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Laboratorio de Ondas Guiadas

Trabajo Previo

Pr´actica #4

1) Explique con sus pr´opias palabras el significado del concepto ”impedan- cia”.

2) Dos placas planas paralelas (cada una con un ´area de a [m]), separadas con un material diel´ectrico perfecto (con permitividad ) una distancia de d [m], hacen una capacitor de placas planas paralelas.

  • i) Indique cu´al es la capacitancia de dicho capacitor

ii) Indique cual es la impedancia (Z c )de dicho capacitor

3) Un cable enrollado alrededor de un n´ucleo ferromagn´etico (con perme- abilidad µ), de radio r, hace un inductor. Si el nucleo mide 1 [m] de largo y el enrollamiento hace n vueltas, indique:

  • i) Cu´al es la inductancia de dicho inductor

ii) Cu´al es la impedancia (Z l )de dicho inductor

4) Investigue y escriba la relaci´on entre el VSWR y la impedancia al final de una gu´ıa de onda.

5) Obtenga e imprima una C´arta de Smith

Objetivos

Entender el significado de la impedancia asociada a un dispositivo de microondas.

Aprender un m´etodo para medir impedancias en gu´ıas de onda. Aprender a usar la Carta de Smith.

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energia Fuente de de Dispositivo microondas Sin Sout
energia Fuente de
de Dispositivo microondas
Sin
Sout

Guia de alimentacion

Figure 1: Ilustraci´on del flujo de energ´ıa en la entrada de un dispositivo de microondas.

Introducci´on (*** PRELIMINAR***)

Impedancia de un dispositivo de microondas

Cuando un dispositivo de microondas (como un atenuador, una l´ınea ranu- rada, o una antena de corneta) se alimenta mediante una gu´ıa de onda, en la entrada del dispositivo se puede observar energ´ıa fluyendo en dos sentidos:

1) hay energ´ıa que fluye hacia adentro del dispositivo (energ´ıa que viene de la fuente a trav´es de la l´ınea de alimentaci´on), y 2) hay energ´ıa que fluye hacia afuera del dispositivo (energ´ıa que viene de reflexiones internas que ocurren despu´es del punto de eentrada). Los flujos de energ´ıa electromagn´etica que se observan en el punto de entrada de un dispositivo de microondas se ilustran en la Figura 1.

La cantidad de energ´ıa que sale de la entrada de un dispositivo de microondas normalmente es menor que la energ´ıa que entra; a menos que el dispositivo no sea pasivo, y pueda generar y/o suministrar energ´ıa (como es el caso de una fuente de energ´ıa, o una antena usada para recibir).

Cuando usamos alg´un dispositivo en la pr´actica, es muy importante conocer la manera como se comporta la energ´ıa que entra a un dispositivo. Es decir, es importante saber cuanta energ´ıa saldr´a del dispositivo, dado que se le suministre una cantidad de energ´ıa). Por esta raz´on, todos los dispositivos de microondas se caracterizan con un n´umero complejo llamado impedancia, que nos permite calcular lo que se define una cantidad compleja

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La impedancia es un n´umero complejo que tiene una parte real llamada resistencia (R), y una parte imaginaria llamada reactancia (χ):

Z = R +

Impedancia de entrada vs. coeficiente de reflexi´on

Donde (k = 2π/λ):

Z(z) = Z o

Γ(z)

1

+ Γ(z)

1

z

Γ(z) = |Γ|e 2jkz = Γ L e j4π .

λ

El coeficiente de reflexi´on Γ(z) siempre tiene la misma magnitud, porque en cualquier punto de la gu´ıa en que se observe la relaci´on entre las amplitudes de los paquetes de energ´ıa que entran y los que salen, se observar´a que la relaci´on es la misma. Sin embargo, el defasamiento entre los paquetes que entran y los que salen, si depende de la posici´on a lo largo de la gu´ıa, por lo que Γ tiene una fase que var´ıa con z.

El coeficiente de transmisi´on al final de la l´ınea, tambi´en conocido como el coeficiente de reflexi´on en la carga (Γ L ), est´a dado por (pr´actica #3):

Γ L =

  • V SWR 1

  • V SWR + 1

.

Plano complejo de Γ(z) y Carta de Smith

Calcular los par´ametros de una l´ınea de transmisi´on (tales como impedancia de entrada, coeficiente de reflexi´on o bien la impedancia de carga) puede ser tedioso debido al manejo de cantidades complejas. Actualmente se pueden obtener estos par´ametros usando software especializado, o bien por m´etodos gr´aficos. Un m´etodo gr´afico muy com´un, que se estudiar´a en esta practica, utiliza la Carta de Smith (mostrada en la Figura 1).

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Figure 2: Carta de Smith. Este m´etodo gr´afico consiste en un ”mapa” que muestra la resistencia

Figure 2: Carta de Smith.

Este m´etodo gr´afico consiste en un ”mapa” que muestra la resistencia y reactancia normalizadas, asociadas a un coeficiente de reflexi´on (Γ(z)), que es un n´umero complejo graficado en el plano complejo de Γ (ver Figura 3).

Los circulos que se observan en la Figura, permiten leer los valores de re- sistencia y reactancia NORMALIZADAS (R n y χ n ) asociados a cada valor de Γ:

Z(z) n = R n + n =

Z(z)

Z o

=

1

+ Γ(z)

1

Γ(z) .

Para poder leer la resistencia y reactancia normalizados en la carta de Smith, primero es necesario observar que la carta contiene series de circulos concen- tricos para R n y χ n constantes (ver Figura 4). En la carta de Smith cada c´ırculo R n y χ n constante tiene un valor asociado, que indica el valor de R n o χ n que corresponde al c´ırculo. Los c´ırculos de R n constante son hortogonales a los de χ n constante, y la intersecci´on de un circulo de R n con un circulo de χ n marca la impedancia asociada al coeficiente de reflexi´on Γ(z), que es el

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Im{Γ} Re{Γ}
Im{Γ}
Re{Γ}

Figure 3: Plano complejo del coeficiente de reflexi´on.

n´umero complejo referido a un plano complejo de Γ mostrado en la Figura

3.

Variaci´on de Γ y Z a lo largo de la Gu´ıa de Onda

Dispositivos que almacenan energ´ıa electromagn´etica

Desarrollo

En esta pr´actica construimos una impedancia arbitraria, introduciendo un

obstaculo al paso de la energ´ıa (reactancia), y conectando una terminal re-

sistiva al final de la l´ınea (capacitancia), y procedemos a medir experimen-

talmente la impedancia conectada.

PRECAUCI ON: ´ NUNCA MIRES DIRECTAMENTE EN UNA

GU ´ IA DE ONDA ENERGIZADA. A pesar de que los niveles de

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R = 0 R = 0.5 R = 1 R = 2
R = 0
R = 0.5
R = 1
R = 2
χ = 1.0 χ = 2.0 χ = 5.0 χ = 0 χ = 0.5 χ
χ = 1.0
χ = 2.0
χ = 5.0
χ = 0
χ = 0.5
χ = -0.5
χ = -5.0
χ = -1.0
χ = -2.0

Figure 4: Circulos de impedancia normalizada: a) Resistencia Constante y

b) Reactancia constante

potencia manejados por el equipo de laboratorio son bajos, el ojo

humano es especialmente susceptible al da˜no por radiaci´on con

microondas (a la frecuencia de operaci´on del equipo).

Con las piezas del Kit de microondas, arma el dispositivo mostrado en la

Figura 5. Los elementos (el calibrador y la terminal resistiva) a la derecha

del diagrama representan la impedancia a medir. Coloca el calibrador a 40

mm de la carga, y ajusta la punta 5mm dentro de la gu´ıa.

Antes de encender la fuente asegurate que el interruptor del oscilador se

encuentre en la posici´on de ”internal keying”, y que interruptor de el medidor

se encuentre en la posici´on de ”detector output”.

1) Fija el atenuador inicialmente en m´axima atenuaci´on y enciende el os-

cilador. Recuerda que el calibrador debe estar a 40mm de la carga.

Mueve el detector de la l´ınea ranurada hasta encontrar un punto donde

la se˜nal sea m´axima y ajusta el atenuador (y la sensibilidad del medi-

dor) para obtener una lectura m´axima (5mA) en el indicador de corri-

ente.

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Obstaculo capacitivo Segmento de guia Figure 5: Obstaculo capacitivo/inductivo
Obstaculo capacitivo
Segmento de guia
Figure 5: Obstaculo capacitivo/inductivo

2) Mueve el detector hasta encontrar un m´ınimo y registra la posici´on (x 1 )

del m´ınimo.

3) Toma las lecturas de corriente m´axima y m´ınima y calcula el SWR del

patr´on de onda estacionaria que se forma dentro de la l´ınea.

4) Dibuja en la carta de Smith un c´ırculo cuyo radio corresponda al valor

de SWR obtenido:

Encuentre en alguna de las escalas mostradas abajo de la carta el

SWRobtenido.

Trace una linea vertical, y encuentre la intersecci´on con el c´ırculo

de reactanca cero (χ = 0)

Con el comp´as trace una circunferencia centrada el el or´ıgen del

plano complejo, que pase por el punto de intersecci´on encontrado

antes.

5) Remueve el calibrador de l´ınea ranurada y la terminal resistiva, y coloca

una placa de cortocircuito al final de la l´ınea.

6) Encuentra dos posiciones consecutivas (x 2 y x 3 ) donde haya m´ınimos,

y registra su valor. La posici´on x 2 debe corresponder al m´ınimo mas

cercano a la carga.

Pregunta 1) Cu´al es el valor de λ g ?

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Figure 6: Conexiones para observar el patr´on de onda estacionaria 7) Encuentra el desplazamiento (medido en

Figure 6: Conexiones para observar el patr´on de onda estacionaria

7) Encuentra el desplazamiento (medido en lambdas) entre el m´ınimo del

patr´on de onda estacionaria del corto circuito (x 2 ) y el m´ınimo de la

se˜nal con la carga que deseamos caracterizar (x 1 ):

D =

x 1 x 2

λ g

8) En la carta de Smith, partiendo desde el punto donde Z = 0 + j0,

muevete alrededor de la escala exterior ”hacia el generador” distancia

que acabas de calcular. Junta el punto que acabas de calcular con el

origen del plano complejo.

9) Lee la impedancia en el punto de intesecci´on de la linea trazada en el

inciso 7 y la circunferencia trazada en el inciso 4. Lo que acabas de leer

es la impedancia normalizada conectada al final de la gu´ıa.

Pregunta

carga?

2) Cu´al es el valor de la impedancia normalizada de la

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Pregunta 3) Que tipo de impedancia creamos (capacitiva o induc-

tiva)?

Pregunta 3) Si la impedancia caracter´ıstica de la gu´ıa es de 50Ω, cu´al

es la impedancia en Ω de la carga que caracterizamos en ´esta pr´actica

?

Trabajo Complementario

Se tiene una l´ınea de transmisi´on con una longitud de onda de 0.358λ, y

una impedancia caracter´ıstica Z o = 100Ω. La impedancia de la carga es

Z L = 220 + j120 Ω. Usando la carta de Smith calcula lo siguiente:

El VSWR correspondiente

El coeficiente de reflexi´on (magnitud y ´angulo)

La impedancia de entrada a la l´ınea

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