RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA

I.OBJETIVOS
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de audio.
II. INFORME PREVIO
1. Definir rbb

, rb

e, rb

c, rce, cb

e, cb

c,gm,f,ft.
rbb: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parmetro h, hie, que es la
resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido , esta se denomina a menudo
como r si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se obtiene:

rb

e: La resistencia de entrada (r en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la

razn:

rb

c: Resistencia de retroalimentacin, rce ; resistencia de salida del transistor.

cb

e y cb

c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb

c es la capacitancia de la
union colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse
constante en una regin de operacin particular del transistor. La capacitancia cb

e, la cual
es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como
Cib. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusin del emisor y la
capacitancia de la union del emisor. Debido a que el primer capacitor es el mas grande de
los dos, cb

e es aproximadamente iguala la capacitancia de difusion (conocida tambin

como capacitancia de carga de la base).
f y ft : son frecuancias caractersticas, f B es la frecuencia para cuando el factor de
ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia mxima de operacin del
transitor se da cuando la ganancia es igual a cero.
2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo del transistor en altas
frecuencias, encontrar una expresin para fb/ft.




12k
56k 1. 5k
0. 68k
C3
22F
C4
22F
C1
100F 10k
R 4
1k
V1
12 V
XFG1











Modelo Hibrido






Del circuito mostrado

Frecuencia de corte:

rb b
rb e
rce
Cb e
Cb c
g mVb e
Calculo de ft: (frecuencia mxima de operacin del transistor)

Por tanto:

Pero hfe
2
>>1

De esta ecuacin y tambin de:

Tenemos:

3. Considerando que cb

c <0.1-50p F>, cb

e<100-1000p F> rb

e=V
Thfe
/I
EQ
, encontrar el
punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.
Consideremos un B=100, R
B
=56k//12k, R
i
=1k, R
L
=10K. La corriente de polarizacin
del transistor I
Q
=1.99m A.

e
mB
m

Rin RBe
RiRin

RLRC
eB

f

RiRincc


4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor ser ms conveniente?
por qu?
La configuracin hibrida , es la ms conveniente para altas frecuencias ya que cuenta con
los parmetros que salen a relucir para altas frecuencias como las capacitancias parasitas.











rb b
rb e
rce
Cb e
Cb c
g mVb e
12k
56k 1. 5k
0. 68k
C3
22F
C4
22F
C1
100F 10k
R 4
1k
V1
12 V
XFG1

III. MATERIAL Y EQUIPO:
1. 1 transistor 2N2222
2. Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k
3. Condensadores: 2(22uf), 100uf
4. 1 Multimetro digital
5. 1 Generador de seales
6. Osciloscopio
7. Fuente DC

IV. PROCEDIMIENTO:
1. Implementamos el siguiente circuito.













2. Sin aplicar la seal a medir:

Vce= 7.77 ICQ= 1.99m A

3. Encontrar la mxima seal de salida sin distorsin.
Aqu ajustamos la seal de entrada mxima con la condicin de que la seal de salida no
se distorsione.
La seal sin distorsin en la salida, nos arrojo el siguiente valor en la entrada:
Vi(pp)= (5m)(2.5)=12.5mv

Vi(p)=6.25mv

Para la cual nos dio un voltaje en la salida de:
Vo= 0.75v
Todos estos resultamos los tenemos para un frecuencia media de 1kHz.


























En la grafica se muestra la mxima seal de salida sin distorsin con una frecuencia de
1KHz, para dicha seal de salida tendremos una seal de entrada que ser constante en
todo el procedimiento es por eso que la cada de la ganancia en su 0.707 de su valor solo
depende de la seal de salida es por eso que de manera directa solo se multiplica Vo por
0.707 para saber a que salida tenemos la frecuencia de corte superior.

Ao= (0.75)/(6.25m)=120
4. Llenar la siguiente tabla. Note que el punto de corte superior se encuentra a una
frecuencia en que Vo es 0.707 de su valor.

Ahora encontraremos la frecuencia de corte, variaremos la frecuencia y pondremos
atencin a la seal de salida ya que cuando esta sea (0.75)(0.707)v=0.53025v, a cierta
frecuencia esta ser la frecuencia de corte superior.













Para una frecuencia de 700KHz tenemos una seal de salida de: (2.65)(200m)v=0.53v
F(Hz) 800 1k 100k 200k 300K 700K 900K 1.5M 2.5M 3.5M 5M 7M 10M
Vo(V) 0.76 0.76 0.75 0.7 0.7 0.53 0.46 0.3 0.2 0.15 0.1 0.06 0.04
Vo/Vi
(d B)
41.6 41.6 41.5 40.9 40.9 38.5 37.3 33.6 30.1 27.6 24 19.6 16.1






















Observamos en el cuadro y en las graficas que despus de la frecuencia de corte superior hay una
cada en la ganancia, y conforme se incrementa la frecuencia la ganancia tiende a cero.
Para las frecuencias antes de la frecuencia de corte superior la ganancia es casi constante hasta
llegar a un punto de corte inferior, esto se estudio en la experiencia anterior.

V. Cuestionario final
1. Grafique en el papel semilogaritmico (segn la tabla) la ganancia de voltaje (expresada en d B)
vs frecuencia.
2. Comentario del grafico.
En el grafico tenemos a ciertas frecuencias medias una ganancia casi constante, pero cuando
llegamos a cierta frecuencia tenemos una cada de ganancia en un 0.707 de su valor, a esta
frecuencia donde se produce este efecto de cada se le llama frecuencia de corte superior, que es
la que ocasionan las capacidades parasitas del transistor, anlogo al corte de baja frecuencia que
son producidas por los capacitores de acoplo y desacoplo. Des pues de esta cada de ganancia
observamos una brusca cada de ganancia conforme aumentamos la frecuencia a partir de la
frecuencia de corte superior.
A altas frecuencias tambin existe una alteracin del factor de amplificacin (), puesto que hay
frecuencias que estn en funcin de la polarizacin del transistor, y la correcta polarizacin del
transistor nos da un preciso valor del factor de polarizacin.
3. De acuerdo a su grafico encontrar fh.
En el grafico el punto de corte superior se da aproximadamente para 700KHz.

4. Qu conclusiones obtuvo del experimento?
y A altas frecuencias aparecen las capacidades parasitas del transistor cb

e, cb

c, cce.
y La mejor manera de poder realizar el anlisis en alta frecuencia es utilizando el modelo de
parmetro hibrido (), puesto que aparecen los parmetros deseados.
y Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en frecuencias medias,
observamos que se da a cierta frecuencia y en ese momento ocurre la cada del ancho de
banda hasta un valor casi nulo.












VII. BIBLIOGRAFIA
Teora de circuitos R.Boylestad
Circuitos electrnicos Ghausi
Electrnica bsica, separata 2 Raga( UNI-FIEE)+
Diseo electrnico Savat