diodo Diodo Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda).

Tipo Semiconductor Principio de funcionamiento Efecto Edison Fecha de invencin John Ambrose Fleming (1904) Smbolo electrnico Configuracin nodo y Ctodo Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin d e la corriente elctrica a travs de l en un nico sentido; en el sentido contrario no lo permite. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor , el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conect ada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, ex cepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos reg iones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuit o abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una re sistencia elctrica muy pequea.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa d e cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corri ente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de L ee De Forest. Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un a specto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1 904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observa ciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El fil amento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones a l vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, c urvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la con duccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por es a razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con much a facilidad. Contenido [ocultar] 1 Historia 2 Diodos termoinicos y de estado gaseoso 3 Diodo semiconductor 3.1 Polarizacin directa de un diodo 3.2 Polarizacin inversa de un diodo 3.3 Curva caracterstica del diodo 3.4 Modelos matemticos 4 Tipos de diodo semiconductor 5 Aplicaciones del diodo 6 Referencias 7 Enlaces externos [editar] Historia

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, tambin lla mado diodo slido. Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoini co, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al a cercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No su ceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin. Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison redescubre el princip io. A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. El haba construido una bombilla con u n filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica, pero esto solo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente. Edison diseo un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetr o de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no t ena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para preca ucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Co mpany y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usar se como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer diodo termoinico en Britain el 16 de noviembre de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificad or de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desar rollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semicon ductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal semiconducto r fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1 903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 2006. Otros experimentos p robaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us ampliamente el miner al galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal semiconductor consista d e un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manua lmente a travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemti co fue rpidamente superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de crist al semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos dio dos de germanio en la dcada de 1950. En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores . En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa s eparado, y ode (de ), que significa camin . [e itar] Di s term inic s y e esta gase s Smb l e un i e vac gase s . De arriba a abaj , sus c mp nentes s n, el n , el ct , y el filament . L s i s term inic s s n isp sitiv s e vlvula term inica (tambin c n ci a c m t ub e vac ), que c nsisten en un arregl e electr s empaca s en un vi ri al vac . L s primer s m el s eran muy pareci s a la lmpara incan escente. En l s i s e vlvula term inica, una c rriente a travs el filament que se va a calentar calienta in irectamente el ct , tr electr intern trata c n un a mezcla e Bari y xi e estr nci , l s cuales s n xi s alcalin trre s; se elig en estas substancias p rque tienen una pequea funcin e trabaj (algunas vlvulas us an calentamient irect , n e un filament e tungsten acta c m calenta r y

c m ct ). El calentamient causa emisin term inica e electr nes en el vac . En p larizacin irecta, el n estaba carga p sitivamente p r l cual atraa electr n es. Sin embarg , l s electr nes n eran fcilmente transp rta s e la superficie el n que n estaba caliente cuan la vlvula term inica estaba en p larizacin in versa. A ems, cualquier c rriente en este cas es insignificante. En la may ra el sigl 20 l s i s e vlvula term inica se usar n en aplicaci nes e seales anl gas, rectifica res y p tencia. Hasta el a e h y, l s i s e vlv ula s lamente se usan en aplicaci nes exclusivas c m rectifica res en guitarra s elctricas, amplifica res e au i , as c m equip especializa e alta tensin. [e itar] Di semic n uct r F rmacin e la regin e ag tamient , en la grfica z.c.e. Un i semic n uct r m ern est hech e cristal semic n uct r c m el silici c n impurezas en l para crear una regin que c ntiene p rta res e carga negativ s (electr nes), llama semic n uct r e tip n, y una regin en el tr la que c ntiene p rta res e carga p sitiva (huec s), llama semic n uct r tip p. La s terminales el i se unen a ca a regin. El lmite entr el cristal e estas s regi nes, llama una unin PN, es n e la imp rtancia el i t ma su luga r. El cristal c n uce una c rriente e electr nes el la n (llama ct ), per n en la ireccin puesta; es ecir, cuan una c rriente c nvenci nal fluye e l n al ct ( puest al fluj e l s electr nes, es e que l s electr nes teng an carga negativa). Al unir amb s cristales, se manifiesta una ifusin e electr nes el cristal n al p (Je). Al establecerse una c rriente e ifusin, estas c rrientes aparecen carg as fijas en una z na a amb s la s e la unin, z na que recibe el n mbre e regin e ag tamient . A me i a que pr gresa el pr ces e ifusin, la regin e ag tamient va incrementa n su anchura pr fun izan en l s cristales a amb s la s e la unin. Sin embar g , la acumulacin e i nes p sitiv s en la z na n y e i nes negativ s en la z na p, crea un camp elctric (E) que actuar s bre l s electr nes libres e la z na n c n una etermina a fuerza e esplazamient , que se p n r a la c rriente e el ectr nes y terminar etenin l s. Este camp elctric es equivalente a ecir que aparece una iferencia e tensin en tre las z nas p y n. Esta iferencia e p tencial ( D) es e 0,7 en el cas e l silici y 0,4 para l s cristales e germani . La anchura e la regin e ag tamient una vez alcanza el equilibri , suele ser el r en e 0,5 micras per cuan un e l s cristales est much ms pa que e l tr , la z na e carga espacial es much may r. Cuan se s mete al i a una iferencia e tensin externa, se ice que el i est p lariza , pu ien ser la p larizacin irecta inversa. [e itar] P larizacin irecta e un i

P larizacin irecta el i pn. En este cas , la batera isminuye la barrera e p tencial e la z na e carga esp acial, permitien el pas e la c rriente e electr nes a travs e la unin; es e cir, el i p lariza irectamente c n uce la electrici a . Para que un i est p lariza irectamente, se ebe c nectar el p l p sitiv e la batera al n el i y el p l negativ al ct . En estas c n ici nes p em s bservar que: El p l negativ e la batera repele l s electr nes libres el cristal n, c n l que est s electr nes se irigen hacia la unin p-n. El p l p sitiv e la batera atrae a l s electr nes e valencia el cris tal p, est es equivalente a ecir que empuja a l s huec s hacia la unin p-n. Cuan la iferencia e p tencial entre l s b rnes e la batera es may r que la iferencia e p tencial en la z na e carga espacial, l s electr nes libr es el cristal n, a quieren la energa suficiente para saltar a l s huec s el cri stal p, l s cuales previamente se han esplaza hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre e la z na n salta a la z na p atravesan l

P larizacin inversa el i pn. En este cas , el p l negativ e la batera se c necta a la z na p y el p l p si tiv a la z na n, l que hace aumentar la z na e carga espacial, y la tensin en icha z na hasta que se alcanza el val r e la tensin e la batera, tal y c m se explica a c ntinuacin: El p l p sitiv e la batera atrae a l s electr nes libres e la z na n, l s cuales salen el cristal n y se intr ucen en el c n uct r entr el cual se esplazan hasta llegar a la batera. A me i a que l s electr nes libres aban n an la z na n, l s t m s pentavalentes que antes eran neutr s, al verse espren i s e su electrn en el rbital e c n uccin, a quieren estabili a (8 electr nes e n la capa e valencia, ver semic n uct r y t m ) y una carga elctrica neta e +1, c n l que se c nvierten en i nes p sitiv s. El p l negativ e la batera ce e electr nes libres a l s t m s trivalen es e la z na p. Rec r em s que est s t m s sl tienen 3 electr nes e valencia, c n l que una vez que han f rma l s enlaces c valentes c n l s t m s e silici , tienen s lamente 7 electr nes e valencia, sien el electrn que falta el en m ina huec . El cas es que cuan l s electr nes libres ce i s p r la batera en tran en la z na p, caen entr e est s huec s c n l que l s t m s trivalentes a quieren estabili a (8 electr nes en su rbital e valencia) y una carga elctric a neta e -1, c nvirtin se as en i nes negativ s. Este pr ces se repite una y tra vez hasta que la z na e carga espacia l a quiere el mism p tencial elctric que la batera. En esta situacin, el i n ebera c n ucir la c rriente; sin embarg , ebi al efect e la temperatura se f rmarn pares electrn-huec (ver semic n uct r) a amb s la s e la unin pr ucien una pequea c rriente ( el r en e 1 A) en mina a c rriente inversa e saturacin. A ems, existe tambin una en mina a c rriente super ficial e fugas la cual, c m su pr pi n mbre in ica, c n uce una pequea c rrien te p r la superficie el i ; ya que en la superficie, l s t m s e silici n estn r ea s e suficientes t m s para realizar l s cuatr enlaces c valentes nec esari s para btener estabili a . Est hace que l s t m s e la superficie el i , tant e la z na n c m e la p, tengan huec s en su rbital e valencia c n l que l s electr nes circulan sin ificulta a travs e ell s. N bstante, al igual que la c rriente inversa e saturacin, la c rriente superficial e fuga es espreciable. [e itar] Curva caracterstica el i

Curva caracterstica el i . Tensin umbral, e c e parti a ( ). La tensin umbral (tambin llam rera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zo na de car a espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo , la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente l i eramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embar o, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para p equeos incrementos de tensin se producen randes variaciones de la intensidad de c orriente. C rriente mxima (Imax ). Es la intensi a e c rriente mxima que pue e c cir el i sin fun irse p r el efect J ule. Da que es funcin e la canti a e cal r que pue e isipar el i , epen e s bre t el ise el mism . C rriente inversa e saturacin (Is ). Es la pequea c rriente que se estab

a z na e carga espacial, cae en un e l s mltiples huec s e la z na p c nvirtin se en electrn e valencia. Una vez curri est el electrn es atra p r el p l p sitiv e la batera y se esplaza e t m en t m hasta llegar al final el cris tal p, es e el cual se intr uce en el hil c n uct r y llega hasta la batera. De este m , c n la batera ce ien electr nes libres a la z na n y atrayen el ectr nes e valencia e la z na p, aparece a travs el i una c rriente elctric a c nstante hasta el final. [e itar] P larizacin inversa e un i

e al p larizar inversamente el i p r la f rmacin e pares electrn-huec ebi a la temperatura, a mitin se que se uplica p r ca a increment e 10 en la temperatura. C rriente superficial e fugas. Es la pequea c rriente que circula p r la uperficie el i (ver p larizacin inversa), esta c rriente es funcin e la tens in aplica a al i , c n l que al aumentar la tensin, aumenta la c rriente super ficial e fugas. Tensin e ruptura ( r ). Es la tensin inversa mxima que el i pue e s ar antes e arse el efect avalancha. Tericamente, al p larizar inversamente el i , este c n ucir la c rriente invers a e saturacin; en la reali a , a partir e un etermina val r e la tensin, en el i n rmal e unin abrupta la ruptura se ebe al efect avalancha; n bst ante hay tr tip e i s, c m l s Zener, en l s que la ruptura pue e ebers e a s efect s: Efect avalancha ( i s p c pa s). En p larizacin inversa se generan pares electrn-huec que pr v can la c rriente inversa e saturacin; si la tensin i nversa es eleva a l s electr nes se aceleran incrementan su energa cintica e f rma que al ch car c n electr nes e valencia pue en pr v car su salt a la ban a e c n uccin. Est s electr nes libera s, a su vez, se aceleran p r efect e la tensin, ch can c n ms electr nes e valencia y libern l s a su vez. El resulta es una avalancha e electr nes que pr v ca una c rriente gran e. Este fenmen s e pr uce para val res e la tensin superi res a 6 . Efect Zener ( i s muy pa s). Cuant ms pa est el material, men es la anchura e la z na e carga. Puest que el camp elctric E pue e expresar se c m c ciente e la tensin entre la istancia ; cuan el i est muy pa , y p r tant sea peque , el camp elctric ser gran e, el r en e 3105 /cm. En estas c n ici nes, el pr pi camp pue e ser capaz e arrancar electr nes e valencia incrementn se la c rriente. Este efect se pr uce para tensi nes e 4 men res. Para tensi nes inversas entre 4 y 6 la ruptura e est s i s especiales, c m l s Zener, se pue e pr ucir p r amb s efect s. [e itar] M el s matemtic s El m el matemtic ms emplea es el e Sh ckley (en h n r a William Bra f r Sh ckley) que permite apr ximar el c mp rtamient el i en la may ra e las apli caci nes. La ecuacin que liga la intensi a e c rriente y la iferencia e p ten cial es: I es la intensi a e la c rriente que atraviesa el i D es la iferencia e tensin entre sus extrem s. IS es la c rriente e saturacin (apr xima amente 10 12A) n es el c eficiente e emisin, epen iente el pr ces e fabricacin el i y que suele a ptar val res entre 1 (para el germani ) y el r en e 2 (pa ra el silici ). El ltaje trmic T es apr xima amente 25.85m en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usa a en l s pr gramas e simulacin e circuit s. Para ca a temperatura existe una c nstante c n ci a efini a p r: D n e k es la c nstante e B ltzmann, T es la temperatura abs luta e la unin pn, y q es la magnitu e la carga e un electrn (la carga elemental). La ecuacin e i i eal e Sch ckley la ley e i se eriva e asumir que s l l s pr ces s que le an c rriente al i s n p r el fluj ( ebi al camp elctric ), ifusin, y la rec mbinacin trmica. Tambin asume que la c rriente e rec mbinacin en la regin e ag tamient es insignificante. Est significa que la ecuac in e Sch ckley n tiene en cuenta l s pr ces s relaci na s c n la regin e ruptu ra e in uccin p r f t nes. A ici nalmente, n escribe la estabilizacin e la curv a I- en p larizacin activa ebi a la resistencia interna. Baj v ltajes negativ s, la exp nencial en la ecuacin el i es insignificante . y la c rriente es una c nstante negativa el val r e Is. La regin e ruptura n

D n e:

esta m ela a en la ecuacin e i e Sch ckley. Para v ltajes peque s en la regin e p larizacin irecta, se pue e eliminar el 1 e la ecuacin, que an c m resulta : C n bjet e evitar el us e exp nenciales, en casi nes se emplean m el s ms simples an, que m elan las z nas e funci namient el i p r tram s rect s; s n l s llama s m el s e c ntinua e Ram-seal. El ms simple e t s es el i i eal. [e itar] Tip s e i semic n uct r Un vari s wikipe istas estn trabajan actualmente en exten er este eccin. Es p sible que a causa e ell haya lagunas e c nteni eficiencias t . Si quieres pue es ayu ar y e itar, per p r fav r antes e realizar nes may res c ntctal s en sus pginas e iscusin, en la pgina e l para p er c r inar la re accin. artcul

ari s i s semic n uct res. Abaj : Un puente rectifica r. En la may ra e l s i s, el terminal ct se in ica pintan una franja blanca negra. Existen vari s tip s e i s, que pue en iferir en su aspect fsic , impurezas , us e electr s, que tienen caractersticas elctricas particulares usa s para una aplicacin especial en un circuit . El funci namient e est s i s es fun a menta p r principi s e la mecnica cuntica y te ra e ban as. L s i s n rmales, l s cuales peran c m se escriba ms arriba, se hacen genera lmente e silici pa germani . Antes el esarr ll e est s i s rectif ica res e silici , se usaba el xi cupr s y el seleni : su baja eficiencia le i una ca a e tensin muy alta ( es e 1,4 a 1,7 ) y requeran e una gran isipacin e cal r much ms gran e que un i e silici . La gran may ra e l s i s pn se encuentran en circuit s integra s CMOS, que incluyen s i s p r pin y m uch s tr s i s intern s. Di avalancha Di rectifica r F t i Di Gunn Di lser Di emis r e luz (LED e IRED) Di p-i-n Di Sch ttky i e barrera Sch ttky Di Sh ckley ( i e cuatr capas) Di tnel i Esaki Di aricap i varact r Di Zener i estabiliza r [e itar] Aplicaci nes el i Rectifica r e me ia n a Rectifica r e n a c mpleta Rectifica r en paralel D bla r e tensin Estabiliza r Zener Limita r Circuit fija r Multiplica r e tensin Divis r e tensin

e f rma c rrecci iscusin

el artc