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Escuela Politecnica Del Ejercito Extensión Latacunga

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PÉRDIDAS ESTÁTICAS Y DINÁMICAS
Carlos David Ruales rualesmkt@gmail.com RESUMEN: El documento presenta características importantes de los semiconductores en su funcionamiento, y que disminuyen la eficacia en los circuitos. Al hablar de pérdidas, se refiere a la magnitud en relación al voltaje y corriente que no se utilizan y que se consumen en los dispositivos semiconductores tanto en el estado en el que trabajan como en el estado en el que permanecen inactivos o apagados. PALABRAS CLAVE: conmutación, tiempo, pérdida, trabajo. inferior a la pérdida en estado ON y puede ser despreciada. PÉRDIDAS DINÁMICAS: Al producirse el paso de ON a OFF y viceversa en tiempo finito se producen situaciones en las simultáneamente se tienen valores altos de potencia U y corriente I.

1. INTRODUCCIÓN
Un interruptor electrónico se caracteriza por tener dos estados, activado y desactivado, lo que idealmente se corresponde con un cortocircuito y un circuito abierto, respectivamente. Las aplicaciones que utilizan dispositivos de conmutación son muy interesantes debido a las relativamente bajas pérdidas de conmutación menores al 15% Cuando el interruptor ideal, el voltaje o corriente de conmutación serán igual a cero, lo que hace que el valor de la potencia absorbida por el interruptor sea también cero. Algunos dispositivos electrónicos, como los transistores también pueden operar en el rango ideal, donde tanto el voltaje como la corriente son distintos a cero, aunque es conveniente utilizar estos dispositivos como interruptores en aplicaciones de potencia..

2. DEFINICIÓN.
Las Pérdidas Constituyen un aspecto fundamental en el diseño de convertidores es la minimización de las pérdidas de energía. Las pérdidas en los dispositivos activos se pueden clasificar en: PÉRDIDAS ESTÁTICAS: En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una caída de tensión directa o umbral Ud y una resistencia directa Rd. Las pérdidas para una corriente Id son:
Figura 2.1. Pérdidas en equipos de Conmutación.

P=Ud. Id+Rd. Id Ec.1

y pueden ser considerables. En estado OFF se presenta un corriente de fuga Ii (valor que se puede tomar como cero en muchos casos) y el dispositivo bloque una diferencia de potencial dada Ui, la pérdida fundamental es el producto Ui x Ii, si bien en la mayoría de los dispositivos es de magnitud muy

En la Figura 1 se representa la evolución de tensión e intensidad en un dispositivo al conmutar entre OFF y ON y viceversa y la potencia de pérdidas asociada. Las pérdidas debidas a la conmutación son las más elevadas en magnitud durante el tiempo de conmutación, la pérdida en conducción es sustancialmente mayor que la pérdida enbloqueo. Un modelo sencillo que permite estimar las pérdidas en un dispositivo trabajando en conmutación a frecuencia f= 1/T, con tiempos de conmutación ts=ton+toff dados, tiempo de permanencia en ON Ton, frecuencia de conmutación f, tensión de estado off o trabajo U, caida de potencial interna en estado ON, Uon, corriente de conducción en ON o trabajo I y resistencia en estado ON, Ron es el dado por:

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. ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable. cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos. y del tiempo de conmutación ts por otra (dispositivo rápido). En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector. con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor. Tiempo de retardo (Delay Time. mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales. En resumen. . destacamos tres cosas fundamentales: . Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo. 2 . siendo 2 un valor adecuado para estimaciones. por una parte. también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro. Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Las pérdidas en bloqueo se consideran despreciables. Se puede distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). Corriente existente en la Conmutación.2 El factor a depender de las condiciones de conmutación y del dispositivo y puede variar entre 2 y 6. td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos. hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final. Figura 3. PERDIDAS EN SEMICONDUCTORES La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación. inductancias y transformadores) y el aumento de pérdidas de conmutación que provoca.1. debido a que al aumentar ésta. Como puede observarse para reducir pérdidas son deseables valores reducidos de caída de tensión y resistencia en conducción. A su vez. 3.1 Tiempos de Conmutación Figura 3. 3. sin embargo. que son substancialmente distintas. EC. La frecuencia de trabajo se fija por un compromiso entre las ventajas que aporta una alta frecuencia en la reducción de tamaño y peso de componentes pasivos (condensadores.En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.2.Escuela Politecnica Del Ejercito Extensión Latacunga .En un FET. Potencia consumida en la Conmutación. la tensión VGS controla la corriente ID. por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.En ambos casos. Es una característica común. al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada.

VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET. ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final. el MOS entra en conducción. con lo que si se supera la tensión umbral. Esto tiene el efecto de que baje la tensión VDS con lo que el efecto se compensa. porque cualquier inductancia parásita presente dará una 3 . Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). junto con el de corriente máxima. Este valor. Figura 3. Tiempo de caída (Fall time. permaneciendo el transistor cortado. tr): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final. Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante.      Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. determina la potencia máxima de disipación en saturación. Relación corriente de salida .4.Escuela Politecnica Del Ejercito Extensión Latacunga . ese flanco se transmitirá a la puerta. VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto. Tiempo de almacenamiento (Storage time. Tiempo de subida (Rise time. b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca. Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el transistor:  abierta en los bipolares.3. cortándose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes pérdidas por la corriente que circula durante el transitorio.control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa). ese flanco se transmitirá igualmente a la puerta. En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos se notará este efecto. drenador y fuente en los FET). El efecto de la conmutación de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en la tensión de puerta debido al acoplamiento capacitivo CGD –CGS Esto tiene como consecuencias no deseadas: a) Se supere la tensión máxima que el óxido puede soportar. Ejemplo de circuito con transistor . pero con peligro de superar la tensión máxima del óxido. VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo. ICAV. Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base Si se produce un flanco de subida. Si se produce un flanco de bajada.  Efectos de Pérdidas en la Tensión de Puerta Figura 3. corriente media por el colector). Tiempos de Caida en la Conmutación. Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta.

mx/u_dl_a/tales/docu mentos/lep/jimenez_l_o/capitulo1.slideshare.telefonica. esto se da principalmente en la conmutación del elemento semiconductor.pdf http://www. genera una caída de tensión que entorpece al funcionamiento de la carga y produce lo que se conoce como PERDIDA. que al pasar de un estado de no conducción a un estado de conducción.p df http://catarina.     http://personal.terra. LINKOGRAFIA.Escuela Politecnica Del Ejercito Extensión Latacunga .es/web/jqc/ C6-0607-r01.udlap.5 Reducción de Pérdidas. CONCLUSIÓN: Al momento del análisis del estado de funcionamiento de un elemento electrónico. Disminución de Pérdidas Figura 3. se concibe pérdidas estáticas y dinámicas que dañan o impiden el correcto funcionamiento del circuito a pesar de que se considera mínimas o de tolerancia. impedancia equivalente muy alta ante cambios bruscos. Se usa diodos rápidos en antiparalelo para detener la caída de tensión producida en la conmutación.pdf 5.net/8EL/electrnicade-potencia http://woody.es/~leopoldo/Store/tsp_4. 4.us. 4 .

estáticas y dinámicassemiconductor.Escuela Politecnica Del Ejercito Extensión Latacunga . que al que dañan o impiden elpasar de un estado de correcto no conducción a un funcionamiento delestado de conducción. 5 . esto seal funcionamiento de la da principalmente en lacarga y produce lo que conmutación delse conoce como elemento PERDIDA. circuito a pesar de quegenera una caída de se considera mínimas otensión que entorpece de tolerancia.