TAREA PREPARATORIA EXAMEN FINAL

Primera Serie

Instrucciones: Responda brevemente cada una de las siguientes preguntas, puede ser a
mano o a computadora.

1. ¿Según su libro de texto, qué tipo de materiales semiconductores existen en la

naturaleza?

R// En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo cristal y
compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura
cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el
nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.

2. ¿Cuál es la diferencia más notoria entre un diodo de silicio y uno de germanio?

R// La diferencia principal entre los diodos es la tensión necesaria para que el diodo se encienda o se vuelva
polarizado hacia adelante. Los diodos de silicio requieren 0.7 voltios para polarizarse hacia adelante, mientras
que los diodos de germanio requieren solo 0.3 voltios para polarizarse hacia adelante.

3. Dibuje un circuito que contenga un diodo en polarización directa y otro en

polarización inversa.

4. Investigue y responda cuál es la diferencia principal entre un diodo Zener y un

diodo de uso común.
R// La diferencia principal entre un diodos Zener un diodo de uso común es que los diodos Zener permiten que
las corrientes inversas pasen a través de ellos sin dañarse, mientras que los diodos comunes se dañan si la
corriente fluye a través de ellos en sentido inverso. Los diodos Zener se usan para regular la tensión en los
circuitos electrónicos, manteniendo una tensión constante cuando se supera el voltaje de ruptura del Zener.

5. Dibuje la curva de polarización de un diodo Zener.

6. Dibuje el símbolo que representa a un transistor npn y a un transistor pnp,

colocando el nombre de cada una de sus patas.

7. ¿Qué es el punto de operación Q en un transistor?

R//El punto de operación Q de un transistor es el voltaje o corriente de estado estacionario en un terminal

específico del transistor sin señal de entrada aplicada. El punto Q determina las características eléctricas
lineales del transistor cuando opera en la región de amplificación. El punto Q se puede representar
gráficamente con la recta de carga estática, que es la ecuación del circuito que relaciona la corriente de colector
IC con el voltaje colector-emisor VCE. El punto Q se suele elegir cerca del medio de la recta de carga estática
para permitir la máxima excursión simétrica de la señal sin recorte.
8. ¿Cuál es la diferencia entre la región activa y la región de saturación cuando opera
un transistor?

R// La diferencia entre la región activa y la región de saturación cuando opera un transistor es que en la región
activa el transistor actúa como un amplificador, mientras que en la región de saturación el transistor actúa
como un interruptor. En la región activa, la corriente de colector depende principalmente de la corriente de
base y de la ganancia de corriente del transistor, y el voltaje colector-emisor es mayor que el voltaje base-
emisor. En la región de saturación, la corriente de colector es máxima y el voltaje colector-emisor es mínimo, y
ambas uniones del transistor están polarizadas en directo.

9. ¿Por qué el VBE tiene un valor de 0.70V en la mayor parte de las operaciones de
polarización fija en un transistor?

R//El VBE tiene un valor de 0.7V en la mayor parte de las operaciones de polarización fija en un transistor
porque el transistor tiene una unión base-emisor que se comporta como un diodo de silicio. El voltaje de
polarización directa de un diodo de silicio es aproximadamente 0.7V. Este valor puede variar con la temperatura
y la corriente que pasa por la unión, pero se usa como una aproximación simplificadora para el análisis de
circuitos.

10. ¿Qué función tiene el resistor RE en una polarización fija?

R//El resistor RE en una polarización fija tiene la función de estabilizar la corriente de colector del transistor
frente a las variaciones de temperatura o de la ganancia de corriente del transistor. El resistor RE introduce una
realimentación negativa que reduce la sensibilidad del punto de operación a los cambios de los parámetros del
transistor. El resistor RE también mejora la impedancia de entrada del circuito y reduce la distorsión de la señal
amplificada.

Segunda Serie
Instrucciones: Resuelva de forma clara cada uno de los problemas que a continuación se le
presentan, haciendo uso de los modelos matemáticos aprendidos y con base a su libro de
texto.
1) Considere el circuito de la figura. (a) ¿Qué
tipo de circuito es? (b) ¿Cuál es el voltaje
pico total del secundario? (c) Determine el
voltaje pico a través de cada sección del
secundario, respecto a tierra(d) Trace la
forma de onda de voltaje a través de RL.
(e)
¿Cuál es la corriente pico a través de cada
diodo?
2) Trace la forma de onda de voltaje de salida
para el rectificador de puente de la figura.
Observe que todos los diodos están
invertidos con respecto a los circuitos
mostrados con anterioridad en el capítulo.

3) Cierto rectificador de onda completa tiene

un voltaje de salida pico de 30 V. Se conecta
un filtro con capacitor de entrada de 50 F
al
rectificador. Calcule el rizo de pico a pico y el voltaje de salida de cd desarrollado a
través de una resistencia de carga de 600. R/Vr=8.33V; VCD=25.8V

4) ¿Qué valor de capacitor del filtro se requiere para producir un factor de rizo de 1%
para un rectificador de onda completa cuya resistencia de carga es de 1.5K?
Suponga que el rectificador produce una salida pico de 18.0 V. R/556F

5) Determine el rizo pico

a pico y los voltajes de
salida de cd en el
circuito mostrado. El
transformador tiene
un voltaje secundario
de 36.0 V rms y la
frecuencia del voltaje
de línea es de 60 Hz.
R/ Vr(pp) = 1.25 V; VCD = 48.9 V
Tercera Serie
Instrucciones: Resuelva de forma clara cada uno de los problemas que a continuación se le
presentan, haciendo uso de los modelos matemáticos aprendidos y con base a su libro de
texto.
1)
Determine VCE, VBE y VCB en el circuito que se muestra. R/ VBE = 0.7 V, VCE = 5.10
V, VCB = +4.40 V

2)
Determine VCE e IC en el circuito de transistor
polarizado con divisor de voltaje del circuito
mostrado si CD =100. R/ VCE=1.95V;
Ic=5.16mA
 3)
Resolver del capítulo 4 de su libro de texto(Nuevo libro del
módulo 2), los siguientes problemas: 3, 8, 11, 13 y 14
Repasar los conceptos de resolución de circuitos de Thévenin, Norton, simplificación por
superposición, delta estrella, estrella