Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura 3- 1

CAPÍTULO 3

TRANSISTOR DE JUNTURA

3.1 DESCRIPCIÓN

Un transmisor bipolar o de juntura se fabrica como una estructura tipo “sándwich” formada
por una capa central de material semiconductor con impurezas de un tipo y dos capas
exteriores de material semiconductor con impurezas del otro tipo.

Tal como se aprecia de la utilitaria descripción del párrafo anterior, existen dos estructuras
alternativas:

a) Un material tipo-n al centro, y capas exteriores de material tipo-p. Este arreglo

corresponde a transistores “tipo pnp”.

b) Un material tipo-p entre dos capas de material tipo-n. Los transistores así formados se
denominan “tipo npn”.

La simbología correspondiente a cada alternativa se indica en la figura 3.1, junto con la

estructura descrita:

Fig 3.1: Transistor de juntura

En lo que sigue, la descripción se refiere a transistores del tipo npn. Para el otro tipo (pnp)
se pueden plantear muy simples analogías, siendo válido unificar el tratamiento; las
diferencias, referidas a polarización (corriente continua) se traducirán en signos (sentidos)
opuestos para tensiones y corrientes.

Referencia: transistor npn

Una delgada capa de material tipo-p entre dos capas de material tipo-n. Estas capas reciben
los nombres de COLECTOR, BASE y EMISOR.
3- 2 Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura

Se forman dos junturas p-n: la juntura base-colector y la juntura base-emisor; si estas

junturas se analizan en similitud con diodos, es claro que existirán cuatro posibles
combinaciones según la polarización de cada una (directa o inversa).

Para operación lineal –tratamiento analógico, variables continuas- se utiliza la región

ACTIVA DIRECTA (llamada en forma común simplemente “región activa”).

La operación en región activa, característica por polarización directa (conducción) en la

juntura base-emisor y polarización inversa en la juntura base-colector, permite –para
excursiones pequeñas alrededor del punto de trabajo- que el transistor sea modelado como
un circuito lineal.

La operación en región activa inversa presenta un comportamiento cualitativamente

equivalente al de la región activa directa; cuantitativamente el comportamiento es diferente
(deficiente) y resulta en que esta región no es utilizada.

Las regiones de corte (ambas junturas con polarización inversa) y de saturación (ambas
junturas con polarización directa) corresponden a estados extremos de operación; estas
regiones son –evidentemente- no utilizables para tratamiento lineal; sí corresponden
típicamente a la operación de circuitería digital, con conmutaciones entre ambas regiones.
Siendo regiones claramente identificables, representan –inequívocamente- niveles lógicos
binarios.

Operación (funcionamiento) en región activa

Utilizando –como se advirtió- un transistor npn, la región activa se alcanza de acuerdo a lo

indicado en la figura 3.2:
Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura 3- 3

Figura 3.2: Configuración de emisor común en región activa.

Para alcanzar región activa debe proveerse vBE ≅ 0.6 [V ] y vCE > v BE (para lograr
polarización inversa en la juntura base-colector y asegurar conducción en la juntura base-
emisor).

Estando la juntura base-emisor polarizada directamente, la corriente de emisor queda

determinada por la tensión vBE tal como en un diodo, esto es, según la relación descrita por
la ecuación de Shockley:

 vBE 
iE = I Es e vT − 1 (3.1)
 

La capa de emisor está dopada (con impurezas tipo-n) mucho más fuertemente que la capa
de base (con impurezas tipo-p); debido a ello la concentración de electrones libres en el
emisor es mucho mayor que la concentración de huecos en la base. Así, la corriente iE que
pasa por la juntura base-emisor consiste fundamentalmente de electrones que viajan desde
el emisor hacia la base. Al alcanzar la zona de base, estos electrones son portadores
minoritarios en ella y son atrapados por el campo eléctrico del colector; dado que la capa de
base es muy delgada, ocurre muy poca recombinación de pares electrón-hueco en ella y la
gran mayoría de los electrones atraviesa hasta el colector.

La corriente de base iB , muy pequeña, está constituida por dos partes:

- La (pequeña) fracción de iE debida a huecos que viajan desde la base hacia el emisor.
- La (pequeña) recombinación, en la base, de pares electrón-hueco.

La suma de estas contribuciones representa un total del orden del 1% de la corriente emisor
iE .

En resumen, al polarizar directa la juntura base-emisor se establece una corriente iE , la

mayor parte de esta corriente proviene desde el colector ( iC ) y sólo una pequeña fracción
desde la base ( iB ).
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Nótese que, considerando el transistor como un nodo, debe cumplirse la ley de corrientes de
Kirchhoff (KCL):

iE = iC + iB (3.2)

de acuerdo a los sentido anotados en la figura 3.2.

El hecho de poder lograr una (gran) corriente de colector iC , o de emisor iB , es el que

permitirá los procesos de amplificación.

Es válido así clasificar el transistor de juntura como un “dispositivo de tres terminales,

amplificador de corriente y controlado por corriente”.

Se define el parámetro α como la razón entre la corriente de colector y la de emisor:

iC
α= (3.3)
iE

Para transistores comunes actuales el rango de valores para α está entre 0.9 y 0.999,
siendo 0.99 típico.

La relación entre la corriente de colector iC y la corriente de base iB se plantea, usando el

parámetro α , como:

iC α iE α
= = =β (3.4)
iB (1 − α ) iE 1 − α

β varía en un rango de 10 hasta 1000, siendo 100 un valor típico.

La figura 3.3 esquematiza el flujo de corrientes en un transistor de juntura tipo npn.

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Figura 3.3: Flujo de corrientes en un transistor npn operando en zona activa (directa).

Nota: el parámetro β es llamado también hFE .

De acuerdo a las descripciones anteriores es posible graficar las curvas típicas V-A para los
pares de nodos B-E y C-E. Estas curvas, para un transistor con β = 100 , se indican en la
figura 3.4.
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Figura 3.4: Curvas típicas de un transistor en configuración emisor común.

Debido a las idealizaciones implícitas en las descripciones anteriores, las curvas reales de
un transistor diferirán de las de la figura; sin embargo, las diferencias -en un “buen”
transistor- son pequeñas y, para aplicaciones de no muy alta precisión, es válido el modelo
y características planteados.

Amplificación

De la figura 3.4a) se puede apreciar que, si la juntura base emisor está polarizada
directamente, esto es, conduciendo alguna corriente, un pequeño cambio o variación en la
tensión aplicada vBE provocará un significativo cambio en la corriente iB .

Si a la vez la juntura colector base está polarizada inversa (esto es, vCE mayor que algunas
décimas de volt), el cambio de iB provocará un mucho mayor cambio de iC . Con resistores
dispuestos en el camino de la corriente de colector, la variación de iC generará variaciones
de tensión en dichos resistores de magnitud mucho mayor que la variación inicial de vBE .
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Así, se produce la amplificación de la señal aplicada en la juntura base-emisor.

Un circuito elemental de amplificación se muestra en la figura 3.5:

Figura 3.5: Amplificador elemental

Supóngase, a modo de ejemplo y utilizando el circuito de la figura 3.5 que:

Vcc = 10 [V ]
VBB = 1.6 [V ]
RC = 2 [ K Ω ]
RB = 40 [ K Ω ]
vi ( t ) = 0.4 sen ( 2000π t ) (sinusoidal de 1[KHz])
Transistor con caract. indicadas en las
figuras 3.6 y 3.7

Se pide encontrar el punto de trabajo Q (del par de nodos colector-emisor) y los valores
máximo y mínimo que alcanza la tensión vCE .
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Figura 3.6: Etapa de entrada Figura 3.7: Etapa de salida

Dado que las características del transistor son conocidas en forma gráfica, el método de
solución debe ser del mismo tipo (en lugar de uno analítico o en base a expresiones).

El circuito de entrada, que determina el estado de la juntura base-emisor, incluye una fuente
de tensión continua VBB , una fuente de señal alterna vi con valor peak 0.4[V], y un resistor
de 40 [KΩ], además de la juntura semiconductora. Para su análisis se utiliza, tal como en la
situación análoga para el caso de un diodo, el trazado de la “recta de carga”. Dado que el
circuito incluye un elemento no-lineal como lo es la juntura base-emisor, no es posible
utilizar (aplicar) el teorema de superposición que hubiera permitido analizar separadamente
el efecto de cada una de las dos fuentes de tensión presentes.

Se puede analizar, con relativa facilidad, el estado de la juntura para algunos valores
significativos, por ejemplo el punto de trabajo Q (cuando vi ( t ) = 0 ) y las excursiones
máximas de él cuando vi ( t ) alcanza sus valores máximo positivo (+0.4[V]) y máximo
negativo (-0.4[V]).

Los tres valores significativos anotados corresponden a la situación presentada en la figura

3.8:
Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura 3- 9

Figura 3.8: Determinación de la recta de carga para valores significativos de la tensión aplicada.

El trazado de las rectas de carga se facilita escogiendo, tal como se recomendaba en el caso
del diodo, dos puntos de ella de simple determinación: la intersección con el eje de la
abcisa ( vCE ) se encuentra anulando la ordenada ( iB ), éste corresponde a la tensión total; la
intersección con el eje de ordenadas se encuentra suponiendo nula la abcisa o tensión. Las 3
rectas de carga aparecen sobre la misma figura 3.6.

La intersección de cada recta de carga con la característica V-A de la juntura nos permite
determinar los coeficientes estados de operación:

- Para vi ( t ) = 0 , se encuentra el punto Q, identificado por I BQ ≈ 25 [ µ A] .

- Para vi ( t ) = 0.4 (máximo positivo de la señal) se encuentra el valore máximo que

alcanza la corriente de base, identificado como IlB ≈ 35 [ µ A]

- Para vi ( t ) = −0.4 (máximo negativo de la señal), se encuentra el valor mínimo para la


misma corriente, identificado como I B ≈ 15 [ µ A] .

Resumiendo, el comportamiento del circuito de entrada:

- La aplicación de una tensión continua de 1.6[V] produce una polarización de la juntura,

estableciéndose una corriente de base de 25[µA].

- Al suponer una señal alterna de 0.4[V] peak de base crece hasta un máximo de 35[µA]
y decrece hasta un mínimo de 15[µA]. Dado que entre ambos puntos extremos la
característica de la juntura es (prácticamente) una recta, el comportamiento para puntos
intermedios puede ser obtenido por interpolación (además de gráficamente).

Para el análisis de la etapa de salida se hace uso de la información disponible gráficamente

según la figura 3.7. Las curvas muestran la relación iC y vCE parametrizada en función de
la corriente de base iB .
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Sobre la misma gráfica se traza la correspondiente recta de carga, determinada a partir de:

Los puntos significativos se encuentran haciendo:

a) iC = 0 ⇒ vCE = 10 [V ]
10 [V ]
b) vCE = 0 ⇒ iC = = 5 [ mA]
2 [ K Ω]

La recta de carga se muestra en la misma figura 3.7.

Dado que se ha resuelto previamente la etapa de entrada, determinando los valores

significativos (y requeridos) de la corriente de base, se conocen consecuentemente los
valores de parametrización, esto es, las curvas sobre las cuales se ubicarán los puntos
significativos de la etapa de salida.

Los puntos se encuentran en la intersección de la recta de carga con la curva parametrizada

correspondiente:

- Para iB = I BQ = 25 [ µ A] , iC = I CQ = 25 [ mA] . Así, vCE = VCEQ = 5 [V ] .


- Para iB = IˆB = 35 [ µ A] , iC = IˆC = 3.5 [ mA] . Así, vCE = 3 [V ] = VCE .
 
- Para iB = I B = 15 [ µ A] , iC = I C = 1.5 [ mA] . Así, vCE = 7 [V ] = VˆCE .

Se ha encontrado así el valor de la tensión colector-emisor, tanto para el punto de trabajo Q

como para las excursiones máximas alrededor de él. Dado que las curvas paramétricas se
aprecian equidistantes (correspondientes a incrementos iguales del parámetro), también en
esta etapa los valores para los puntos intermedios pueden ser obtenidos por interpolación
(además de gráficamente).
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Las curvas muestran el comportamiento temporal de la señal de entrada y de la tensión

entre el colector y emisor (señal de salida).

Se aprecia que la saluda es una versión amplificada de la señal de entrada y,

adicionalmente, invertida o desfasada en 180º.

Se define la “ganancia de tensión” como la relación tensión de salida v/s tensión de entrada;
para el ejemplo:

vs vCE − ( 7 − 5 )
Av = = = = −5
vi vi 0.4

El signo negativo representa la inversión de fase (o relación de fase de 180º entre la señal
aplicada en la entrada y la señal disponible en la salida).

El ejemplo planteado tiene carácter utilitario, esto es, ha servido para mostrar que es posible
lograr amplificación de una señal, pero no corresponde en propiedad a configuraciones de
utilidad o aplicación práctica.
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Configuraciones típicas de polarización

Para una gran variedad de señales es posible aprovechar el hecho que ellas son de “banda
doblemente limitada”, esto es, siendo señales alternas, su frecuencia se encuentra dentro de
un rango limitado tanto en el extremo alto como en su extremo bajo: la señal no tiene
frecuencias menores que un cierto valor ni menores que otro.

Al estar las frecuencia bajas siempre por sobre un valor mínimo (límite inferior del rango),
es posible separar su tratamiento o proceso de los niveles de tensión y corriente continua
necesarias para “polarizar” el transistor, esto es, para fijar su punto de trabajo.

Así, con el empleo de condensadores, es posible aislar las tensiones continuas, tanto en los
terminales de entrada como en los de salida, circunscribiendo el análisis de C.C. a redes
más simples.

La polarización tiene por objetivo fijar un punto de trabajo Q (llamado “punto de

polarización”), en cuyo entorno se producirán excursiones al superponer la señal aplicada
en la entrada.

La polarización queda identificada por las tensiones y corrientes en cada uno de los
terminales del transistor; las condiciones o valores que estas variables deben asumir están
determinadas por diversos criterios y especificaciones, resultando comúnmente en
soluciones de compromiso.

Es usual que las fuentes continuas estén predeterminadas por consideraciones previas de
diseño a nivel de sistema. En otras ocasiones habrá que elegirlas de entre algún conjunto
finito de valores disponibles.

En cuanto a las resistencias involucradas, se tendrá, en general, amplia libertad en cuanto a

su elección; sin embargo, la utilización de diversos criterios reducirá tal amplitud
sugiriendo valores o rangos pequeños de valores recomendados.

La diversidad de criterios a considerar incluye elementos tales como:

- Amplitud de máxima señal de salida (“swing”).

- Consumo de potencia (para polarización)
- Niveles de impedancia de entrada y salida.
- Estabilidad del punto de trabajo ante variaciones en las características del dispositivo
(por reemplazo, por efecto de la temperatura, etc.)
- Otros de menor relevancia.

Las configuraciones de polarización más usuales se indican en la figura 3.9.

Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura 3 - 13

Figura 3.9 Configuraciones con distintos valores de polarización

Para las tres configuraciones, los valores de polarización pueden ser calculados en forma
simple; resultan en función de la tensión de polarización (+Vcc), de los valores de las
resistencias y de las características típicas del transistor (tensión VBE típica, β ).

Los valores de polarización, por conveniencia, se identifican mediante mayúsculas y con

subíndices para indicar la referencia.

Convención de nomenclaturas:

- Valores continuos: variable mayúscula, subíndices mayúsculas.

- Valores alternos: Variable minúscula, subíndice minúscula.
- Valores totales: variable minúscula, subíndice mayúscula.

Configuración de la figura 3.9a: para plantear ecuaciones de cálculo de los valores de

polarización se logran expresiones simples si se desarrolla previamente un equivalente
Thévenin del divisor de tensión en la base (formado por R1 y R2); el circuito se modifica a:
3 - 14 Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura

En el circuito:

R1
VBB = VTh = Vcc ⋅
R1 + R2
RBB = RTh = R1 // R2

Aplicando LVK en el circuito base-emisor:

VBB = I B RBB + VBE + I E RE

= I B RBB + VBE + ( β + 1) I B RE

donde β y VBE son conocidos (especificados); entonces se resuelve:

VBB − VBE
IB =
RBB + ( β + 1) RE

y se puede calcular así:

IC = β I B
I E = I C + I B = ( β + 1) I B

y también las tensiones:

VC = Vcc − I C RC
VE = I E RE
VB = VE + VBE = VBB − I B RB

de donde:

VCE = VC − VE
= Vcc − I C RC − I E RE
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Aproximaciones: si se considera β>>1 (típicamente en el orden del centenar), es válido

despreciar la unidad en la expresión para I E , esto es:

I E = β I B = IC
y VCE = Vcc − I C ( RC + RE )

Los valores así calculados constituyen la polarización, denotándose con un subíndice Q

(quiescent) adicional:

I BQ , I CQ , I EQ , VCQ , VEQ , VCEQ ...

Configuración 3.9b: las ecuaciones de cálculo (análisis) pueden ser planteadas

directamente:

LVK en base-emisor:

Vcc = I B RB + VBE + I E RE
= I B RB + VBE + ( β + 1) I B RE

obteniéndose:

Vcc − VBE
IB =
RB + ( β + 1) RE

y las siguientes ecuaciones son idénticas a las de 3.9a.

Configuración 3.9c: la posición de RB, que constituye una forma elemental de

“realimentación” o “retroalimentación” complica levemente el análisis; debe notarse que
por RC circulan tanto la corriente de colector como la de base (suma igual a la corriente de
emisor):

Vcc = ( I C + I B ) RC + I B RB + VBE + I E RB
= ( β I B + I B ) RC + I B RB + VBE + ( β + 1) I B RB
= ( β + 1) I B RC + I B RB + VBE + ( β + 1) I B RB
= I B  RB + ( β + 1)( RB + RC )  + VBE

logrando:

Vcc − VBE
IB =
RB + ( β + 1)( RC + RB )
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y así,

VC = Vcc − ( I C + I B ) RC
= Vcc − I E RC

VE = I E RE
VCE = VC − VE = Vcc − ( RC + RE ) I E

En resumen, para análisis de la polarización de una etapa (un transistor) amplificadora, los
valores pueden ser obtenidos mediante la utilización simple de los métodos (teoremas)
elementales de redes: LVK, LCK, equivalente Thèvenin.

Análisis del comportamiento de la señal

Si se observa en forma crítica el método utilizado para demostrar la capacidad de amplificar

tensión de una etapa transistorizada, es válido concluir que éste –si bien no tiene
complejidad conceptual- es bastante engorroso, poco práctico dado su carácter
eminentemente gráfico. Es natural esperar que debe haber otras formas alternativas más
cómodas.

Cuando es posible separar la señal (alterna) de las respectivas variables de polarización, en

virtud de que la señal no posee componente continua (tiene valor medio nulo), será posible
también aplicar la señal de entrada de forma diferente a la del ejemplo de la figura 3.5,
siendo común conectarla directamente a la base (o al circuito base-emisor).

Si se observa ya sea la curva típica de base-emisor de la figura 3.4 o la de la figura 3.6, se

aprecia que al superponer una tensión de señal a la tensión de polarización (punto Q) se
producirán variaciones de la corriente de base (esto es, una corriente de señal).

Dado que la curva v-i de la juntura B-E en el entorno del punto Q puede ser aproximada por
una recta, la relación entre la tensión de la señal y la corriente de señal se puede modelar
por medio de la Ley de Ohm, pendiente de la curva (recta alrededor de Q).

Este valor resistivo se denomina “resistencia dinámica de la juntura base-emisor”, y se

designa como hie :

∆VBEQ
hie =
∆I BQ
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para aplicaciones comunes este parámetro puede ser considerado aproximadamente

constante; de la ecuación (3.1) y recordando que la señal vbe (“pequeña señal”) provoca
leves desplazamientos, esto es, vbe  VT , se puede obtener:

VT βV
hie = = T
I BQ I CQ

Para obtener una idea de la magnitud, es posible evaluar considerando (a temperatura

ambiente) VT =26[mV] y un β típico de 100, se obtiene –para ICQ =1[mA]- hie = 2600[Ω].

Así, hie varía, según la polarización, típicamente entre algunos cientos de [Ω] y algunos
[KΩ].

Una designación alternativa para hie es rπ .

Es posible entonces, para una señal vbe aplicada a la juntura base-emisor, calcular la
corriente de señal en la base ib como:

vbe ( t )
ib ( t ) =
hie

obviando el método gráfico.

La corriente peak de la señal ib calculada producirá una corriente de señal en el colector

( ic ) β veces mayor.
ic ( t ) = β ib ( t )

Se tiene así los elementos para plantear un MODELO DE SEÑAL o MODELO PARA
SEÑAL, cuando ésta se aplica superponiéndose a los valores continuos sw polarización y
produciendo pequeñas excursiones de ellos.

Figura 3.10: Modelo de señal de un transistor de juntura

El modelo se describe como “una fuente de corriente controlada por corriente”.

3 - 18 Fundamentos de Electrónica – Transistor de Juntura

Los sentidos de la fuente controlada β ib y de la variable de control ib se pueden elegir por

convención, ya sea ambas fluyendo hacia el emisor o ambas fluyendo desde el emisor; en
todo caso, dado que se trata de señal alterna, cualquiera sea la convención que se adopte, se
estará representando la situación en un semiciclo de la señal (para el otro semiciclo ambos
sentidos se invertirán). Se recomienda unificar la convención a la de la figura 3.10, tanto
para los transistores npn (utilizado hasta ahora en toda la explicación y ejemplos), como
para transistores pnp.

Contando con el modelo de señal y con las ecuaciones previas de análisis de polarización,
es posible ahora la solución analítica (no gráfica) de las configuraciones prácticas más
utilizadas,

El método se inicia resolviendo la polarización, de donde al obtener ICQ será posible

calcular hie , y entonces aplicar y resolver el modelo de señal.