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13.

‐ ¿Qué significa electrones inyectados, difusión de electrones y colector de
electrones en un BJT?
Electrones Inyectados: Electrones que son agregados adrede en la región emisor
del BJT.
Difusión de electrones: Movimiento de los electrones hacia el colector del BJT que
pasan por los huecos inyectados desde la base hacia el emisor de un BJT.
Colector de electrones: El inyectarse huecos y electrones, surge una corriente
eléctrica que apunta a la región colector del BJT.
14.‐ Exprese la función IS (corriente de saturación inversa del transistor) y para
los parámetros que
Componen la
S
I , verifique que dichos valores oscilan entre 10‐12A a 10‐18A.
[Pág. 382]
Por lo general,
S
I está en el intervalo de
12
10

A a
18
10

A
1
15.‐ ¿De dónde proviene el factor
β
del BJT? Según esto, ¿si el valor de
β
fuera
100, cómo es que se obtiene este valor? [Pág. 383]
Corriente se Saturación: A partir de la Ecuación
de
S
I

Relacionando lasa ecuaciones se obtiene:
De donde
β
se expresa mediante:

,
_

¸
¸
+ ·
b n p D
A
n
p
D
W
L
W
N
N
D
D
τ
β
2
2
1
/ 1
Si
β
es 100 se debe a que la Corriente del Colector es 100 veces la Corriente de
la Base.
1
Sedra y Smith: Circuitos Microelectrónicos 5ta Edición Pag. 382
W N
n qD A
I
A
i n E
S
2
·
T
V BE
v
S c
e I i
/
·
T
V BE
v
b n p D
A
n
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S B
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W
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N
D
D
I i
/
2
2
1

,
_

¸
¸
+ ·
τ
β
C
B
i
i ·
16.‐ ¿Por qué el
β
en la zona activa es distinto que en la zona de saturación?
Al encontrarse en modo activo se utiliza el
β
dado, pero en el modo saturación
al darse como práctico que v v
ec
2 . 0 ≅ el valor de
β
será forzado por ende
distinto.
17.‐ ¿Qué significa el voltaje de Early en un BJT y para qué se le utiliza?
Es el valor donde las líneas gráficas características se unen, este se encuentra en
la parte negativa del eje
ce
v . Sus valores están entre 50v y 100v. Se denomina
voltaje early en honor a J.M. early, quien estudió primeramente este fenómeno.
18.‐ ¿Cómo se prueba la función de transferencia en un BJT npn? [Pág. 411]
Tomando a Vo Como el voltaje de salida y a Rc como la resistencia entre Vcc y el
nodo Colector de Mosfet.
Se obtiene una ecuación de la siguiente manera:
c c cc ce o
i R v v v − · ·
Se reemplaza la ecuación de
c
i en la ecuación anterior y se obtiene la ecuación,
función de transferencia:
19.‐ Respecto a la modelación en pequeña señal: ¿Qué representa el parámetro
π
r y re?

π
r representa la Resistencia de entrada a pequeña señal entre la base y el
emisor del BJT, mirando hacia la base. Se define como:
gm
β
re representa la resistencia a pequeña señal entra la base y el emisor del BJT,
mirando hacie el emisor. S define como:
e
be
i
v
20.‐ Explique el por qué de la existencia de las capacitancias parásitas en un
transistor.
T
V BE
v
S c cc o
e I R v v
/
− ·
21.‐ ¿Qué capacitancias dentro de un circuito con BJT determinan los polos de un
amplificador, para el establecimiento del ancho de banda?
Las capacitancia Cc1( Que se encuentra posterior a la R señal, quien está junto a
la señal de entrada, en el nodo de la base del BJT).
La capacitancia CE ( Que se encuentra en el nodo del Emisor del BJT)
La capacitancia Cc2 (Que va junto en el nodo del colector del BJT)
22.‐ ¿Cómo se evalúa el fL y fH en un amplificador de emisor común? [Pág. 491‐
502]
Para determinar el fH (respuesta de alta frecuencia) se evalúa al BJT con el
modelo a alta frecuencia y las capacitancias que establecen el ancho de banda
se comportan como cortocircuitos perfectos.
señal ent
H
R C
f

· ·
π π
ω
2
1
2
0
Para determiner el fL (respuesta de baja frecuencia) se considera el efecto de los
condensadores que establecen el ancho de banda uno por uno.
1
]
1

¸

+ + ·
2 2 1 1
1 1 1
2
1
C C E E C C
L
R C R C R C
f
π

Se denomina voltaje early en honor a J. pero en el modo saturación al darse como práctico que vec ≅ 0.16.‐ ¿Cómo se prueba la función de transferencia en un BJT npn? [Pág.‐ ¿Por qué el β en la zona activa es distinto que en la zona de saturación? Al encontrarse en modo activo se utiliza el β dado. este se encuentra en la parte negativa del eje vce . 17.M. quien estudió primeramente este fenómeno. Se obtiene una ecuación de la siguiente manera: vo = vce = vcc − Rcic Se reemplaza la ecuación de ic en la ecuación anterior y se obtiene la ecuación.‐ Respecto a la modelación en pequeña señal: ¿Qué representa el parámetro rπ y re? rπ representa la Resistencia de entrada a pequeña señal entre la base y el emisor del BJT.‐ Explique el por qué de la existencia de las capacitancias parásitas en un transistor. función de transferencia: vo = vcc − Rc I S e v BE / VT 19. 411] Tomando a Vo Como el voltaje de salida y a Rc como la resistencia entre Vcc y el nodo Colector de Mosfet. . early. Se define como: β gm re representa la resistencia a pequeña señal entra la base y el emisor del BJT.2v el valor de β será forzado por ende distinto.‐ ¿Qué significa el voltaje de Early en un BJT y para qué se le utiliza? Es el valor donde las líneas gráficas características se unen. S define como: vbe ie 20. 18. mirando hacie el emisor. mirando hacia la base. Sus valores están entre 50v y 100v.

‐ ¿Qué capacitancias dentro de un circuito con BJT determinan los polos de un amplificador. La capacitancia CE ( Que se encuentra en el nodo del Emisor del BJT) La capacitancia Cc2 (Que va junto en el nodo del colector del BJT) 22.‐ ¿Cómo se evalúa el fL y fH en un amplificador de emisor común? [Pág. quien está junto a la señal de entrada. fL =  1  1 1 1 + +   2π CC1RC1 C E RE CC 2 RC 2  . para el establecimiento del ancho de banda? Las capacitancia Cc1( Que se encuentra posterior a la R señal. en el nodo de la base del BJT). fH = ω0 1 = ′ 2π 2πCent Rseñal Para determiner el fL (respuesta de baja frecuencia) se considera el efecto de los condensadores que establecen el ancho de banda uno por uno.21. 491‐ 502] Para determinar el fH (respuesta de alta frecuencia) se evalúa al BJT con el modelo a alta frecuencia y las capacitancias que establecen el ancho de banda se comportan como cortocircuitos perfectos.