FSICA DE SEMICONDUCTORES

ING. ELECTRNICA
Instituto Tecnolgico Superior de Uruapan

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FSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. ELECTRNICA

INTRODUCCIN
Bienvenidos a otro ciclo en el proceso de aprendizaje para llegar a ser ingenieros en electrnica, altamente competitivos. El da de hoy iniciamos con la materia de Fsica de Semiconductores, cuyo objetivo general es el de Comprender el principio de operacin de los dispositivos semiconductores desde la perspectiva de su construccin, rgimen de operacin para su aplicacin en el diseo de circuitos electrnicos en asignaturas posteriores del plan de estudios, por lo que nos enfocaremos a realizar actividades tericas y prcticas en los laboratorios y saln de clase y trabajo en casa. Espero que el proceso del semestre anterior haya servido como una experiencia para mejorar el presente, les deseo mucho xito, les recuerdo que mientras su actitud sea de estudio y deseo de aprendizaje, se pueden lograr buenos resultados en su quehacer estudiantil. El curso est dividido en 5 unidades que de antemano he organizado de la manera que pueden observar en la planeacin del curso que les he subido en la pgina del blog. Observarn que con respecto al semestre anterior y a otros cursos de la misma materia de aos anteriores, este semestre est enfocado al desarrollo de competencias por lo que las actividades tendrn que ser encaminadas a un trabajo realizado por ustedes. Como parte de las polticas, ponderaremos el respeto mutuo y la puntualidad; el tener apagados o en silencio los celulares y el uso de equipo de cmputo solo para la clase, evitando la tentacin de chatear o revisar correos. Les deseo mucho xito en este proyecto que hoy iniciamos juntos.

Sinceramente Ing. Salvador Loa Czares salvadorloa99@gmail.com

TEMARIO
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CRITERIOS DE EVALUACIN
La evaluacin que se realice en el curso, se basa en criterios que podrn cambiar en cada unidad.

Cada criterio abarca una cantidad de actividades que permitirn definir si se cumple o no con las competencias necesarias. La calificacin de cada unidad resulta de multiplicar la calificacin de las actividades por el factor o ponderacin proporcionada por cada criterio. Ejemplo Supongamos que en la primera unidad se definen los siguientes porcentajes para la evaluacin: Examen: 50% Tareas: 20% Participacin 10% Exposiciones: 10% Asistencia 10%

Y supongamos que una alumna obtuvo como resultado de sus actividades lo siguiente:

En el examen saco un 90 Tareas 80 Participacin 70 Exposicin en equipo 80 Asistencia 100

Entonces la calificacin final de la unidad de esta alumna se calcula: CRITERIO Examen Tareas Participacin Exposiciones Asistencia CALIFICACIN 70 50 70 80 90 FACTOR 0.5 0.2 0.1 0.1 0.1 CALIF FINAL MULTIP 70*0.5=45 50*0.2=10 70*0.1=7 80*0.1=8 90*0.1=10 = 80

De manera general los criterios sern: Examen escrito: Con ejercicios y preguntas tericas de desarrollo. Tareas: Sern aquellas actividades que se dejen para resolver o realizar en casa. Este rubro contempla principalmente los ejercicios o anlisis de material que se dejen en clase con material proporcionado por el docente. Investigacin: El objetivo de esta actividad es que el alumno o alumna busque informacin nueva para que con base en su conocimiento previo pueda llegar a tener un nuevo concepto o conceptos, sobre temas que proponga el programa y que indique el asesor y la sepa plasmar en un documento ordenado y entendible. La investigacin deber generalmente estar plasmada en un documento con las siguientes caractersticas: Podr ser entregado en equipo o de manera individual como lo indique el asesor. El profesor te proporcionar el tema a investigar y te sugerir bibliografa o vnculos de internet.

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El documento deber contener los criterios que se indican en la siguiente tabla, as como el procedimiento, experiencias y resultado que tuviste al realizar tu trabajo de investigacin documental. Deber ser entregado en tiempo y forma para tener el 100% de la calificacin. Si se entrega en fecha de prrroga solo contar el 70% y si se entrega despus no se tomar en cuenta como evaluacin ordinaria. Deber contener: Cartula con: Logo del ITSU; nombre de la materia, grupo, nombre del profesor, nombre del alumno y su nmero de control (este resaltado en negritas), nombre del tema de investigacin, fecha de entrega y firma de alumno/a o alumnos/as que entregan el informe. Introduccin: Redactada hasta el final y contiene la intencin u objetivo de la investigacin, as como un resumen de lo que se encontrar en el documento. Desarrollo del tema: En el cual deber tener todo lo investigado (interpretado no copiado) del tema asignado, este deber tener un orden de ideas partiendo de lo individual a lo general o viceversa, cuidando la ortografa y limpieza. Conclusiones: Donde expresa lo que le queda despus de haber realizado la investigacin, su experiencias o problemas que presento o presentaron y sus posibles aplicaciones en su carrera, vida o dems materias.

Exposiciones: Son las acciones que realizan enfrente del grupo para el grupo, que reflejen el producto de una investigacin documental, esta es una parte muy importante para el aprendizaje por lo que deber buscar ser clara, hacerse con el tiempo necesario para no caer en la tentacin de cortar y pegar directamente de la fuente de consulta y de preferencia utilizar algn software de presentacin para hacerla ms dinmica (Power Point o Flash). Asistencia: En este criterio se le proporcionar al alumno por asistir ese porcentaje de calificacin, ya que la disciplina y responsabilidad es uno de los valores que se busca desarrollar en el futuro profesionista, sin embargo, para poder acceder a esta puntuacin, el alumno debe llegar asistir a por lo menos el 80% de las horas de clase, por lo que se parar lista por horas. Cabe mencionar que los criterios para justificacin de inasistencias sern nicamente: a. Representacin al tecnolgico en alguna actividad cultura o deportiva o cvica. b. Enfermedad, para lo cual el primer da que se presente a clase posterior a la enfermedad, deber tener el comprobante mdico que lo avale. Este comprobante

solo podr ser vlido si es de alguna institucin pblica o si la atencin fue privada, acompaada con la valoracin del mdico del tecnolgico. Para cualquier otra causa de falta, no se justificar la inasistencia por lo que es necesario que administres su 20% que tienen para imprevistos. Participacin y actitud en clase: Este criterio se basar en la rbrica correspondiente proporcionada. Principalmente se refiere a que la participacin sern los ejercicios realizados en clase o la realizacin responsable de las actividades de aprendizaje que se realicen en el horario de la sesin. En cuanto a la actitud se evaluar el trabajo1, comportamiento
en clase, congruencia y aplicacin de valores y actitudes de responsabilidad con el medio ambiente y la limpieza, as como el respeto a sus compaeros y profesor en el saln de clase.

NOTA. Las rbricas de los principales criterios se encuentran en el Anexo 2. Estos criterios se mantendrn en todo el semestre salvo que al iniciar alguna unidad se mencione lo contrario. Polticas del curso: Se priorizar la conservacin de un ambiente cordial y amigable, por lo que se les pide que se eviten el dialogo o las discusiones sin objetivo que solo tratan de dispersar y distraer a los dems; deber prevalecer el respeto a las ideas y opiniones de los dems con lo que estaremos fomentando los valores de tolerancia y respeto hacia los compaeros de grupo. Estas polticas estarn siendo calificadas en lo que respecta a actitud en clase y es parte de las competencias interpersonales.

Sean bienvenidos al curso y recuerden que todo esfuerzo que hagamos hoy ser premiado el da de maana por alguien o por la misma vida!

UNIDAD 1: Fundamentos de semiconductores

1.1. El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores.

1 El concepto de trabajo como una actividad humana enriquecedora y necesaria, ya la conocen y est como anexo al final del documento, relanla para que la recuerden. Les recomiendo tambin leer el material de la siguiente liga: http://www.redestudiantilpr.net/articulos/motivos_estudiar.htm.

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Los cuerpos slidos estn formados por tomos densamente empaquetados con intensas fuerzas de interaccin entre ellos. Los efectos de interaccin son responsables de las propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, magnticas y pticas de los slidos. Una caracterstica importante de la mayora de los slidos es su estructura cristalina. Los tomos estn distribuidos en posiciones regulares que se repiten regularmente de manera geomtrica. La distribucin especfica de los tomos puede deberse a una variada gama de fuerzas. Por ejemplo, algunos slidos como el cloruro de sodio o sal comn se mantienen unidos por enlaces inicos debidos a la interaccin electrosttica entre los iones que componen el material. En otros, como el diamante, los tomos comparten electrones, lo que da lugar a los llamados enlaces covalentes. Las sustancias inertes, como el nen, no presentan ninguno de esos enlaces. Su existencia es el resultado de unas fuerzas de atraccin conocidas como fuerzas de Van der Waals, as llamadas en honor al fsico holands Johannes Diderik van der Waals. Estas fuerzas aparecen entre molculas o tomos neutros como resultado de la polarizacin elctrica. Los metales, por su parte, se mantienen unidos por lo que se conoce como gas electrnico, formado por electrones libres de la capa atmica externa compartidos por todos los tomos del metal y que definen la mayora de sus propiedades. Estructura Cristalina La existencia de la materia en un estado u otro depende de las condiciones de presin (P), y temperatura (T) en las que se formaron. De la misma forma, estos parmetros condicionan la formacin de la estructura interna del slido. Cada elemento tiene sus propias curvas de cambio de fase, de manera que dependiendo del elemento se necesitarn unas condiciones u otras para la formacin del slido o para realizar cualquier otro cambio de fase. Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna en la materia y su distribucin en la misma podemos distinguir entre:

Monocristal: Presenta una fuerte interaccin entre sus componentes los cuales describen una mnima oscilacin con poca energa potencial. Las partculas estn dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que est determinado de acuerdo con una red estructural formada por la "recreacin" geomtrica de la celdilla unidad en toda la estructura del slido. Presentan lo que se conoce como Anisotropa.

Policristal: Est compuesto por diversas regiones en las que individualmente se recrea un monocristal aunque las disposiciones de cada una de estas regiones no son simtricas entre s. Presenta lo que se llama Isotropa estadstica.

Amorfos: No presentan una estructura o distribucin en el espacio, lo cual los determina como una estructura espacial tridimensional no definida. No se trata de una estructura cristalina.

En rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias puras. En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados entre s mediante una especie de "muelles" (los cuales representaran la energa potencial que los une), la energa interna del slido se compone de energa potencial elstica y energa cintica de sus tomos. La presin es una medida del grado de compresin de sus tomos y la temperatura una medida de su energa cintica interna del conjunto de los mismos. Esto nos permite determinar que de acuerdo con las caractersticas externas del medio en que se encuentre permitirn al
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elemento en cuestin poder adoptar un estado u otro e incluso formar o no una estructura cristalina. Sin embargo la formacin de una estructura cristalina no es un proceso fijo en un mismo elemento, ya que incluso tratndose as las condiciones de formacin del slido podran determinar dos estructuras cristalinas diferentes para un mismo elemento, la cul otorga las propiedades tanto fsicas y elctricas como pticas al nuevo slido formado. Por ejemplo, el carbono puede cristalizar en grafito en determinadas condiciones y en otras cristaliza en el diamante, sin duda las caractersticas de uno frente a otro difieren bastante para tratarse en ambos casos de carbono cristalizado. Este proceso no slo es dependiente de la presin y la temperatura en s mismos, sino tambin del tiempo aplicado en cada uno de dichos factores. De esta forma se sabe que la formacin de cristales requiere un calentamiento del material a alta temperatura, aproximadamente 200C, lo que se conoce como temperatura de cristalizacin, a partir de la cual el elemento se funde para posteriormente, usando un tiempo lo suficientemente largo, cristalice. Al aadir temperatura al material realmente le estamos damos energa, permitiendo que las partculas que lo componen oscilen a mayor velocidad con una mayor energa trmica, logrando que se funda(cambie al estado lquido). Luego mediante un enfriamiento lento conseguimos dar tiempo a las partculas que, de forma natural, tienden a retomar una forma geomtrica y ordenada en la red interna consiguiendo as que se forme un cristal. De igual forma, si repetimos el proceso pero aplicando un tiempo de enfriamiento demasiado corto impedimos que las partculas pueda "re-colocarse" en una red cristalina homognea haciendo as que la solidificacin de lugar a un amorfo. El policristal es el caso ms tpico de los que puedan encontrarse en la naturaleza, ya que un monocristal es un caso que rara vez se da. Un cristal posee diferentes zonas que no pueden homogeneizarse entre si, pero se puede hacer que sean como monocristales individuales en cada una de sus regiones. Siguiendo el ejemplo del carbono, la cualidad de que un mismo elemento pueda cristalizar en diferentes formas nos lleva al hecho de que es la red cristalina que forman la que determina sus propiedades. En la naturaleza existen 14 tipos de redes cristalinas (otras ms complejas son combinaciones de estas ms simples) que son conocidas como Redes de Bravais. Estas redes son organizaciones geomtricas tridimensionales en el espacio caractersticas de las partculas del slido. As pueden estudiarse las distribuciones en la red de los elementos. Por ejemplo: El Fsforo (P) cristaliza en una estructura cbica, el hierro (Fe) en una bcc ("Body Center Cubic") y la plata (Ag) en una fcc ("Face Center Cubic"). Otros cristalizan en redes compuestas como por ejemplo los elementos del grupo IV(C, Si, Ge...) o del III de la tabla peridica que lo hacen en una estructura de tipo Diamante, que es la combinacin de dos redes fcc con una distancia interatmica de 1/4 de la diagonal.

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Representacin de una celdilla en la disposicin geomtrica de sus partculas

Debido a que muchos de los compuestos elementales presentan simetra esfrica podemos visualizarlas considerando stas como empaquetamientos espaciales de esferas rgidas. Partiendo de esta idea, podemos determinar la llamada Fraccin de Empaquetamiento que nos proporciona una medida de lo "llena" que est la estructura reticular. Para observar la estructura interna que posee un cristal generalmente puede determinarse a partir del anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando fotones inciden en el cristal. Gracias a estas observaciones W.L.Bragg propuso la conocida Ley de Bragg, que permite ver superficialmente la posicin de los planos que forman los tomos. Estas misma propiedades pertenecientes a los slidos cristalinos y el fundamento de los cambios de fase es el utilizado en el proceso de grabacin de CD-RW y DVD-RW mediante cambios en la estructura critalina haciendo zonas amorfas o policristalinas segn los datos (bits) que se desean grabar. Otras propiedades y teoras estn relacionadas con la fsica de los cristales como las bandas de energas o los modelos que explican las propiedades elctricas de conductores metlicos y semiconductores. Actividad de aprendizaje: Despus de leer la informacin anterior, realice un esquema o mapa menta para explicar las ideas principales y responda las siguientes preguntas: 1. Qu es un cristal y que tipos menciona el texto? 2. Explique las caractersticas generales de la estructura tipo diamante

Con la invencin de un amplificador de Estado Slido en 1947, por Shockley, Bardeen, and Brattain, la posibilidad del aumento en la integracin en el mismo cristal es una realidad. En las ltimas dcadas, y hoy en da se aumenta el numero de componentes que se introducen en el mismo cristal. Esta industria es altamente rentable, pero las inversiones en desarrollo son tambin muy altas, lo que hace que las inversiones sean al largo plazo. Lo que hace que la industria microelectrnica sea rentable es que su proceso de fabricacin (Batch
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Processing), funcione correctamente. Esto hace que en cada chip sea de 8mm de lado, que hace que en cada oblea tengamos de 120-130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante. Aunque hay procesos como el encapsulado y el testo, que se deben hacer individualmente.

1.2. Materiales semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla siguiente.

Elemento Grupo Cd II B

Electrones en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e6 e-

Al, Ga, B, In III A Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S) IV A VA VI A

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura siguiente, donde las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.

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La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1 en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo.

La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su

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posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste. Para que de este fenmeno fsico en los semiconductores, los materiales deben tener un gap comprendido, entre 0.5 y 1 eV aproximadamente. Aunque como bien se sabe ya el Gap de un semiconductor se puede variar aadiendo impurezas a este (Se ver ms adelante).

1.3. Enlaces covalentes

Actividad de aprendizaje: Del material proporcionado, lea y analice de la pgina 53 a la 68 . Realice un mapa mental de los temas principales: Modelo atmico de la mecnica cuntica u ondulatoria. tomos polielectrnicos. Principio de exclusin de Pauli y principio de Aufbau

En qumica, las reacciones entre dos tomos no metales producen enlaces covalentes. Este tipo de enlace se produce cuando existe electronegatividad polar y se forma cuando la diferencia de electronegatividad no es suficientemente grande como para que se efecte transferencia de electrones. De esta forma, los dos tomos comparten uno o ms pares electrnicos en un nuevo tipo de orbital, denominado orbital molecular. A diferencia de lo que pasa en un enlace inico, en donde se produce la transferencia de electrones de un tomo a otro, en el enlace qumico covalente, los electrones de enlace son compartidos por ambos tomos. En el enlace covalente, los dos tomos no metlicos comparten un electrn, es decir se unen por uno de sus electrones del ltimo orbital, el cual depende del nmero atmico del tomo en cuestin.

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Enlace covalente no polar

Cuando un mismo tomo aporta el par electrnico, el enlace covalente es llamado enlace covalente polar. Aunque las propiedades de enlace covalente coordinado son parecidas a las de un enlace covalente normal (dado que todos los electrones son iguales, sin importar su origen), la distincin es til para hacer un seguimiento de los electrones de valencia y asignar cargas formales. Una base dispone de un par electrnico para compartir y un cido acepta compartir el par electrnico para formar un enlace covalente coordinado. Se produce en elementos iguales, es decir, con una misma electronegatividad por lo que su resultado es 0. Un tomo no completa la regla del octeto. Caractersticas del enlace covalente

Enlace sencillo: 2 electrones unidos fsicamente por los subniveles inferiores mtricos Enlace doble: se comparten dos pares de electrones. Enlace triple: se comparten 3 pares de electrones. Formado el enlace covalente coordinado es idntico a los dems enlaces covalentes. Se representa con una flecha Enlace cutruple: es la union de 4 ms tomos

1.4. Materiales intrnsecos y materiales extrnsecos

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Se denomina semiconductor puro o intrnseco a aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). se transforma en un semiconductor impuro o extrnseco. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede ser el arsnico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga positiva +5. Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras, se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios. Todos estos son enlaces covalentes por lo que mantiene anclados a los electrones e impide su desplazamiento.

1.5. Modelos de bandas de energa

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La pregunta sera ahora, cmo es que se aplican los enlaces covalentes y los tipos de materiales y la definicin de un semiconductor? Esto se logra a travs de los siguientes modelos. Modelo de bandas energticas El comportamiento de los electrones est regido por las leyes de la mecnica cuntica, por lo tanto:

Los electrones no pueden tener cualquier nivel de energa: los estados de energa estn cuantificados. A un conjunto de niveles de energa muy cerca entre s se lo denomina banda de energa y se la considera continua. No todas las bandas se ocupan uniformemente, sino que algunas son ms probables de ser ocupadas que otras, incluso hay bandas totalmente desocupadas, o sea que la probabilidad de que un electrn tenga ese nivel de energa es nula o muy cercana a cero. Modelo simple

El modelo de Drude permita explicar el comportamiento como conductor de algunos slidos basndose en la aplicacin de la teora cintica a los electrones en un slido. Sin embargo este modelo era insuficiente a la hora de explicar el comportamiento de otros materiales que hoy da se conocen como semiconductores. En respuesta al modelo de Drude surgi el modelo de bandas energticas que, basndose en las distribuciones de los electrones en sus orbitales a modo de regiones discretas, poda entenderse el comportamiento de la conductividad en los materiales. Usualmente, se presenta este esquema basado en el modelo atmico de Bohr y el principio de exclusin de Pauli. Supngase una red cristalina formada por tomos de silicio. Cuando los tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn una cierta energa Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En este momento se tienen 8 orbitales hbridos sp con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Si se contina disminuyendo la distancia interatmica hasta la configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto Z). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:
1. 2.

Banda de Valencia. 4 estados, con 4 electrones. Banda Prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energa en el cristal. Banda de Conduccin. 4 estados, sin electrones.

3.

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Bibliografa
http://www.wikiciencia.org/electronica/semi/tsemi/index.php http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Materiales-semiconductores.php http://es.wikipedia.org/ Electrnica, teora de circuitos. Robert Boylestad; Louis Nashelsky

ANEXO 1
Tabla peridica de los elementos.

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Grupos A las columnas verticales de la tabla peridica se les conoce como grupos. Todos los elementos que pertenecen a un grupo tienen la misma valencia atmica, y por ello, tienen caractersticas o propiedades similares entre s. Por ejemplo, los elementos en el grupo IA tienen valencia de 1 (un electrn en su ltimo nivel de energa) y todos tienden a perder ese electrn al enlazarse como iones positivos de +1. Los elementos en el ltimo grupo de la derecha son los gases nobles, los cuales tienen lleno su ltimo nivel de energa (regla del octeto) y, por ello, son todos extremadamente no reactivos. Numerados de izquierda a derecha, los grupos de la tabla peridica son:

Grupo 1 : (I) los metales alcalinos Grupo 2 : (II) los metales alcalinotrreos Grupo 3 : (III) Familia del Escandio Grupo 4 : (IV) Familia del Titanio

Grupo 5 : (V) Familia del Vanadio Grupo 6 : (VI) Familia del Cromo Grupo 7 : (VII)Familia del Manganeso Grupo 8 : (VIII) Familia del Hierro

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Grupo 9 : (IX) Familia del Cobalto Grupo 10: (X) Familia del Nquel Grupo 11: (XI) Familia del Cobre Grupo 12: (XII) Familia del Zinc Grupo 13 (XIII): los trreos Grupo 14 (XIV): los carbonoideos

Grupo 15 (XV): los nitrogenoideos Grupo 16 (XVI): los calcgenos o anfgenos Grupo 17 (XVII): los halgenos Grupo 18 (XVIII): los gases nobles

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Perodos Las filas horizontales de la tabla peridica son llamadas perodos. Contrario a como ocurre en el caso de los grupos de la tabla peridica, los elementos que componen una misma fila tienen propiedades diferentes pero masas similares: todos los elementos de un perodo tienen el mismo nmero de orbitales. Siguiendo esa norma, cada elemento se coloca segn su configuracin electrnica. El primer perodo solo tiene dos miembros: hidrgeno y helio; ambos tienen slo el orbital 1s. La tabla peridica consta de 7 perodos. La tabla tambin esta dividida en cuatro grupos, s, p, d, f, que estn ubicados en el orden sdp, de izquierda a derecha, y f lantnidos y actnidos. Esto depende de la letra en terminacin de los elementos de este grupo, segn el principio de Aufbau. Bloques

Tabla peridica dividida en bloques.

La tabla peridica se puede tambin dividir en bloques de elementos segn el orbital que estn ocupando los electrones ms externos. Los bloques se llaman segn la letra que hace referencia al orbital ms externo: s, p, d y f. Podra haber ms elementos que llenaran otros orbitales, pero no se han sintetizado o descubierto; en este caso se contina con el orden alfabtico para nombrarlos. Bloque s Bloque p Bloque d Bloque f

http://es.wikipedia.org/wiki/Tabla_peri%C3%B3dica_de_los_elementos#cite_note-0

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ANEXO 2
SEMICONDUCTORES Los aos 40 marco la era de la electrnica con el auge que tuvo la utilizacin de semiconductores en los dispositivos electrnicos como es el transistor principalmente y posteriormente LED, Diodos etc. DEFINICIN
CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE

Material que permite un flujo considerable de electrones Menor resistividad () 10-6 cm

Conductor>Flujo e-> aislante

50 cm

Material que no permite el flujo de electrones Mayor resistividad () 1012 cm (mica)

para el germanio para silicio

50 x103 cm

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=RAl

Ms usados: Silicio y germanio

Mejores: Plata, oro, bronce y cobre

Estructura atmica definida y peridica (Cristales o patrn). Cristal estructura de diamante monocristalinas (Estructuras repetidas)

Mejores: Vidrio, Mica, Aire

DIAGRAMA DE BOHR DEL GE Y SI

ENLACE COVALENTE (ELECTRONES COMPARTIDOS)

Enlace Covalente El enlace covalente se debe a la comparticin de electrones, que experimentan simultneamente atracciones de aproximadamente la misma magnitud, por dos o ms tomos, la cual rebaja la energa y hace, por consiguiente, que el sistema resultante sea ms estable que los tomos por separado. Teora Cuntica

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Cada nivel de energa, slo poda contener un determinado nmero de electrones. 2n2 Los electrones que se encuentran en el ltimo nivel del tomo se conocen como ELECTRONES DE VALENCIA.

Bohr

La posicin del elemento en la tabla indica la cantidad de niveles y electrnes que tiene. Cuntos electrones y niveles tiene el Si, el Li y el Na?

Nmeros Cunticos

Existen cuatro nmeros cunticos

Principal (n): Representa los niveles energticos. Secundario o azimutal (l): Determina las caractersticas del subnivel y se relaciona con la forma del orbital.

VER ORBITALES DE IMAGEN ADJUNTA

Cada orbital acepta un nmero mximo de electrones.

s=2e-; p=6 e-; d=10e-; f = e

Magntico (m): Representa los orbitales presentes en un subnivel, asi como la orientacin que va de l a l.

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Spin (s): Se relaciona con el giro del electrn sobre su propio eje. Un e- gira en sentido contrario al otro. Se le asignan valores de -1/2 y +1/2.

Configuracin electrnica

Muestra el acomodo de los electrones en sus niveles y subniveles. Condensada: Utiliza la siguente nomenclatura

Regla de AUFBAU: Cada subnivel con su nivel de energa tiene diferente energa. Los subniveles estn ordenados de acuerdo a su incremento de energa. (Ver diagrama) Ejemplos: Realizar la configuracin electrnica condensada de Si, Cl, Zn, Cu, y Na. Interpretacin de C.E.

Nos indica el ltimo nivel de energa que tiene el tomo (numero ms grande) Ultimo subnivel que se forma en el tomo (ultima letra de la configuracin) Electrones de valencia: Son los electrones del ltimo nivel. Son los ubicados en el subnivel s o en s y p cuando aparerezca. Estructura de Lewis: Representacin grfica de los electrones de valencia.

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Ejemplos: Para el Br, In, Si, Ge, Te, Cd: Escriba la C.E. Indique el ltimo nivel de energa. Seale el ltimo subnivel que se est llenando. Diga cuantos son los electrones de valencia. Dibuje la estructura de Lewis

A temperatura ambiente (300 K) los electrones de valencia del Si pueden tener la erga suficiente para librarse del enlace covalente y moverse por la red cristalina. Si a estos electrones libres se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al lado positivo, dejando huecos en la red. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.
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- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

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