Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emDefinicion CU rec CR Ca CCR er nmr sR acucy Cea erent errs Me [ete ied coco et Pe ei eee nist ea) ose eget Rate 1) OER CR Tete CN eek ser teur eaters Preece ee er React Retr rt Erinn ca Chicas nk CMCC Peace cue aie Rec Cue Set choc tr tae ea Pee aaa aan CR eR ketal Time eo trata de una memoria de semiconductor en la que se Peel cca el atu ume) Dee en out arm eee aceite Peete: een ON er aCe) permanentes. Se dicen «de acceso aleatorio/random» o Pe eee ies ae oct Oe rece ose fate eeu cuneate aacBye ialcet (ya) En general, las RAMs se dividen en estaticas y dinamicas. Una Memoria RAM estatica Ter Ube at et Roel) e OM ILC Ea Tale te ee ae) oO dinamica la lectura es destructiva, es decir que la informacién se pierde al leerla, para evitarlo ena tic eMinchuetcumcmnecuneenenl sus celdas, operacién denominada refresco. Cada celda de la RAM tiene una ubicacién o Ream MIuCu ee tect e tte et comunidad cientifica: el sistema hexadecimal. Cada depésito de un dato en la memoria Ciuc RUM eR MT eee mtn) direccion en hexadecimal.Aequtecturade computadoras La memoria La memoria Memoria oo Extendida ff 16 i = Memoria alta 1088 kb g MEMORIA (HMA) i a shaoweam }——f 1024 Ko (25/486)) . 1 3 Memoria . 4 g a / @32kb & & |pégnasiégicas || E éioxe EMS z Memena : byes ‘convencional & CMOS RAM. SI (236 /266/406)Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emSituando la ayer Wyo Pea eRe CR ne Ce a Pence en eee ae ee Cake ta + DRAM: las siglas provienen de («Dinamic Read Nes ea NN Lr aeons eR CO eens acu asnc Ce oa Ls) Counce creo meet Cec eae naire AC ohn rece N Stra Rca u tan ec) Ceccuais? ‘SRAM: las siglas provienen de («Static Read ex uN Rae oR Ce Rte CO eens ac uncnete ee ecco) transistores, los cuales no necesitan Peano emcee ARES caCT ee arene ee aac Se Me Recto eter re cect Oe Se eS cue eu Se Cinna een kerry See en eee emus ng Pee eesSituando la Pye Wave U | RAM aleatorio Vola! SRAM (wansi [memoria [memoria principal] Mas cara ‘Mas baratas 44s capacidad Menos velocidad Oeil ome Mustela Mia Oman aaa} Swap («de intercambio») no se trata Colney Ta stelar WU Moco g ome TaLe Ko} una emulacion (simulacion funcional), esto significa que se crea un archivo de grandes dimensiones en el disco duro 6 unidad SSD, el CoE eV aa Voter Waele CollolaT simulando ser memoria RAM cuando esta se encuentra parcialmente {Ut Ta- Ware X AV [LMM [1 1a) =-Ua) los servicios de la computadora.RAM Acceso aleatorio Volatil SRAM DRAM (transistores) (condensadores) [memoria caché] [memoria principal] Mas caras Mas baratas Menos capacidad Mas capacidad Mas velocidad Menos velocidadAequtectura de commputadoras La memoria Las memorias en una PC Registros internos Memoria caché | Mayor capacidad ener) Memoria secundaria ete eeg Comparativas entre tipos de memoria (03800 A) peprsojan sofeWEstructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emPH Dee CICS eee Tes Eem en cae ey SUL Ue) oe de la memoria Py) SCRE eet CeO het Cay) esta zona donde se almacena la mayoria de Cer euCeRe tC mrt runt Cae + Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 UTE Aor User WU a lege (oe e- CMe UaarCol Tad Peincueetulsteke Meum aris) bloques de memoria llamados UMB. Beet Rs ia etisa: cr c Bed See Cree arte nine Beene Caen Cherie cuter POR Catron ieticernie ee esos Cie ee Ceemeiute aii Comal elie Pee ee eeiee ye eieceetie eursimt ret Peat ease arc Cuter utilizarlos de modo funcional.Estructura logica + Memoria expandida: se trata de q memoria paginada que se asignaa CTEM lard programas en memoria superior, la vv cual algunas veces no se utilizaba debido a la configuracién del equipo y con este método se puede utilizar. + Memoria extendida: de 1.024 MB hasta 4 GB (GigaBytes), se cargan todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emTipos de Memoria RAM en Memory», memoria de ceeso aleatorio Extended Data ‘acceso aleatorio con salida de datos extendida Burst EDO Random Access Memon, memoria de ‘acceso aleatorio ‘con salida de datos extendida v acceso Burst Memoria primaria de la ‘computadora, en la que puede leerse y escribirse informacion en ‘cualquler momento, pero que pierde la informacién al no tener alimentacion electrica Tecnologia opcional en las memorias RAM utilizadas ef serdar, que permite acortar ‘el camino de la transferencia de datos entre la memoria y Tecnologia opcional; se trata de luna memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones ‘contiguas de memoria.EDO RAM BEDO RAM «Random Access Memory», memoria de acceso aleatorio «Extended Data Qut Random Access Memory», memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida «Burst EDO Bandom Access Memory», memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse informacin en cualquier momento, pero que pierde la informacién al no tener alimentacién eléctrica. Tecnologia opcional en las memorias RAM utilizadas €N servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el exlcroprocesader Tecnologia opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoriaTipos de Memoria RAM Dinamic Bandam Access Memon, ‘inamica de ‘acceso aleatorio Dinamic Sanda Access Noman, ‘indica de ‘acceso aleatorio dinamica de paginacion de ‘acceso aleatorio Es el tipo de memoria més comin ¥ economica, construida con Capacttores por lo que necesitan Constantemente refrescar el dato ‘gue tengan almacenado, haciendo proceso hasta certo punto lento. Tecnologia DRAM que utiliza un elo} para sincronizar con el ‘icroprocesador la entrada y Salida de datos en la memoria de tun chip. Se ha utlizado en las ‘memorias comerciales ‘como sisi, ib, y actualmente la Farnilia de imemorss 908 (ODR, BOR2, DORS, ORS, coe, et.) entran en esta clasificacion Tecnologia opcional en las memorias RAM utllzadas en rvidores, que aumenta el Fendimiento a las direccion ‘mediante paginas.DRAM SDRAM FPM DRAM «, memoria dinamica de paginacién de acceso aleatorio Es el tipo de memoria mas comin y econémica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. Tecnologia DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como sim, pimM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, cope, etc.), entran en esta clasificacién. Tecnologia opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante paginasTipos de aClaatey ar.) BevRDRAM SRAM / Caché «Rambus. DRAM», memoria dindmica de acceso aleatorio para tecnologia «Static Random. Access Memory, memoria estatica de acceso aleatorio Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificacion se encuentra la familia de memorias RIMM. Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente habia médulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores Y discos duros para hacerlos mas eficientes.oR Rt ee 240 pre ea args cn (GR at arn et ts mers a {apc 0 Scone re nas? (Sit ear a sens oe ty ONE on Rade cnc mera SUL ne str oro aon tues cranes es rma ‘re 200; UH Seance po waco Oe Manis de ct cc we 0 1086 Tere ‘elects gras bor roa ape ecu eat per a poy rr (nite woncearets fon scat In SAM ves ces xr cn eH 3 8 plea ber Se rca rg rsa ie re 6 ‘ins crc es Pen cra ra tsveba 33 Esc cso cna Sone etaaf ens ss ms net es Sturn ese x cura sbcton wommane prt. Scomsctan maim cos 651 MB CLs faye necDDR2 RAM: tienen 240 pines. Los zicalos no son compatibles con DDR RAM. La muesca esta situada dos milimetros hacia la izquierda ‘con respecto a DDR RAM. Se comercializan pares de médulos de 2 Gb (212 4 GB). Pueden trabajar a velocidades entre 400 y 800 MHZ. [DDR RAM: sucesora de la memoria SDRAM, tiene un disefio simitar pero con una sdta muesca y 184 contactos. Ofrece una velocidad entre 200 y 600 MHZ. Se caracteriza por usar un mismo cicto de rejo} para hacer dos intercambios de datos a la vez Rambus: puede otrecer velocidades entre 600 y 1.066 MHZ. Tiene 184 contactos. Algunos de estos médulos disponen de una cubierta de aluminio (dispersor de calor) que protege os chips de memoria de ‘un posible sobrecalentamiento. Debido a su alto coste, su utiizacién ‘no se ha extendido mucho, SDRAM: se instalan sin necesidad de inclinarlos con respecto a la placa base. Se caracterizan porque e! médulo tiene dos muescas. E! ndimero total de contactos es de 168. Pueden ofrecer una velocidad entre 66 a 133 MHz. En la actualidad casi ya no se comercializan.‘SDRAM: se instalan sin necesidad de inclinarlos con respecto a la placa base. Se caracterizan porque el médulo tiene dos muescas. El ‘niimero total de contactos es de 168. Pueden ofrecer una velocidad entre 66 2 133 MHz. En la actualidad casi ya no se comercializan. ‘SODIMM: el tamafio de estos mOdulos es mas reducido que el de los anteriores ya que se emplean sobre todo en ordenadores portatiles. ‘Se comerciaizan médulos con capacidades de 512 MB y 1 GB. Los hay de 100, 144 y 200 contactos. MEMORIAS RIMM acrénimo de Rambus Inline Memory Module, designe 2 los médulos de memoria RAM que utllzan una tecnologia denominade: RORAM, desarroliada por Rambus inc-A pesa’ de tener lo tecnologia DRAM niveles de rencimiento muy superiores a la tecnologio SORAM y los primeras generaciones de DDE RAM, debiio al alto costo de esto tecnologia no han tenide gran oceptacisn en el mercado de FCs. Su momento algide tuve gar durante ei periode de inreduccién del Pentium 4 para @i cucl se diseforon las primeras placos base, pero intel conte lo necesidad de lontzar equipox mas econgmicos decidié lanzor places base con soporte para SDRAM y mas adelante para DOR R esplazando esta dita tecnologia a los médvlos RIMM dei mercado.Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emComponentes de EMT a AU + Bancos de memoria (Memory banks): Son los circuitos integrados (chips) que almacenan la informacion en su interior. Cada médulo de memoria cuenta con varios bancos de memoria. Ceo) le eta chip): Es el encargado de almacenar datos relativos al modulo de memoria RAM, como el tamafio de la memoria, el tiempo de acceso, la velocidad y el tipo de memoria. De esta forma el ordenador conocera que memoria RAM tiene instalada en su interior desde la BIOS. fei te Cece ela ae Meola > ele Cac ranura de memoria de la placa base y el modulo de memoria. Transfieren datos y CT ore it Wl Tena or- aEstructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emEstructura interna de la Taste MyM La memoria RAM se organiza fisicamente mediante un conjunto de filas (rows) y columnas (cols), las cuales forman una cuadricula llamada banco (bank). Dentro del banco, cada punto de corte entre una fila y columna posee un condensador que almacena carga o no, simulando un bit (1 0 0). Existen numerosos bancos, que se posicionan uno tras otro.Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emFuncionamiento de la memoria eV Conociendo la estructura interna de la MEM acm uccon- tcc aicmcle Pen Cie Ma Seiten Une Mune? comprende de manera basica los siguientes PE Cory RSC a kecn oll Bsclco nee tc) seleccionar el banco de memoria. 2. Se envia la sefial RAS (Row Address Strobe) para seleccionar la fila en la que se va a leer o escribir. 3. Se envia la sefial CAS (Column Address Strobe) para seleccionar la columna en la que se va a leer o escribir. Pa eMC care ean en tM lteter ve la fila en la que se va a leer o escribir. 5. Se lee o escribe el bit de informacién. Cae Nelo d esate ae a ER NENT Ce CisoR) CollieEstructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emErrores de memoria CUE Cee Rt rR Mn RnCS ue ee area ed ee Mee Reel) Pees eae Meee Career Mie el Oni Rcu Neen en eect tM te Rm CCRC ia ee uence neck Rue R aT método ECC (Error Correction Code). Para entender por Cae eR uta cuties sce Reiter Core Rtg Ca enact TOM eue eae Cle UUs 1. La circuiteria electronica de la memoria utiliza eee See nest eek teins Raecauira LC) Ci Nee eect ee aici et tence] ta Pee eu ru cea Rei seul oe Pee Rca me Rect eo ene nae lee UN aT Rte eked em OR te R rele Peete ett ou OUST aican integridad de datos.Estructura Peet lamemoria ota Eee coe ee) To apie er ec BA Ec emen we ait > Dp" Dp” DD Dp