de 3 en 27 minutos. C

60 50
6V 5V 4V

Tcaliente[ C]

40 30 20 0 26 24 500 1000

3V 2V 1V

tiempo [s]

1500

2000

2500

3000

Tfria[ C]

22
2V

1V 3V 5V 4V 6V

20 18 16 0 500 1000 1500

2000

2500

3000

tiempo [s]

Figura 7. Comportamiento de temperaturas tanto en la cara fra como cara caliente de la celda Peltier con respecto del tiempo.

En este momento, 39 minutos despus de iniciado el proceso, se alcanza la mayor diferencia de temperatura entre ambas caras con un T= 33 figura 8. Para voltajes C, mayores, como 5 y 6 voltios, el sbito decremento de temperatura en la cara fra de la celda provoca condensacin de agua en su superficie. Adems en la Figura 8 tambin se observa que la variacin de temperatura producida por un voltaje de polarizacin en la celda y el siguiente nivel de polarizacin, oscila entre 5 y 10 grados centgrados.

35 6V 30 25 5V

T(Tcaliente-Tfria) [ C]

4V

20 3V 15 10 5 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 2V

1V

tiempo [s]

Figura 8. Diferencia de temperaturas contra tiempo

La figura 9 muestra el comportamiento de la corriente en la celda contra el tiempo para los diferentes niveles de voltaje aplicado. La corriente a travs de la celda es mayor cuando inicia el proceso de medicin, al incrementarse el tiempo la corriente disminuye exponencialmente. Despus de un lapso de aproximadamente 15 minutos, la corriente que circula a travs de la celda permanece constante.

3,5 3,0 2,5 Corriente, [A] 2,0 1,5 3V 1,0 2V 0,5 0,0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 1V 6V 5V 4V

tiempo, [s]

Figura 9. Corriente a travs de la celda contra el tiempo para diferentes valores de voltaje de alimentacin.

8 Conclusiones

En ste trabajo se abord la caracterizacin de una celda Peltier montada en un mdulo con los elementos de disipacin adecuados. Los resultados experimentales obtenidos permiten concluir cautelosamente que la velocidad de respuesta de una celda Peltier es considerablemente alta en comparacin con la velocidad de respuesta de sistemas trmicos tradicionales (resistencias calefactoras, focos incandescentes, etc.); por ello se piensa que es factible emplear este tipo de elementos como una forma alternativa en aplicaciones relacionadas con la refrigeracin, sobre todo aquellas que requieren de portabilidad. Adicionalmente se observ que la impedancia total promedio de la celda utilizada vara en funcin del tiempo y conforme ste tiende a infinito, alcanza un valor constante de 2.1 Ohms, en desprecio del voltaje de polarizacin aplicado, figura 10.

2,6

2,4

2,2

(V / I),[]

2,0

1,8

Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6

1,6

1,4 0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800

tiempo, [s]

Figura10. Impedancia de la celda Peltier contra el tiempo.

9 Bibliografa

[1] M. Kurtz, Temperature Control. Huntington, New York: Robert E. Krieger Publishing Company, 1975, pp. 168 186. [2] D. M. Rowe, Thermoelectrics Handbook: macro to nano. Boca Ratn, Florida: CRC Press, 2006, pp. 1-1 1-7. [3] S. Kasap, Thermoelectric Effect in Materials: Thermocouples, Departament of electrical engineering, University of Saskatchewan, Canada. Nov. 2001. [Online]. Disponible:http://electronicmaterials.usask.ca/Samples/Thermoelectric-Seebeck.pdf [4] G. Patterson, M. Sobral, Efecto Peltier, Departamento de Fsica FCEyN, Universidad de Buenos Aires. Dic. 2007. [Online]. Disponible: http://www.df.uba.ar/users/dgrosz/material%20adicional/celda%20Peltier%20Patterso n-Sobral.pdf [5] W. Blancarte, Instrumentacin para el control de procesos industriales:Efecto Peltier, ITESO, Guadalajara, Mxico, Sept. 2001. [Online]. Disponible: http:// www.desi.iteso.mx/elec/instru/peltier.doc [6] Users Guide, USB-based Analog and Digital I/O Module USB-1208FS, Measurement Computing Corporation. Jul. 2007. [7] B. Mihura, LabVIEW for data acquisition. Upper Saddle River, New Jersey. Prentice Hall PTR, 2001, pp. 285 355.