Transistores FET

Tipos de transistores bipolares

Según el orden como se combinan las zonas de dopaje, existen
dos tipos de Transistores BJT.

Transistor NPN Transistor PNP

Transistor bipolar NPN Transistor bipolar PNP
C C
colector colector

B B
base base
emisor emisor
E E

• Sentido flecha: de P hacia N

FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn
- El funcionamiento de un transistor
BJT puede ser explicado como el de
dos diodos pn pegados uno a otro.
- En este esquema (condición directa),
la unión Base – Emisor (BE) actúa
como un diodo normal.
- Note en la gráfica el flujo de
electrones y huecos, siendo la
corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante
el mismo mecanismo del diodo, se
produce una corriente de base a
emisor.
- Conectemos ahora en forma inversa la conexión
Base – Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se dividen en
dos: unos que se dirigen hacia la base,
recombinándose con los huecos, y otros que pasan
esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy angosta, De
ese modo la probabilidad de paso es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente (convencional)
de colector al emisor.
- La corriente que fluye al colector es mayor que la
que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:

y además:

donde  es el factor de amplificación (20 – 200)

Magnitudes en los transistores bipolares
• Seis magnitudes a relacionar
• Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
• Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
• Dos ecuaciones de comportamiento
• Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN IC PNP
+ IC
V BC – C + V CB C
–
IB + IB –
V CE V EC
B + B–
V BE V EB
– E – + E
+
IE IE
Ecuaciones de comportamiento de los transistores bipolares

RC IC
IC IC
VBC –
+ + +
RB VCC
VCE –
IB + –
VBB + VBE –
– IE
IB IC
 Ecuaciones de comportamiento de los transistores bipolares

V BB  RB I B  V BE V CC  RC IC  VCE

I E  I B  IC

IC  f (VCE , I B ) I B  g(VBE , VCE )

• Simplificando: punto operación del transistor Q(IB, IC, VBE, VCE)

 Parámetros del transistor

 del transistor
βdc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la
relación entre la corriente de colector y la corriente de base.

IC
 dc 
IB

Suele tener un valor de entre 50 a 400.

La  en AC se especifica como hFE.

 a del transistor
La alfa en corriente directa se define como

IC
a dc 
IE

Los valores típicos son de 0.9 a 0.998.

Los valores típicos de aac son prácticamente iguales adc.
 Curvas características de un transistor
Curva característica de entrada:

IB = f(VBE, VCE) 
IC IB VCE
+

+ IB VCE
VBE
- -
VBE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es

pequeña.
Curva característica de salida:

IC = f(IB, VCE)
IC IC
+

IB IB
+ VCE
VBE
- -
VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente

de base IB.
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC IC [mA]
I C
+ IB=-400A
+ VCE -40
B B
IB=-300A
VBE -
- E IB=-200A
-20
IB=-100A
Saturación
IB=0A VCE [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
Transistor, corte, activa y saturación

Transistor en corte Transistor en activa Transistor en saturación

Polarización con una fuente
Montajes
Amplificador de sonido Control de velocidad de un motor
Montajes
Montajes

Control de temperatura con NTC