832 _DISPOSITIVOS pnpn Y DE OTROS TIPOS ter) Compoecta A vod ‘Cioao 5 Ve c @ Yor | pcompuera iol Lb » FIG. 17.1 (a) Simboto del SCR; (b)consiruccién bisicn lon 200 lor Compueral ny Anode DISPOSITIVOS pnpn 172 __RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio es el de mayor in- {erés. Fue presentado por primera vez en 1956 por Bell Telephone Laboratories. Algunas de las ‘teas ms comunes de aplicacién de los SCR incluyen controle de relevador, circuits de retardo de tiempo, fuentes de potenciareguladas, interruptores estticos, cntroles de motor, recartado. "es, inversores, cicloconvertidores, cargadores de bateris,cirewitos de proteccién, controles de calefactores y controles de fase En aos recientes, los SCR han sido disellados para controlar potencias tan altas como 10 MW. on valores nominales individuales hasta de 2000 A a. 1800 V. Su intervalo de frecuencia de aplicacin también se ha ampliado hasta 50 kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones ‘como calefaceién por induceién y limpieza ultrasénica 113 OPERACION BASICA DE UN RECTIFICADOR CONTROLADO DESILICIO. ‘Como la terminologia to indica, el SCR es un reetficador constr de silico oa una tercera er ‘minal para propésitos de contl Se eligi el silico por sus alas capacidades de tempera po tencia. La operacin bea del SCR es diferente dela del dodo semiconductor fundamental de Gos ‘pas en que tna tercea termina, Hamada compuerta, determina cuando el ecteadreambia dl «estado de circuit aber al estado de contort. No basta con simplemente polarizaren deta laregin del odo al todo de dispositvo. Ea asepi de conduccin, la resistencia dindmica del SCR en genera es de 0.01 9.40.1 0. La resistencia en inversa sue se de 100 Kf. 0 mis El simbolo grafico para el SCR se muestra en la figura 17.1 con las conexiones correspon: dientes 2 a estructura semiconductor de cuatro capas. Como se indica en la figura 17 1, para ue se establezcala condccin direct el snodo debe ser postivo con respect al eftodo, Este, sin ‘embargo, no es un eiterio suiciente para‘encender el dispositiv. Tambign se debe aplicar un pulso de magnitud sufiiente ala compuerta para establecer una corrente de encendido en la compuer, representa simbélicumente por lor. ‘Un examen més detallado de Ia operacion Bisca de un SCR se realiza mejor diviiendo la «structura pp de cuatro eapas de Is figura 17.1b en dos estructuras de transistor de tes capas omo se muestra en a figura 17-2 y lego consderando el eiruit resltante del figura 17.25 Observe que uno de los transistors paral figura 17.2.es un dspostivo npn, mientras que el ‘otro es un transistor pp. Para prop6stos de anlisis, a sed mostadaen la igura 17 3a se api carla compuert del circuited a igura 17.20, Duane istervalo 0 1, Venrany = OV, el circuit de a figura 1.2 aparecerd como se muestra en fa fgurt 17.30 (Vasepen = OV equivale a conectar Ia compuerta titra como se muestra en la figura). Para Var, = Vaupury ™ OV, 4a comiente de la base Ty, = 0, € Jc, seri aproximadamente Ing La coment de la base de Os be ‘cots demasiado poqueta para encender Q Amos ansistores estén por con siguiente “apagados" yl resultado es una alla impedancia entre el colectory el emisor de cada transistor y la representacin de ciruitoabierto para el rcticador conto como se mies et Ia figura 17.3 Cid » Fig. 172 Circuito equivalente de dos transstores del SCR, Alta impodaneis (aproximacion ‘ecco sbi) Vows 50 @ » o FIG. 173 Estado de “apagado” del SCREnel instante = 1 apareceré un pulso de Vo volts en la compuerta del SCR. Las condiciones -stablecidas en el circuto con esta entrada se muestranen Ia figura 17-4, Se selecion6 el po- sencial Ve suliclentemente grande para encender @ Q; (Vary = Va). La cortente del colector {Se Q, se clevaré entonces aun valor suficientemente grande para encender a Q; (Ip, = Hc,)-Fa cxanto 0, se enciende, J, se incrementaré, yel resultado serd un ineremento correspondiente [ny Bl incremento de orient en Ia base para Q;incrementaré ain més la corrente Hcy El sesullado neto es un ineremento egenerador en la corsiente del colector de cada transistor. La resistencia resultante del snodo al eétodo (Rsex = V/A) es por lo tanto pequefa porque f, ‘= erande,y el resultado es la representacin de cortovrcuito para el SCR como se indice en la SSgura 17-4. La accié regeneradora antes descrta da por resultado SCR con tiempos de encen- ‘Sao tipicos de 0.1 us a 1s. Sin embargo, los dspositivos de alta potencia en el interval de 100 A 2400 A pueden tener tiempos de encendido de 10 a 25 ns "Adems del dispar por medio de la compuerta os SCR también pueden ser encenddos elevan- 40 sigiticativamentela temperatura del dispostvo elevando el voltaje del dnodo al eétodo al ‘valor de ruptura que se muestra en las caracteristcas de la figura 17. ‘La siguiente pregunta es: {Cun largo es el tiempo de apagado y edmo se logra el apagado? {Ua SCR no se puede apagar simplemente con eliminar la sefal en la compuerta y s6lo algunos specials se pueden apagaraplicando un pulso negativo a la compuerta como se muestra en la Sgura 173, enel instante t= fs ‘Los dos métodos generales para apagar un SCR se categorizan como interrupcidn de la corrienteen el dnodo y conmutacin forzada, Las dos posibilidades de interrupeién de corriente se muestran en la figora 17.5. Bn la figura 17Sa, J, 6 cero cuando el interruptor sabre (interrupcin en serie), mientras queen I fig 217.50 se establece la misma condicin cuando el interruptor se ciesra(interrupcidn en de- svacisn) ‘La conmutacin forzada conssteen “forza Ia comiente a que fluye através del SCR en la irecciGn opuesta ala conduccin en direct, Exste una amplia variedad de crcuitos pare realizar cesta funci6n, varios de los cuales se encuentran en los manuals de los principales fabricantes ‘en esta rea. Uno de los tipos més bsicos se muestra en la figura 17.6. Como se indica en l igu- ‘ae eircuito de apagado se compone de un transistor npn, un Vz de Ia bateria de ed y un genera- or de pulsos. Durante la conduccién del SCR, el transistor esté“apagad”, es decir, Ip = Oy Ia impedancia de coleetor a emisor es muy alta (para todo efecto pritico un circuito abierto). Esta alta impedancia impediré que los cireuitos de apagado afecten In operaciGn del SCR, En condiciones de apagado, se aplica un puso positivo ala base del transistor y éste se enciende ‘en exceso con una impedancia muy baja de colectoraemisor(repesentacién de cortovteuito). El potencal dela bateria aparece entoncesdiectamente através del SCR como se muestra en la Figura. 17.6, fuerza a corronte a que fluyaa través de él en la direccin inversa para el apa- ado. Los tempos de apagado de los SCR suelen ser de 5 ws 30 ps. FIG. 176 ‘Técnica de conmutacin forcada, 17.4 _CARACTERISTICAS Y VALORES NOMINALES DEL Las caracteristicas de un SCR se dan en Ia figura 17.7 para varios valores de la cortiente en la ccompuerta, Las corrientes y voltjes de interés usual se indican en la earacterstica, A continua cid se describe brevemente cada uno. o FIG. 174 Estado de “encendido” del SCR. he | FIG. 175 Interrupcién de corviente del nod,834 DISPOSITIVOS pnpn Y DE OTROS TIPOS Covent de [> mstenimiento Covent de Volisjede pura rantenimiento if neo y Rep de Bogeo ep de cine Biagusn ends FiG.177 Caracteristicas del SCR. 1. Voltaje de conduccin en directa Vigayr es el voltae sobre el cual e] SCR entra a la regi de conduecin, El astrisco (*) denota la letra que se debe agregar, la cual depende de is ‘condicign de Ia terminal de compuerta como sigue: circuito abierto de GaK cortocireuito de Ga K R = resistor de Gak polarizacién fija(voltg) de Ga K 2. Corriente de mantenimiento Iy 28 e valor dela cortiente por debajo de la cual el SCR a bia del estado de conduccién a la regisn de bloqueo en directa en las condiciones estab cides. 3. Regiones de bloqueo en directa yen inversa son las regiones correspondiente Ia conics de cireuito abierto para el rectificador controlado que bloguean el flujo de carga (coriam {e) del énodo al cétodo. 4. Voltgje de ruptura en inversa es equivalente a la regién Zener 0 de avalancha del diod se ‘iconductor fundamental de dos eapas. De inmediat se verd que la caratersticas de SCR de la Figura 17.7 son muy parecides sti «el diodo semiconductor de dos eapas bisco excepto por la rama horizontal antes de entrar ae rein de conduccién. Esta regisn horizontal sobresalientees la que permite a la compucr ome trolar Ia respuesta del SCR. Para la caracteristiea representada por a linea gris oscame cn Ia figura 17.7 (g = 0), Vy del volaje de conden maximo requerido (Vag) aioe que se presente el efecto “eolapsante”y de que el SCR pueda entrar a la egidn de conduc correspondiente al estado de encendido. Sila coriente en lacompuerta se increment & Lo = ‘mo se muestra en la misma figura al aplicar un volaje de polarizacion a la teminal de compan el valor de Vj requerido para la conduceién (Vr,) es considerablemente menor. Observe Same bin que fy se reduce con el ineremento de Io, Si aumenta a fo el SCR se activa a valoees ‘volaje muy bajos (Vs) y Ia caractriticastendern alas del diodo de unin pn bésico. View do las caracteristicasen un sentido completamente diferent, para un voltae particular Ve por ejemplo Vr, (figura 17.7), vemos que si a corrente dela compuerta se inezementa de = ac, omés, el SCR se activard Las caracteristicas de compuertase dan en fa figura 17.8. Las caracteristicas de Ia igurs 17 son una versén ampliada de la regiGn sombreada dela figura 17a, En esta figura se Scam los tes valores nominales de compuetta de mayor inter, Pgpy, Lory ¥ Vere C240 90 SeCCorent de compu mii sequel p 150°C 425°C ola ent compuert mimo requerido ars dipartodss Tes onidades Potenia nsannen es compuert maxima ——~ pesmisbie =120W & q --> B2 g 3 g g 45 (1) Temperatura de Ie wid ~65°C 8 + 3 (2) Las eas sombreads representan los lugares \otiaje miximo de compueta _geometios de los poses puntos dedsparo gue ne dispar a cualquier Songs a HSI ‘nigad 9 150°C = OSV Pos = 12 W loom Vow L L 30 2 Tama) Coven de compuera nstannes (0.18) o @ FIG. 178 Caracteristicas de compuerta del SCR (Ge serie C38) luye en las caracteristicas del mismo modo que para el transistor. Bxcepto las partes de la re- isn sombreada, cualquier combinacién de coriente y voltae en Ia compuerta que caiga dentro ‘de esta regi6n actvaréa cualquier SCR comprendido dentro de la serie de componentes para Ia ‘ual sedan estas caracterstcas. La temperatura determinaré qué secciones de la regi sombbrea- dase deben evitar. A ~65°C la corriente minima que dispararé la serie de los SCR es de 100 mA, mientras que a +150°C s6lo se requieren 20 mA. El efecto de la temperatura en el votaje de ‘compuerta mimo no se suele indicaren las curvas de este tipo puesto que los potenciales de com- puerta de 3 V 0 mis en general son files de obtener. Como aparece en la figura 17.8b, se indi- a un minimo de 3 V para todas las unidades dentro del intervalo de temperatura de interés (Otros parmetros que normalmente se incluyen en la hoja de especificaciones de un SCR son el tiempo de encendido fyi tempo de apagado fgyuin Ha temperature de la unin Ty Ia tem peraura de a epsula To, los cuales por ahora deberin ser autoexpliativos hasta cierto punto. 175 CONSTRUCCION E IDENTIFICACION DE LAS TERMINALES DEL SCR i e | La consteuccién bisiea de cuatro capas de un SCR se muestra en la figura 17.9a, La construc- cidn completa de un SCR de alta corrent, libre de fatiga térmica, se muestra en la figura 17.96. Observe la posicidn de las terminales de a compuerta, el cétodo y el énodo, El pedestal acta como disipador de ealor ya que transfiere el calor desarrollado al chasis en el cual est monta- doel SCR. La consiruccién de la cipsula eidentficacin de las terminals de los SCR varfa con la aplicacin, En la figura 17.10 se indican otras técnicas de construccién de Ia cipsula ylaiden- tifcacicn de las terminales, APLICACIONES DEL SCR Algunas de las posibles aplicaciones del SCR se descrieron en la introducci6n al SCR (see- cidn 17.2). En esta seccién consideramos cinco: un interruptoresttico, un sistema de control de fase, un cangador de batertas, un controlador de teruperatura y un sistema de iluminacién de emer- gencia do una sola fuente842 DISPOSITIVOS pnpn simbolo grifieo es diferent al del SCR o al del SCS, el equivalente de transistor es. Y DE OTROS TIPOS te igual y las caracteristicas son similares La ventaja ms obvia del GTO sobre el SCR o el SCS es que se puede encender 0 aplicarel puso apropiade a la compuerta de eétodo (sin la compuerta de énodo ti los asociados requerides para el SCS), Una consecuencia de esta capacidad de apagado sun’ ‘mento en la magnitud de la corriente de compuerta de disparo requerida. Para un SCS y un de valores nominales de corriente rms méximos similares, I coriente de disparo de la ta de un SCR particular es de 30 4A, mientras que la del GTO es de 20 mA. La corriente apagado de un GTO es algo mayor que la cortiente de disparo requerida. Los valores de disipacign y de corriente ms maximos de los GTO fabricados en la atualidad estén dos a3 A y 20 W respectivamente ‘Una segunda caracterstica muy importante del GTO son sus caractefstcas de cor ‘mejoradas, El tiempo de encendido es semejante al del SCR (en general de 1 1), pero el po de apagado de casi la misma duraci6n (1 us) es mucho menor que el tempo de apagado\ tun SCR (5 js « 30 8). El hecho de que el tiempo de apagado sea similar al tiempo de doen lugar de ser considerablemente ms grande, permit utilizar este dspositivo en apli de alta velocidad. En la figura 17.22 aparece un GTO comin junto con la identificacin de sus terminles. GTO tipico eidenificacién de caractertsticas de entrada de la compuerta de un GTO y los citcuitos de apagado se ‘sus terminales.(Cortesia en manuales y en hojas de especifcaciones. La mayoria de los circuitos de apagado det dde General Electric Company.) también se pueden utilizar para los GTO. Generador de diente de sierra Algunas de las dreas de aplicacién de un GTO incluyen contadores, generadores de pulsos. Livibradores y reguladores de volte. La figura 17.23 lustra un generador de diente de simple que emples un GTO y un diodo Zener. Fic. 1723 Generador de dientes de sierra de GTO. “Allenergizarse la fuente, el GTO se encenders y el resultado ser. un equivalente de comtocircui= tode snodo a cétodo, El eapacitor C, comenzari entonces u cargarse al voltae de alimentaciés como se muestra en Ia figura 17.23. Cuando el votaje através del capacitor C,aleanza un valor por arriba del potencial Zener, el voltae de compueri a estodo y la corriente de Ia compuerta se invertiran, Con el tiempo, la corrente negativa de Ia compuera ser lo bastante grande pars pagar el GTO. Un vez que éste se apaga, se obtiene la representaciGn de citeuito abierto y et capacitor C se descargard a través del resistor Ry La constante de tiempo de 8G; de- termina el tiempo de descarga. La selecciGa apropiada de R, y C, producira la forma de onda de diente de sierra de la figura 17-23. Una vez que el potencial de salida V, se educe por deba- jo del V;, el GTO se encenders y el proveso se repetir 179 _SCR ACTIVADO POR LUZ El siguiente en la serie de dispositivos pnpn es el SCR sctivado por luz (LASCR). Como la terminologia Io indica, es un SCR euyo estado es controlado por la luz que incide en wna capa semiconductora de silico del dispostivo. La construccidn basica de un LASCR se muestra enLu SCR ACTIVADO. 843 |) obiens een @ » SCR aetivado por luz (LASCR): (a) construcein bdsica: (b) simboto, Sgura 17.240, Como se indica en la figura 17.24a, también se incluye una conexién de com- ‘pect para permitir la disparo de lapastilla de silicio mediante métados SCR tipicas. Observe ‘Sonbién en la figura que la superficie de montaje para la pasta desilcio es la conexién del énodo ‘ear el dispostivo, Los simbolos grficos més comunes empleados para el LASCR se dan en kt Eagura 17.24b, La identificacign de ls terminales y un LASCR aparecen en la figura 17.25. “Slgunas de ls reas de aplicacion del LASCR incluyen controles Spticos de iluminacién, scicvadores, controles de fase, controles de motores y varias aplicaciones de eomputadora, Los ‘salores nominales méximos de corriente (rms) y potencia (compuerta) para los LASCR comer- “0 “Todas as widads se dsparan neta drs ‘Ninguna und se dnp en esa ca Wadia fet Nous: (1) Elen sombreada epreseta a loelizacin de los posbles panos de dispar de = 65°C a 100°C (2) Volt spliend en el nado ~ 6 Ve (6) Resistencia de a compet a itndo = 86.000 0 ‘@) Fuente tines perpendicular al plano de cabeza To 10 0040 a0 00 | “Temperatura de unién CC) | FIG. 17.25 LASCR: (a) apariencia e dentifieacin ce las terminates; (b)caracteristicas de disparo por luz (Cortesta de General Electric Compan)‘1710_DIODO SHOCKLEY e El diodo Shockley es un diodo pnpn de cuatro capas con s6lo dos terminales externas, como se ‘muestra en la figura 17.28a con su sfmbolo grifico, Las caracteristicas (figura 17-286) del dis- positivo son exactamente las mistnas que para el SCR con Jq = 0. Como las caracterstcas lo indican, el disposiivo esti en “apagado” (representacién de cireuito abierto) hasta que se alean z2 el voltae de conduccién, momento en cual se desarrollan las condiciones de avalancha y el lispositivo se enciende (tepresentacién de conocitcuit). T cain ® FIG. 17.28 iodo Shockley: (a) consiruccin bdsiea y simbolo;(b)earactertsticas. Interruptor de disparo ‘Una aplicacidn comin del diodo Shockley se muestra en la figura 17.29, donde se emplea como {nterraptor de disparo para un SCR. Cuando el circuit se energza, el voltaje a través del capaci {or comenzaré a cargarse tendiendo al voltaje de alimentacién. Con el tiempo, el voltae através del capacitor ser lo bastante alto para encender primero el diodo Schockley y luego el SCR. El diac es bésicamente una combinacién inversa en paralelo de dos terminales de capas semi conductoras que permite la activacin o disparo en cualquier direeciGn, Las caracterfsticas de] Aispositivo presentadas en la figura 17.30a demuestran con claridad que hay un voltae de con- uccidn en cualquier de ls dos direcciones. Se puede aprovechar al méximo la condicién de ‘encendido en cualquiera de las dos direcciones en aplicaciones de ca. Anode t fool FIG.1730 Diac: (a) caracterisicas (b) simbotos ycenstruccion bdsica (Contesia de General Electric Company) DIAC sas: T FIG. 1729, Aplicacion del diodo Shockley como Interruptor de disparo para wn SCR.———$—$—$ 846 DISPOSITIVOS pnp Y DE OTROS TIPOS, La disposicién bésica de las capas semiconductoras del dise se muestra en la figura 17.305, Junto con su sfmbolo grfico, Observe que ninguna de las terminales se designa como citod En cambio, hay un dnodo 1 (o eleetrodo 1) y un Anodo (0 electrodo 2). Cuando el &nodo 1 es ppositivo con respecto al nodo 2, ls capas semiconductoras de interés particular son pnaPs¥ > Para el énodo 2 positivo eon respecto al dnodo 1, 18s capas apicables son pnp, ¥ m. ara Ja unidad que aparece en la figura 17.30, los voltajes de ruptura son muy parecidos e= ‘cuanto a magnitud aunque pueden variar desde un minimo de 28 V hasta un méximo de 42 ¥. _Estin relacionados por la siguiente eeuacidn provista en hoja de especifcaciones: Van, # 0.1Van, a7 Vay Los niveles de corriente (Ipp,Y Tpg,) ¥ 200 4A = 0.2 mA. también son de magnitud muy parecida para cada dispositive. Para la unidad de la figura 17.30, ambos nivees de corrente som ‘aproximadamente de 200 A = 0.2 mA. Detector de proximidad uso del diac en un detector de proximidad se muestra en la figura 17.31. Observe el uso de ws ‘SCR en serie con la carga y el transistor de monounién programable (que se describird en la se= ‘cin 17.13) conectado directamente al electrodo de deteccign o sensor, cia lindo fetecce "Toss fos reson de WW FIG. 1731 Detector de proximidad o interruptor de rato. (Contesta de Powerex, In.) Cuando una persona se aproxima al eleetrodo de deteci6n, la cupacitancia entree electrodo y la tierra se incrementa. El UST programable (PUT) es un dispositivo que se encenderi (entrars al estado de cortociruito) cuando el voltaje en el Snodo (Vy) sea por lo menos de 0.7 V (para ico) mayor que el voltaje de compuerta (Vc). Antes de que el dispositivo programable se ex ciends, el sistema es en esencia como se muestra en la figura 17.32, A medida que el votaje d= entrada se eleva, el votaje Vn el diac lo hari como se muestra en la figura hasta que aleanza: U ca0F coor FIG. 17:32 _Bfecio de un elemento capacitvo en ef comportamiento de la red de la figura 17.31.el potencial de encendido. Luego se encendery su voliaje se educirésustancialmente, como TRIAC 847 se muestra. Observe que el diac es en esencia un citcuito abierto hasta que se ensiende. Antes 4 que se introduzea el elemento capacitivo, el voltae Ve ser4 igual ala entrada, Como se indi- ca en Ia figura, puesto que tanto V, como V; siguen a entrada, V, nunca puede ser mayor que | Vo por 0.7 V y encender el dispositivo. Sin embargo, a medida que se introduzea el elemento ‘apactivo el voltae Vo comenzari.a retrasarse con respecto al voltaje de entrada en un dngulo ca {da vez ms grande, como se indica en la figura. Existe por consiguiente un punto establ donde V, puede exceder a Vi por 0.7 Vy hacer que el dispositive programable se encienda, Se cestablece und intensa coriente a través del PUT en este momento y se eleva el voltge Vy y el SCR se enciende. A través de la carga fluiré una eorrienteintensa que reacciona ante la presencia de la persona que se aproxima, ‘Una segunda aplicacida del diac aparece en la siguiente soceidn (Figuta 17.34) evando con- sideremos un important dispositive de control de potencia el trac, 1212_TRIAC EE! tiac es Fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para controlar las conicio- nes de encendido del disposiivo bilateral en cualquiera de las dos drecciones. En otras palabras, para cualquier direecién la corriente de compuerta puede controlar la aceiGa del dispositivo de ‘una manera muy parecida la demostrada para un SCR, Sin embargo, las caractersticas del trac ‘en el primero y tercer cuadrantes son algo diferentes de las del diac, como se muestra en la figora 17.33c, Observe que la corriente de mantenimiento en cada direceién no aparece en las ccaracteristicas del diac. FIG. 1733 Tria: (a) simbolo; (b) construccién basica; (c)caractertstcas; (4) fotografi. Arodo2 | root | coten! \ Area | ee ee jp Coopocea | “oodo 9 200608 @ = do | | koao2 voto repo 7 7 | C odo? Ao? "hnodo2 ts a m © o cofpsera Ano | » | El simbolo grafico del dispostivo y In distribucién de las capas semiconductoras se dan en | la figura 17.33 junto con fotografias del dispositivo, Para cada uaa de las posibles direcciones de conduccién hay una combinacién de capas semiconductoras cuyo estado controlar la efi aplicada a le terminal de compuerta, | Control de fase (potencia) ‘Una aplicacién fundamental dl triac se presenta en la figura 17.34, En esta capacidad, con- ‘rola la potencia de ca suministrada a la carga encendiéndose y apagsindose durante ls regiones positiva y negativa de la sefal senoidal de entrada. La accién de este circuito durante la par- te positiva de la seal de entrada es muy parecida ala encontrada para el diodo Schockley en la{848 DISPOSITIVOS pnpn Y DE OTROS TIPOS FG. 1734 Aplicacin de un tia: control de fase (patenca), figura 17.29. La ventaja de esta configuracién es que durante la parte negativa dela sei ‘entrada se obtendré el mismo tipo de respuesta ya que tanto el diac como el triae se pueden == ccender en la direccién inversa. La forma de onda resultante de la corrinte a través de la c aparece en la figura 17.34, Si modificamos el resistor R, podemos controlar el dngulo de dduceisn. Existen unidades disponibles capaces de manejarcurgas de mas de 10 kW. OTROS DISPOSITIVOS T113_ TRANSISTOR DE MONOUNION Elreciente interés en el transistor monuniéa (UIT), al igual que en el SCR, bia estado aumen- tando a un ritmo notable, Aunque se presents por primera Ver. en 1948, el dispositive estur= disponible hasta 1952, El bajo costo por unidad combinado con las excelentes caracteriss= cas del dispositive han asegurado su uso en una amplia variedad de aplicaciones, como o= ciladores, circuitos de disparo, generadores de diente de sierra, control de fase y circuitos ‘emporizadores, redes biestables y fuentes reguladas por corriente o voltaje. El hecho de gue este dispositivo sea, en general, un dispositivo que absorbe poca potencia en condiciones & ‘peracién normales, es una gran ayuda en el esfuerzo continuado de disefar sistemas rela vamente eficientes. 1 UIT es un dispositivo de tres terminales cuya construccién bésica se muestra en la + gura 17.35, Una pasilla de material de silicio tipo n levemente dopadlo (caracteristica de resie~ ‘encia inerementada) tiene dos contactos base fijados alos dos extremos de una superficie » tuna barra de aluminio ligada la superficie opuesta. La unin tipo p-n se forma en el limite = Ja barra de aluminio y la pasila de silcio tipo n. La unin p-n nica explica la terminologis m= ‘nounién. Originalmente se llamaba diodo de base de base doble (duo) por la presencia de dos contactos de base. Observe en la figura 17.35 que la barra de aluminio est igada a la pastilla de silcio en un punto mas cercano al contacto de base 2 que el contacto de base 1 y que la term nal de base 2 se hizo mas posiiva con respecto ala terminal de base | por Vay volts. El efecs= de cada uno se constatarden los pérrafos siguientes. Unig por E A rain cocoa remateeae FIG. 1735 Transistor de monounién (UIT): constraccin basicn,