Titulo de la obra original: Thyristore ot Trios (Seconde édition) Copyright © by Editions Radio, Paris Reservados todos los derechos de la presente edicion en castellano por MARCOMBO, S. A. Gran Via de les Corts Catalanes, 594 08007 Barcelona 6." reimpresion, 1986 No se permite la reproduccién total o parcial de este libro. ni el almacenamiento en un sistema de informatica ni transmi- sion en cualquier forma o por cualquier medio, electrénico, mecénico, fotocopia, registro u otros métodos sin el permiso previo y por escrito de los titulares del Copyright. ISBN: 84-267-0281-3 Depésito Legal: B-33897-2005 Impreso en Espafia - Printed in SpainINDICE Prefacio 15 Capitulo 1. Introducci6n ss 17 1. ,Qué es el tiristor? Se eee 17 2..La familia de los tiristores_. 2 3, El. mercado de Jos tiristores. 0. 4. . 1 . Capitulo 2. Teoria del tiristor 2 2 1. Estructura y simbolo geen pomganw na BE 2-El tiristor bajo tensin (en estado de | Bloawe) So ¢ fo, 8 me 3. El tiristor bajo tensién directa. . Boe eee 23 4. Principio de cebado por puerta... 6. 1 ee ee 8 5. {Cémo puede cebarse un tiristor? . 3 . 8 6. Curva caracteristica del titistor. . . . . . 1 1 . «25 7. Definicion de los simbolos. . . . . . 1. 1 1.) 26 8 Accién dela puerta... . . ee eee OD 9. Corrientes de fuga. 2 2. 2 ee Capitulo 3. Fabricacién del tiristor. 2... 8 Cask tte 5 2 Técnica “todo difnsién” 32 3. Estructura planar (de barrera aislante). . . . . . - . 35 4. Vidriado peu ISG 5. Estructura epitaxial toe eee eT 6. Contactos. ee em ee on oe SE 6.1. Ensamble por soldadura banda | | | | ss. 88 6.2. Ensamble por soldadura fuerte . . . . . . . + 38 6.3. Ensamble por eae a aie anette wecnese A 7. Encapsulado. 2 oi AO Capitulo 4. El tiristor en conmutacion . . . . 1. 1 ee 4 1. Cebado por puerta - os 4 2. Importancia de 1a velocidad de crecimiento de la corriente |... 43 3. Caracteristicas de puerta . 2. 45 4. Corriente de enganche y corriente de mantenimiento. . . . . 46 5. Extinciém (descebado) . oe wm we RD 6. Limites de frecuencia. . . . . 1 ee ee ee OD 7. Pendiente de tension . |) 8. Régimen de conduccién directa | 1... ss 5210 TIRISTORES Y TRIACS 9. Influencia dela temperatura...) ww ws sD 9.1. Temperatura dela unin. . . . . . 1 ee eSB 9:2. Temperans de a cépmia. . . . ss 10. Potencia disipada. . . ee 54 10.1 Resistencia témica . . 1. 1 1 ww we OSH 102. Impedancia térmica. 2. 1 1 7 ee SS Capitulo 5. Diferentes tipos de tiristores. . . . =. 1 1 1 OST 37 2. be § eB Ewe e = SB 3. Tiristores répidos. 6. ee ee 59 4. El Darlistor . toe Ro ow oe me ow oe | SD 4.1. Caracteristicas diet) sf} ) ff 8 4.2. Cebado del Darlistor . . . 2 1 1 1 we OI Condiciones de cebado sw ee ee 5. El tiristor complementario. 2 | ss _ 64 6. El tiristor de puerta dole... 7. El tirstor bloqueable . . |. |... 9... + + + + 65 71. Funcionamiento » . 1 ee ee 7.2. Caracteristica de puerta... sR 7.3. Circuitos de mando. = 8. El tiristor con unién de puerta. =...) we es oO 9. Histor de pute alee sss 2 10. Fototiristores _. vee ee _ os eeB Capitulo 6 El tac. 2 2. 1. ee ee ee TH LDefnicin 2 2. Betrnctura 2G 3. Cebado del triac 4 Teh 76 3.1. Cebado en el cuadranteI(+ +)...» 5 » » =. 76 3.2. Cebado en el cuadrame W(+—) . - ss 3.3. Cebado en el cuadrante II(——). oe = OF 3.4, Disparo en el cuadrante IV(— +). oun: B 4. Corriente de mantenimiento y cortiente de enganche. |... 79 5. Caracteristica de puerta / 2 6. Efecto de Ia derivada de la tensién con respecto a! sem. dvdt | _80 6.1. Aplicacién de dv/dt sin conduccién previa... ¢ 8D 6.2, dv/dt_en_conmutacién =a ea 6.3, Importancia de la estructura del elemento... ~~~ ~SC«S 6.4. Importancia del circuito de utilizacién . ° . 82 6.5. Importancia del nivel de conduccién, de la velocidad de decreci- mento de Ta coriente y de la tempersturs . + 8 7. La di/dt en los triacs. ‘ Soe Capitulo 7. Elementos de disparo . 2... soa on 8S 1. El diac. . ike 8 eee SS 2. El conmutador unilateral deINDICE un 4.1, Estructura del UIT... 4.2. Funcionamiento del UIT . a8 rr) 5. El transistor uniunién programable un « nr) 5.1, Funcionamiento del PUT . Ro eo 90 5.2, Programaciin. . - ee ee ee ee 6. Disparador asimétrico . 2 ae 3B 1. El diodo Shockley (diodo de 4 capas 0 diodo triton « soe ee 93 8. Disparo por elementos de pelicula gruesa . too OF Capitulo 8. Elementos complejos con tiristores . . . =. . - + 95 1. Quadracs . ee ee 95 2. Conjunto diodo mis titistor fess & eS &@ EF ® 95 3. Puentes mixtos . xo 8 we we Sm 96 4. Acopladores Optics con tirstores |) ff 1} lll 86 5. Relés estiticos . e%* @€ @& 97 6. Médulo de encendido para motores de explosion. . . . . . 97 Capitulo 9. Gobierno de tiristores y triacs. Principios «5. 0. . 98 1, Disparo en cc. «2 ewe ee me ee | OB 1.1. Ejemplo de circuito 4% £ g WE - 8B 1.2. Ejemplo de célllo . . | 1 1 we eee 100 2. Disparo en ca. . +. ewe 6 we wk ww 102 2.1. Ejemplo de célculo | | 4 f em a = n BOS 3. Disparo por impulsos o trenes de onds. | 1) lt - 103 3.1. Disparo por impulso tnico . . . 1. 1 1 wee 108 3.2. Disparo por trenes de ondas . . . . 7. we OS; Capitulo 10. Gobierno de tiristores y triacs: circuitos de todoo nada. . 108 1. Interruptores aleatorios aoe © @S = 2 te % Montgje de interruptores aleatorios . ee ew we ee 108 3. Impedancia Z de disparco. =. . 1 1 1 ee ee OD 4, Interruptores serie y paraielo. | | 1. se eee MR Capitulo 11. Gobierno de tiristores y triacs: mando sincrono. . . . 113 1, Fundamentos . - ¥ 8 we Be 2 we we 113 2, Detector de cero-comparador |. . ) . we ee OS 3. Interruptores sincronos. . 3 sone M6 Capitulo 12. Gobierno de tiristores y triacs: variacién de fotmnete) por mando sincrono 120 1, Fundamentos de los sistemas de nas agelatta. a ewe «10 2. Control por paquetes de semiondas o de periodos enteros. . . - 122 3. Variante para el gobierno de dos tiristores . 124 4. Control por paquetes de periodes enteros mediante ‘un circuito inte: grado (UA 742). 125 Capitulo 13. Gobierno de tiristores y triacs: variacién de potencie oe an- gulo de conduccién. 127 1. Principios . eee s BF 2. Cebado por red RC y rectificacién de onda completa, | | =... 13012 TIRISTORES Y TRIACS Disparo por circuito desfasador . . Disparo mediante circuitos con semiconductores (generalidades) . Disparo por UIT . $.1. Fundamentos |. Determinacién préctica del circuito - .3. Sincronizacién del UIT. 6. Disparo mediante SUS y SBS . 7. Disparo por diac. 8. Disparo por diodo Shockley 9, 10. pape . Disparo por lampara de neén . ). Disparo por transistores 11. Disparo en onda completa mediante tiristor de arrastre 12. Gobierno por un circuito especial (L1) . Capitulo 14. Gobierno de tiristores y triacs: disparo por amplificador mag- nético 1. Disparo por inductancia saturable . 2. Amplificador magnético . 3. Mando continuamente variable . 4. Gobierno por todo o nada . Capitulo 15. Gobierno de tiristores y triacs: dispar de triacs 1. Disparo por impedancia 2. Disparo por transformador aux: 3. Disparo por c.c. a 4. Disparo por circuitos transistorizados 5. Disparo por transistor uniunién . 6. Denes por diac . . . Histéresis . . % Disparo por diodo asimétrico § 8. Disparo por dispositives de pelicula gruesa . r Capitulo 16. Extincién del tiristor Generalidades . . Reimplantacién de Ja tensién directa Modos de extincién . Extincién mediante circuitos LC Apertura de tiristores bloqueables . 5.1. Apertura por capacidad 5.2. Apertura por inductanci 5.3. Circuito con transistor uniunién % 5.4. Circuito de extincién compatible con et montaje de Ia carga en el circuito de cétodo . foe 5.5 Utilizacién de una fuente auxiliar de tensién negativa . itulo 17. Dispositivos de proteccién . 1. Proteccién contra di/dt 2. Proteccién contra dv/dt 3. Bloqueo con carga inductiva 4. 5. yappe . Diagramas de célculo de la red RC . |. Proteccién de tiristores bloqueables . 131 132 134 134 135 137 138 140 140 140 141 143 144 146 146 146 148 150 151 151 151 151 151 152 153 154 155 155 156 156 157 158 160 162 162 163 163 165 165 166 166 166 168 170 173INDICE B Capitulo 18. Aplicaciones con relés estaticos e interruptores. . . . 174 1, Cargadores de baterias. ee eo as Ah 1.1. Caracteristicas de carga de “las baterfas | ‘ woe. 18 1.2, Cargadores simples . . . . 1 1 1 we ee 1S 1.3. Cargadores “profesionales” . 2 . . . 1. - 16 2. Encendido de motores de explosion. 9. 5. sw e183 2.1. Un dispositivo sencillo. Poe 188 2.2. Sistemas con tiristores bloqueables. | | | 1 ss. 184 3. Ondulador (convertidor c.c./oa.) . . . - 2. 7 ws 186 4. Barrido de limeasen TV... . 1 7 ew ee ABT 5. Detector fotosensible ee 189 6. Montajes con captador fotocléctrico. | | 1 1 ss. 189 7, Deteceién de fasesen una red trifésica. 2. . . . 2. (191 8. Contadores en anillo . . . Soe ee 19L 8.1 Doble década en anillo 8 82. Contador reversible 9S 9. Gobierno de transductores electromecdnicos a potencia consiante. 196 10. Conmutaci6n complementaria (bascula). . Seiki 8 197 11. Proteccién por cortocircuito (sistema “crow-bar") a Ne 12. Temporizadores y relojerias . . . . - =.» + + + 19 12.1. Temporizacién elemental. ee ee 12.2, Temporizacién elemental de tres minutos... . . . (199 12.3. Circuito con tiristor complementario. . . . . . « 201 12.4. Relojeria con avisador =... 1 ee ee ee 20 13, Aplicaciones del diodo Shockley . . . . . 2s - 202 13.1, Generador diente de sierra... 1 ee es 02 13.2, Generadores de impulsos RC... - - ee ss 202 13.3. Generadores de impulsos LC . af gw 203 13.4. Lectura-escritura de memorias de ferritas.. . . . . 203 13.5. Mando de relés 204 13.6. Estroboscopio Ses Oe 13.7._Disparo de una alimentacign de emergencla.. 205 14, Gobierno de un motor de limpiaparabrisas. . . ss 205 15, Aplicaciones de los fototiristoress . . ss 208 Esquemas de principio... 208 Generadores de impulsos.. ==. Ses ae Gobierno de potencia con o sin temporizacign. .. . ~~. ~—~—<208 Automatismo con fototiristores . see ee 8 208 Cireuitos Iégicos. rr) | Flash electrénico de arrastre para fotografia : mt 15.7. Dispositive de alarma sonora...) ss 212 16. Mando por puertalégica . . ss oss a iE Capitulo 19. Aplicaciones: control_de potencia y regulacién_por conmu- tacién y variacion del angulo de conduccién. 7 Sais 1. Variaciones de potencia por Angulo de fase . =a . 25 1.1. Montaje basico con diac... ao i a « 8S 1.2. Graduador de luz 0 variador simple de velocidad. ~ 2I6 2. Graduador regulado de luz para fotografia. - 277 TIRISTORES Y TRIACS 3. Variador de velocidad con quadrac. . . woe 217 4. Variadores de velocidad con tiristores para ‘motores “niversales . 4 217 4.1, Variador simple, media onda. . f - + 219 . Variador semionda disparado por transistores . .° | =. (219 Variador semionda de disparo por impara de neén. . =. . 220 |. Variador semionda con regulacién somera de velocidad... 221 i. Regulador semionda con mejor control de la velocidad... 222 . Variador onda completa con lémpara de neén. . . . . 222 |. Variador onda completa de conmutacién rfpida. . . . . 223 . Variador onda seamplts con ompenascion de carga 224 ._ Componentes a: cin estabilizada con prerregulacin .... . 225 6. Regulacién de la temperatura. a es re) 6.1, Circuitos sencillos . . . . . . 228 6.2. Gobierno en ca. con tiristor . i. 6.3. Mando por sistema de “escalén y sampa” a ar) 6.4. Mando proporcional ea ee 6.5. Regulacién de tes tura_con mando ional (montaje sin- ‘crono). fo bs een 7. Gobierno de cargas_induclivas en ca... 1 ss 288 7.1. Circuito con UST y tiristor auxiliar. . . =. ss 235 7.2. Circuito con oscilador independiente... _.. . . 236 7.3. Circuitos con tiristores auxiliares . 2. . . 1. - se 239 8. Rectificadores controlados . . . . 4. . . =. . ~~, 240 apitulo 20. Gobierno de tiristores y triacs con circuitos integrados . 242 1L_Introducci6n a. — sie il ae 242 2. Control con circuitos integrados ULN 2300... ss 243 3. Mando sincrono con circuito integrado CA 3059... ee 245 24 Pindonaneily al C 347 3.2. Sistema de proteccién. . . ss ss 248 3.3. Histéresis:su_misién 2g 3.4. Regulacién de temperatura por todoonada. . . . - - 250 3.5. Control proporcional . 3 Dolo 250 3.6. Control por periodos enters. . =... . 1 ss 25h 3.1. Control “minimaxi® 88 3.8._Conmutacién secuencial 2 2 =. =. ss 3.9. Cémo aislar eléctricamente el enplador . oo a 256 3.10. Comparador industrial : [ia ie — 3.11. Gobierno por disparo Gnico... . ~~. ~~ 287 0 Dinktrel Ae Mei 3.13. Un conmutador casi perfecto. . . . . - «© + © 261 4, Mando sincrono con el pA 7420. «1 ew ee ee 261 Gilegsia . ai es 6 kea You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.CAPITULO 1 INTRODUCCION 1. 2Qué es el tiristor? ‘Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idéneo en electrénica de potencia. El triac, por su parte, no es sino la variante bidireccional. El tiristor, concebido en un principio como equivalente de estado s6lido para reemplazar al tiratron a gas, se ha impuesto rapidamente en toda una serie de dominios de los que los més importantes son, a parte de la conmutacién pura y simple, la variacién de velocidad de motores y la graduacién de luz. En efecto, el tiristor permanece normalmente bloqueado hasta el momento en que se le hace conducir actuando sobre su electrodo de disparo. Puesto que ese momento se puede fijar con toda precisién, es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades de corriente (o de potencias) en su valor medio. Fundamentalmente son dos los modos posibles de funcionamiento. Sea, por ejemplo, la onda alterna rectificada de Ja figura 1a; gracias al tiristor se puede no dejar pasar mds que algunas semiondas, bloqueando las otras: se obtendria entonces Ia onda de Ja figura 1b, en la que se han suprimido las semiondas 2, 4,6y7. Se puede igualmente no desbloquear el tiristor hasta un poco después del prin- cipio de cada semionda, como se indica en la figura 1 c; de esa forma s6lo se dis- pone de una parte de la potencia total, como puede verse mejor en el caso de una semionda, en Ia figura 1d; en esta modalidad de funcionamiento se actia pues sobre los angulos de conduccién de corriente y de bloqueo, varidndolos a voluntad como ya se hacia con el tiratr6n. Pero el tiristor presenta sobre el antiguo tiratrén una serie de ventajas, debi- das precisamente al hecho de que constituye un elemento de estado sélido: inne- cesidad de precalentami volumen reducido, fuerte resistencia a los cho- ques y aceleraciones, posibilidad de trabajo en todas las posiciones, insensibilidad a las sobrecargas, fiabilidad, vida media muy larga, velocidad elevada de conmu- tacién, caida de tensién directa muy baja y poca depencia de la corriente, etc. Todo esto explica el hecho de que el tiristor haya conquistado o esté en vias de hacerlo, nuevos y vastos dominios tales como la alimentacién, la televisién en color, el automévil, la optoelectrénica, la légica industrial, la regulacién, auto- matismos, telefonia, etc. El tiristor, obtenido en los Estados Unidos por la firma General Electric ha- cia 1957, abord6 el mercado europeo hacia 1959-1960, Su nombre se incluyc18 TIRISTORES Y TRIACS entre los de esos nuevos componentes que han revolucionado el desarrollo de Ia clectrénica desde que en 1948 se encontré ese elemento extraordinario Mamado transistor. @ \ Fig. 1-1.—El tirieter actia eeencialmente en dos 1 2 3 4s 6 7 8 5 1% modalidades distintas. Siendo, en (2), Ia onda de A entrada, el tiristor suprime, en (b), algunos semi- DIDI DIDI peicics e's iets que (0) aubeisten t- © dos los semiperiodes aunque no completos, como puede epreciaree mejor en el detalle (c). 2. La familia de fos tiristores El término “tiristor” designa a toda una familia de elementos semiconduc- tores cuyas caracteristicas son similares, en principio, a las de las antiguas valvu- las “tiratrones”. El nombre de tiristor proviene justamente de la contraccién de tiratron y transistor. El tiristor tiene dos estados estables que dependen de los efectos de realimen- tacién de las uniones en Ja estructura PNPN; estas uniones pueden ser dos o mis, y los elementos pueden ser uni- 0 bidireccionales, con dos o mis terminales, dis- tinguiéndose entonces entre “diodos” (dos terminales), “triodos” (tres terminales) y “tetrodos” (cuatro terminales). Dentro de esta gran familia cabe it — Los tiristores propiamente dichos, que son “los elementos més conocidos y que en lengua inglesa se denominan “silicon controlled rectifier” 0 SCR. Se trata de elementos unidireccionales, con tres terminales (4nodo, cétodo y puerta) blo- queados en el tercer cuadrante, por lo que también se les llama “tiristores triodos de bloqueo inverso” (reverse blocking triode thyristors). — Los triacs, que derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionales, se denominan también “tiristores triodos bidireccionales”. Su nombre usual pro- viene de la contraccién de “triode AC switch”. —Los fototiristores © tiristores fotosensibles. El término inglés es “light ac- tivated silicon controlled switch” 0 LASCR (segin GE). — Los tiristores bloqueables, lamados también de “gain de commande & Vouver- ture” (“GCO” de Silec, por ejemplo).* * __Tiristores con puerta de extincién (“gate turn-off peiteh"), GTO que los franceses de- nominan a veces con el nombre Silec de GCO, (N. deINTRODUCCION 419 —El conmutador unilateral de silicio, “SUS”, de “silicon unilateral switch”. —El conmutador bilateral de silicio, “SBS”, de “silicon bilateral switch”. — EL tiristor tetrodo de dos electrodos de mando, o “SCS”, de “silicon controlled switch”. —El diodo Shockley, 0 diodo tiristor, también Hamado diodo de cuatro capas. — Eteétera. Sucesivamente iremos estudiando cada uno de estos tipos, haciendo especial hincapié en el estudio del tiristor propiamente dicho como elemento clave para llegar a una perfecta comprensi6n general del funcionamiento de toda la familia. 3. Ei mercado de Ios tiristores El mercado de los tiristores est4 en plena expansi6n. En los Estados Unidos las ventas alcanzaron un importe total de 70 millones de délares en 1970, lo que representa un aumento del 10 % sobre las ventas globales del afio anterior. Estas ventas se reparten sobre una produccién del 100 %, como sigue: -—Tiristores de baja corriente (< 1 A) y poca tensién: 25 %; —Triacs (hasta mas de 40 A): 20 %; —Tiristores de potencia (por encima de los 35 A, con una gama privilegiada en- tre 100 y 200 A): 25%. En comparaci6n con los tiristores, el ritmo de crecimiento de los triacs re- sulta muy répido: —En 1968, los triacs representaban sélo un 5 % de las ventas totales de tiris- tores. —En 1969, el porcentaje pasaba a ser del 11%. TEs 1970, cl porcentale pasaba ol 17 %, con 12 millones de lars de ventas, siempre en los Estados Us Fig. 1-2. — Crecimlento probable del mercado del tirlstor y del trie. i : ® 3 : 8 5 40 2 2 ~ ol 1968 1969 1970 1971 1972 1973 197% 1975 1976 1977 Ano Hacia el afio 1977 se calcula que se equilibrarin las ventas de tiristores y triacs (fig. 1-2). {Qué industrias son las que usan corrientemente elementos del grupo de los tiristores? Ea un mercado del 100 %, en valor comercial, tenémos en los Estados Unidos para 1970:20 TIRISTORES Y TRIACS en control industrial y bienes de equipo; en méquinas calculadoras y de gestién; en comunicaciones; en encendido de automévil; para equipos de medida; para el gran piblico; para la iluminaci6n industrial; en electrodomésticos. Los tiristores (y los triacs) se han impuesto, como puede verse, en la indus- tria (47 %) y en especial para lo relativo al control de velocidad en motores, en alimentaciones, onduladores y en el control de temperatura. eeecsecce vear0eoea RRKKKKKKCAPITULO 2 TEORIA DEL TIRISTOR 1. Estructura y simbolo EI tiristor es un semiconductor s6lido de silicio formado por cuatro capas P yN alternativamente, dispuestas como se ve en la figura 2-1, donde también se representa su simbolo. Anode Anode P Fig. 24. — Estructura y simboto del tirstor. N ie = Puerta Cétodo Cétodo Los dos terminales principales son el de nodo y el de cAtodo, y 1a circula- cién entre ellos de corriente directa (electrones que van del c4todo al 4nodo o corriente que va de 4nodo a cétodo) est4 controlada por un electrodo de mando llamado “puerta” (“gate” en inglés). EI tiristor es un elemento unidireccional; una vez aplicada la sefial de man- do a la puerta, el dispositivo deja pasar una corriente que s6lo puede tener un finico sentido. Por ello a veces se designa al tiristor por lo que constituye, de hecho, su definicién, rectificador controlado, traduccién incompleta del inglés, “silicon controlled rectifier” de abi las siglas de SCR. El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbi- trariamente como sigue: — Rectificacién: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del dispositivo, el cual realiza entonces Ja funcién de un diodo; —Interrupcién de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los contactores mecdnicos; — Regulacién: la posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida; — Amplificacién: puesto que la cortiente de mando puede ser muy débil en com- paraci6n con la corriente principal, se produce un fendmeno de amplificacién en corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta “ganancia” puede ser de utilidad.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.26 TIRISTORES Y TRIACS mando en su puerta (este ataque es en corriente, denomindndose Iq a esta tiltima). El transistor NPN designado T, recibe una corriente de base Ic, pasando a ser su corriente de colector de IcB1, donde 6, es !a ganancia de corriente de este tran- sistor (montaje en emisor comin). Esta corriente se inyecta a su vez en Ia base Fig. 2-4,— Montaje equivalente de un tiristor que explica el fe- némeno del cebsdo. del transistor T; (PNP) que entrega entonces una corriente de IeBxBz (siendo 2 1a ganancia de corriente de T;). Esta corriente, que aparece en el colector de T:, vuelve a aplicarse a la base de Ts. Hay que considerar entonces dos casos: 1.° El producto BiB2 es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se ceba; 2° El producto BiB2 tiende a la unidad, con Jo que se realiza el proceso de am- plificacién y el elemento bascula al estado conductor. Estas dos condiciones (B;f2 <1 y B16: — 1) caracterizan el estado del tiris- tor en funcion de la corriente. En efecto, la ganancia 6 de un transistor de silicio crece normalmente, por lo general, en funcién de la corriente (fig. 2-5). Asi pues: — Si la corriemte de puerta es débil, el producto (62 €s inferior a la unidad y no se ceba el elemento; — Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante elevadas para que el producto BiB» tienda a 1. 5 Fig. 2-5.—La ganancia de corriente B de un tran- sistor de silicio depende por lo general de la co- rtiente de emisor. ty a fe En cuanto se produce el cebado, la realimentaci6én hace que los dos transis- tores conduzcan a saturacién (por cuanto la corriente de colector de uno se inyec- ta sistem4ticamente en Ja base del otro). Una vez en conduccién, los transistores se mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente I,.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.28 TIRISTORES Y TRIACS Este valor es niméricamente superior al valor maximo de tensién inversa del tiristor (valor de pico maximo). ‘TENSION INVERSA TRANSITORIA © ACCIDENTAL La tensién inversa transitoria o accidental es Vasy. Este valor limita la ten- sién inversa cétodo-dnodo a la que puede someterse el tiristor, durante un interva- lo dado de tiempo. TENSION DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO La tensién directa de pico en estado de bloqueo es Vows (0 también Vrpu)- Su valor fija un limite a la tensisn maxima aplicable entre 4nodo y cétodo del ti- ristor, con puerta fiotante, sin riesgo de disparo. Esta tension es pues ligeramente inferior a la tensién de disparo en ausencia de sefial de mando. POTENCIA TOTAL DISIPADA La potencia total disipada en el tiristor es Pror- En ella se consideran todas las corrientes: directa, media ¢ inversa (Ivav € Inn); de fuga, directa e ‘inversa (Ir € Ip); de mando (Ig); corriente capacitiva, etc. Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa de uno. POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA La potencia media disipable de puerta es Poay. Es el valor de la potencia disipada en la unién puerta-cétodo. POTENCIA DE PICO DE PUERTA La potencia de pico de puerta es Pars. Corresponde a la potencia maxima disipada en la unién puerta-cétodo, en el caso de aplicarse una sefial de disparo no continua. Su valor es superior al de Poay y su limite depende de las condiciones de cebado. ‘TIEMPO DE INTEGRACIGN Es el tiempo en el que se calcula el valor medio, o el eficaz, de Ia potencia disipada. Se le designa por tat. En el caso de los tiristores, este tiempo suele fijarse en 20 ms. No obstante, seré necesario tener en cuenta la relacién existente entre el perfodo de Ia sefial y estos 20 ms para efectuar cualquier céiculo. CORRIENTE DE ENGANCHE * La corriente de enganche Iy, es la corriente I, minima que hace bascular el tiristor del estado de bloqueo al de conduccién. Su valor es por lo general de dos © tres veces la corriente de mantenimiento, definida a continuacién. CORRIENTE DE MANTENIMIENTO Para conservar su estado de conduccién el tiristor debe suministrar una co- rriente de &nodo, I,, minima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, Tn. A veces se denomina también a esta corriente, corriente hipo-estdtica. ‘TENSION DE ENGANCHE A la corriente I;, de enganche le corresponde una tensién de enganche V;.. “Courant d'accrochage". Respetamos el texto francés irae al lector que esta corriente sc denomina también “principal de cebado™. (N. del T.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.CAPITULO 3 FABRICACION DEL TIRISTOR Para la fabricacién de tiristores se usan diversas técnicas que a continuacién iremos examinando sucintamente. 1. Técnica de difusién-aleacién Sea por ejemplo Ja estructura de difusién-aleaci6n de Ja figura 3-1. La parte principal de ese tristor est4 constituida por un disco de silicio cortado de un monocristal de tipo N. Dos de las uniones se obtienen en una tinica operacién de difusi6n con galio, el cual dopa con impurezas de tipo P las dos caras de la pas- tilla. Sobre una de las caras asi obtenidas se forma una unidén, por aleacién, con un contacto oro-antimonio, a fin de obtener la estructura final PNPN. Los contactos de 4nodo y catodo se realizan mediante discos de molibdeno cuyos coeficientes de dilatacién se acercan al del silicio. La conexién de puerta se fija a la capa intermedia de tipo P mediante un hilo de aluminio. 2. Técnica “todo difusién™ De hecho, la técnica de difusién-aleacién no se utiliza ya sino para ciertos ti- ristores de gran potencia. Para dispositivos répidos o de mediana intensidad re- sulta de dificil aplicacién, y adem4s no se puede usar para los “darlistors” y losa You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.36 TIRISTORES Y TRIACS La técnica planar, bien adaptada a producciones de grandes series y a ti- tistores de baja potencia, est4 no obstante limitada a tensiones relativamente cor- tas (inferiores a 200 V). Ei Oxido asegura una cierta pasivacién de las uniones en superficie, lo que permite el empleo de cépsulas de plistico. 4. Vidriado* Cuando no se usa Ia tecnologia planar se asegura la proteccién superficial de las uniones.mediante algin tipo de barniz o un elast6mero de silicona. No obs- tante, a imitacién del proceso planar, los fabricantes han tratado de obtener pro- tecciones minerales. Pueden considerarse distintas soluciones: —La oxidaci6n, por distintos sistemas y medios; —Depésitos superficiales de silicio, aluminio, nitruros, etc; — Finalmente, el empleo de vidrio. Este ultimo método es, sin duda, el mds interesante y el mds usado. Consiste en recubrir Ja pastilla de silicio (wafer), con sus tiristores ya realizados, mediante una capa de un vidrio especial, de varias decenas de micras de espesor. El proceso seguido para depositar este vidrio es el indicado en la figura 3-6. Seguin el tipo de vidrio usado se puede conducir de dos formas diferentes la utilizacion de esta proteccién por “vidriado” : —En un caso, el coeficiente de dilatacién del vidrio se adapta perfectamente al del silicio y se pueden disponer sin riesgos capas espesas de varias decenas de Grabedo de 0 LE meee LZ Ze Ba | CLT oe Depssite de polve de vicrio Fusidn del vidrio Fealizacion de los contactor Fragmentecién Fig. 3-€.—La técnica llamada de -vidrlado- consiste en proteger la pastilla mediante un de- pésito vitreo. * El nombre del proceso, registrado por Silec es “glassivation” donde se aprecia una raiz “glace” traducible por “vidrio". Puesto que no se trata de una vitrificacién en Ia que todo el conjunto se transforma en vidrio, sino que més bien es una vitrificacin superficial. ‘nos parece més correcto adoptar el término “vidriado™ para designar este proceso. (N. del T.1a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.40 TIRISTORES Y TRIACS Los inconvenientes y las ventajas son simétricos de los apuntados en el caso precedente: buen comportamiento en fatiga térmica pero precio de coste elevado. 6.3. Ensamble por presién De introduccién més reciente, este tipo de montaje se presenta de dos formas diferentes, segtin que los 6rganos de presién sean interiores 0 exteriores a la cap- sula (fig. 3-8). Para que los resultados obtenidos sean adecuados, las superficies en contacto han de ser rigurosamente planas. La pastilla de silicio sc puede tratar como en los casos precedentes aunque los depésitos no tienen por qué ser soldables. Los resultados obtenidos pueden ser muy buenos en cuanto a fatiga térmica. La simplificacién que supone la supresién de soldaduras queda compensada por la complicacién mecanica del ensamble. Esta tecnologia se emplea sobre todo en los conjuntos de gran potencia; una de las soluciones utilizadas a menudo en ese caso es el empleo de cépsulas planas ligeramente deformables con elementos externos de presién. 7. Encapsulado El encapsulado de tiristores y triacs varia mucho segin se trate de productos de pequefia, mediana o gran potencia. A grosso modo podemos distinguir: — Las cépsulas con hilos terminales: las més conocidas son las TO-5 y TO-18, con una versién “plastica”, la TO-92. A propésito de estas cpsulas, conviene hacer notar que la evacuacién de calor no se obtiene sélo por conveccién natural, sino también por conduccién al soporte mediante los terminales. La potencia disipable podré asi variar considerablemente con la longitud de estos hilos y con la capa- cidad de disipacién del soporte. Ademés, en una variante del TO-5 conviene incluso soldar la cépsula a un refrigerador para poder obtener la potencia maxima anunciada. — Las cdpsulas atornillables: se usan mucho en Jos diodos, desde algunos amperes hasta centenas de amperes. Su empleo es menos general en tiristores y triacs pero adn dominan Ja gama situada por encima de 15 6 20 A. Han de asociarse a radia- dores de impedancia térmica adecuada. — Las cdpsulas planas: son en primer lugar las TO-66 y TO-3, heredadas de los transistores. Ofrecen sobre todo la ventaja de ser bien conocidas, pero tienden a cambiarse por c4psulas de plistico, que resultan muy satisfactorias en combinacién con elementos vidriados. Un ejemplo tipico es la TO-220, cada vez més usada en la gama de 6 a 15 A. Este tipo de cdpsula permite automatizar un tanto los métodos de ensamble. La cApsula de plastico se suele obtener por “transferencia” usando resinas de silicona 0, més frecuentemente, epdxidos. La fijacién en un punto cualquiera resulta por demés cOmoda, y ocupan poco volumen. Finalmente, algunos modelos van aisla- dos, Io que permite usar un chasis 0 soporte cualquiera como refrigerador. Las figu- tas 3-9 a 3-11 ilustran distintos modos de encapsulacién.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.“ TIRISTORES Y TRIACS 0 05 1 5 2 Tempo (usa) Fig. 4-4. —Fanullia de curvas de disparo por impulsos de tristores del tipo C 10. Las curvas ‘se han trazade para diferentes valores de tensién y corriente énode-cétodo. Fig. 45.—Variacion de ta potencia instanténea obtenida en la apertura de un dispositive Darlistor DT2100, de Silec Semi-Conductours, La di/dt depende también de las condiciones de la puerta. El convenio, gene- ralmente, consiste en alimentar la puerta a 20 V con un resistor en serie de 20 Q (0 en hacer Ig algunas veces mayor que la Ig minima de cebado). En la practica, la di/dt admisible evoluciona tal como muestra, por ejemplo, la curva de la figura 4-7 (para un titistor 2N690 de Sescosem), en funci6n de la tensién antes del cebado, y con una corriente de puerta inferior o igual a 0,4 A. La figura 4-8 da igualmente, a titulo de ejemplo, los limites admisibles de corriente tras el cebado, para un 2N5204-07 de Sescosem.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.48 TIRISTORES Y TRIACS unién inversa ha recuperado su poder de bloqueo, pero la concentracién de por- tadores minoritarios es todavia demasiado importante en las inmediaciones de la unién directa para que ésta se haya recuperado también. Es preciso esperar hasta f para poder aplicar de nuevo tensién directa. Asi podemos considerar el tiempo de extincién for» como la suma del tiem- po de recuperacién inversa tr, (de “reverse recovery time”), de 1 \s aproxima- damente, por ejemplo, y del tiempo de recuperacion de puerta ty (de “gate reco- very time") Simbolizado también como t, = t-, + ton el tiempo de extincién — que va- ria desde 5 ys, para los tiristores répidos, hasta 50 ys para los tiristores clé- sicos e incluso hasta 400 us para los muy grandes —depende de un cierto nu- mero de factores examinados a continuacién pero cuya accién se resume en la figura 4-12. INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA La curva de Ia figura 4-13 muestra que el tiempo de extincién f, crece mu- cho con Ja temperatura. ‘Cuando la temperatura de la unién no es uniforme y existe un punto “ca- liente”, lo que sucede tras una sobrecarga instanténca en di/dt, fy aumenta también. Por esto en algunas especificaciones se prevé la medida del tiempo de extin- cién tras aplicar una punta de corriente igual a 3 veces la intensidad media, du- rante 2 ys; es el método conocido como de “pulse commutated turn-off”. (fea | mast i eal he Wy) Fig. 4-12. — Factores principales que influyen sobre el tiempo de extincién del tiristor. Tinie E Lisite nas. im 30 150 nye Fig. 4-13. — Variacion relativa del tiempo de extincién t. en funclon di unién virtual t (Vi) en un TS 435 FH de SSC. temperatura dea You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.$2 TIRISTORES Y TRIACS 8. Régimen de conducclén directa El tiristor en conduccién directa presenta una caida de tensi6n relativamente pequeiia. Esta caida es funcién de la intensidad de corriente. Las figuras 4-19 y 4-20 muestran su evolucién para tiristores de 35 A eficaces. comportamiento impone unas pérdidas de potencia que calientan el ele- mento, limitando asi sus posibilidades de conduccién para una temperatura dada. 9. Influencia de la temperatura Los limites de funcionamiento de un tiristor se definen por una magnitud esencial: la temperatura maxima admisible en la unién. Puede ser de 125 0 de 150° C. Las especificaciones técnicas de cada tipo de tiristor dan los valores limi- tes de la temperatura de trabajo, que pueden ser, por ejemplo, de —55° C a + 125° C. La energia eléctrica disipada en el tiristor, independientemente del sentido en que circule Ja corriente, aparece en Ja forma de energia térmica a nivel de las uniones, de forma que la potencia total perdida en el cristal implica una elevacién de temperatura de Ja unién. Esta cantidad de potencia disipada no representa de hecho mfs que una in- fima parte de la potencia total puesta en juego en el circuito, pero no debemos Fig. 4-19, — Corriente de pico fon un tiristor TS 435FA de SSC en funclén de la caida de tensién de pico (valores ximoe). Corriente de pico en el tiristor (I7x) (A) Colda maxima de tonaién on of tristor (Vr) Va You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.56 TIRISTORES ¥ TRIACS Con un tiempo de funcionamiento ¢ suficiente, la expresién siguiente da la diferencia de temperatura unién-c4psula. T,—To=P Za donde P es la potencia media disipada durante el tiempo ¢. 11. Corriente media maxima Partiendo de la méxima temperatura de c4psula admisible, se establece una familia de curvas que dan Ia corriente media directa que puede suministrar un tiristor en régimen recurrente (fig. 4-24). Qr9, Fig. 4-24.— Corriente directa media slo de conduccién i. ne (valor maximo) para Uristores de Ia B60 serie C 35 en funcién del angulo de 3 conducelén, $60 i i ontinue, Bo BO 8 ae 20 28a Corriente media directa (A) Esas curvas se han trazado en funcién del ngulo de conduccién, para tiris- tores C 35 (35 A eficaces) de General Electric. Vemos que, de 35 A en cc., la corriente pasa a 13 A, por ejemplo, para un Angulo de conduccién de 60°. No obstante, sélo son validas cuando se puede despreciar el fendmeno de di/dt. En el caso de conducciones no repetitivas, 0 en régimen senoidal no per- manente, es necesario calcular los limites admisibles teniendo en cuenta las for- mas de onda, las pérdidas y la impedancia térmica.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.60 TIRISTORES Y TRIACS de cétodo préxima a Ja puerta hace que sea posible la destruccién del elemento por disipacién excesiva de potencia (figs. 5-3 y 5-4) en volumen reducido. Se puede retardar la aparicin de este fenémeno destructivo variando la ve- locidad de propagacién de la zona de cebado, la cual aumenta cuando crece la Fig. 8-3.—En of clerre de un tiristor, la corriente (curva 8, 200 A por cuadro, di/dt = 800 Ajus) y la tensién (curva b, 100 Y por cuadro) producen una potencia cuyo valor de pico puede alcanzar cotas considerables como se aprecia en Ia figura siguiente. “sensibilidad” del transistor superior.* Este resultado puede lograrse reduciendo el ancho de base P;, disminuyendo la densidad de los cortocircuitos de emisor (figura 5-5) y manteniendo una vida media alta de los portadores, lo cual, des- afortunadamente, redunda en detrimento del tiempo de extincién 1, y de la resis- tencia a rampas de tensién directa (dv/dt). P (aw) 2s 20 4 Fig. 5-4. — Petencia de pico correspondiente a las curves s: de la figura precedente: on este cose alcanza, como se ve, un valor de 27,5 kW. be Ee # (ps) Parece pues claro que las altas prestaciones en di/dt son incompatibles con las de velocidad de crecimiento de la tensi6n directa y de tiempo de extincién. No obstante, el Darlistor permite conciliar estas dos exigencias, por estar, en realidad, constituido por dos tiristores (fig. 5-6) integrados en la misma pastilla de sili 1, El tiristor de mando: su caracteristica principal es la de ser sensible, por lo que bascularé en primer lugar cuando se aplique un impulso de mando a la puer- ta, absorbiendo una parte de la energia de conmutacién. Su corriente principal serviré como corriente de disparo para el segundo tiristor (tiristor principal); * Se refiere al transistor NPN del montaje equivalente al tiristor. El autor usa constin- temente de esta equivalencia, aludiendo una y otra vez al “emisor”, “las bases”, etc. (N. del 7.)a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.a You have either reached a page that is unavailable for viewing or reached your viewing limit for this book.