CIRCUITOS DIGITALES

Conceptos preliminares Familias lgicas Topologas Compuertas p Flip Flops Osciladores Memorias

Introduccin a la Electrnica

Conceptos p p preliminares
Mximo nivel de tensin de entrada para un nivel lgico bajo VIL: es el mximo nivel de tensin en la entrada que es interpretado como un nivel lgico bajo. Mnimo nivel de tensin de entrada para un nivel lgico alto VIH: es el mnimo nivel de tensin en la entrada que es interpretado como un nivel lgico alto. Mximo nivel de tensin de salida para un nivel lgico bajo VOL: es el mximo nivel de tensin a la salida que la compuerta produce como nivel lgico bajo. Mnimo nivel de tensin de salida para un nivel lgico alto VOH: es el mnimo nivel de tensin de salida que es interpretado como un nivel lgico alto.
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Conceptos p p preliminares
Margen de ruido: indica la inmunidad de un sistema lgico de soportar la presencia de ruidos elctricos sin cambiar de estado.

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Conceptos p p preliminares
Retardo de Propagacin La performance de una lgica se p g define por el tiempo de propagacin de un inversor bsico.

Cuanto menor es tP, mayor es la frecuencia a la cual puede operar g el circuito digital
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Conceptos p p preliminares
Cargabilidad F I consumo relativo de la entrada de un circuito lgico, referido a una Fan-In: l i d l d d i i l i f id celda unidad. Va en funcin de cmo se distribuye internamente la seal de entrada. F O capacidad de manejo que tiene una salida de un circuito lgico, Fan-Out: id d d j i lid d i i l i referido a una celda unidad.

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Conceptos p p preliminares
Disipacin de Potencia Di i i E i Disipacin Esttica
Ocurre cuando la lgica se encuentra en un estado estable, sin cambios en los niveles lgicos.

Di i i Di i Disipacin Dinmica
Ocurre cuando la lgica conmuta sus niveles lgicos. Esto provoca demandas de corriente adicional para realizar el cambio de estado lgico. En todo cambio de estado lgico se encuentra involucrada la carga y/o descarga de enc entra invol crada capacidades del circuito, ya sean propias de los componentes o parsitas.

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Familias lgicas g
CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon)
Mayormente utilizada hoy en da. Procesos actuales: 32nm (Core-i5, 3.73Ghz, 2.6Ghz FSB)

TTL (Transistor Transistor Logic)

TTL clsica L (Low) LS (Low Schottky) ( y) S (Schottky) F (Fast) HC (High CMOS) HCT (Hight CMOS TTL) ACT (Advanced CMOS TTL)

ECL (Emitter Coupled Logic) Muy alta velocidad DTL (Diode Transistor Logic) RTL (Resistor Transistor Logic) Obsoletas
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Inversor CMOS
Cada transistor se lo puede modelar como una llave con una resistencia de canal:

Con vi = 0 vo = VDD a travs de la resistencia de QP. Con vi = VDD vo = 0 a travs de la resistencia de QN.
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Curva de transferencia
Los transistores QP y QN tienen las dimensiones tales que el umbral de conmutacin se ubica en VDD/2.

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Curva de transferencia
Para lograr simetra en la curva de transferencia, debido a la diferencia en la movilidad de los portadores n y p, es necesario disear los transistores p con un ancho (W) mayor que los del tipo n. h l d l i El largo del canal (L) habitualmente es fijo y est dado por el tamao mnimo que soporta el proceso. l

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Puntos de Trabajo j
E f i d l tensin d En funcin de la i de salida del inversor, la ubicacin del punto de trabajo de ambos transistores (P y N) vendr dado por las grficas del dibujo.

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Puntos de Trabajo j
V NMOS en corte y PMOS en triodo V. IV. NMOS en saturacin y PMOS en triodo III NMOS en saturacin y PMOS en III. t i saturacin II. NMOS en triodo y PMOS en saturacin t i I. NMOS en triodo y PMOS en corte

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Operacin Dinmica p
Todas las capacidades internas de los transistores forman parte en el proceso de conmutacin de niveles en el inversor. inversor

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Operacin Dinmica p

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Compuertas CMOS p
E Estructura b i d una compuerta bsica de
Red de Pull-up que fija el nivel alto. Transistores PMOS Red de Pull-down q e fija el nivel bajo. P ll do n que bajo Transistores NMOS

En base a la funcin lgica a implementar, cada red tendr una topologa determinada.

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Compuertas CMOS p
Ejemplos de redes Pull-down

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Compuertas CMOS p
Ejemplos de redes Pull-up

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Ejemplos compuertas CMOS j p p

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Circuitos secuenciales
Son aquellos, en los cuales el estado lgico de las salidas depende no solamente del valor de las entradas, sino tambin del historial. Evolucionan de manera asincrnica o sincrnica con una seal de reloj. La manera de dotar a estos circuitos con memoria es a travs de una realimentacin positiva, de manera de lograr un circuito biestable capaz de almacenar 2 estados lgicos posibles. Ejemplos j p
Flip flops Contadores Memorias SRAM
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Flip Flop CMOS p p

Flip Flop RS

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Flip Flop CMOS p p

Flip Flop D (latch)

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Ring Oscillator g
Nmero impar de inversiones Se lo suele emplear como parmetro de medicin de la velocidad de una familia lgica. Tiempo de propagacin total:

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Memorias
RAM (Random Access Memory)
Lectura/escritura Esttica Dinmica Alta integracin g Solamente lectura Eproms Eeproms Flash

ROM (Read Only Memory)

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Memorias

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SRAM
Las capacidades de las lneas B y /B se precargan a VDD/ /2. En funcin del valor almacenado, los transistores Q5 y Q6 fijarn los niveles lgicos de B y /B. La tensin diferencial entre B y /B determina el valor del Bit (> o <0,2V)

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Memorias
Lectura de un 1 en una SRAM

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Memorias
Escritura de un 0 en una SRAM

B se coloca en 0 y /B en 1 /
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Memorias
Memoria Dinmica Se refresca cada 5-10mSeg La lectura es un proceso destructivo. Se precarga a VDD/2 el bus. CS CB/50 V 30mV

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Memorias
Estructura Interna El Sense Amplifier es un circuito p realimentado que al activarse amplifica la pequea tensin presente en el bus y la lleva a los valores lgicos adecuados. En una DRAM se aprovecha la lectura para hacer un ciclo de refresco. El bloque de precarga lleva el bus a q p g VDD/2 antes de una lectura.

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Decodificadores

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Memorias Eprom p

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Contadores
Circuito secuencial Avanzan con una seal de reloj Cuentan en Binario o Decimal Implementados con Flip-Flops Suelen tener posibilidad de Reset o Carga Asincrnicos Sincrnicos

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Contadores Asincrnicos

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Contadores Asincrnicos
El principal problema que tienen los contadores asincrnicos es el retardo de propagacin que se suma en cada etapa. Esto limita la mxima frecuencia de operacin.

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Contadores Sincrnicos
Todos los Flip-Flops evolucionan con la misma seal de reloj. Una lgica combinacional decide si la prxima etapa debe cambiar de estado o no. Contador decimal 0 a 9
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Llaves Analgicas g
Formadas por 2 MOS en paralelo; un P y un N. La resistencia equivalente entre Entrada y Salida es el paralelo de ambas resistencias de canal. Permiten transmitir seales analgicas. Se las usa como llaves selectoras o multiplexores

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Lgica TTL g
Basada en transistores BJT Buena velocidad Gran consumo Area importante Buena capacidad de corriente El consumo de entrada es diferente para un 0 que para 0 un 1. VCC = 5V
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Lgica TTL g
Entrada en 1.

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Lgica TTL g
Entrada en 0

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Lgica TTL g
Caractersticas de transferencia

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Lgica TTL g
Niveles lgicos y corrientes

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Lgica TTL g
TTL NAND 2 entradas

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BJT en conmutacin

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Schottky TTL (S) y ( )

Previene la saturacin de los BJT colocando diodos Schottky en las junturas BC. De esta forma mejora la performance en velocidad de operacin. El diodo de salida se reemplaza por una configuracin Darlington. La resistencia de 1K se reemplaza por un Pull-Down activo. Aumenta el consumo

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Low Power Schottky TTL (LS) y ( )

Similar a la S, salvo que se reduce la velocidad y la disipacin de potencia.

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Familias TTL

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Lgica de 3 estado g
Se agrega un estado de alta impedancia en el cual la compuerta no entrega ningn valor lgico. Se utiliza en canales (buses) donde confluyen diversas compuertas capaces de establecer el valor lgico; por ejemplo bus de datos de un microprocesador.

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Lgica de 3 estado g

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