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Propiedades eléctricas de los materiales

si
"
"
So=n①
¡
Conductividad (6) Resistividad lp )
.

p
= 1/6 = RS i.
*

'
n
p
( Rm )
-

.
m

voltaje

Campo eléctrico → E = VI unidad

Capacidad eléctrica C =
¡¡ Vatan C = E. A % Ley de Ohms → VI. R

Densidad eléctrica J =
Es

mot
del

Permitiuilidad
"

Er Eko
"
M
relativa de u n mat →
= -

"

conductores Z 105µm)
Conductividad Famicomdadores 10-7×1 105µm; '

↳ aislantes SIÓ
"
Ami
'

o dieléctricos

(E) cte dieléctrico Calientito


}
=

C / no dieléctrico) La capacitancia

es la cte dieléctrico
prop a _

La máxima está limitada el breakdown


carga por

/T ↳ conductividad de e-
flujo

=
menor ✗ incremento agitación térmica de la estructura cristalina del metal

resistividad P lineal a T / por encima 20°C)


p , =p
_
.
+ AT

Metales tienen resistividad las aleaciones (impresas & perfección cristalina


puros
menos
que

el

}
tanto material como

Mejor material para un cable →

[
T resistencia

lo resistividad
/ Mecanismos para
ti resistencia ,
T resistividad el proceso al

influye en
que

las
se

prop .
somete

del mat .
velocidad de arrastre →
Vd =

pie .
E

'
Í oaaé
¡ ¡
Conductividad "
conductores O n / e / Me
¡
intrínseco
=
=
en → n
=p
> :::
en semiconductores O =
n / e /µ .
+
p
/ e / pines extrínseco → n =/ p

}
[" Hand" £ + "" ""° """ " ° " " "" →
°""" "" ° " "" "
" "&
°
"
° "° "
"
"

↳ b (distancia obstáculos )
el recorrido libre medio e- se desplaza sin
mayor
o menor resistencia
b

b velocidad de deriva → la movilidad →


conductividad eléctrica

C- juntos
forman plantas de energía → Los niveles discretos de energía se dividen en bandas tracoma continuar , no
discretos )

elevar un e- de la capa de valencia El ascenso de un é crea


portadores de
carga,

a la banda de conducción
requiere una
llamada par electrón hueco
-

,
los cuales son porta -

energía térmica superior a la


sepa
- olores de carga positiva

ración entre bandas de energía , Eg

Concentración de portadores →

Las impurezas dopam los materiales

dado permiten cambiar


que
de las bandas de valencia

a las bandas de conducción /

lo los hace dependientes


que
de la temperatura


Cristal iónico cuando el
campo
V4 es
aplicado

nnou iónico
permite la polarización → las cargas se
desplazan generando un momento diploide
Mat pieza eléctrico

transforma prop
mecánicas en
prop
eléctricas ( uiseversa )
y
-
.
.

Mat perro eléctrico → tiene momento diploide permanente que puede cambiar

Dominios femoeléctuócs → se cancelando sus momentos diploides


organizan

propiedades magnéticas de los materiales .


Base :
dipolo magnético , momento bipolar

"÷ Intensidad de Campo magnético (H)


ÍÉÍ
"
"

JIÉ
" "

/
"moi Campo magnético Campo magnético en

en el vacío
=/ un tubo
Inducción magnética (B) →
B =
µ H .

↳ permeabilidad

Imanación (M ) →
M =
Xm H.

Bo =
µ H
.
B.
=pH
um . .ua . .

Las de Un momento
parejas
é pueden cancelar el momento magnético .
e- sin
pareja siempre genera magnético

Impermeabilidad magnética

Ferromagnético » Paramagnético > vacío > diamagnético


↳ en
campo magnético
ha é se alinean
y en ausencia de este mantienen algunas propiedades (imanes)

Temperatura →
OK ( vibraciones mínimas / →
max imanación de saturación

↳ si T ,
la saturación b hasta alcanzar la temperatura de Curie (E) en la cual la saturación cae a 0 .

Hasta una cierta T los mate .

superconductores no tienen resistencia


por
lo
que no se
pierde energía en el circuito en
forma de calor
{
Si el campo magnético = 0
,
orientación del momento magnético
era al azar


Diferentes ↳ • • comportamiento magnético

%

}
y

Histéresis
Remanencia →
capacidad para
retener el magnetismo

C. coercitivo →
campo que se debe
aplicar para
anular la imantación
( Fuerza opuesta)

Según la
forma se
puede clasificar
en un mat duro o s u ave

-
Comparación entre un mat blando
y
uno duro
-

Propiedades Opticas de los materiales

Luiz ( fotón) → onda


formada por
un
campo
eléctrico
y
uno
magnético 1- entre sí
y
a la dirección

de
propagación
dad V1 E Lv

#
hacelo
C
a-
energía
= = :
= =

Interacción con un mat :

↳ transmisión →
absorción →
reflexión
Io = It + Ia + Ir
Instó
e- En.ü÷Í
¡
¡
It = Io .
B-
-
4 nktl

Cuando la luz entra en un material policristalino ,


esta sufre multliper reflexionar además de ser
dispersada por
la porosidad

Los metales absorvem


fotones , capturando la
energía para
subir

a niveles vacios un e- , cuando el e- vuelve el


fotón era remitido

Los componentes eléctricos tienen una banda completa ,

separada de la banda de conducción brecha de


por
una
energía .

El mat puede capturar Fotones E < A Egap lo


que
con
por
no
, para

estas
frecuencias el mat es
transparente

Propiedades térmicas de los materiales

µ:{
÷
:*
Conductividad
¥
térmica →
capacidad de transportar energía K
q
= -

↳ los la
en sólidos es transportado por propia
red K =
ke + K,

La contribución de e- ^ con la [é librea ] .


El origen de la constitución en la transferencia de energía cinética a las

regiones frias de la red ( en metales)

En no metales se
origina por la transferencia de
fotones
Capacidad calorífica →
energía requerida para
T La temp de un sólido una unidad C =
DI ( Jul / K )
DT
Calores
pacífico (c) →
capacidad calorífica por
unidad de masa

Por temp cte


encima de la de
Debye → C es
prácticamente

Expansión térmica → sólidos se expanden al TT .

( III ) confiaríaÍEÉ
)
(Tf To)
lq÷ a=
=L , .

"
du

y¡÷
isotopos
=
chat
-

Tensión térmica → 6 =
Eh AT .

Resistencia al choque térmico → TSR = Gpk


/Edy
?⃝

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