'C:
Experimento de laboratorio
I ntroduccion a IDs
Q
(.)
~
~
Objetivos del experimento
A. Identificar las terminales de la base, emisor
y colector y las conexiones de 105transis-
tores NPN y PNP.
B. Mostrar y medir los efectos en la corriente
de la base de la polarizacion directa e inver-
sa en el circuito emisor-base.
C. MOstrar y medir los efectos en la corriente
del colector y de la polarizacion directa e
invena en eI circuito emisor-base.
D. MOitrar los efectos en la corriente del colec-
tor de un cambio en el voltaje del colector.
ConeeptOi buicos
1. Las tres regiones de un transistor bipolar
son: base, emisQr y colector.
2. Los transistores bil?olares son semiconduc-
tora de tipo NPN 0 PNP.
S. Un transistor es un dispositivo de control
de corriente. , .
4. La union del diodo base-emisordebe estar
polarizada directamente para que fluyan las
corrientesde basey de colector. . vencional, en tanto que los electrones semueven
5. Lacorrientedelemisores iguala la sumade
6
transistores
las corrientes de la base y del colector (IE =
Is = Id.
6. Un pequeno cambio en la corriente de la
b. puede provocar un gran cambio en la
corriente del colector.
Informacion preliDUnar
PI transistor es un dispositivo semiconductor de
tres elementos, se utiliza para una gran diversidad
de funciones de control en los circuitos electro-
nicos. Las [undones incluyen la amplificaci~n.
oscUacion,inierrupcion 0 conmutacion y conver-
sion de frecumcias.
En el experlmento anterior, aprendio que un
diodo semiconductor -es basicamente un disposi-
tivo de dos elementos qutcontiene l.tna sola
union PN COIIlDse muestra en la fig. 25-1. EI
material de tipo N, el d.todo, funciona como la
terminal negativa, en tanto, que el material de tipo
P, el Inodo, funcionacomo la terminalpositiva.
EI slmbolo de la flecha representa el Inodo, y
apunta en direccion del flujo de la corriente con-
en direccion opuesta a la de la flecha.
 \
t'
Introdurcion
c::.. .:.--
..
-
los transistores

a su emisor. Ya que ahora su union PN de emi~

~N()t)O
-o=::J- CATODO sor-base esta pf?larizada directamente. t1uye co-
UNION
./ . mente deemisor a base, haciendo que tambien
fluya corritnte de emisora colector, ya que su
ANODO -~ -
CATODO emisor es mas positivo que el colector negativo.
- ~

' ..
FlU..iO. DE: LA CORRIENTE E1 transistor NPN .mostrado en la fig. 25-3 (b)
01000 DE SILICIO funciona en forma anaIoga. Cuando sus terminales
de base y colector se hacen positivas con respecto
Fig. 25-1 a. su emisor, la union PN de base-cmisor se polari-
za directamente. Fluye corriente de base a emisor,
Cuando se aplica voltaje, eon las polaridades en la haciendo que tambien fluya corriente de colector
fonna que se muestra, Ia union PN se polariza a emisor, ya que su colector es mas positivo que el
directClmente y fluye corriente a traves del diodo. emisor. En otraspalabras, la direccion de la co-
Cuando se agrega otraseccion de material de tipo mente convencional a traves de un transistor
P 0 N .'-\una union PN para fonnar tres secciones, siempre es en la direccion de la flecha en la tenni-
se produce un dispositivo de tres elementos, que nal delemisor. - '+
cOntIene; dos UDJones. Este dispositivo de tres
elemePto~ es tin transjstor bipolar. Las tres seccio-
nes 0 I"lementos d\. un transistor bipolar son el
emzso iE' la base (B) y el cotector (C). Los tran- \.\ \IIC
Bf V IIC +
sistOi. :la«.f';"'dIIseg6n el arreglo de los mate-
riates'
la f~~
para II", n
nortrl 1.1,I
..° r .v N v son de. tipos PNP 0 NPN. En
, ( ,\ " (b) se muestran las conexi ones
1'\,",tores
" c ] emisor-b~e
PNP y NPN. En operacion
esta polarizada di-
l +
'H

rectame1'\tl" , 1.1'Inion colector-base en direccion

TRANSISTOR PNP TRANSISTOR NPN

mver-"
EMIS'JR -t~. P N P r- '::>LECTOR (a)
Fig. 25-3
(b)
\
INION. BASE
" UNION .
.. COLECTO" Equipos y materiales
Fuente de energia 0-40:V cd, lOmA
EMISOR~ Amperimetro O-O.l/1/10mAcd
... . VfVM
rEI 'q/BASE ., Dispositivo de capacitacion en-electronica
Is) 'tRANSISTOR PNP
IBI BTI - Pilas secas en receptaculo.
~----------------------------------- tablero L de componentes
Ql - Transistor NPN 2N2219A (silicio)
L~
EMISOH'UNION ./
BASE
~REC~LECTOR
UNION
N
Q2
Q3
Rl
-
-
Transistor NPN 2N1302 (germanio)
Transistor PNP 2N2905A (silicio)
- lOko., lW

...'" '" ~ "ECOLECTOO

R2
R3
- 3.3ko.. lW
- Potenciometro, lOko., l/2W;
tableroM de componentes
W
181
\~ BASE '" R4 -1000., lW
Tablero universal K para expen'mentos
/hI T~ANSISTORNPN \
Procedimiento del experimento
Fig. 25-2
Objetivo A. Identificar las tenninales de la bue,
Se uool..'n rif'l ;ntes, simbolos para los tran- emisor y colector y las conexi ones de loa tl'aDait-
sistor 'JPN 7 ~ r~ P para :rnostrar la diferencia en tores NPN Y"PNP.
la di:ecdor. d\., dujo de la corriente en los dos
tipos, dt. ji!'pOSltlvOS. Por ejemplo, el transistor 0 1. a) Antes de conectar el transistor en un
PNP II )S' .~~, tn la. fig. 25-3 (a) tiene ambas circuito, se deben identificar las .tenninales del
tenn;:1. ~~ ba f colector, negativas con respecto
30
emisor, la
"
~ Yj coleetor. En Ia fig. 254 Ie
 ~

Introduccion a 10$transistores
..".,..." ...:..

muestran 105 perfiles y conexi ones depa~as ge
algunos transistores de los tipos mas comunes.
Note que las term inales 0 alfileres generalmente. se
muestran en una vista del fondo del transistor.
Debido a que difieren mueho en perfiles y cone-
xiones de las terminales, siempre debe cons111tarel
manual de instrocciones adecuado 0 la hojade
datos del transistor antes de hacer conexiones al
transistor.
TO.3 ,o.5 TO.18
Examine las cQnexiones de las terminales 0 alfIle.
res mostradas. para los transistores TO-S, TO-18,
TO-92, TO.l()S y .TO-106. Identifique las termi-
. nales segiIn aparecen en la direccion en sentido
del reloj (vista desde el fondo).
punta izquierda =
punta del medio ='
punta derecha = . ",
La ide.ntificacion de las terminales para la mayo-
ria de los transistore/ es (en el sentido de las ma-

ill i
necitlas del relo] desde el fondo) emisor-base-co-
lector. En el transistor TO-3 solo hay dos termi.
nales. La conexion del colector se debe haeer al
encapsulado metalieo. Debe percatarse que aun-
que otros transistores con encapsulados metalicos
'h
B C E-V=: E: tengan tres terminales tambien pueden tener sus
encapsulados conectados ele"ctricamente al colec-
tor.
TO.36 TO-66 TO.92
-i.200::.L 0 c) Observe hi!; conexiones de las termina-
I , r:200 les p~a. 10s cncapsulados TO-S y TO-IS.1 lCuaI
7' r. f punta esta proxima a la lengiieta metaIica en la
parte inferior .del encapsulado?
E E B .c Observe las conexiones de las terminales' para los
O. encapsulados TO-lOS y TQ.l06. lQue terminal
'JWf'
8 BC esta proxima al lado phpl0 del encapsulado?
TO.105 TO.106
'-0.220 . \
Objetivo B. Mostrar y medir 105 efectos en la
corricnte de la base, de la polarizacion directa e
inversa en el circuito emisor-base.

m m 0 2. a) MQnte el circuito como se muestra en la

fig. 25..5. Note que este drcuito es identico al que
usopara medir el fJujo de Ja corriente directa a .
::o-c :C ''J
traves de un diodo semiconductor. Ql es un tran-
sistor NPN de silicio. RJ. se incluye solo como
dispositivo de proteccion, y limit a la corriente a
un valor seguro.
Fig. 25-4 . R1 ~1/110mAcd NPN C
+ 8
Los transistores se pl1eden dailar mstantaneamen- mA 01
10K'--
te. Un cortocircl1ito momentineo provocado por E
+
la punta de un medidor 0 una herra.mienta como
un destomillador entre la base y el coleetor en
un circuit0 en operacion casi siempre destroye al Es
+ 1...0-0.5/1.5/5Vcd
transistor. v '\ ELECTRONICA
0-40Vcd VTVM
0 b) Observe Ql, Q2 Y Q3. Note que estan
cuoiertos por l nas cajas metaIicas. A esta. forma
se Ie llama encapsulado TO-S. A 105 transisto~es
de plastieo epoxieo mas pequenos montados en
algunos de los tableros decircuitos impresos se les
conoce como encapsulados TO.l 06. El encapsula. . Fig. 25-5 ..
do TO-18 metaIico...es similar pero mas pequeno 0 ) Gradualmente aumente elvoltajeEs de

1
que el metaIico TO-S y el TO-lOS es similar pero la fuente hasta que el miliamperimetro indique
mayor que el TO-l06. Otro encapsulado plastico
epoxico pequeno y popular es el TQ.92. '31

'"
Introduccion a 105transistores

0.02mAcd de corriente IB de base directa. Anote [J c) Examine los datos que regis~r6 en la
la caida de voltaje 'IJ.''B
E directa de base a emisor tabla 25-1. GHay similitud entre la caida de vol-
en la tabla 25-1. taje directo para el transistor Q1 de silicio y un
diodo de silicio? .
[J c) Repita y anote VBE para cada uno de
los valores de I B que aparecen en la tabla. Cambie GAproximadamente a cuaI voltaje esta completa-
el rango del miliamperimetro a ImAcd cuando 10 mente polarizado en forma directa la base al emi-
requiera. sor de Q1?
VBE (silicio) = m_Ycd
18 VBE IB VBE
mA mA [J d) GAproximadamente a cuat voltaje esta
Ql Q2 Ql Q2 completamente polarizada la base a emisor de
Q2?
0.02 0.4
VBE (gnmanio) = vcd
0.04 0.6
Objetivo C. Mostrar y medir 105 efectos en la
0.06 0.8 corriente del colector de la polarizacion directa e
invena en el circuito emisor-base.
0.08 1.0 [J 4. a) Monte el circuito de la fig. 25-6. Note
que el lado positivo de BT1 esta conectado a la
0.1 2.0 base de Q1 a traves de la resistencia R2 y el brazo
del potenciometro R3. Las resistencias R2 y R4
0.2 3.0 en serie ge incluyen s610 como dispositivos de pro-
teccion, que limitan las corrientes de base y colec-
tor a valores seguros. EI voltaje Vc del colector se
Tabla 25-1 suministra mediante la fuente de energia de
0-12Vcd.
[J d) Ajuste el voltaje a cero e invierta las G-1OmAcd
conexiones a las terminales de base y emisor de
Q1. Ahora el transistor Q1 NPN esta en condicion
de polarizacion inversa.
[J e) Cambie el rango del miliamperimetro a
O.lmAcd y el del VTVM a 5Vcd. +
+
[J f) Ajuste Es hast a que el voltaje inverso ~ Bn E Vc
de emisor a base VE B sea igual a 3Vcd. Mida la -T 3Vcd G-12Vcd
A3
corriente de fuga IE B 0 inversa de emisor a base.
10K
EI simbolo 'EB indica que la base-a-emisor esta
polarizada inversamente,y la 0 indica que la me-
dicion se hace con el colector en circuito abierto Fig. 25-6
(no conectado). lEBO para el transistor 2N2219A
es de O.011lAcd max.
0 b) Gire hasta ei limite el b.razo de R3 en el
lEBO =.u llAcd sentido de las manecillas del reloj. Ahora la base
de Q1 esta conectada esencialmente at emisor y
[J g) Ajuste el voltaje a cera. no se puede polarizar, directamente cuando se
[J 3. a) Remplace Q1 con el transistor NPN Q2 aplica voltaje.
0 c) Ajuste la fue~te de energia del colector
de germanio y repita el procedimiento 2 (desde a Vc a 6Vcd.
hast a c). Anote sus mediciones en la tabla 25-1,
0 d) Ajuste R3 hasta que £luyan 2mAcd de
en la columna para Q2.
corriente de colector, indicada por el miliampe-
[J rimetro de 10mAcd en el circuito del colector.
b) Repita el procedimiento 2 (desde d has-
ta g). 0 e) Mida y anote en la tabla 25-2 la corrien-
te de base, en p.A, para una corriente de colector
32 lEBO = p.Acd de 2mAcd.
\
 \.,1'

Introduccion a 101 transistores

a f) Repita los pasos para cada una de las
corrientes de colector que aparecen en la tabla.
a g) Ajuste Ve a cero.
e h) Examine los resultados mostrados en,la
tabid 25-2. Indique si un pequeno cambio en la
corriente de base provoca un cambio grande en la
corriente del colector.
0 5. a) Ah~ra observara el cambio en Ia co-
rriente del colector debida al cambio en el voltaje
del colector. Ajuste Ve a 6Vcd.
0 b) Ajuste R3 para una corriente de colec.
tor de 2mAcd como en el procedimiento 4 (d).
0 c) Aumente Ve a 9Vcd y mida la corrien-
te resultcinte del colector.

Ie = mAcd
VOLTAJE DEL COLECfOR Ve = 6Vcd 0 d) Aumente Vc a 12Vcd y mida Ia co-
rriente resultante def colector.
CORRIENTE DEL CORRIENTE
COLEcrOR Ie DE LA BASE IB
Ie = ,...mAcd
0 mAcd 0 e) Ajuste Vc a cero y desconecte Ia bate-
da BTI. .
2 mAcd 0 f) lCuaI fue el cambio en la corriente del
colector (con relacion a 2mA) cuando se duplic6
el voltaje del colector a 12Vcd?
4 mAcd
Ale = mAcd
6 mAcd
Resumen
8 mAcd
En este experimento, aprendi6 a identificar las
terminales de emisor, base y colector de trans is-
10 mAcd tores NPN y PNP. Mostrolas relaciones de voltaje
contra corriente en uniones PN base-emisor de
silicio y germanio. Observo que esas uniones se
Tabid 25-2 comportan como diodos semiconductores, que
tienen determinada caida de voltaje a traves de
lQue cambio en la corriente de la base se requirio
ell:;s cuando estan completamente polarizadas en
para cambiar la corriente del coJ.ector desde
forma directa. Determino que esta caida de vol-
2mAcd a 10mAcd? La le!ra griega A (delta~ signi-
fica "cambio en" taje directa es de 0.5 a O.7Vcd para el silicio y de
0.15 a 0.3Vcd para el germanio. Luego determino
que la union de base-emisor debe estar polarizada
AIB ~ l.&Acd
directamente antes de que pueda fluir la corrient~
de colector. Finalmente, midiendo las corrientes
Objetivo D. Mostrar y medir 105efectos en la co- de base y de colector observe que pequenos cam-
rriente del colector de un cambio en el voltaje bios en la corriente de la base controlan cambios
del colector. mucho mayores en la corrie~te de1.colector.

33

,cO "'"
II