MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carcter universal, como memoria principal de los computadores.

Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se ha desarrollado otra terminologa que resulta un poco confusa, pues repite trminos empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificacin: De lectura y escritura (RAM)
y y

Estticas. Dinmicos o con refresco.

De slo lectura
y y y y

ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )

Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lgico de algunas seales de control. Existen muchas configuraciones, pero la mayora de estas memorias manejan los siguientes elementos y seales. Bus de Datos: es un colector o conjunto de lneas triestado que transportan la informacin almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las lneas correspondientes de varias pastillas. Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m lneas que transportan la direccin y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto. Seales de control tpicas: OE: activa la salida triestado de la memoria. CS CE: activa la pastilla o chip. WE: seal de escritura. Para realizar una escritura, adems de activarse esta seal, tambin lo estarn CS CE.

RAS CAS: las lneas RAS(Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la RAM dinmicas. d) Ancho de palabra tpico: 1,4 u 8 bits. MEMORIA RAM Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Hay dos tipos bsicos de RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica, SRAM (Static RAM), RAM esttica Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin. En el lenguaje comn, el termino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. Se refiere a la memoria RAM tanto como memoria de lectura y escritura como as a un tipo de memoria voltil. Tipos de Memoria RAM: 1) DRAM (Dynamic Random Access Memory) Es la memoria de acceso aleatorio dinmica. Est organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo. Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, ms datos se pueden tener en ella y ms aplicaciones pueden estar funcionando simultneamente, y por supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchsimo ms lento. SRAM (Static Random Access Memory) Memoria esttica de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rpidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE.

3) VRAM (video RAM) Memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal. 4) SIMM ( Single In Line Memory Module) Un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. 5) DIMM (Dual In Line Memory) Un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. DIP (Dual In Line Package) Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado. RAM Disk Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. MEMORIA CACHE O RAM CACHE Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal.

La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro. Tipos de Memoria CACHE De acuerdo con el modo de traduccin de las direcciones de memoria principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos: De correspondencia directa. De asociacin completa. De asociacin de conjuntos. De correspondencia vectorizada. Memoria cache de correspondencia directa. Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache. Este tipo simple y econmico, por no requerir comparaciones asociativas en las bsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en un mismo bloque de la cache. Una direccin de memoria consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de bloque. Campo de palabra.

Memoria asociativa completa En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el bloque j de la cache, en la que j puede tomar cualquier valor. No se produce contencin de bloques y es muy flexible, pero su implementacin es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparacin asociativa de etiquetas. Memoria cache de asociacin de conjuntos Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La bsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la Estructura ms utilizada. Memoria cache de correspondencia vectorizada El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relacin se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del sector como no validos. Esta estructura tambin reduce costos, minimizando el ncleo de etiquetas para la comparacin asociativa. SDRAM (Synchronous DRAM) DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs. FPM (Fats Page Mode) Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms. 11) EDO (Extended Data Outpout)

Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) Es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones. PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos. TAG RAM Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va a buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal. Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseo, en los servidores o las estaciones grficas quizs sera ms conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel. MEMORIA ROM Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria

interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene que presentar algo en pantalla. En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta informacin que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando ste est activo. La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM. MEMORIA PROM Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin. PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas de circuitos integrados. Caractersticas principales de rom y prom:
y y y y

Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio Son permanentes o no voltiles: la informacin no puede borrarse Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA EPROM La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho ms econmicas que las PROM porque pueden reutilizarse. MEMORIA EEPROM An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables) tambin llamadas EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse

mediante impulsos elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para exponerlos a luz ultravioleta. Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy similares. Caractersticas principales de este tipo de memorias:
y y y y

Solo permiten la lectura. Son de tipo no voltil, aunque pueden borrarse. Son de acceso aleatorio. Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA VIRTUAL Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador. Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo? En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho ms lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms rpido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa. Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los mas importantes son:
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Memoria Paginada Memoria Segmentada Memoria de segmentos paginados