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Tema 5.

Dispositivos de potencia

Fundamentos de Electrnica Grado en Ingeniera Mecnica

Ral Rengel Estvez

raulr@usal.es

Tema 5. Dispositivos de potencia

Introduccin
La electrnica de potencia involucra el estudio de circuitos electrnicos destinados a controlar el flujo de energa elctrica, y que manejan valores de potencia a niveles mucho ms elevados que los de los dispositivos usuales

Electrnica de potencia

Sistemas y control
Control de interrupcin Control de realimentacin Operacin de sistemas

Electrnica y dispositivos
Circuitos Semiconductores de potencia Magnetismo

Potencia y energa
Control de motores Fuentes de alimentacin Redes de energa
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Introduccin
Amplio desarrollo a partir de los aos 80 y 90 del siglo XX Invencin de dispositivos fundamentales como el SCR o el IGBT Mltiples aplicaciones Control de la transmisin de corriente continua en alta tensin Manejo de motores Fuentes de alimentacin de alto voltaje Calentamiento por induccin Electrnica para el automvil Electrnica para sistemas ferroviarios Convertidores para energa solar fotovoltaica Conversin AC/DC, DC/AC, AC/AC, DC/DC Control de iluminacin, etc.
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Introduccin
Ventajas de los equipos de potencia frente a sistemas electrotcnicos Respuesta rpida, mejor estabilidad, mejores caractersticas elctricas Ausencia de vibraciones Menor mantenimiento Mayor fiabilidad y vida Ausencia de arcos elctricos Desventajas de los equipos de potencia frente a sistemas electrotcnicos Menor robustez elctrica (menor capacidad para soportar sobretensiones y sobreintensidades) Algunos montajes son ms caros, aunque la reduccin de precios es una constante y por tanto es un inconveniente cada vez menor
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Dispositivos de potencia
Principales dispositivos semiconductores de potencia

Dispositivos de potencia

De 2 terminales

De 3 terminales

Diodo de Silicio

Diodo Schottky

MOSFET de potencia

JFET

IGBT

BJT de potencia

Tiristores

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Diodos de potencia
Unin p-n en general de Silicio (tensin umbral ~0.7 V) Mayor rea que un diodo normal, para soportar corrientes ms elevadas Encapsulados que permitan disipar el calor Sobrecargas transitorias

Parmetros importantes Corriente en directa (IF) Tensin inversa repetitiva (VRRM) Tiempo de recuperacin en inversa (tRR) 25 ns a 5000 ns (aplicaciones de potencia de 50 Hz a 300 KHz)
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Diodos Schottky
Unin metal-semiconductor: contacto de Au, Ag o Pt + Silicio tipo n A diferencia de un diodo normal, no almacena cargas en la unin Menor tensin umbral (~0.25 V); conduccin por mayoritarios Tiempo de recuperacin inverso despreciable: alta velocidad de conmutacin Frecuencias de trabajo incluso superiores a 300 MHz

Silicio n

Metal
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Diodos Schottky. Especificaciones

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Transistores de potencia: transistor bipolar BJT


Gran tamao y presencia de disipadores Configuraciones amplificadoras especficas para etapas de potencia Hojas de especificaciones: potencia mxima disipada PD(mx) a T ambiente Factor de ajuste: necesidad de reducir la potencia a nivel de diseo del circuito si se va a operar en otras condiciones

TA = Temperatura ambiente TC = Temperatura del encapsulado


Transistor D44H11 de On Semiconductor

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Transistores de potencia: transistor bipolar BJT


Aumentar el rea de la superficie de encapsulado mediante un disipador permite liberar ms fcilmente el calor al aire circundante (a) Encapsulados con lengeta de metal que puede acoplarse al chasis de los equipos para disipar calor ms eficientemente (b) En equipos de gran potencia, el colector est conectado directamente al encapsulado para facilitar la disipacin de calor (c)

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Transistores de potencia: JFET


Histricamente, primer dispositivo basado en el efecto de campo Tradicionalmente no se ha empleado demasiado como dispositivo de potencia, pero diseos recientes con SiC permiten tener potencias y voltajes elevados con una gran rapidez en conmutacin
Drenador

Smbolos n
Puerta

VDS p p

JFET canal n

JFET canal p

VGS

Fuente

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Transistores de potencia: power MOSFET


Uso muy frecuente como elementos discretos en control de motores, lmparas, unidades de disco, impresoras, fuentes de alimentacin, etc. Geometra distinta a la de un MOSFET convencional para aumentar la corriente mxima No sufre calentamiento descontrolado Pueden usarse varios en paralelo Conmutacin muy rpida Uso en S.A.I., fuentes conmutadas, como interfaces para motores, etc.

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Transistores de potencia: IGBT (Insulated gate bipolar transistor)


Dispositivo hbrido: combina las bajas prdidas en conduccin de un BJT con la rapidez de conmutacin propia de un MOSFET (sin llegar a ser tan alta) Funciona como un MOSFET acoplado con un BJT a la salida Prdidas en conduccin reducidas, menores que un MOSFET Tensin de disrupcin colector emisor mejor que un BJT Solucin efectiva para aplicaciones de alta tensin y corriente a frecuencias moderadas
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Tiristores
Rel: dispositivo electromecnico que funciona como un interruptor controlado por una seal elctrica

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Tiristores
Tiristor: dispositivo electrnico de estado slido que funciona como un interruptor de tipo cerrojo (latch)

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Tiristores
Dos estados: corte o conduccin Se dice que un tiristor es un cerrojo (latch) abierto o cerrado Cuando est en uno de esos estados permanece en l indefinidamente salvo que cambien las condiciones de polarizacin (tensin, corriente) por encima o debajo de ciertos umbrales

La realimentacin positiva hace que ambos transistores tiendan a ir a corte (latch abierto) o a saturacin (latch cerrado)

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Tiristores: SCR (Silicon Controlled Rectifier)


El cierre del latch se produce mediante la aplicacin de un pulso en el terminal de control superior a un valor de tensin (tensin de disparo de puerta, VGT, con corriente IGT) Para abrirlo hay que reducir la tensin entre nodo y ctodo para hacer que la corriente entre ambos terminales sea inferior a cierto valor mnimo A diferencia de un transistor, no se usa en conmutacin

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Tiristores: SCR (Silicon Controlled Rectifier)


Una de las aplicaciones ms comunes de los SCR (adems de como rectificador) es su uso en sistemas de proteccin de circuitos delicados frente a sobretensiones

Fuente de alimentacin

Carga protegida

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Tiristores: Triac
Un triac es un tiristor bidireccional, puede conducir corrientes positivas y negativas Se usa en aplicaciones donde queremos controlar el paso / no paso de corriente alterna AC Se comporta como dos SCR conectados en paralelo e invertidos

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