MEMORIA RAM

La memoria RAM es una memoria voltil, una definicin rpida sera la un tipo de memoria temporal que pierden sus datos cuando se quedan sin energa. Se utiliza generalmente para almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolucin de la memoria RAM a travs del tiempo desde un punto de vista tcnico. FPM-RAM Fecha de introduccin: 1990 Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los ms rpidos y 70 nanosegundos las ms lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU. EDO-RAM Fecha de introduccin: 1994 Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o menos). BEDO-RAM Fecha de introduccin: 1997 Es una evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en rfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posicin determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitacin de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz

SDR SDRAM Memoria RAM dinmica de acceso sncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y est diseada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnologa InterLeaving, que permite que la mitad del mdulo empiece un acceso mientras la otra mitad est terminando el anterior. DDR-SDRAM Son mdulos compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDRs soportan una capacidad mxima de 1 GB. RDRAM Tambin llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit ESDRAM Fecha de introduccin: A mediados de ao de 1999 Esta memoria incluye una pequea memoria esttica en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rpida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria cach utilizada en los procesadores actuales.

Flash Memory Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opcin de utilizarla tambin como memoria RAM, a continuacin las caractersticas:

Fecha de introduccin Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas tambin en ese ao en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunci el tipo NAND en el ISSCC. Memoria no voltil con usos de en pequeos dispositivos basados en el uso de bateras como telfonos mviles, PDA, pequeos electrodomsticos, cmaras de fotos digitales, reproductores porttiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento porttiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND. Velocidad de transferencia La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura.