\ ELECTRONICA Electronica Analégica. EI Diodo y Fuentes de Alimentacién E Marco - |, Dofiate- J. Campos_? [I Ei iplo 1 Sile rigider dieléctrica del aire es cle unos 30 kV/cm y la tensién en el tubo de rayoscayg, dicos de un televisor 6s de unos 25 kV: 1. gAque distancia se produce un arco eléctrco si acercamos un material conductor 2, Seria prudente acercar un destorilladorsujeto con la mano para ver como sai yy arco eléctrico? Vv. _25kV_ ~ 0,833 em E 30kVicm 2. No seria prudent, porque la rigidez diléetrica del mango eislante do un destornit, dor sucle ser de 15 kV/om, con lo que el arco atravesaria el aislante del destorniltadgy para pasar ala mano. EJERCICIOS 3 4 @ Semiconductores En los materiales semiconductores, la separacién entre la banda de valencia y la banda de conduccién es de 1 eV. Esto significa que es necesario aplicar una pe- queria cantidad de energia para provocar su conduccién. Los semiconductores, a la temperatura del cero absoluto, no tienen electrones li bres y se comportan como aislantes. Sin embargo, a la temperatura ambiente, se consigue suficiente energia como para liberar electrones de la banda de valencia y pasarlos a la banda de conduccidn (fig. 15). Los elementos semiconductores més caracteristicos son el germa- nio y e| silicio. Este Ultimo adquie- re cada vez més_importancia, mientras el germanio queda rele- gado sélo a aplicaciones muy es- pecificas, por lo que hoy dia ya se puede hablar del silicio como ma- terial semiconductor por excelen- cia, en las aplicaciones de electro- nica Banda de conduccién Bande prohibida Banda de valencia Fig. 16. Bandas de energia en un Semiconductor semiconductor. 50 a> a: que el silicio sea mas usado que el ginecho Lb a temperatura ambiente, el silici ments “cual resulta beneficioso, mientras que bres a facilmente y esto es contraproducente nes ™ Germanio es debido fundamental- ‘0 tiene muy pocos electrones li- en el germanio se liberan electro- en determinadas aplicaciones. de los semiconductores estructura ctores se caracteri- Los tea electrones en su 20 Pott , de manera que su utirna va atomica esté formada enlaces covatentes, Con ello Tronsigue que cada dtomo dis- Sow de estructura estable con 8 Porat ves: los 4 propios més los 4 See comparte con los 4 dtomos Jocinos (fig. 16). Fig. 16. a) Estructura atémica de los semni- ‘conductores; b) representaciones simplif @ @ ° @ Los enlaces covalentes mantienen ligados los electrones de forma que tan sdlo °S posible liberarlos mediante la aplicacion de energia. ; : la energia necesaria para romper un enlace covalente y producir un slostrén bre es del orden de 10 18 julios (0,24 - 10" calorias) en el germanio y de 1, lulios 0,43 - 10" calorias) en el silicio. ; En general, 1a temperatura ambiente proporciona suficiente energie samo para omper algunos enlaces covalentes. Ello significa que alectrones de a banda de calencia pueden atravesar la banda prohibida y pasar ala hand de conduceién, “on la consiguiente generacién de huecos en la estructura de enlaces 51ay Ahora podemos dar un concepto mas completo de hueco del que teniamos hasta este momento. Un hueco es la ausencia de hueco la ausencia de un electron que no perteneze, forman la red. un electron en la estructura de enlaces, No se puede entender com a. uno de los enlaces covalentes que Jonductor puro 0 intrinseco, todos los eles, semic patel Led talicat arate encia de uno de ellos provoca un hueco, trones forman parte de enlaces y la aus ; En lo que se refiere a su estructura cristalina, tanto el germanio como el silicig forman estructura rombica, aunque en numerosas ocasiones se adopta la estruc. tura cibica para simplificar el dibujo de la estructura del 4tomo y con ello facilitar la comprensién de su funcionamiento. Influencia de la temperatura en los semiconductores Cuando un semiconductor esta sometido a la temperatura del cero absoluto, se comporta como un aistante, ya que no existen electrones libres en la red. Todos ellos forman enlaces covalentes y no hay suficiente energia para romperlos yi berar electrones. Pero esta situacién no es la que nos encontramos en la Practica (fig. 17). A temperatura ambiente, por agitacién térmica, se rompen algunos enlaces co- valentes y se liberan electrones. Con ello, se forman huecos de forma desordene da y aleatoria (fig. 17b). Conforme se aumenta la temperatura por encimns «\e i= ‘emmperatura ambiente, el nimero de electrones liberados y huecos que se form. es muy grande, asi que puede considerarse al material como un conductor ‘>. Vc), HH Fig. 17. Influencia de 10; b) a la temperatur temperature en un semicor mi n mnductor: to a compert conn 8) 2) alta de! cero absoluto se comporta como aislan S¢ comporta como semiconductor; ‘emperaturas se comporta como conductor 52: Tec) 5 8 200 400 e000 é 6 E 6 g¢ 2 © 200 400 600 800 1000 1200 : Temperatura b TUK) Fig. 18. Variacién de la resistividad en funcién de la temperatura: conductor (cobre). 3) en un semiconductor; b) en un Vemos, pues, que la temperatura va a ser un factor muy importante para tener en cuenta al trabajar con los s=rniconductores. Las variaciones de temperatura pro- vocan importantes cambics 2° el comportamiento del semiconductor, por lo que habitualmente causan prot: us que deberemos resolver. @ Semiconductores :itrinsecos Es posible realizar una clasificacion de los semiconductores seguin su estado de pureza o contaminacién con otras sustancias. Se denominan semiconductores intrinsecos a los semiconductores pu- ros, en los cuales la totalidad de los étomos son del mismo material se- miconductor. En los semiconductores intrinsecos, la estructura del cristal que se forma esta completa, pues todos los dtomos disponen de 8 electrones (4 propios mas 4 com- Partidos). La estructura quimica es estable, ya que todos los enlaces covalentes estén formados y ademas estan completos. En cuanto a la estructura eléctrica de un semiconductor intrinseco, se puede ase- Gurar que es neutra, ya que en cada 4tomo existe el mismo numero de protones Que de electrones, con lo que se compensan sus cargas eléctricas. 53eS 1 ningun tomo de otro materiay g, Uy puro (que no contien (fig. 19). Un cristal de silicio semiconductor intrinseco Electrones de valencia Fig. 19. En.un cristal muy extenso de semiconductor intrinseco, todas los electrones forman enlaces covalentes. Cuando un semiconductor intrinseco se somete a la temperatura ambiente, hay una serie de enlaces covalentes que se rompen, con lo que se generan electrones libres. Cada electron liberado deja un hueco en la estructura cristalina (fig. 20). El nume- ro de huecos generados en la banda de valencia es igual a! de electrones libera- dos a la banda de conduccién. Cuando el ineremento de io ‘ernperatura es el tni- co efecto que actua sobre el semiconductor, hay una genorecion equivalente de electrones que de huecos, llamada generacion de pares ©! >trdn-hueco. Electron Hueco Fi 7 {7 20, Liberacion de un electron yformacion de un hueco. 54mig u otro sentido de forma aleatoria, electrones y huecos circulan en u en ocasiones, al cruzarse en sus drbitas par este lugar. A este fenémeno de genomina recombinacion, cuando aplicamos tension a un semiconductor intrinseco, le introducimos ener- gia fig. 21), que provoca la ruptura de mas enlaces Covalentes. Los electrones imés proximos al Polo positivo de la pila son atraidos por dete yabandonan su en- lace. Los electrones cercanos al polo negativo de la pila son rapelides por éste y emprenden camino a través de los huecos hacia el p 1010 positivo. Fig. 21. Aplicacion de energia eléctrica a un cristal semiconductor intrinseco. Elefecto resultante es que los electrones circulan hacia el polo positivo de la pila, mientras que los huecos se dirigen hacia el negativo (fig. 22). La corriente en un Semiconductor esta formada por los dos tipos de flujos: el de electrones en un Sentido y el de huecos en el sentido contrario. Podemos obtener c omo conclusién que un semiconductor puro se diferencia de cea cnductor en que su resistencia eléctrica es mayor. Pero se trata de una con- Gisién incompleta, ya que ademas de tener otro tipo de enlaces atomicos, la re- Stencia que ofrece al paso de la corriente no es constante. 55Electror Hluscos: Fig. 22. Corrientes de electrones y huecos. La resistencia de un semiconductor cambia de forma importante con la tempera- tura, pero también lo hace en funcién de la tension aplicada, porque a mayor ten- sién existe mayor energia para liberar enlaces y, por lo tanto, aumenta la conduc- tividad del material. El semiconductor intrinseco 0 puro se comporta, en rincipio, como una resisten- cia, cuyo valor depende de la temperatura y de la te=’°n aplicadas (fig. 23). Far (A Semiconductor (A) TY intrinseco ER Soin Ie ng]ve Stomos (10° dtomos). Si en 1 ee thse tree ee Ga trillones) atomos, a sernperate ambien irculasen ordenadamenta sie) Pare electrén-hueco (ig. 2a) alte ci : oes cecaWA ma de corriente eléctrica, su valor ape. Tom? de Gea 20°C @ Diez mil trllones de dtomos (1072) 121 pAems Diss 119] de pares electron-hueco. 1 lectrén -ad mil millones (102) de étomos Fig. 24. Generacién y scién de pares electrén-hueco en un semiconductor puro. @ Portadores de corriente Los electrones tienen carga eléctrica negativa y se considera que los huecos tie~ nen carga eléctrica positiva de magnitud igual y contraria a la del electron. Tanto los electrones como los huecos transportan la carga eléctrica cuando circulan de manera ordenada en forma de corriente, por lo que se denominan portadores de Corriente, o portadores de carga eléctrica. Elnumero de cargas eléctricas (electrones o huecos) libres por centimetro cubico de material recibe el nombre de concentracién de portadores. En el silicio alcan- 2a el valor de 1,45 - 10" portadores/cm? y en el germanio 2,4 - 10°? portado- resiem?, EJERCICIO 5, 872, eens iente eléctrica, lo someti i ‘a corriente 5 emos a Sia un conductor recorrido por un Un edie po magnético perpendicular al conductor, aparece bpk useea Sobre los ports, a res que los desvia de su trayector'a, de forma it eed nen sus extremog. Estas acumulaciones de cargas dan origen @ une rs ia de potencial transve,, sala la direccién de la corriente que recibe el nom Potencial de Hall (y,, En 1879 Hall descubrié la forma de demostar ol signe ea los portedores en i tenia el pot 4 Si los 1a. Mediante su experimento, se ob! ncia ui los por eAdores eran particulas positivas. Pero en la practica, el potencial cambiaba q. signo, lo que significaba que las particulas moviles eran negativas, es decir, que la corriente eléctrica estaba pro: ducida por los electrones. Fig. 25. Efecto Hall Si tomamos el conductor de la figura 26a, en el que circula una corriente en el sentido indicado, al aplicar un campo magnético perpendicular al plano del pa pel, se produce un desplazamiento de las cargas eléctricas que forma acumula- ciones de cargas en los extremos superior e inferior del conductor. Si esas cargas se comportan como negativas (electrones), se desplazan haci arriba y forman el potencial Hall V, que se muestra en la figura 26D. Si las carga son positivas 0 se comportan como positivas (huecos), la fuerza de desplaz® miento actua en sentido contrario al anterior y forma el potencial Hall Vx 4U° * muestra en la figura 26c. Otras aplicaciones de este efecto son la determinacién de la velocidad de 10s PO” tadores, el numero de portadores por unidad de volumen, medida de camPe magnéticos, etc. Entre ellas cabe destacar la sonda de efecto Hall, utilizada "i electronica para la medida de intensidades continuas sin tener que interrumP! circuito de medida, 58Corriente de electrones Corriente de huecos Fig. 26. Empleo del efecto Hall para averiquar el sig- ¢ 1no de los portadores que provocan la conduccién. Bf Semiconductores extrinsecos Para las aplicaciones de e'eetronica, se requieren semiconductores con una ma- yor conductividad que !a praporcionada por los semiconductores intrinsecos 0 puros, pues en éstos se “eves''» una energia relativamente grande para romper los enlaces covalentes. Con el fin de aumentar la conduc- tividad de los semiconductores, ‘se les afiaden impurezas. Las im- Purezas con las que se contamina este tipo de semiconductores, de- ‘Nominados extrinsecos, impurifi- ¢ados 0 dopados, son elementos de los grupos 3B 6 5B de la tabla Periédica de los elementos quimi- Cos (fig. 27). Seguin el tipo de impureza con Que han sido dopados, los semi conductores extrinsecos se clasifi- Gan en: semiconductores tipo Ny - Semiconductores tipo P. 3b 4B 5B 1s con los que se impurifican los semiconductores. Fig. 27. Materi 593 a insecos tipo N ’ . Semiconductres extrinses0s *P® elecronas Hoesen un cra . ntimon ay on materiales Caos slectrones de valeneo"® ir, SE impurifi ‘ cuales tit ' 7 cae setara iP) 0 arsénico (As), 108 eno ha sido dopado, tiene su g u struc. iconductor puro, a valentes for: . Recordemos que un semicon resenta todos los enlaces CO ™mados gi, imica estable, ya @ tura quimica rica es neutra, ya que el uuctura eléct ee ingiin electron. Su estrus al nlimero de electrones sobrar ni faltar ning lect Sie tiene igual faa rial semiconductor (g' protones. 7 ‘Supén que en la estructura i ae tomo de cristal semiconductor, . con cinco electrones de valencia, P' semi. Para conseguir una | cristal puro sustituimos covalentes del , u un eee ejeitipO silicio, por un atomo de impurers F ejemplo arsénico (fig. 28). Semiconductor tipo N Cristal de silicio tipo N ‘Atomo donador Fig. 28. Formacién de un cristal de tipo N. Cuatro de los electrones de la impureza forman cuatro enlaces covalentes con los cuatro étomos de semiconductor que la rod: enlace, pero que tampoco tiene sitio en la més de ocho electrones. A la temperatura Gel 0 absoluto, este electron se sitda en un nivel discreto d¢ diana anuy Préximo a la banda de conduccién (fig, 29), Ee posible liberarlo me diante la “plicacién de muy poca energia, de forma que a temperatura ambient? hasa a la banda de conduccién. Al cristal asi f nomina semicon” ductor extrinseco de ti i Peeleganda de condecion Nivel de energia donadores. anda de valencia Fig. 28. Niveles de energia en un cristal de tipo N. ee aaa estable. Su estructura eléctrica sigue siendo neutra, porque el atomo de irmpureze también tiene el mismo numero de electrones que de proto- nes. Si perdiese él electron, el tomo de impureza se convertiria en un ion posi vo, ya que quedaria con un numero de protones ‘ jue superari de electrones. a iperaria en una unidad al Seguramente, a la vista de la explicacién anterior, ya habrés adivinado que un se- miconductor extrinseco nunca puede tener las dos propiedades conjuntamente. Si su estructura quimica es estable, su estructura eléctrica no es neutra. Y al re- vés, cuando su estructura eléctrica sea neutra, no sera estable quimicamente. En un semiconductor ¢ » temperatura ambiente, todos los electrones proce- dentes de las impure pesado a la banda de conduccién, de forma que existen tantos electron: © | :omo impurezas. Elntimero de impure jue se dopa un semiconductor para hacerlo extrin- seco es muy variable, finalidad a que se destine. Una cantidad para bue- na parte de las aplicacicmes puede ser de un tomo de impureza por cada millon de étomos de semiconductor. Sise tiene en cuenta que en un semiconductor intrinseco se libera por agitacion ‘térmica un electron por cada mil millones de atomos, ahora, para la misma canti- dad de dtomos se liberan mil electrones. Debe observarse que no se liberan mil huecos, ya que tan solo deja un hueco el electrén que abandona un enlace, y es- tos electrones no pertenecen a ningun enlace covalente. Para una determinada temperatura aplicada a un semiconductor, la concentra- cién de portadores tan sdlo depende de la concentracion de impurezas. La mayoria de portadores existentes en el semiconductor de tipo N son los elec- trones, que reciben el nombre de portadores mayoritarios. El nimero de huecos 8, como hemos visto, muy reducido, y se denominan portadores minoritarios. Los portadores mayoritarios proceden siempre de la ionizacion de las impurezas (en este caso donadoras), mientras que los portadores mino- ritarios proceden siempre de la ruptura de enlaces covalentes. 61extrinsecos tiP? P 9s ey dente: Semiconductoré afaden impurezas procedentes del gry, evn sericonaucror PUTSE CG) ajuminio (All, el galio (Ga), o a1? 38 dg Siau 0 «1 boro (Ege obtiene un semiconductor tipg p° I), Ia tabla periddioa, COP? Ge valen ae : el jemplo, silicio) se susti que tienen tres ductor (por el stituye emiconductor (Po Por i uno de los atomos 4° Sra, indi (fia. 99 Woe tres electrones dev Siomo de impureze (POF SIO 24, impureza formar enlaces covalent? ntes 2 este At0MP Ti i5 que le rodean. El cuarto electron ng yy enueco en la red cristalina, "0 Buedg ‘Semiconductor tipo P Cristal de silicio tipo P Atomo aceptador Fig. 30. Formacin de un cristal de ti Los 4tomos trivalentes con que se ha dopado el semivunductor se denominan impurezas aceptadoras, por la cualidad del cristal resuii.vite de aceptar electro: nes. Enel semiconductor extrinseco de tipo P asi formado, la estructura quimica no es estable, ya que no tiene todos sus enlaces covalentes formados. La estructura eléctrica sigue siendo neutra, ya que el tomo de impureza tiene tantos electro” nes como protones. Si ganase un electrén, ocuparia el hueco y dejaria una es tructura quimica estable, pero a cambio, eléctricamente se convertiria en un ion negativo. i hse es pases ocupado por un electron de un enlace covalente proxim con lo que podremos decir que se h hae | a desplazado el hueco lugar de donde salié el electrén. 4 ee Los portadores mayoritarios y, un cristal tipo P son los huecos, re (j ihe ‘a algun electron por agitacion te Por tanto, los responsables de la conduccion & mientras que los electrones (Unicamente $° . férmica) son los portadores minoritarios (fig: *" os ee id Los portadores mayoritarios proceden siempre de la ionizacion 0 =? impure, : }purezas (en este caso aceptadoras), mientras que los portadores ™ a de enlaces covalentes. noritaric igit ritarios son originados por la ruptur:ganda de conduccion onda prohibida Nivel de energia aceptadores Bande de valencia Fig. 31. Niveles de energia en un cristal de tipo P. Todo lo dicho sobre los electrones en para los huecos en los semiconductor ponsables de la conduccién (fig. 32). los semiconductores de tipo N es valido es tipo P, pues éstos pasan a ser los res- Fig. 32. Circulaci6n de un hueco. Se acostumbra a identificar al cristal P con postivo y al N con negativo, Sin em- bargo, esta identiticacién debe evitarse. Aunque el cristal de tipo N tenga a Ge electrones (cargas negativas) en su estructura quimica,y el cristal de tino F tenga exceso de huecos (carges positives), no hay que olvidar que ambos tipos de cristales, Py N, tienen estructura eléctrica neutra, ya que todos Seen el mismo numero de protones que de electrones. EJERCICIOS 6,7 8 63sen los cristales PyN ica’ Corrientes eléctri : a mm emiconductor mediante materiales trivalent, op , rificamos un st tar SU conductividat ecto al S04 7 Cuando immconseguimos eumen om tavalentes, CO! ductor puro. smicon Al aplicar una tension & ces yaa su conduccion era muy @ . electrones de los enlaces oon i i Si aplicamos tensi6n a un S27 it habiamos ob; ductor intrinseco, bserva 'e era necesaria bastante energia par, vibe’ ra ductor de tipo N, el polo negativo de ja 15 qUE NO estén situs**ia jepelen 2 todos Joe oe tCar slo, se f _ Situadgg inyecta electrones que rep’ ‘adores mayoritarios). on ello, ma una {os enlaces cova " i Corrie lentes (Part we negativo al polo positive de la pare te eléctrica que circ ula desde el Po! baterig (fig. 33). Corriente de huecos Ce Fig. 3. Corrientes de electrones iQiOe OG y huecos. Si se produce la ruptura de algin enlace covalente, se generan un electrén y un hueee. El electrén se une al resto de los que ya circulan, mientras que el hueco : idamente cubierto por algtin electrén procedente de| jortador minoritario) es répii bierto por n woo negative. Es decir, que el hueco se dirige hacia el polo negativo dela batera, ‘Al aplicar tensién a un semiconductor de tipo P, cuyos portadores mayoritarios ‘son los huecos, él polo positivo de la bateria inyecta huecos que repelen a los. portadores mayoritarios del cristal. Estos se desplazan desde el positivo hasta el negativo, donde son absorbidos por el negativo de la bateria. Otra forma de ex- plicarlo es decir que el positivo de la bateria absorbe e!e-c!vones que son inyecta- dos por el negativo y atraviesan el cristal de hueco en fhi.-9. Si se produce la ruptura de algin enlace covalente, se «ran un electron y un hueco. EI hueco se une a los portadores mayoritarics =: su desplazamiento, mientras que el electron (portador minoritario) toma sen:'do contrario, para dir- girse al polo positivo de la bateria. Como se observa, el efecto de los portadores minoritarios es, en estos casos, despreciable. No obstante, en posteriores explicaciones deberdn ser tenidos en cuenta. @ Resistencias semiconductorasSa Sino till 9.34, Resistencias semi a i Fig. 34. ’ncias semiconductoras: a) resistencia NTC; b) resistencia PTC; c) resistencia LDR: d) resistencia VOR. En un semiconductor extrinseco, la concentracién de portadores es muy grande, yal aumentar la temperatura, se produce una reduccién de la movilidad de los portadores. Por ello, en un semiconductor extrinseco, la conductividad disminu- ye con la temperatura, al igual que en los metales. En este efecto se basan los taristores PTC, Positive Temperature Coefficient (fig. 34b), resistencias cuyo vaio" Sneico aumenta con la temperatura. Para la fabricaci6n de termisivo-s y PTC se emplean éxidos de niquel, man- ganeso 0 cobalto. Un tercer tipo de resister uctoras son fas fotocélulas LDR, Light Dependent Resistor (fig. 34°): Simic disminuye conforme aumenta laluminosidad que incide sobr= lies. Este efecto se debe a que, cuando la energia luminosa que incide sobre la LDR es superior a la anchura energética de fa banda prohibida del material semiconduc- tor con que esté fabricada, se produce una generacién de pares electrén-hueco que hacen aumentar la conductividad del semiconductor. Los materiales con que se fabrican las LDR suelen ser el sulfuro de cadmio o el seleniuro de cadmio, los cuales tienen una banda prohibida mas ancha que el germanio o el silicio, El efecto de la temperatura es menor, lo que permite que la resistencia sea muy alta en la oscuridad, aun a temperatura ambiente. Otro tipo de resistencias semiconductoras son los llamados varistores VDR, Voltage Dependent Resistor (fig. 34d), fabricados con carburo de silicio. La conductividad de este material depende de la tension aplicada, de forma que, conforme aumenta la diferencia de potencial, disminuye el valor éhmico de la VOR. Cuando se alcanza un determinado valor de tensi6n, la resistencia disminuye enormemente, lo que le da utilidad en la proteccién de circuitos contra sobretensiones. EJERCICIOS 9 y 10 65