INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingenieras Mecnica y Elctrica

Unidad Zacatenco Ingeniera en Control y Automatizacin

Laboratorio Electrnica I.

EQUIPO 6

PRACTICA 3 Comportamiento de un diodo ante el Osciloscopio.

+

Equipo integrado por

vila Mendoza Rodrigo Alberto. Martnez Islas Olga Itzel Oronzor Luna Arturo Eli

4AM1 Profesor. Jorge Rodrguez Galvn

FECHA DE ENTREGA. 07 de Noviembre de 2011 CICLO ESCOLAR. Agosto Diciembre de 2011 2012/1.

1. CONSIDERACIONES TERICAS. DIODO

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.

DIODO SEMICONDUCTOR

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.

POLARIZACION DIRECTA DE UN DIODO

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que: El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

POLARIZACION INVERSA DE UN DIODO

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

2. MATERIAL Y EQUIPO. 1 FUENTE DE ALIMENTACIN CD 2 CABLES BANANA - CAIMN 1 OSCILOSCOPIO 2 PAR DE PUNTAS PARA OSCILOSCOPIO 1 RESISTOR DE 1 x 103 1 DIODO 1N4005 1 PROTOBOARD

3. DESARROLLO PRACTICO.
EL DIODO RECTIFICADOR Objetivo: 1.- Identificar el nodo y el ctodo del diodo 2.- Identificar el comportamiento rectificante del diodo 3.- Obtener y comparar las curvas del voltaje-corriente del diodo de Silicio y Germanio 4.- Determinar el voltaje codo del diodo de Silicio y del Germanio El desarrollo de la practica consiste en ver gracias al osciloscopio el comportamiento del diodo con corriente alterna, para ver rectificar lo visto en clase. Entender el comportamiento del diodo en polarizacion directa y inversa. Por lo consiguiente se arma el siguiente circuito electrico en el protoboard:

Una vez armado el circuito, se procede a corroborar lo visto en clase gracias al uso del osciloscopio por lo mismo visualizaremos la onda de entrada del diodo para observar la senoide que forma la corriente alterna:

Esta es la grfica que nos muestra el osciloscopio de la seal de entrada al diodo, es decir la corriente alterna directa al osciloscopio, pero el objetivo de esta prctica es entender el funcionamiento del diodo como rectificador, es decir cuando suprime la parte negativa de la onda. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua
En la siguiente figura observaremos la seal rectificada por el diodo:

Como se puede observar en la grfica anterior la seal que se muestra en la pantalla del osciloscopio corresponde a la seal de salida, se nota que solo se muestra la mitad de la onda, la cual pertenece a la parte positiva de la senoide, y en el lado negativo el diodo rectifica la seal comportndose como un interruptor abierto, la cual genero la onda anterior.

En la siguiente grafica se muestra la comparacion de la onda de entrada y la de salida, por lo cual podemos rectificar graficamente el comportamiento del diodo.

DIFERENCIA ENTRE EL DIODO DE SILICIO Y DE GERMANIO En la siguiente grafica se observa la grafica del comportamiento del diodo de silicio y del de germanio, se puede observar la diferencia entre estos dos gracias a las propiedades del diodo es decir su dopamiento (0.3 y 0.7)

4. CONCLUSIONES.
VILA MENDOZA RODRIGO ALBERTO.
El desarrollo de esta prctica fue interesante a mi parecer ya que dentro de clase uno de los temas ms interesantes a mi parecer a sido el de diodos, tambin el que ms se me ha facilitado. Dentro del desarrollo experimental tuvimos una serie de problemas con el material de laboratorio por lo mismo de que es un poco antiguo, pero fuera de eso la prctica la realizamos correctamente aunque nos llev bastante tiempo. En si lo que visualizamos en el osciloscopio fue como el diodo rectifica la seal dejando pasar solo las ondas positivas y esto hace que el diodo funcione como un retenedor. Tambin nos dimos cuenta de la tensin umbral del diodo ya que por equivocacin en la fuente intentamos ver el comportamiento del diodo a un mayor voltaje al aceptado.

ORONZOR LUNA ARTURO ELI

Excelente forma de entender el comportamiento practico de los elementos que se estn estudiando en teora, pudimos observar la caracterstica principal del diodo grficamente, es sin duda alguna interesante el uso de los materiales electrnicos en la prctica. MARTINEZ ISLAS OLGA ITZEL La prctica corresponde con el comportamiento del diodo

5. BIBLIOGRAFIA. 1. Serway Raymond A. "Fisica Tomo II" Tercera edicin en espaol ,Editorial Mc Graw Hill. Mxico, 1992 2. Halliday David / Resnick Robert / Krane Kenneth S. "Fsica Vol.2" Tercera edicin en espaol , Editorial Continental. Mxico, 1996 3.Cutnell John D. / Jonson Kenneth W. "Fisica" Primera edicin , Editorial Limusa. Mxico, 1986