TRANSISTORES

Introduccin a los transistores

bipolares
Construccin de transistores
Smbolo del diodo
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado tipo N y el otro tipo P. El
primero constituye el ctodo, mientras que el segundo el
nodo. As, el diodo est polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial ms positivo que el
material tipo N:
I
D

V
D

+
+
R
+
A
C
P N
Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y
una de tipo N (transistor PNP), o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN), conformando lo que se conoce como
transistor bipolar.
P N P
Transistor PNP
Transistor NPN
EMISOR
E
COLECTOR
C
BASE
B
P N N
COLECTOR
BASE
EMISOR
E C
B
E E
C
C
B B
Smbolo del transistor
Construccin de transistores
Estructura del Transistor Bipolar
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarizacin directa a la unin o juntura Emisor-Base y una
polarizacin inversa a la juntura Base-Colector:
Transistor PNP Transistor NPN
E C
B
+
+
P N P
+ +
E C
B
P N N
Polarizacin
Directa
Polarizacin
Inversa
Polarizacin de los transistores
Aunque podra pensarse que ambos terminales pueden operar
indistintamente uno de otro, no es as, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector est especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando V
EE
al voltaje aplicado a la unin Emisor-Base, y
V
CC
al aplicado a la unin Base-Colector, la circulacin de
corriente para un transistor PNP ser:
E C
B
+ +
P N P
V
CC

V
EE

I
E

I
B

I
C

C B E
I I I + =
Polarizacin de los transistores
Polarizacin del transistor
Esta es la configuracin ms tpica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemtico para un Tr. NPN:
C
E
B
I
B

I
C

I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarizacin sobre este
circuito, pueden determinarse las caractersticas de entrada-
salida.
ZONA DE
OPERACIN
COMO AMPLIF.
LINEAL

REGIN DE CORTE
R
E
G
I

N

D
E

S
A
T
U
R
A
C
I

N

Curvas caractersticas
V
CE
=10V
V
CE
=20V
V
CE
=1V
Caractersticas
de base
V
BE
[V]
0,4 0,6 0,8
I
B

[A]
0,2
0
20
40
60
80
0
V
CE
[V]
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
Caractersticas
de colector
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
Regin Condiciones NPN Funcionamiento NPN
Corte
VBE < VBE-ON o IB =
0 IB=0, IC=IE=0
Activa
VBE-ON y VCE >
VCE-SAT IC . hFEEIB [VBE=VBE-ON]
Saturacion VBE-ON y VCE-SAT VCE =VCE-SAT [VBE=VBE-SAT]
VBE(on) VCE(sat) hFE VBE(sat)
Regin Unin Base-Emisor Unin Base-Colector
Corte Inversa (OFF) Inversa
Activa Activa Directa (ON) Inversa (Efecto transistor)
Saturacion Directa (ON) Directa (Saturado)
Activa Inversa Inversa Directa
Regiones de funcionamiento
Ganancia esttica
Se cumplen las siguientes relaciones:
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):
E C C B E
I I I I I o = + = ;
B B C C B E C
I I I I I I I |
o
o
o o =

= + = =
1
) (
El factor | se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn, y en las especificaciones tcnicas
se lo suele denominar h
FE
.
B
C
I
I
= |
El factor o se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
Amplificador de polarizacin universal
El esquema del circuito es el que se muestra a continuacin:
) (
E C C CE C
R R I V E + + ~
El circuito est conformado
por un divisor resistivo,
compuesto por R
1
y R
2

(conectado a la base del
transistor) y una resistencia
R
E
(conectado al emisor).
En este caso, se define la
recta de carga por:
E
C

R
1

R
2

R
E

R
C

Configuracin emisor comn
Transistor como
conmutador
El transistor como conmutador
Lmites de operacin
Para cada transistor,
existe una zona de
operacin, dentro de
la cual debe trabajar,
para que exhiba una
distorsin mnima.
En la siguiente
caracterstica se
muestra un aspecto de
lo indicado:
R
E
G
I

N

D
E

S
A
T
U
R
A
C
I

N

ZONA DE
RECHAZO




REGIN DE CORTE
5 10 15 20 0
I
C
[mA]
0
2
4
6
8
I
B
=90A
I
B
=70A
I
B
=50A
I
B
=30A
I
B
=10A
I
B
=0A
ZONA DE
TRABAJO
COMO AMPLIFICADOR
V
CE
[V]
V
CEmx

P
Cmx

I
Cmx

V
CEsat

I
CEO

Lmites de operacin
Todos los lmites de operacin para un transistor vienen
definidos en sus hojas de especificaciones tcnicas. Entre las
ms relevantes pueden citarse:
corriente mxima de colector: Normalmente figura en las
especificaciones como corriente continua de colector.
voltaje mximo entre colector y emisor, V
CEO
: Indica el voltaje
mximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
est desconectada o polarizada inversamente.
V
CE mnimo
: Indica el voltaje V
CEsat
o voltaje mnimo que se
puede aplicar para no caer en la zona de saturacin.
P
C mx
: Representa la mxima potencia de disipasin del
colector (y define la curva azul de la grfica anterior).
Caractersticas de operacin
Un transistor no slo puede trabajar como amplificador, sino
tambin como conmutador, hacindolo trabajar entre las
regiones de corte y saturacin.
Se dice que un transistor est en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :
Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el
transistor est en estado de bloqueo.
V V y E V I I
BE C CE C B
7 , 0 ; 0 ; 0 < = = =
Por otra parte, se dice que un transistor est en saturacin
(para el mismo circuito) cuando :
B FE C BE CEsat
I h I e V V V V s = = 7 , 0 ; 2 , 0
El comportamiento de un transistor en saturacin es
equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operacin, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de V
BE
=0,7V y
V
CEsat
=0,2V son valores tpicos empleados en los clculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.
Caractersticas de operacin
Existen configuraciones comerciales que tienen en el mismo
ensamble- un fotodiodo (emisor) y un fototransistor
(receptor). A pesar que pueden operar en forma lineal, la
forma ms usada de esta configuracin es como conmutador,
permitiendo que el transistor pase del corte a la saturacin,
cuando se aplican pulsos de corriente al fotodiodo.
Configuracin tpica
Fototransistores y
optoaisladores
La forma de utilizar estos dispositivos es:
Configuracin tpica
R

R

Vcc
+
+
E
D
Pulsos de
Entrada
Pulsos de
Salida
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a
regular, y en el terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias
a que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente a
travs de la terminal de la base, se consiguen grandes variaciones a
travs de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una
resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones
de tensin segn sea necesario.
Tensiones y corrientes

Las corrientes entre terminales dependen de las tensiones
que se apliquen. Para un transistor NPN y tomando el
terminal de emisor como referencia de tensin (el ms usual):

La aplicando la ley de Kirchhoff (corriente
que entra=corrientes que salen):

Se puede calcular la relacin entre las
corrientes de colector y de base:

+(1 +

)
0

: Factor de ganancia en corriente

: 150-200 en transistores comerciales

Indica que la corriente de colector es proporcional a la base
Anlisis del Circuito de un BJT
Considerando la configuracin del circuito de polarizacin de
transistor bsico que aparece en figura.

=
La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unin base-emisor y
la fuente de voltaje, VCC polariza en inversa la unin base colector.
Cuando la unin base-emisor se polariza en directa, opera como un
diodo polarizado en directa y la cada de voltaje con polarizacin en
directa nominal es

0.7
Como el emisor esta conectado a tierra (0V), de acuerdo a la ley del
voltaje de Kirchhoff, el voltaje a travs de RB es

Asimismo, de acuerdo con la ley de Ohm,

Sustituyendo en lugar de

se obtiene

Despejando para

,


El voltaje en el colector con respecto al emisor conectado a tierra es

Como la cada a travs de

es

el voltaje en el colector con respecto al emisor se escribe como

Donde

.
el voltaje a travs de la unin colector-base polarizada en inversa es

Determine

en el circuito de la siguiente
figura. El transistor tiene una

=150.

De acuerdo con la ecuacin

0.7 . Calcule la corriente de

base, de colector y de emisor de la siguiente manera:

Determine

en el circuito de la figura anterior

con los siguientes valores:

= 22 ,

= 220,

= 6,

= 9,

= 90