Está en la página 1de 19

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES Y DE TELECOMUNICACIN

UNIVERSIDAD DE CANTABRIA

INSTRUMENTACIN ELECTRNICA DE COMUNICACIONES

(5 Curso Ingeniera de Telecomunicacin)

Tema V: Amplificadores de potencia.

Jos Mara Drake Moyano Dpto. de Electrnica y Computadores Santander, 2005

Contenido: V.1 V.2 V.3 V.4 V.5 Clasificacin de las etapas de potencia. Modelo trmico de un dispositivo electrnico. Etapas de potencia clase A. Etapas de potencia clase B. Amplificadores de potencia integrados.

CAPITULO 5
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
______________________________________________________________________

5.1 CLASIFICACIN DE LAS ETAPAS DE POTENCIA. Los transistores y amplificadores integrados que se utilizan para procesar seales son de baja potencia y solo tienen capacidad de generar en su salidas tensiones en el rango de voltios, proporcionar intensidades en el rango de los miliamperios, y en consecuencia, transferir a las cargas conectadas a su salida, potencias en el rango de miliwatios o dcimas de watios. En muchas aplicaciones dentro de los sistemas de instrumentacin, tales como en el control de pequeos motores, en el gobierno de sistemas de altavoces, etc., se necesitan proporcionar potencias en el rango de las decenas o centenas de watios, y para conseguirlo se requiere utilizar amplificadores de media potencia. Un amplificador de potencia es aquel cuya etapa de salida se ha diseado para que sea capaz de generar uno rangos de tensin e intensidad mas amplios de forma que tenga capacidad de transferir a la carga la potencia que se requiere. Cuando se disean utilizando amplificadores operacionales, un amplificador de potencia consiste en una etapa de baja potencia basada en un amplificador operacional, a la que se dota de una etapa (interna o externa) de potencia, con ganancia reducida, (habitualmente 1) pero con capacidad de suministrar las intensidades que se necesitan. Para seguir manteniendo los beneficios de la realimentacin, la etapa de potencia debe estar incluida dentro del bucle de realimentacin.

Amplificador operacional Etapa de potencia

+ vi

vo

El amplificador operacional proporciona la alta ganancia que se necesita en el bucle de realimentacin para reducir la no linealidad y distorsin que introduce la etapa de potencia. Sin embargo, en estas configuraciones, la posible ganancia extra de la etapa de potencia, y las cargas reactivas, introducen nuevos problemas de estabilidad.

En este tema solo se tratan etapas de media o baja potencia, para baja frecuencias, realizables mediante circuitos con dispositivos semiconductores y sin la utilizacin de transformadores. No obstante, los problemas que se plantean son similares a los que se presentan en alta frecuencia, o para potencias ms altas. Las etapas de potencias se clasifican en funcin del punto de trabajo en que se polarizan los dispositivos de potencia, y en la fraccin del ciclo de seal durante las que conducen, como consecuencia de ello.

Etapa clase A: El dispositivo se polariza en una zona de respuesta lineal, con capacidad de responder a seales de cualquier polaridad. Su principal ventaja es que sigue un modelo de amplificador lineal convencional. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de potencia. Etapa clase B: El dispositivo se polariza en el extremo de la zona de respuesta lineal, y en consecuencia slo tiene capacidad de responder a seales con una determinada polaridad. En estas etapas no se produce disipacin de potencia cuando la seal es nula, pero requiere la utilizacin de etapas complementarias para pode generar una respuesta bipolar. Etapa clase AB: El dispositivo se polariza en la zona lineal pero en un punto muy prximo al extremo de respuesta lineal. Esta configuracin es una variante de la etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta. Etapa clase C: El dispositivo se polariza en zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce. Se puede utilizar para amplificar seales de banda muy estrecha.

5.2 MODELO TRMICO DE UN DISPOSITIVO ELECTRNICO. El lmite de la potencia que puede proporcionar una etapa de salida, viene establecida por el lmite de la temperatura que se puede alcanzar en los puntos interiores de los dispositivos que transfieren la potencia. Esta temperatura, es funcin de la cantidad de potencia que se genera y de la capacidad de conduccin de la energa trmica hacia la fuente fra sobre la que se libera y que habitualmente es el entorno ambiente. Este ltimo aspecto se describe mediante el concepto de resistencia trmica. Se define la resistencia trmica de un trozo de material, como la relacin entre la diferencia de temperatura entre los extremos del trozo, y la potencia que se transfiere por conduccin trmica.

T Temperatur a entre los extremos = P Potencia que fluye

P (W) T1 (C) (C/W) T2-T1= P T2 (C)

Las temperaturas en los diferentes puntos de un dispositivo, se pueden obtener utilizando una analoga del modelo trmico con un circuito elctrico. En esta analoga, el papel de la intensidades que fluyen lo juega la potencia que se trnsmite, el de las diferencias de potencial lo juegan las diferencias de temperaturas, y el de la resistencias hmicas lo juegan las resistencias trmicas. Siguiendo esta analoga, la temperatura TJ en el interior de un dispositivo que libera una potencia P, se puede calcular como TJ P Siendo, TJ = Temperatura interior del dispositivo. TA = Temperatura en el aire. TM = Temperatura en la montura del dispositivo. P = Potencia generada por el dispositivo. JM= Resistencia trmica entre el interior y la superficie del dispositivo. A= Resistencia trmica entre la superficie del dispositivo y el aire. Temperatura mxima interna (TJ_max). Frecuentemente el fabricante proporciona la mxima temperatura interna del dispositivo. En estos casos la potencia mxima que puede disipar el dispositivo ser,
Pmax = T J max - T A JM + A

JM

TM

A TA

T J = T A + P ( JM + A )

Informacin en catlogos de disipadores trmicos

Ejemplo: Considrese un transistor que admite 100 C como temperatura mxima en su unin de colector TJ_max, que tiene como resistencia trmica interna JM = 1C/W, como resistencia trmica de la oblea de aislamiento I = 0.5 C/W y en el que la resistencia trmica de disipacin hacia el aire es D = 2.5 C/W. La temperatura ambiente es TA= 25C. TJ P JM TM I D TA

La mxima potencia que es capaz de disipar el transistor es,

Pmax =

100 - 25 = 18.75 W 1.0 + 0.5 + 2.5

Determinacin grfica de la disipacin de potencia de un dispositivo. El modelo trmico de un dispositivo no siempre es tan simple como una resistencia trmica. Los fabricantes suelen caracterizar las prestaciones lmites que pueden proporcionar un dispositivo mediante una curva o una poligonal que formula la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en funcin de la temperatura que se establece en su carcasa externa. Esta curva puede presentar diferente formas de acuerdo con el dispositivo que se modela. P (Potencia disipable) Modelo trmico P TM Pmax
Modelo resistencia trmica 1/JM Zona de comportamiento seguro

TM max

TM (C)

A partir de esta curva, se puede obtener la mxima potencia disipable en un diseo especfico trazando sobre ella la recta de eliminacin de potencia hacia el exterior, P (Potencia disipable)
Ec. del dispositivo Modelo del dispositivo Modelo del disipador externo Ec. del disipador

P TM

Pmax

Tmax

TM (C)

La interseccin de esta recta con la curva de mxima potencia disipable permite determinar la mxima potencia disipable Pmax, y la temperatura TM que alcanzar la el soporte de montaje bajo esa situacin. El mismo problema puede resolverse analticamente, resolviendo el sistema para cada tramo de la poligonal, y dando como resultado, aquella que proporciona una solucin compatible con el rango de validez de cada tramo. Ejemplo: Considrese un transistor de germanio con la curva de mxima disipacin que se muestra en la figura (Este dispositivo coincide con el transistor que se ha utilizado en el ejemplo de la pgina anterior). Considrese que la resistencia trmica de la oblea de aislamiento i = 0.5 C/W y la resistencia trmica de disipacin hacia el aire es A = 2.5 C/W y que la temperatura ambiente es TA= 25C. P
Potencia disipada Modelo trmico dispositivo TM P I D TA 75W 50W 25W Pmax=18.74W Pendiente=1/(0.5+2.5) W/C

P = (TM-TA)/(I+D)

0W

25

50

75

100

TM (C)

TM=81.4C

Grficamente se determina que la mxima potencia disipable es de 18.74 W, siendo en tal caso 81.4C la temperatura de la carcasa externa. Ejemplo: Se construye una etapa de potencia con los transistores complementario BD139 (NPN) y BD140 (PNP), y se montan a un disipador comn de resistencias trmica de 2.5 C/W. Los colectores de ambos transistores se aslan del disipador a travs de una lmina de mica con resistencia trmica de 0,75 C/W. Si el amplificador va a operar en un entorno ambiental de entre 10C y 40C de temperatura. Cual es la mxima potencia que pueden suministrar el amplificador a la carga?, si el rendimiento en potencia del amplificador es del 80%. TJ JM TM I TJ = TA + P*D+ (P/2) (I +JM ) TD P/2 D TJmax - TAmax 150 - 40 BD BD TA P < = = 13,75W 139 140 Dmax TJ TM I JM D+(1/2)( I + JM ) 2.5+1/2 (1.0+10) PCarga P/2 PCarga = = PFuente PCarga + PDisipada Siendo para el BD139 y BD140: 0.8 PDisipada = 13.75W =55.0W PCarga = TJmax < 150C JM =10C/W 0.2 (1)

5.3 ETAPAS DE POTENCIA CLASE A. En una etapa de potencia tipo A, el dispositivo de salida est polarizado en la zona lineal y en un punto que maximice el rango de salida. En la figura se muestra un ejemplo de configuracin de potencia clase A.

R Vcc R R vi +

R Rb ib

Vcc if
Si hFE >> 1 ib << iL si R >> RL vL = Vcc + vi 2 i f << iL

iL

iL

RL vL

Cuando no hay seal vi=0 la etapa de salida est polarizada al valor medio Vcc/2del rango se salida 0<vL<Vcc. En este circuito, la ganancia del amplificador es 1. Si despreciamos la tensin colector-emisor de saturacin del transistor VCEsat= 0.1V 0 Volt. En una etapa de tipo A como la de la figura, la tensin de colector-emisor vCE puede variar en el rango,

0 < vCE < V CC


y la intensidad de emisor iE es aproximadamente igual a la intensidad de colector iC (iC= iE siendo un valor tpico =0.99 ) y pueden variar en el rango

Vcc

iB <<i E i L=iE =iC RL + vL

0 < iE < I E max =

Vcc RL

siendo Imax, la mxima intensidad que puede soportar el transistor, y RL la resistencia de carga.
Operacin en continua

Cuando se opera con seales analgicas arbitrarias vi= vi(t), la potencia que se transfiere a la carga PR vara en el rango, PL 2 V / RL cc V2 0 PR V CC I max = cc RL 2 Vcc /4RL 0 0 V /2 V vL cc cc

La potencia que se disipa en el transistor PT es nula para ambos valores extremos del rango dinmico,
si iE = 0 PT = Vcc 0 = 0 si iE = I max PT = I max 0 = 0

V2 /4RL cc 0

PT

La mxima potencia en el transistor se disipa cuando,


iE = I max / 2 vCE = Vcc / 2 PT max = V 4 RL
2 cc

V /2 cc

V vL cc

Operacin en rgimen sinusoidal

En este caso, el amplificador opera en rgimen sinusoidal, con el punto de polarizacin centrado en ICQ= Imax /2=VCC/2RL, y VCEQ= VCC/2
Vcc + Vm sen(t + o ) V 2 siendo Vm < cc V V 2 iL (t ) = cc + m sen(t + o ) 2 RL RL v L (t ) =

vi (t ) = Vm sen(t + o )

En este caso, las potencias medias que se generan en funcin de la amplitud de la seal sinusoidal, son,
Potencia deseal en la car ga : PL (Vm ) =
2 Vm 2 RL

Potencia generada en la fuente :

PS (Vm ) =

2 Vm 2 RL

Potencia disipda transistor :

PT (Vm ) =

2 Vcc V2 m 4 RL 2 RL

La potencia mxima que es transferida sobre la carga PL se produce cuando la amplitud de salida es mxima (Vm=Vcc/2).
P L max =
2 V m max V CC = 2 RL 8 RL 2

La potencia media que es suministrada por la fuente PS es constante e independiente de la amplitud de la seal sinusoidal. El mximo rendimiento conseguible , es, P = L max = 0.25 = 25% PS

La mxima potencia PT que va a ser disipada por el transistor ocurre justamente cuando no hay seal, en este caso su valor es,
PT = V CC 4 RL
2

La cual es el doble de la mxima potencia AC que puede ser transferida a la carga.

Ejemplo:

Se desea realizar una etapa de potencia clase A, para alimentar una carga de 10 ,, y se utiliza una fuente de alimentacin de 20 V. Seleccionar las caractersticas del transistor que se puede utilizar.
2 400 =5W Maxima potencia transferid a = Pac = V CC = 8 R L 80 Potencia disipada transistor = PT = 10 W 20 Maxima corriente colector = I max = V CC = = 2 A R L 10

5.4 ETAPAS DE POTENCIA CLASE B.

En un amplificador de potencia con etapa de salida tipo B, debe estar compuesta por dos etapas complementarias. Cada una de ellas se encuentra sin conducir cuando no hay seal, y cuando la seal vara respecto de cero hace que conduzca una de las etapas de acuerdo con la polaridad de la variacin. vL=vi Vcc iE1 Q1 + + vi Rb -Vcc Q2 iE2 iE1 iE2 iL + vL Rb t iL t t t

Rb

En la figura se muestra una etapa de potencia clase B, basada en transistores complementarios, y en la que se utilizan fuentes de alimentacin simtricas. En esta configuracin las resistencias y los diodos de polarizacin de las bases establecen que cuando la tensin de entrada vi sea cero, ambos transistores se encuentran cortados, pero en un punto de trabajo muy prximo a la conduccin, siendo en este caso la salida vo nula, y las intensidades de colector de ambos transistores, tambin nulas. Cuando vi se hace positiva, el transistor Q1 comienza a conducir, mientras que si vi se hace negativa es Q2 el que empieza a conducir. En ambos casos la intensidad de los transistores se hacen fluir sobre la resistencia de carga, ya que el otro transistor no conduce.
Anlisis en continua

Cuando la seal vi es una seal que vara en el rango de operacin Vcc < vi < Vcc, el comportamiento del circuito es exactamente igual que en el caso de una amplificador tipo A. Si la seal es positiva Q1 conduce y Q2 no conduce. La disipacin de potencias en Q1 es la descrita en las etapas de tipo A. Cuando la entrada es negativa, el papel de los transistores se invierte. Por tanto, los valores de potencia que se disipan en este caso, son,
Potencia disipada en la ca rga
2 vL RL V v v2 Potencia disipada en el transistor activo PT = cc L L RL RL

PL =

PL max = PT max

2 Vcc RL V2 = cc 4 RL

para v L = Vcc para v L = Vcc 2

Anlisis con seal sinusoidal

Si la etapa se hace conducir con una seal sinusoidal de amplitud mxima Vm,

vi (t ) = v L (t ) = Vm sen(t + o ) v L (t ) Vm = sen(t + o ) RL RL La potencia que proporcionan las dos fuente de alimentacin en conjunto PS, la potencia que se proporciona a la carga PL y la potencia que se disipa en cada transistor PT, son, iL ( t ) =
PS = 2 VCCVm RL
2 Vm 2RL

PL =

2 1 VCCVm Vm = PS PL = PT RL 2 4 RL

La amplitud de la intensidad para la que se produce la mxima disipacin de potencia en el transistor, se puede calcular como,
dPT = 0 dV m ==> Vm =
2

Vcc

V CC V CC PT max = 2 = 0.1 RL RL

Siendo Ptmax la potencia mxima disipada en cada transistor. La mxima potencia transferible a la carga RL, se produce cuando Vm = VCC, y las potencias que resultan en este caso son,
V CC Im= RL PT =
2

==>
2

V CC P L max = 2 RL
2

V CC - V CC = 0.068 V CC RL 4 RL RL 2 2V PS = cc RL

= Pac max =
PS

= 0.785 = 78.5%

En la prctica, las cadas de tensin base emisor, hacen que la eficiencia de estas etapas sea inferior a este mximo de 78.5%. En la figura de la izquierda, se muestran otras etapas complementarias que operan en clase B. El primero es interesante, porque solo requiere transistores T1 y T2 complementarios de baja potencia, mientras que los de potencia T3 y T4 solo son de tipo NPN.

En el esquema de la derecha se muestra un esquema tpico de etapa de potencia clase B para circuitos integrados. En l, la polarizacin se realiza mediante fuentes de intensidad, se introducen las resistencias RE1 y RE2 en los emisores de los transistores de potencias para asegurar la estabilidad trmica, y as mismo, se introducen los transistores T4 y T5 para limitar la intensidad de salida bajo cortocircuito.

5.5 AMPLIFICADORES DE POTENCIA INTEGRADOS.

Los amplificadores de potencia integrados, son aquellos que incorporan dentro del propio chip el amplificador operacional y la etapa de potencia, y son adecuados para transferir a la carga potencias medias, con intensidades de salida en el rango de los amperios. Estos circuitos se utilizan para controlar cargas que operan con seales de continua, tales como servomotores, reles, lmparas, calefactores, etc. No debe confundirse estos amplificadores con los amplificadores de potencia para audio, en los que se ha optimizado su estructura para operar con seales variables en el tiempo con espectro en el rango de audio. En este apartado, se presenta el amplificador de potencia integrado OPA512, que es un circuito tpico, con etapa de salida complementaria de clase AB, tal como se puede observar en la figura,

Su respuesta frecuencial es similar al de un amplificador A741. La tensin de saturacin del amplificador est a 5 V de la tensin de alimentacin. Esto no es muy relevante ya que este amplificador puede operar con tensiones de alimentacin de hasta 50V. As mismo, frente a los 20 mA de intensidad mxima de salida del AD741, este amplificador de potencia puede proporcionar intensidades de salida de hasta 15 A. El amplificador de potencia integrado, permite mediante las resistencias externas, limitar la mxima intensidad que se desea que pueda ser suministrada bajo cortocircuito. El valor de las resistencias RCL+=RCL-=RCL, que deben conectarse para que el circuito bajo cortocircuito no proporcione una intensidad de salida superior a Ilim, es V BE - 0.007 = 0.65 - 0.007 ( ) I lim (Amp) I lim

RCL =

Este es el valor nominal de limitacin de corriente para temperatura ambiente. La corriente de salida mxima decrece con la temperatura, como se muestra en las siguientes curvas de comportamiento tpico.

En la figura, adjunta se muestra la mxima potencia que puede suministrar el sistema para cada temperatura de la carcasa externa del dispositivo.

Esta curva, corresponde a una temperatura de unin mxima de 200 C, y un resistencia trmica de 1.25 C/W.

Ejemplo:

Determinar la resistencia trmica que debe tener el refrigerador que ha de colocarse al amplificador de potencia OPA512 SM, si se desea gobernar una carga de 20 , y si se polariza el amplificador con fuentes de alimentacin de 40 V. Suponer que la temperatura ambiente es de 60C, y que no se debe alcanzar una temperatura de la unin superior a 140C. Solucin: La potencia disipada por el amplificador para una tensin de salida Vo= Io RL es P = V CC V o - V o RL RL La tensin de salida para la que la disipacin de potencia en el amplificador es mxima, dP = 0 ==> V CC - 2 V o = 0 ==> V o = V CC dt =P max 2 RL RL P y la potencia mxima que se puede disipar en el amplificador es,
2 V CC = (40 V ) = 20 W Pmax = 4 R L 4 x 20 2 2

la ecuacin trmica de este sistema es,

JS + SA =

140 C - 60 C T J - T A ==> - 1.25 C/W = 2.75 C/W SA = P 20 W

Se debe colocar un refrigerador que posea una resistencia trmica menor de 2.75C/W

Igual pendiente

Pendiente= 1 /2.75 C/W