Electrónica II Modulo

Instituto Tecnológico Superior
Vida Nueva
COMPENDIO DE
ELECTRÓNICA II
3 CREDITOS
1. Datos informativos:
Carrera/s Nivel
Electromecánica Segundo
Mecánica automotriz Segundo
Mecánica industrial Segundo
Informática Segundo
www.istvidanueva.edu.ec
Tecnológico Vida Nueva http://campus.istvidanueva.edu.ec/
1
2. Índice
1. Datos informativos: .......................................................................1
2. Índice .............................................................................................2
3. Introducción ...................................................................................5
4. Prerrequisitos ................................................................................8
5. Evaluación inicial...........................................................................8
6. Orientaciones generales para el estudio ....................................10
7. Desarrollo de contenidos ............................................................11
I. Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA ............11
Objetivos .....................................................................................11
Contenidos ..................................................................................11
Configuración del transistor ...................................................14
Estructura ...............................................................................15
Operación del transistor .........................................................17
Curva característica de entrada .............................................19
Aproximaciones para el funcionamiento del transistor .........22
Clasificación de los transistores bipolares.............................26
Polarización de los transistores bipolares .............................27
Circuito de polarización fija ....................................................28
Circuito de polarización estabilizado en emisor ....................28
Corrientes de polarización .....................................................29
Voltajes de polarización .........................................................29
Voltaje en la juntura colector emisor......................................29
Circuito de polarización por divisor de voltaje .......................29

Tecnológico Vida Nueva Página 2
Análisis exacto........................................................................29
Polarización con realimentación ............................................30
Estrategias de enseñanza – aprendizaje ...................................31
Evaluación ...................................................................................32
Recursos .....................................................................................33
II. Unidad: APLICACIONES DEL BJT .......................................34
Objetivos .....................................................................................34
Contenidos ..................................................................................35
El transistor como interruptor .................................................35
El transistor como amplificador ..............................................36
Evaluación ...................................................................................47
Recursos .....................................................................................48
III. Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.....................49
Objetivos: ....................................................................................49
Contenidos ..................................................................................49
El amplificador operacional ideal. ..........................................51
Estructura interna y características: ......................................52

Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no
inversor ...................................................................................58
El amplificador diferencial.- ....................................................58
El sumador inversor ...............................................................61
El integrador ...........................................................................63
El diferenciador.......................................................................65
El seguidor de tensión ............................................................66
Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y

sus características..................................................................67
Evaluación ...................................................................................70
Recursos .....................................................................................71
8. Evaluación final ...........................................................................72
9. Bibliografía ..................................................................................75
10. Anexos ....................................................................................76
Codificación de los transistores bipolares .............................76
Codificación europea .............................................................76
Codificación japonesa ............................................................77
Codificación americana ..........................................................78
Datos técnicos de voltaje y corriente en un transistor...........78
11. Glosario ............................................................................... 104

Electrónica II Introducción
3. Introducción
Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el
dispositivo electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de
tubo de vacío fue introducido por J. A. Fleming. Poco después, en
1906, Lee, De Forest agregó un tercer elemento, denominado rejilla
de control, al tubo de vacío, lo que originó el primer amplificador: el
triodo. En los años siguientes, la radio y la televisión brindaron un
gran impulso a la industria de tubos electrónicos.
La producción aumentó de cerca de 1 millón de tubos en 1922

hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la
década de los treinta el tétrodo de cuatro elementos y el péntodo de
cinco elementos se distinguieron en la industria de tubos
electrónicos. Durante los años siguientes, la industria se convirtió en
una de primera importancia y se lograron avances rápidos en el
diseño, técnicas, aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y la
miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947,(1940 a 1950) la industria

electrónica atestiguó el advenimiento de una dirección de interés y
desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde
de ese día que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el
efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone
Laboratorios.
Figura 1: Inicios de la electrónica (Monografias, 2013)

El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra

en la figura. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de
estado sólido de tres terminales sobre el tubo electrónico fueron
evidentes: era más pequeño y ligero; no tenía requerimientos de
filamentos o pérdidas térmicas; ofrecía una construcción de mayor
resistencia y resultaba más eficiente porque el propio dispositivo
absorbía menos potencia; instantáneamente estaba listo para
utilizarse, sin requerir un periodo de calentamiento; además, eran
posibles voltajes de operación más bajos. Obsérvese que este
capítulo es nuestro primer estudio de dispositivos con tres o más
terminales.
El lector descubrirá que todos los amplificadores (son dispositivos

que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrán al
menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las
otras dos.
Figura 2: El primer transistor (bell telephone laboratories).

(Monografias, 2013)

Sería imposible entender la evolución de la electrónica analógica y

digital en general, sin una buena comprensión de lo que es, y lo
que ha aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a
reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vacío (los tubos de
vacío aún se emplean en electrónica de potencia, cuando son
necesarias elevadísimas ganancias, por ejemplo en amplificadores
para trasmisión vía satélite) con las siguientes ventajas:
 Su consumo de energía es mucho menor con lo que también

es menor su producción de calor.
 Su tamaño es también mucho menor. Esto permite una
drástica reducción de tamaño y por ende la miniaturización de
la industria electrónica.
 Mientras que las tensiones de alimentación de los tubos
estaban alrededor de los 300 voltios las de los transistores
vienen a ser de 10 voltios con lo que los demás elementos de
circuito también pueden ser de menor tamaño al tener que
disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho
menores.
 El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por
silicio o germanio. Su vida media es prácticamente ilimitada y
en cualquier caso muy superior a la del tubo de vacío.
 El transistor en un dispositivo de estado sólido más robusto.
Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vacío al

transistor supone un gran paso en cuanto a reducción de tamaño y
consumo y aumento de fiabilidad.

Electrónica II Prerrequisitos
4. Prerrequisitos
Es necesario tener aprobado:
 Electrónica 1
 Además de conocimientos elementales de computación
5. Evaluación inicial
En un gráfico detalle la construcción de semiconductores Tipo N y

Tipo P.
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Explique construcción y características del primer elemento

electrónico de estado sólido llamado EL DIODO.
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Explique con gráficos como se prueba un diodo utilizando el

multímetro.
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Electrónica II Evaluación inicial
Realice un resumen acerca de la aplicación más importante del

diodo como: rectificador de onda completa tipo puente.
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Indique cuatro aplicaciones prácticas de diodos.
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Electrónica II Orientaciones generales para el estudio
6. Orientaciones generales para el estudio

La importancia de utilizar el transistor no tiene comparación, desde
hace más de 65 años (década 1940-1950) los primeros dispositivos
de estado sólido llamados diodo y transistor respectivamente no
han podido reemplazarse y siguen siendo utilizados en todas las
áreas de la vida cotidiana. Esto ha hecho que este módulo tenga
una importancia relevante para todas las especialidades comunes.
El presente módulo se presta para realizar prácticas conforme se

avanza teóricamente, lo que permite reforzar conocimientos,
además tiene la ventaja de usar software simulador llamado
CIRCUIT MAKER dónde se puede visualizar en sus instrumentos
virtuales las formas de voltajes, corrientes y potencia en cualquier
punto del circuito, por lo tanto se recomienda tener conocimientos
básicos de computación.
Además la importancia de la comunicación alumno-profesor usando

medios de comunicación vía internet dónde se publican trabajos,
notas, asistencia deberes e incluso capítulos de teoría electrónica.

Electrónica II
Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA
7. Desarrollo de contenidos
I. Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA
Objetivos
 Realizar el análisis completo y detallado del funcionamiento
de transistores trabajando en las tres regiones de aplicación.
 Entender como un dispositivo de estado sólido tan pequeño
reemplaza a los tubos de vacío eficientemente especialmente
en la aplicación como amplificador.
 Matemáticamente realizar cálculos de corrientes y voltajes de
polarización en cualquier configuración y poder limitar
adecuadamente los parámetros de voltajes, corrientes y
potencias para su funcionamiento adecuado.
Contenidos
Introducción
La siguiente figura muestra el símbolo de un transistor bipolar o

BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de
sus terminales.

Electrónica II
Figura 3: Símbolo y tipos de transistor BJT. (Wikipedia, 2013)
Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio o

germanio dopados adecuadamente, según la configuración
mostrada en la Figura.
Figura 4: Estructura interna del transistor bipolar. (Wikipedia, 2013)
Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor,

apunta al sentido de la corriente en polarización directa del diodo
BASE-EMISOR. En principio, parece una estructura simétrica, en la
que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la
función que cumple cada uno es completamente distinta, y en
consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por lo
tanto no es un componente simétrico.
Un transistor tiene dos formas principales de operación: como un

interruptor o como una resistencia variable.

Electrónica II
El transistor bipolar de juntura
Figura 5: Modelos de transistores. (Wikipedia, 2013)
El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJT) es

un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Según la evolución tecnológica los transistores bipolares son los

más conocidos y se usados generalmente en electrónica aunque
también hay otros dispositivos: los transistores de tecnología JFET.
CMOS Y MOSFET. En el presente módulo se detallará la
construcción, funcionamiento y aplicaciones de transistor bipolar de
juntura cuyas siglas son TBJ.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en

un solo cristal semiconductor, separados por una región muy
estrecha llamada barrera. De esta manera quedan formadas tres
regiones de cada una de las cuales sale un terminal llamado:

Electrónica II
 Emisor (E), que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
 Base (B), la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor
del colector.
 Colector (C), de extensión mucho mayor, pero de menor
dopaje.
Configuración del transistor
Figura 6: Transistores bipolares NPN y PNP. Estructura. Circuito

equivalente, símbolo. (Wikipedia, 2013)
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En

su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada
directamente, mientras que la base-colector inversamente. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y
la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de

Electrónica II
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de
actividad.
Estructura
Un transistor de unión bipolar consta de tres regiones o capas
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base
y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según
corresponda.
Figura 7: Estructura interna de un transistor NPN. (Wikipedia, 2013)
Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN.

Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho
más amplia que la base-emisor.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y

está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de
alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo
casi imposible para los electrones inyectados en la región de la
base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante
de α (variación de la corriente de colector con respecto a la de
emisorα = ΔIC / ΔIE) se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,
Electrónica II
otorgarle al transistor un parámetro llamado β (variación de la
corriente de colector con respecto a la de baseβ = IC / IB).
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no

es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que
intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje
de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está
usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar
el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo
inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener
en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es
menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las
tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está
altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de
reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La
unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación
normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es
para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor:
la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de
corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-
emisor deben provenir del emisor.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-

emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el
colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado
para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden
ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión,
Electrónica II
pero son caracterizados más simplemente como fuentes de
corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la

mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio.
Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares
de dos junturas) están hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Operación del transistor

Curvas características: Son gráficos que representan la variación
del voltaje – corriente en los terminales de un dispositivo que
poseen todos los elementos electrónicos. En este caso
serepresenta la corriente de colector vs el voltaje en los terminales
colector-emisor.
Figura 8: Curva característica idealizada de un transistor bipolar.

(Wikipedia, 2013)
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en

directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación
térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la

Electrónica II
barrera de potencial (juntura) emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la

región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión
base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en
la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base,
desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la
región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones
en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopada con material P, los cuales generan "huecos"
como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente

delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta
en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
re combinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor
de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Electrónica II
Curva característica de entrada
Si variamos el valor de la fuente VBB de la malla de entrada,
tomando valores de IB y VBE podemos obtener la ecuación
característica de entrada
Figura 9: Curva característica. (Wikipedia, 2013)
Como vemos, es la característica del diodo base-emisor, y tiene una

forma exponencial.
Curva característica de salida
Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para
Diferentes valores de IB (corriente de base).
Ajustando VBB fijo un valor de IB que voy a mantener constante (por
ejemplo IB 10 mA). Ahora variando VCC mido valores de VBEy IC y
obtengo la correspondiente curva de IB 10 mA. Hago lo mismo para
IB = 20 mA, etc... Y así sucesivamente para diferentes valores de IB.

Electrónica II
Figura 10. Circuito electrónico. (Wikipedia, 2013)
En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:
Figura 11. Curva del circuito electrónico. (Wikipedia, 2013)
 Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIÓN.

 Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.
 Zona a partir de 3: ZONA DE RUPTURA.
Recordar que en activa conociendo el valor de IB se puede calcular
la IC con la ecuación: IC = β * IB.

Electrónica II
Figura 12. Zonas de activación. (Wikipedia, 2013)
La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no

conduce
Veamos para que sirve cada zona:
 Activa: Amplificadores y demás Circuitos Lineales
Figura 13. Curvas Ic. (Wikipedia, 2013)
 Corte y Saturación: Conmutación (Corte abierto y Saturación

cerrado).

Electrónica II
Figura 14. Curvas de conmutación. (Wikipedia, 2013)
En este caso el control es por corriente. Es decir Si la corriente de

base es cero la juntura colector-emisor está abierta. En cambio si la
corriente de base es mayor que cero la juntura colector emisor está
cerrado.
Aproximaciones para el funcionamiento del transistor
Las características de entrada y salida no son lineales:
Figura 15. Curvas de un transistor. (Wikipedia, 2013)

Electrónica II
Para facilitar los cálculos usaremos las siguientes aproximaciones.
Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menos exacta de las
tres, las características de entrada y salida son estas:
Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se

parece más al funcionamiento real del transistor.
La aproximación más exacta o la que más se parece a la realidad,

por lo tanto algo más compleja que las anteriores, se gana en
exactitud pero también en complejidad.

Electrónica II
Ejemplo: En este ejemplo usaremos las 3 aproximaciones para ver

que error se comete de una a otra.
1ª aproximación
Para saber dónde estamos hacemos una hipótesis. Hipótesis:

ACTIVA.

Electrónica II
Vemos que la UE está en polarización directa y la UC está en

polarización inversa por lo tanto la hipótesis es correcta, estamos en
la zona activa.
2ª aproximación
También queda demostrado que nos encontramos en la zona

activa. La mayor diferencia está en VCE y debido eso se recomienda
usar la 2ªaproximación en vez de la 1ª.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir
incógnitas se toma: IC = IE.
3ª aproximación
La 3ª aproximación no se suele utilizar, porque no se sabe en qué

punto estamos trabajando (punto Q). En prácticas se podría utilizar

Electrónica II
la 3ª aproximación midiendo la tensión VBE con el voltímetro, pero
en problemas no se usa la 3ª aproximación.
Si supiéramos su valor, aplicamos la 3ª aproximación y se ven los
valores que salen:
Por ejemplo con un voltímetro mido la tensión VBE y se obtiene el
siguiente valor:
Como se ve los errores son mínimos comparándolos con la 2ª

aproximación, por eso usaremos la 2ª aproximación.
Clasificación de los transistores bipolares
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
1. Por la disposición de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2. Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio

Electrónica II
3. Por la disipación de Potencia
- Transistores de baja potencia

-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4. Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia

- Transistores de alta frecuencia
Polarización de los transistores bipolares
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es

necesario polarizarlo correctamente utilizando una fuente de
corriente continua. Para un transistor NPN se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo:
Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con

respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también
positivo pero, mayor que el de la base.
Si el transistor es PNP la base debe tener un voltaje negativo con

respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también
negativo pero, mayor que el de la base.

Electrónica II
Circuito de polarización fija
Rb Rc
1 1
+ Vcc
1V
Q2
NPN
Figura 19: Polarización fija. (Monografias, 2013)
Circuito de polarización estabilizado en emisor
Rb Rc
1 1
+ Vcc
1V
Q1
NPN
Re
1
Figura 20: Polarización estabilizado. (Monografias, 2013)

Electrónica II
Corrientes de polarización
IB = (VCC – VBE) / [Rb + (β+1) * Re]
IC = β * IB
IE = (β + 1) * IB
Voltajes de polarización
VB = VCC - IB * Rb
VE = IE * RE
VC = VCC – IC * RC =VBE + IE * RE
Voltaje en la juntura colector emisor

VCE = VCC – IC * RC – IE * RE
Circuito de polarización por divisor de voltaje

El figura se tiene dos circuitos equivalentes, dónde RBB representa
la resistencia de Thévenin y VBB el voltaje de Thévenin.
Análisis exacto
R1 Rc Rc
1 1 1
+ Vcc + Vcc
1V 1
RBB
Q1 1 Q1
NPN NPN
+ VBB
R2 1
1k Re Re
1 1
RTH = RBB = R1╨R2 = (R1* R2) / (R1+ R2)
VTH= VBB = (R2*VCC) / (R1 + R2)

Electrónica II
VBE es el voltaje en la juntura BASE-EMISOR dependiendo del tipo
de transistor 0,6 A 0,7 Para transistores de Silicio y 0,2 a 0,3 para
transistores de Germanio.
IB = (VBB – VBE) / [RBB + (β+1) * Re]
IC = β * IB
IE = (β + 1) * IB
NOTA: algunos autores consideran IC = IE que para fines prácticos

son valores muy aproximados.
VB = VBE + IE * Re
VE = IE * Re
VC = VCC – IC * Rc

VCE = VCC – IC * Rc– IE * Re
Polarización con realimentación
Rb Rc
1 1
+ Vcc
1
Q1
NPN
Re
1
Figura 21: Polarización retroalimentación. (Monografias, 2013)

Electrónica II
IB = (Vcc – VBE) / [Rb +β (Rc+Re) *]
IC = β * IB
IE = (β + 1) * IB
NOTA: algunos autores consideran IC = IE que para fines prácticos

son valores muy aproximados.
VB = VBE + IE * Re
VE = IE * Re
VC = VCC – IC * Rc

VCE = VCC – IC * RC – IE * Re
Estrategias de enseñanza – aprendizaje

Realizar un circuito de aplicación con los conocimientos adquiridos
durante la unidad

Electrónica II
Evaluación
1.- Calcular voltajes y corrientes polarización en el siguiente
circuito:
Rb Rc
510k 2,4k
+ Vcc
20V
Q1
NPN
Re
1,5k
2.- Calcular voltajes y corrientes polarización en el siguiente

circuito:
R1 Rc
39k 10k
+ Vcc
22V
Q1
NPN
R2
3,9k Re
1,5k

Electrónica II
3.- Comprobar implementando en la práctica los valores
calculados, medidos con el multímetro y los obtenidos en el
software simulador CIRCUIT MAKER.
Recursos
 Folleto VN
 Proyector
 Computador con software instalado.
 Protoboard
 Multímetro
 Fuente de poder DC variable regulada.
 Elementos electrónicos
 Transistores
 Manual NTE

Electrónica II Unidad: APLICACIONES DEL BJT
II. Unidad: APLICACIONES DEL BJT
Objetivos
 Estudiar la primera aplicación del transistor como un switch de
alta velocidad sin contactos móviles que se desgastan o salta
chispas.
 Reforzar los contenidos del capítulo anterior en base al cual
se polariza al transistor alimentado por señal de corriente
continua.
 Implementar en el laboratorio un circuito dónde se vea la
aplicación como un interruptor de alta velocidad
 Entender claramente el efecto amplificador de voltaje o
corriente de un elemento de estado sólido tan pequeño
utilizando elementos electrónicos en el laboratorio y
comprobar utilizando el software simulador CIRCUIT MAKER.
 Conocer los tres tipos de configuraciones; emisor, base y
colector común, cado uno con sus características de entrada y
salida.
 Demostrar matemáticamente cálculos para ganancia de
voltajes y corrientes en cada una de las configuraciones.
 Demostrar matemáticamente cálculos para impedancias de
entrada y salida en cada una de las configuraciones.
 Implementar aplicaciones prácticas con amplificadores de
audio.

Contenidos
El transistor como interruptor
Introducción:
La función del transistor como interruptor de alta velocidad es

exactamente igual que la de un dispositivo mecánico: o bien deja
pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia está en que
mientras en el primero es necesario que haya algún tipo de control
mecánico, en el BJT la señal de control es electrónica. En la Figura
se muestra la aplicación al encendido de una bombilla.
Figura 22: El transistor bipolar como interruptor. (Monografias,

2013)
En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es

introducida a través de la base, el transistor se comporta como un
circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la
bombilla estará apagada. En el segundo caso, cambiando la señal
de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la
bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conducción se

denomina operación en conmutación. Las aplicaciones típicas de

este modo de operación son la electrónica de potencia y en

electrónica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de
tensión fijos equivalentes a 1L y 0L lógicos.
Circuito de aplicación
Rc
S1 1
R1 Vcc
1k 1
Q1
NPN
Re
1
1) En conducción: SiIB> 0 la juntura colector-emisor está

cerrada por lo tanto Vo ≡ 0 V.
2) En corte: Si IB = 0 la juntura colector-emisor está
abierta por lo tanto Vo ≡ Vcc
El transistor como amplificador
Introducción
El mundo está lleno de pequeñas señales que necesitan

amplificarse para procesar la información que contienen. Por
ejemplo: una guitarra eléctrica. El movimiento de una cuerda
metálica en el interior de un campo magnético (creado por los
captadores o pastillas) provoca una pequeña variación de tensión
entre dos terminales de una bobina. Para que esa débil señal pueda
llegar a los oídos de todo un auditorio, es evidente que se necesita

una amplificación. La señal producida por la pastilla de la guitarra

viaja por un par de terminales hasta el amplificador. Aquí se
produce la transformación de la pequeña señal, que es capaz ahora
de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee.
Para que se pueda oír lo que se toca realmente, la amplificación
debe cumplir ciertas condiciones: Debe respetar la forma de onda
de la tensión de entrada. Si no lo hace así, se produce una
distorsión, una pérdida de la información que aporta.
La energía absorbida de la fuente que emite la onda que se desea

amplificar ha de ser mínima. El circuito amplificador necesita una
fuente de alimentación propia.
Parámetros importantes de un amplificador
Impedancia de entrada Zi: Representa la relación entre el voltaje de

entrada y la corriente de entrada Zi = Vi / I i
Impedancia de salida Zo: Representa la relación entre el voltaje de

salida y la corriente de salida: ZO = VO / I O
Ganancia de voltaje Av: Representa la relación entre el voltaje de

salida y el voltaje de entrada: Av = Vo / Vi
Ganancia de corriente Ai: Representa la relación entre la corriente

de salida y la corriente de entrada: Ai = Io / Ii
De acuerdo a la forma como ingresan y como salen las señales en

un amplificador se tienen tres tipos de configuraciones:

Emisor común: La entrada de señal se tiene por la base y la salida

por colector.
R1 Rc
39k 10k C2
1uF
+ Vcc
C1 22V
1uF
Q1
NPN
V1
-1/1V RL
2,2k
R2
1kHz Re
3,9k
1,5k
Figura 23: Emisor Común. (Monografias, 2013)
Colector común: La entrada de señal se tiene por la base y la

salida por colector.
R1 Rc
39k 10k
+ Vcc
C1 22V
1uF Q1
NPN
V1 C2
-1/1V 1uF
R2
1kHz Re
3,9k
1,5k
RL
2,2k
Figura 23: Colector Común. (Monografias, 2013)

Base común; La entrada de señal se tiene por el emisor y la salida

por colector.
R1 Rc
39k 10k C2
1uF
+ Vcc
22V
Q1
NPN
C1
V1
1uF -1/1V
R2 1kHz
Re
3,9k
1,5k RL
2,2k
Figura 23: Base Común. (Monografias, 2013)

Implementar una práctica con un circuito dónde se alimente a un
transistor una señal generada por un oscilador LM555 y encienda
varios leds en serie o paralelo.

Considerando el circuito y el gráfico de la siguiente figura. Calcular y

dibujar la línea de carga del circuito entre C y E.
Localizar el punto de operación Q en la gráfica cuando IC = 1,25
mA. Determinar la tensión de VCE en el punto Q. Calcular el valor de
IB en el punto Q.
Sabiendo que VCC =12 V y dada la gráfica de la figura, calcular el

valor de RC y RB necesario para que el transistor dado en la figura
opere en el punto Q dado.

Calcular las tensiones y corrientes de polarización en DC para el

circuito de la figura (Beta = 80).
¿Qué resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el

punto medio de la recta de carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b es
125?

En el circuito amplificador de la figura:
 Calcular el punto de operación DC del transistor.

 Determinar el modelo AC para pequeñas señales
 Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo

En el circuito de la figura:
 Hallar el punto de operación DC del transistor.

 Determinar el modelo AC de pequeñas señales equivalente
para ese punto de operación
 Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en
tensión.
 Tensión de salida del circuito si la entrada es una onda
sinusoidal de 20 mV de tensión entre pico y pico.

Calcular impedancia de entrada y salida. Ganancia de voltaje y

corriente. Comprobar implementando el circuito en una práctica de
laboratorio.
R2 Rc C1
50k 1k 1uF
C2 MPS3904
1uF
Q1
+ Vcc
V1 Rl 10V
-1/1mV 2k
R1
1kHz 5.6k
Verificar los pines y comprobar en estado del transistor. Usando el

manual NTE. Que consta en el anexo del presente trabajo.

En la configuración EMISOR COMÚN demostrar las fórmulas para:

ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada e
impedancia de salida.
En la configuración COLECTOR COMÚN demostrar las fórmulas

para: ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancia de
entrada e impedancia de salida.
Comprobar los ejercicios utilizando el software simulador para

electrónica analógica CIRCUIT MAKER.

Implementar en el laboratorio un circuito en EMISOR COMÚNy

comprobar la ganancia de VOLTAJE Y CORRIENTE.
Implementar en el laboratorio un circuito en COLECTOR COMÚN y

comprobar la ganancia de VOLTAJE Y CORIENTE.

Evaluación
1.- Con las características del circuito de la figura, determine la
forma de onda de salida y calcule las corrientes de base, colector y
emisor. El transistor es de silicio con Beta = 150.
Rc
2,4k
Rb
180k Q1 + V1
NPN 10V
2.- Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB,
IC e IE del circuito de la figura , cuando EB = 0 V.

3.- En el circuito de la Figura calcular VBE, VBC y VCE así como las
corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente
del transistor es hFE = 100.
.
Recursos
 Folleto VN
 Proyector
 Protoboard
 Multímetro
 Transistores
 Manual NTE

Electrónica II Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
III. Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Objetivos:
 Conocer una de las primeras aplicaciones de los transistores
en circuitos integrados llamados amplificadores operacionales.
 Realizar comparaciones con los circuitos tradicionales del
transistor y anotar las ventajas de los operacionales
 Implementar circuitos con amplificadores operacionales y
realizar cálculos de ganancia de voltaje y corriente así como
impedancias de entrada y salida.
Contenidos
Introducción
El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del

campo de los computadores analógicos, en los que comenzaron a
usarse técnicas operacionales en una época tan temprana como en
los años 40. El nombre de amplificador operacional deriva del
concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua)
con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas
características de operación estaban determinadas por los
elementos de realimentación utilizados. Cambiando los tipos y
disposición de los elementos de realimentación, podían
implementarse diferentes operaciones analógicas; en gran medida,
las características globales del circuito estaban determinadas sólo
por estos elementos de realimentación. De esta forma, el mismo
amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y el
desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al

nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseño de

circuitos.
Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente

básico de su tiempo: la válvula de vacío. El uso generalizado de los
amplificadores operacionales (AOs) no comenzó realmente hasta
los años 60, cuando empezaron a aplicarse las técnicas de estado
sólido al diseño de circuitos amplificadores operacionales,
fabricándose módulos que realizaban la circuitería interna del
amplificador operacional mediante diseño discreto de estado sólido.
Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros

amplificadores operacionales de circuito integrado. En unos pocos
años los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en
una herramienta estándar de diseño, abarcando aplicaciones
mucho más allá del ámbito original de los computadores analógicos.
Con la posibilidad de producción en masa que las técnicas de

fabricación de circuitos integrados proporcionan, los amplificadores
operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes
cantidades, lo que, a su vez contribuyó a rebajar su coste.
Hoy en día el precio de un amplificador operacional integrado de

propósito general, con una ganancia de 100 dB, una tensión offset
de entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un
ancho de banda de 1 MHz. es inferior a 1 euro.
El amplificador, que era un sistema formado antiguamente por

muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse
en un componente discreto él mismo, una realidad que ha cambiado
por completo el panorama del diseño de circuitos lineales.

Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al

precio de los componentes pasivos, el diseño mediante
componentes activos discretos se ha convertido en una pérdida de
tiempo y de dinero para la mayoría de las aplicaciones dc y de baja
frecuencia.
Claramente, el amplificador operacional integrado ha redefinido las

"reglas básicas" de los circuitos electrónicos acercando el diseño de
circuitos al de sistemas.
Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs, cómo

funciona, cuáles son sus principios básicos y estudiar sus
aplicaciones
El amplificador operacional ideal.
Los fundamentos básicos del amplificador operacional ideal son

relativamente fáciles. Quizás, lo mejor para entender el amplificador
operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales
sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u
otros cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en términos
generales y considere el amplificador como una caja con sus
terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el
amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qué hay dentro de
la caja.

Estructura interna y características:
Figura 24: Estructura interna de un amplificador operacional Vd

(voltaje de entrada). (Monografias, 2013)
V0 = a Vd (voltaje de salida)
a = infinito (ganancia de voltaje)
Ri = infinito (resistencia de entrada)
Ro = 0 (resistencia de salida)
BW = infinito (ancho de banda)
V0 = 0 sí Vd = 0
En la figura anterior se muestra un amplificador idealizado. Es un

dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial, y un único
terminal de salida. El amplificador sólo responde a la diferencia de
tensión entre los dos terminales de entrada, no a su potencial
común.
Una señal positiva en la entrada inversora (-), produce una señal
negativa a la salida, mientras que la misma señal en la entrada no
inversora (+) produce una señal positiva en la salida. Con una
tensión de entrada diferencial, Vd, la tensión de salida, Vo, será a
Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos terminales de
entrada del amplificador se utilizarán siempre independientemente
de la aplicación. La señal de salida es de un sólo terminal y está

referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de

alimentación bipolares ( ± )
Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos
definir ahora las propiedades del amplificador ideal. Son las
siguientes:
1. La ganancia de tensión es infinita:
2. La resistencia de entrada es infinita:
3. La resistencia de salida es cero:

Ro = 0
4. El ancho de banda es infinito:
5. La tensión offset de entrada es cero:

V0 = 0 sí Vd = 0
A partir de estas características del AO, podemos deducir otras dos

importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en
tensión es infinita, cualquier señal de salida que se desarrolle será
el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña.
La tensión de entrada diferencial es nula. También, si la resistencia
de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los
terminales de entrada
Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se

emplearán repetidamente en el análisis y diseño del circuito del AO.
Una vez entendidas estas propiedades, se pude, lógicamente,

deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores

operacionales.
Configuraciones básicas del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales se pueden conectar según dos
circuitos amplificadores básicos:
Las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora.
Casi todos los demás circuitos con amplificadores operacionales

están basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones
básicas.
Además, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos
dos circuitos, más otro circuito básico que es una combinación de
los dos primeros: el amplificador diferencial.
El amplificador inversor
La figura 25 ilustra la primera configuración básica del AO. El
amplificador inversor. En este circuito, la entrada (+) está a masa, y
la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1, con realimentación
desde la salida a través de R2.
Figura 25: Amplificador inverso. (Monografias, 2013)

Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal,

las características distintivas de este circuito se pueden analizar
cómo sigue.
Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollará su
tensión de salida, V0, con tensión de entrada nula. Ya que, la
entrada diferencial de A es:
Vd = Vp - Vn, ==>Vd = 0.- Y si Vd = 0, entonces toda la tensión de
entrada Vi, deberá aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1
𝑉𝑖
𝐼=
𝑅1
Vn está a un potencial cero, es un punto de tierra virtual
Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2, puesto que no
se derivará ninguna corriente hacia la entrada del operacional
(Impedancia infinita), así pues el producto de I por R 2 será igual a -
V0
𝑉0
𝐼=
𝑅2
𝑉𝑖 𝑉0
=
𝑅1 𝑅2
Por lo que:
𝑅2
𝑉0 = − ∙ 𝑉𝑖
𝑅12

Luego la ganancia del amplificador inversor:
𝑉𝑖 𝑅2
=−
𝑉𝑖 𝑅1
Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador

inversor ideal. La ganancia se puede variar ajustando bien R 1, o
bien R2. Si R2 varía desde cero hasta infinito, la ganancia variará
también desde cero hasta infinito, puesto que es directamente
proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1
únicamente determinan la corriente I, por lo que la corriente que
circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2.
La entra del amplificador, o el punto de conexión de la entrada y las
señales de realimentación, es un nudo de tensión nula,
independientemente de la corriente I. Luego, esta conexión es un
punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habrá el mismo
potencial que en la entrada (+). Por tanto, este punto en el que se
suman las señales de salida y entrada, se conoce también como
nudo suma. Esta última característica conduce al tercer axioma
básico de los amplificadores operacionales, el cual se aplica a la
operación en bucle cerrado:
En bucle cerrado, la entrada (-) será regulada al potencial de

entrada (+) o de referencia.
Esta propiedad puede aún ser o no ser obvia, a partir de la teoría de

tensión de entrada de diferencial nula. Es, sin embargo, muy útil
para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como un terminal
de referencia, el cual controlará el nivel que ambas entradas

asumen. Luego esta tensión puede ser masa (como en la figura 2),
o cualquier potencial que se desee.
El amplificador no inversor
La segunda configuración básica del AO ideal es el amplificador no
inversor, mostrado en la figura 26. Este circuito ilustra claramente la
validez del axioma 3.
Figura 26: Amplificador no inversor. (Monografias, 2013)
En este circuito, la tensión Vi se aplica a la entrada (+), y una

fracción de la señal de salida, Vo, se aplica a la entrada (-) a través
del divisor de tensión R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de
entrada en ningún terminal de entrada, y ya que Vd = 0, la tensión
en R1 será igual a Vi.
Así pues
𝑉𝑖=𝐼∙𝑅1
y como
𝑉0=𝐼∙(𝑅1 +𝑅2)

tendremos pues que:

𝑉𝑖
𝑉0 = ∙ (𝑅1 + 𝑅2 )
𝑅1
que si lo expresamos en términos de ganancia:
𝑉0 𝑅1 + 𝑅2
=
𝑉𝑖 𝑅1
que es la ecuación característica de ganancia para el amplificador

no inversor ideal.
También se pueden deducir propiedades adicionales para esta

configuración. El límite inferior de ganancia se produce cuando R 2 =
0, lo que da lugar a una ganancia unidad.
En el amplificador inversor, la corriente a través de R1 siempre

determina la corriente a través de R2, independientemente del valor
de R2, esto también es cierto en el amplificador no inversor. Luego
R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal, capaz de
incrementar la ganancia desde el mínimo unidad hasta un máximo
de infinito. La impedancia de entrada es infinita, puesto que se trata
de un amplificador ideal.
Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor
El amplificador diferencial.-
Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador
diferencial, es una combinación de las dos configuraciones
anteriores. Aunque está basado en los otros dos circuitos, el
amplificador diferencial tiene características únicas. Este circuito,
mostrado en la figura 27, tiene aplicadas señales en ambos

terminales de entrada, y utiliza la amplificación diferencial natural

del amplificador operacional.
Figura 27: Amplificador diferencial. (Monografias, 2013)
Para comprender el circuito, primero se estudiarán las dos señales

de entrada por separado, y después combinadas. Como siempre Vd
= 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero.
Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)
La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01
𝑉1
𝑉 (+) = ∙𝑅
𝑅1 + 𝑅2 2
y como V(-) = V(+)
La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá:
𝑉1 ∙ 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4
𝑉01 = ∙
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3
Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será, usando la
ecuación de la ganancia para el circuito inversor, V02
𝑅4
𝑉02 = −𝑉2
𝑅3

Y dado que, aplicando el teorema de la superposición la tensión de

salida V0 = V01 + V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a
R2 tendremos que:
𝑉1 ∙ 𝑅2 𝑅2
𝑉01 = 𝑉02 = −𝑉2
𝑅1 𝑅1
por lo que concluiremos
𝑅2
𝑉0 = (𝑉1 − 𝑉2 ) ∙
𝑅1
que expresando en términos de ganancia:
𝑉0 𝑅2
=
𝑉1 − 𝑉2 𝑅1
que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial
Esta configuración es única porque puede rechazar una señal
común a ambas entradas. Esto se debe a la propiedad de tensión
de entrada diferencial nula, que se explica a continuación.
En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas, el análisis es
sencillo. V1 se dividirá entre R1 y R2, apareciendo una menor tensión
V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador, y a la
tensión de entrada diferencial cero, una tensión igual V(-) debe
aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de resistencias R3y
R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensión a ambos
terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial
nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+); Vo estará al mismo
potencial que R2, el cual, de hecho está a masa. Está muy útil
propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para
discriminar componentes de ruido en modo común no deseables,

mientras que se amplifican las señales que aparecen de forma

diferencial. Si se cumple la relación
𝑅4 𝑅2
=
𝑅3 𝑅1
La ganancia para señales en modo común es cero, puesto que, por
definición, el amplificador no tiene ganancia cuando se aplican
señales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la
entrada (+), la impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia
para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial (para
una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas, es decir,
R1+R3.
El sumador inversor
Utilizando la característica de tierra virtual en el nudo suma (-) del
amplificador inversor, se obtiene una útil modificación, el sumador
inversor, figura 25.
Figura 28: Sumador inversor. (Monografias, 2013)

En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensión V(+)

está conectada a masa, por lo que la tensión V(-) estará a una
masa virtual, y como la impedancia de entrada es infinita toda la
corriente I1 circulará a través de RF y la llamaremos I2. Lo que
ocurre en este caso es que la corriente I1 es la suma algebraica de
las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:
𝑉1 𝑉2 𝑉3
𝐼1 = + +
𝑅𝑔1 𝑅𝐺2 𝑅𝑔3
y también
𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐼2 = −
𝑅𝐹
Como I1 = I2 concluiremos que:
𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑅𝐹
𝑉𝑂𝑈𝑇 = − (𝑉1 ∙ + 𝑉2 ∙ + 𝑉3 ∙ )
𝑅𝐺1 𝑅𝐺2 𝑅𝐺3
que establece que la tensión de salida es la suma algebraica
invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor
corrector, que el alumno puede observar que en el caso en que R F
= RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3)
La ganancia global del circuito la establece RF, la cual, en este

sentido, se comporta como en el amplificador inversor básico. A las
ganancias de los canales individuales se les aplica
independientemente los factores de escala RG1, R G2, R G3,... étc. Del
mismo modo, R G1, R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de
los respectivos canales.
Otra característica interesante de esta configuración es el hecho de

que la mezcla de señales lineales, en el nodo suma, no produce

interacción entre las entradas, puesto que todas las fuentes de

señal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede
acomodar cualquier número de entradas añadiendo resistencias de
entrada adicionales en el nodo suma.
Aunque los circuitos precedentes se han descrito en términos de

entrada y de resistencias de realimentación, las resistencias se
pueden reemplazar por elementos complejos, y los axiomas de los
amplificadores operacionales se mantendrán como verdaderos. Dos
circuitos que demuestran esto, son dos nuevas modificaciones del
amplificador inversor.
El integrador
Se ha visto que ambas configuraciones básicas del AO actúan para
mantener constantemente la corriente de realimentación, IF igual a
IIN.
Figura 29: Integrador. (Monografias, 2013)
Una modificación del amplificador inversor, el integrador, mostrado

en la figura 6, se aprovecha de esta característica. Se aplica una
tensión de entrada VIN, a RG, lo que da lugar a una corriente IIN.
Como ocurría en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+)
= 0, y por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin
pasa hacia el condensador CF, llamaremos a esta corriente IF.

El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF.

Por consiguiente, la corriente constante IF, en CF da lugar a una
rampa lineal de tensión. La tensión de salida es, por tanto, la
integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar CF por el
lazo de realimentación.
La variación de tensión en CF es
IIN ∙ ∆t
−∆VOUT =
CF
lo que hace que la salida varíe por unidad de tiempo según:
∆VOUT −VIN
=
∆t R G ∙ CF
Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la
impedancia de entrada es simplemente RG
Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito
Figura 30: Diagrama de señales. (Monografias, 2013)
Por supuesto la rampa dependerá de los valores de la señal de

entrada, de la resistencia y del condensador.

El diferenciador
Una segunda modificación del amplificador inversor, que también
aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador
mostrado en la figura siguiente.
Figura 31: Diferenciador. (Monografias, 2013)
En este circuito, la posición de R y C están al revés que en el

integrador, estando el elemento capacitivo en la red de entrada.
Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de
variación de la tensión de entrada:
VIN ∙ CIN
∆IIN =
∆t
De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circulará por RF,

por lo que IF = IIN
Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos
−∆VIN ∙ R F ∙ CIN
VOUT =
∆t

Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito
Figura 32: Emisor Común. (Monografias, 2013)
El seguidor de tensión
Una modificación especial del amplificador no inversor es la etapa
de ganancia unidad mostrada en la figura 8
Figura 33: Seguidor de tensión. (Monografias, 2013)
En este circuito, la resistencia de entrada se ha incrementado hasta

infinito, y RF es cero, y la realimentación es del 100%. V0 es
entonces exactamente igual a Vi, dado que Es = 0. El circuito se
conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una

réplica en fase con ganancia unidad de la tensión de entrada. La

impedancia de entrada de esta etapa es también infinita.
Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y sus

características.
Todas las características de los circuitos que se han descrito son
importantes, puesto que, son las bases para la completa
fundamentación de la tecnología de los circuitos amplificadores
operacionales. Los cinco criterios básicos que describen al
amplificador ideal son fundamentales, y a partir de estos se
desarrollan los tres principales axiomas de la teoría de los
amplificadores operacionales, los cuales repetimos aquí:
1. La tensión de entrada diferencial es nula

2. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales
de entrada
3. En lazo cerrado, la entrada (-) será regulada al potencial
de entrada (+) o de referencia.
Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos básicos y

sus variaciones. En la configuración inversora, los conceptos de
corriente de entrada nula, y tensión de entrada diferencial cero, dan
origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual, donde la
entrada inversora se mantiene por realimentación al mismo
potencial que la entrada no inversora a masa.
Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de

referencia, el amplificador no inversor y el seguidor de emisor
ilustran como una tensión de entrada es indirectamente multiplicada
a través de una realimentación negativa en la entrada inversora, la
cual es forzada a seguir con un potencial idéntico. La configuración

diferencial combina estos conceptos, ilustrando el ideal de la
simultaneidad de la amplificación diferencial y del rechazo de la
señal en modo común. Las variaciones del inversor ponen de nuevo
de manifiesto los principios básicos. En todos estos circuitos, hemos
visto también cómo el funcionamiento está solamente determinado
por los componentes conectados externamente al amplificador.
Hasta este momento, hemos definido el AO en sentido ideal y

hemos examinado sus configuraciones básicas. Con una definición
adicional, la simbología del dispositivo, llegaremos al mundo real de
los dispositivos prácticos, examinaremos sus desviaciones respecto
al ideal, y veremos cómo superarlas.
1.- Determinar el voltaje de salida para el circuito sumador de la

figura, si las entradas son señales senoidales: V1 = 50*Sen(1000t)
mV. V2 = 100*Sen(1000t) mV. V3 = 150 Sen(1000t) mV
R1 Rf
33k 330k
R2
10k Vcc
9V
+V
R3
5k U1
OPAMP5
+
+V
Vcc
9V

2.- Realice los diagramas de los circuitos integrador y diferenciador,

comente los resultados.
3.- Dibuje dos circuitos dónde se utilicen amplificadores

operacionales como filtro. Comente sus resultados.
4.- Realice un mapa conceptual con la clasificación de los

amplificadores operacionales. Ponga sus nombre, ganancia de
voltajes y aplicaciones.

Evaluación
1.- Implementar un amplificar de audio utilizando amplificador

operacional. Realice el informe
2.- Realice un mapa conceptual dónde conste el circuito, ganancia

de voltaje de todos los amplificadores operacionales estudiados.

3.- Determinar el voltaje de salida para el circuito de la figura, si la

entrada es una señal senoidal de 2,5 mV.
Rf
200k
Vcc
9V
+V
R1 U1
2k OPAMP5
+
Vi
-2,5/+2,5mV
+V
1kHz Vcc
9V
Recursos
 Folleto VN
 Proyector
 Protoboard
 Multímetro
 Transistores
 Manual NTE

Electrónica II Evaluación final
8. Evaluación final
Calcular los voltajes y corrientes de polarización en el circuito de la
figura:
R2 Rc
50k 1k
MPS3904
Q1 + Vcc
10V
R1
5.6k
En el circuito de la figura calcular: Ganancia de voltaje, Ganancia de

corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida.
R2 Rc C1
50k 1k 1uF
C2 MPS3904
1uF
Q1
+ Vcc
V1 Rl 10V
-1/1mV 2k
R1
1kHz 5.6k

Un transistor está polarizado en RAN (región activa normal) como

se indica en la figura. Tiene una corriente de base de 8 mA y una
corriente en el colector de 1.2 mA. ¿Cuál es valor de la corriente en
el emisor? ¿Cuál es la ganancia (b) del transistor?
En el circuito de la figura beta =80, IB = 10 mA, R1 = 50 K, R2 = 6 K y

V2=10V.
 ¿Qué valor tomarán los medidores IE, IC y VCE, si se admite la

hipótesis de que el transistor está polarizado en la RAN?.
 A la vista de los resultados del apartado 1, comprobar la
validez de la hipótesis.

Si beta del transistor de la figura es 50, ¿Qué tensión es necesaria

a la entrada para saturar el transistor?

Electrónica II Bibliografía
9. Bibliografía
[1] BOYLESTAD Robert ,Análisis de circuitos eléctricos. Editorial
Prentice Hall .Madrid 2010.
[2] Malvino Paúl, Principios de Electrónica. Editorial Mc Graw
Hill. España Barcelona 2002.
[3] MOHAN, Ned, Power Electronics: Converters,
Applications and Design, John Wiley & Sons,2005.
[4] RASHID Muhammad H., Electrónica de Potencia,
Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda Edición, 1995.
[5] MONOGRAFIAS
http://www.monografias.com/trabajos16/representacion-
Informacion/representacion
[6] WIKIPEDIA.ORG
http://es.wikipedia.org/wiki/Binario
http://100cia.com/enciclopedia/sistema_binario1.htm
[7] Centro de estudios: Universidad Católica de Occidente.
Santa Ana. El Salvadorjaimemontoya@gmail.com

Electrónica II Anexos
10. Anexos
Codificación de los transistores bipolares

Los transistores tienen un código de identificación que en algunos
casos especifica la función que cumple y en otros casos indica su
fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes
grupos: Europeos, Japoneses y Americanos.
Codificación europea
Primera letra
A: Germanio
B: Silicio
Segunda Letra
A: Diodo (excepto los diodos túnel)
B: Transistor de baja potencia
D: Transistor de baja frecuencia y de potencia
E: Diodo túnel de potencia
F: Transistor de alta frecuencia
L: Transistor de alta frecuencia y potencia
P: Foto – semiconductor
S: Transistor para conmutación
U: Transistor para conmutación y de potencia
Y: Diodos de potencia
Z: Diodo Zener
Número de serie
100 – 999: Para equipos domésticos tales como radio, TV,
amplificadores, grabadoras, etc.
10 – 99 y la letra X, Y o Z: Para aplicaciones especiales.

Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus

aplicaciones son de baja frecuencia.
Codificación japonesa
Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S: Semiconductor
Tercero
A: Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B: Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C: Transistor NPN de RF
D: Transistor NPN de AF
F: Tiristor tipo PNPN
G: Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Número de serie: comienza a partir del número 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:
Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas

que el 2SA186.

Codificación americana
Anteriormente los transistores americanos empezaban su
codificación con el prefijo 2N y a continuación un número que
indicaba la serie de fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene
por ejemplo: TI1411, ECG128, etc. que corresponden
respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
Datos técnicos de voltaje y corriente en un transistor
CÓDIGO TIPO VOLTAJE CE CORRIENTE POTENCIA FRECUENCIA
2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W

2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz
2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz
2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60
2N1613 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz
2N1711 SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz
2N1893 SI-N 120V 0.5A 0.8W
2N2102 SI-N 120V 1A 1W <120MHz
2N2148 GE-P 60V 5A 12.5W
2N2165 SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz
2N2166 SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz
2N2219A SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz
2N2222A SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz
2N2223 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50
2N2223A 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50
2N2243A SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz
2N2369A SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns
2N2857 SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz
2N2894 SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns
2N2905A SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100
2N2906A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100
2N2907A SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100
2N2917 SI-N 45V 0.03A >60Mz
2N2926 SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz

2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz

2N3019 SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz
2N3053 SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz
2N3054 SI-N 90V 4A 25W 3MHz
2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz
2N3055 SI-N 100V 15A 115W 800kHz
2N3055H SI-N 100V 15A 115W 800kHz
2N3251 SI-P 50V 0.2A 0.36W
2N3375 SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz
2N3439 SI-N 450V 1A 10W 15MHz
2N3440 SI-N 300V 1A 10W 15MHz
2N3441 SI-N 160V 3A 25W POWER
2N3442 SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz
2N3495 SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz
2N3502 SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz
2N3553 SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz
2N3571 SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz
2N3583 SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz
2N3632 SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz
2N3646 SI-N 40V 0.2A 0.2W
2N3700 SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz
2N3707 SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz
2N3708 SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz
2N3716 SI-N 100V 10A 150W 4MHz
2N3725 SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns
2N3740 SI-P 60V 4A 25W >4MHz
2N3741 SI-N 80V 4A 25W >4MHz
2N3742 SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz
2N3767 SI-N 100V 4A 20W >10MHz
2N3771 SI-N 50V 30A 150W POWER
2N3772 SI-N 100V 20A 150W POWER
2N3773 SI-N 160V 16A 150W POWER
2N3792 SI-P 80V 10A 150W 4MHz
2N3819 N-FET 25V 20mA 0.36W
2N3820 P-FET 20V 15mA 0.36W
2N3821 N-FET 50V 2.5mA 0.3W
2N3824 N-FET 50V 10mA 0.3W <250E
2N3866 SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz
2N3904 SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz
2N3906 SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz
2N3909 P-FET 20V 10MA 0.3W

2N3958 N-FET 50V 5mA 0.25W

2N3963 SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz
2N3972 N-FET 40V 50mA 1.8W
2N4001 SI-N 100V 1A 15W 40MHz
2N4033 SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz
2N4036 SI-P 90V 1A 1W 60MHz
2N409 GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz
2N4126 SI-P 25V 200mA HF
2N4220 N-FET 30V 0.2A
2N4236 SI-P 80V 3A 1W >3MHz
2N427 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40
2N428 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60
2N4286 SI-N 30V 0.05A 0.25W
2N4287 SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz
2N4291 SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH
2N4302 N-FET 30V 0.5mA 0.3W
2N4347 SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz
2N4348 SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz
2N4351 N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz
2N4391 N-FET 40V 50mA 30E Up<10V
2N4392 N-FET 40V 25mA 60E Up<5V
2N4393 N-FET 40V 5mA 100E Up<3V
2N4401 SI-N 60V 0.6A 200MHz
2N4403 SI-P 40V 0.6A 200MHz
2N4416 N-FET 30V 15mA VHF/UHF
2N4420 SI-N 40V 0.2A 0.36W
2N4427 SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz
2N4906 SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz
2N4920 SI-P 80V 1A 30W
2N4923 SI-N 80V 1A 30W
2N5038 SI-N 150V 20A 140W 0.5us
2N5090 SI-N 55V 0.4A 4W 5mA
2N5109 SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz
2N5116 P-FET 30V 5mA 150E Up<4V
2N5154 SI-N 100V 2A 10W
2N5179 SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz
2N5192 SI-N 80V 4A 40W 2MHz
2N5240 SI-N 375V 5A 100W >2MHz
2N5298 SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz
2N5308 N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K
2N5320 SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH

2N5322 SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH

2N5401 SI-P 160V 0.6A 0.31W
2N5416 SI-P 350V 1A 10W 15MHz
2N5433 N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E
2N5457 N-FET 25V 1mA Up<6V
2N5458 N-FET 25V 2.9mA UNI
2N5460 P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P
2N5461 P-FET 40V 9mA 0.31W
2N5462 P-FET 40V 16mA Up<9V GEN.
2N5484 N-FET 25V 5mA 0.31W
2N5485 P-FET 25V 4mA Up<4V
2N5551 SI-N 180V 0.6A 0.31W VID.
2N5589 SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz
2N5639 N-FET 30V 10mA 310mW
2N5672 SI-N 150V 30A 140W 0.5us
2N5680 SI-P 120V 1A 1W
2N5682 SI-N 120V 1A 1W >30MHz
2N5684 SI-P 80V 50A 200W
2N5686 SI-N 80V 50A 300W >2MHz
2N5770 SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz
2N5771 SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz
2N5876 SI-P 80V 10A 150W >4MHz
2N5878 SI-N 80V 10A 150W >4MHz
2N5879 SI-N 60V 10A 150W >4MHz
2N5884 SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW
2N5886 SI-N 80V 25A 200W >4MHz
2N6031 SI-P 140V 16A 200W 1MHz
2N6050 P-DARL+D 60V 12A 100W
2N6059 SI-N 100V 12A 150W
2N6083 SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz
2N6098 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH
2N6099 SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH
2N6109 SI-P 60V 7A 40W 10MHz
2N6124 SI-P 45V 4A 40W
2N6211 SI-P 275V 2A 20W 20MHz
2N6213 SI-P 400V 2A 35W >20MHz
2N6248 SI-P 110V 15A 125W >6MHz
2N6284 N-DARL 100V 20A 160W B>75
2N6287 P-DARL 100V 20A 160W
2N6292 SI-N 80V 7A 40W
2N6356 N-DARL 50V 20A 150W B>150

2N6422 SI-P 500V 2A 35W >10MHz

2N6427 N-DARL 40V 0.5A 0.625W
2N6476 SI-P 130V 4A 16W 5MHz
2N6488 SI-N 90V 15A 75W
2N6491 SI-P 90V 15A 30W
2N6517 SI-N 350V 0.5A 0.625W >40
2N6520 SI-P 350V 0.5A 0.625W >40
2N6547 SI-N 850/400V 15A 175W
2N6556 SI-P 100V 1A 10W >75MHz
2N6609 SI-P 160V 16A 150W 2MHz
2N6660 N-FET 60V 2A 6.25W 3E
2N6661 N-FET 90V 2A 6.2W 4E
2N6675 SI-N 400V 15A
2N6678 SI-N 400V 15A
2N6716 SI-N 60V 2A 2W 50MHz
2N6718 SI-N 100V 2A 2W 50MHz
2N6725 N-DARL 60V 2A 1W B>15K
2N6728 SI-P 60V 2A 2W >50MHz
2N697 SI-N 60V 1A 0.6W <50MHz
2N7002 N-FET 60V 0.115A 0.2W 7,00E+05
2N914 SI-N 40V 0.5A SW <40/40NS
2N918 SI-N 30V 50mA 0.2W 600MHz
2SA1006B SI-P 250V 1.5A 25W 80MHz
2SA1009 SI-P 350V 2A 15W
2SA1011 SI-P 160V 1.5A 25W 120MHz
2SA1013 SI-P 160V 1A 0.9W 50MHz
2SA1015 SI-P 50V 0.15A 0.4W 80MHz
2SA1016 SI-P 100V 0.05A 0.4W 110MHz
2SA1017 SI-P 120V 50mA 0.5W 110MHz
2SA1018 SI-P 250V 70mA 0.75W >50MHz
2SA1020 SI-P 50V 2A 0.9W 100MHz
2SA1027 SI-P 50V 0.2A 0.25W 100MHz
2SA1029 SI-P 30V 0.1A 0.2W 280MHz
2SA1034 SI-P 35V 50mA 0.2W 200MHz
2SA1037 SI-P 50V 0.4A FR 140MHz
2SA1048 SI-P 50V 0.15A 0.2W 80MHz
2SA1049 SI-P 120V 0.1A 0.2W 100MHz
2SA1061 SI-P 100V 6A 70W 15MHz
2SA1062 SI-N 120V 7A 80W 15MHz
2SA1065 SI-P 150V 10A 120W 50MHz
2SA1084 SI-P 90V 0.1A 0.4W 90MHz

2SA1103 SI-P 100V 7A 70W 20MHz

2SA1106 SI-P 140V 10A 100W 20MHz
2SA1110 SI-P 120V 0.5A 5W 250MHz
2SA1111 SI-P 150V 1A 20W 200MHz
2SA1112 SI-P 180V 1A 20W 200MHz
2SA1115 SI-P 50V 0.2A UNI 200MHz
2SA1120 SI-P 35V 5A 170MHz
2SA1123 SI-P 150V 50mA 0.75W 200MHz
2SA1124 SI-P 150V 50mA 1W 200MHz
2SA1127 SI-P 60V 0.1A 0.4W 200MHz
2SA1141 SI-P 115V 10A 100W 90MHz
2SA1142 SI-P 180V 0.1A 8W 180MHz
2SA1145 SI-P 150V 50mA 0.8W 200MHz
2SA1150 SI-P 35V 0.8A 0.3W 120MHz
2SA1156 SI-P 400V 0.5A 10W POWER
2SA1160 SI-P 20V 2A 0.9W 150MHz
2SA1163 SI-P 120V 0.1A 100MHz
2SA1170 SI-P 200V 17A 200W 20MHz
2SA1185 SI-P 50V 7A 60W 100MHz
2SA1186 SI-P 150V 10A 100W
2SA1200 SI-P 150V 50mA 0.5W 120MHz
2SA1201 SI-P 120V 0.8A 0.5W 120MHz
2SA1206 SI-P 15V 0.05A 0.6W
2SA1207 SI-P 180V 70mA 0.6W 150MHz
2SA1208 SI-P 180V 0.07A 0.9W
2SA1209 SI-P 180V 0.14A 10W
2SA1210 SI-P 200V 0.14A 10W
2SA1213 SI-P 50V 2A 0.5W 120MHz
2SA1215 SI-P 160V 15A 150W 50MHz
2SA1216 SI-P 180V 17A 200W 40MHz
2SA1220A SI-P 120V 1.2A 20W 160MHz
2SA1221 SI-P 160V 0.5A 1W 45MHz
2SA1225 SI-P 160V 1.5A 15W 100MHz
2SA1227A SI-P 140V 12A 120W 60MHz
2SA1232 SI-P 130V 10A 100W 60MHz
2SA1241 SI-P 50V 2A 10W 100MHz
2SA1242 SI-P 35V 5A 1W 170MHz
2SA1244 SI-P 60V 5A 20W 60MHz
2SA1249 SI-P 180V 1.5A 10W 120MHz
2SA1261 SI-P 100V 10A 60W POWER
2SA1262 SI-P 60V 4A 30W 15MHz

2SA1264N SI-P 120V 8A 80W 30MHz

2SA1265N SI-P 140V 10A 100W 30MHz
2SA1266 SI-P 50V 0.15A 0.4W POWER
2SA1268 SI-N 120V 0.1A 0.3W 100MHz
2SA1270 SI-P 35V 0.5A 0.5W 200MHz
2SA1271 SI-P 30V 0.8A 0.6W 120MHz
2SA1275 SI-P 160V 1A 0.9W 20MHz
2SA1282 SI-P 20V 2A 0.9W 80MHz
2SA1283 SI-P 60V 1A 0.9W 85MHz
2SA1286 SI-P 30V 1.5A 0.9W 90MHz
2SA1287 SI-P 50V 1A 0.9W 90MHz
2SA1292 SI-P 80V 15A 70W 100MHz
2SA1293 SI-P 100V 5A 30W 0.2us
2SA1294 SI-P 230V 15A 130W
2SA1295 SI-P 230V 17A 200W 35MHz
2SA1296 SI-P 20V 2A 0.75W 120MHz
2SA1298 SI-P 30V 0.8A 0.2W 120MHz
2SA1300 SI-P 10V 2A 0.75W 140MHz
2SA1302 SI-P 200V 15A 150W 25MHz
2SA1303 SI-P 150V 14A 125W 50MHz
2SA1306 SI-P 160V 1.5A 20W
2SA1306A SI-P 180V 1.5A 20W 100MHz
2SA1307 SI-P 60V 5A 20W 0.1us
2SA1309 SI-P 30V 0.1A 0.3W 80MHz
2SA1310 SI-P 60V 0.1A 0.3W 200MHz
2SA1315 SI-P 80V 2A 0.9W 0.2us
2SA1316 SI-P 80V 0.1A 0.4W 50MHz
2SA1317 SI-P 60V 0.2A 0.3W 200MHz
2SA1318 SI-P 60V 0.2A 0.5W 200MHz
2SA1319 SI-P 180V 0.7A 0.7W 120MHz
2SA1321 SI-P 250V 50mA 0.9W 100MHz
2SA1328 SI-P 60V 12A 40W 0.3us
2SA1329 SI-P 80V 12A 40W 0.3us
2SA1345 SI-N 50V 0.1A 0.3W 250MHz
2SA1346 SI-P 50V 0.1A 200MHz
2SA1348 SI-P 50V 0.1A 200MHz
2SA1349 P-ARRAY 80V 0.1A 0.4W 170
2SA1352 SI-P 200V 0.1A 5W 70MHz
2SA1357 SI-P 35V 5A 10W 170MHz
2SA1358 SI-P 120V 1A 10W 120MHz
2SA1359 SI-P 40V 3A 10W 100MHz

2SA1360 SI-P 150V 50mA 5W 200MHz

2SA1361 SI-P 250V 50mA 80MHz
2SA1370 SI-P 200V 0.1A 1W 150MHz
2SA1371E SI-P 300V 0.1A 1W 150MHz
2SA1376 SI-P 200V 0.1A 0.75W 120MHz
2SA1380 SI-P 200V 0.1A 1.2W
2SA1381 SI-P 300V 0.1A 150MHz
2SA1382 SI-P 120V 2A 0.9W 0.2us
2SA1383 SI-P 180V 0.1A 10W 180MHz
2SA1386 SI-P 160V 15A 130W 40MHz
2SA1387 SI-P 60V 5A 25W 80MHz
2SA1392 SI-P 60V 0.2A 0.4W 200MHz
2SA1396 SI-P 100V 10A 30W
2SA1399 SI-P 55V 0.4A 0.9W 150MHz
2SA1400 SI-P 400V 0.5A 10W
2SA1403 SI-P 80V 0.5A 10W 800MHz
2SA1405 SI-P 120V 0.3A 8W 500MHz
2SA1406 SI-P 200V 0.1A 7W 400MHz
2SA1407 SI-P 150V 0.1A 7W 400MHz
2SA1413 SI-P 600V 1A 10W 26MHz
2SA1428 SI-P 50V 2A 1W 100MHz
2SA1431 SI-P 35V 5A 1W 170MHz
2SA1441 SI-P 100V 5A 25W <300ns
2SA1443 SI-P 100V 10A 30W
2SA1450 SI-P 100V 0.5A 0.6W 120MHz
2SA1451 SI-P 60V 12A 30W 70MHz
2SA1460 SI-P 60V 1A 1W <40NS
2SA1470 SI-P 80V 7A 25W 100MHz
2SA1475 SI-P 120V 0.4A 15W 500MHz
2SA1476 SI-P 200V 0.2A 15W 400MHz
2SA1477 SI-P 180V 0.14A 10W 150MHz
2SA1488 SI-P 60V 4A 25W 15MHz
2SA1489 SI-P 80V 6A 60W 20MHz
2SA1490 SI-P 120V 8A 80W 20MHz
2SA1491 SI-P 140V 10A 100W 20MHz
2SA1494 SI-P 200V 17A 200W 20MHz
2SA1507 SI-P 180V 1.5A 10W 120MHz
2SA1515 SI-P 40V 1A 0.3W 150MHz
2SA1516 SI-P 180V 12A 130W 25MHz
2SA1519 SI-P 50V 0.5A 0.3W 200MHz
2SA1535A SI-P 180V 1A 40W 200MHz

2SA1538 SI-P 120V 0.2A 8W 400MHz

2SA1539 SI-P 120V 0.3A 8W 400MHz
2SA1540 SI-P 200V 0.1A 7W 300MHz
2SA1541 SI-P 200V 0.2A 7W 300MHz
2SA1553 SI-P 230V 15A 150W 25MHz
2SA1566 SI-N 120V 0.1A 0.15W 130MHz
2SA1567 SI-P 50V 12A 35W 40MHz
2SA1568 SI-P 60V 12A 40W
2SA1577 SI-P 32V 0.5A 0.2W 200MHz
2SA1593 SI-P 120V 2A 15W 120MHz
2SA1601 SI-P 60V 15A 45W
2SA1606 SI-P 180V 1.5A 15W 100MHz
2SA1615 SI-P 30V 10A 15W 180MHz
2SA1624 SI-P 300V 0.1A 0.5W 70MHz
2SA1625 SI-P 400V 0.5A 0.75W
2SA1626 SI-P 400V 2A 1W 0.5/2.7us
2SA1633 SI-P 150V 10A 100W 20MHz
2SA1643 SI-P 50V 7A 25W 75MHz
2SA1667 SI-P 150V 2A 25W 20MHz
2SA1668 SI-P 200V 2A 25W 20MHz
2SA1670 SI-P 80V 6A 60W 20MHz
2SA1671 SI-P 120/120V 8A 75W 20MHz
2SA1672 SI-P 140V 10A 80W 20MHz
2SA1673 SI-P 180V 15A 85W 20MHz
2SA1680 SI-P 60V 2A 0.9W 100/400ns
2SA1684 SI-P 120V 1.5A 20W 150MHz
2SA1694 SI-P 120/120V 8A 80W 20MHz
2SA1695 SI-P 140V 10A 80W 20MHz
2SA1703 SI-P 30V 1.5A 1W 180MHz
2SA1706 SI-P 60V 2A 1W
2SA1708 SI-P 120V 1A 1W 120MHz
2SA1726 SI-P 80V 6A 50W 20MHz
2SA1776 SI-P 400V 1A 1W
2SA1803 SI-P 80V 6A 55W 30MHz
2SA1837 SI-P 230V 1A 20W 70MHz
2SA1930 SI-P 180V 2A 20W 200MHz
2SA1962 SI-P 230V 15A 130W 25MHz
2SA329 GE-P 15V 10mA 0.05W
2SA467 SI-P 40V 0,4A 0,3W
2SA473 SI-P 30V 3A 10W 100MHz
2SA483 SI-P 150V 1A 20W 9MHz

2SA493 SI-P 50V 0.05A 0.2W 80MHz

2SA495 SI-P 35V 0.1A 0.2W 200MHz
2SA562 SI-P 30V 0.5A 0.5W 200MHz
2SA566 SI-P 100V 0.7A 10W 100MHz
2SA608 SI-N 40V 0.1A 0.1W 180MHz
2SA614 SI-P 80V 1A 15W 30MHz
2SA620 SI-P 30V 0.05A 0.2W 120MHz
2SA626 SI-P 80V 5A 60W 15MHz
2SA628 SI-P 30V 0.1A 100MHz
2SA639 SI-P 180V 50mA 0,25W
2SA642 SI-P 30V 0.2A 0.25W 200MHz
2SA643 SI-P 40V 0.5A 0.5W 180MHz
2SA653 SI-P 150V 1A 15W 5MHz
2SA684 SI-P 60V 1A 1W 200MHz
2SA699 SI-P 40V 2A 10W 150MHz
2SA708A SI-P 100V 0.7A 0.8W 50MHz
2SA720 SI-P 60V 0.5A 0.6W 200MHz
2SA725 SI-P 35V 0.1A 0.15W 100MHz
2SA733 SI-P 60V 0.15A 0.25W 50MHz
2SA738 SI-P 25V 1.5A 8W 160MHz
2SA747 SI-P 120V 10A 100W 15MHz
2SA756 SI-P 100V 6A 50W 20MHz
2SA762 SI-P 110V 2A 23W 80MHz
2SA765 SI-P 80V 6A 40W 10MHz
2SA768 SI-P 60V 4A 30W 10MHz
2SA769 SI-P 80V 4A 30W 10MHz
2SA770 SI-P 60V 6A 40W 10MHz
2SA771 SI-P 80V 6A 40W 2MHz
2SA777 SI-P 80V 0.5A 0.75W 120MHz
2SA778A SI-P 180V 0.05A 0.2W 60MHz
2SA781 SI-P 20V 0.2A 0.2W <80/16
2SA794 SI-P 100V 0.5A 5W 120MHz
2SA794A SI-P 120V 0.5A 5W 120MHz
2SA812 SI-P 50V 0.1A 0.15W
2SA814 SI-P 120V 1A 15W 30MHz
2SA816 SI-P 80V 0.75A 1.5W 100MHz
2SA817 SI-P 80V 0.3A 0.6W 100MHz
2SA817A SI-P 80V 0.4A 0.8W 100MHz
2SA836 SI-P 55V 0.1A 0.2W 100MHz
2SA838 SI-P 30V 30mA 0.25W 300MHz
2SA839 SI-P 150V 1.5A 25W 6MHz

2SA841 SI-P 60V 0.05A 0.2W 140MHz

2SA858 SI-P 150V 50mA 0.5W 100MHz
2SA872 SI-P 90V 0.05A 0.2W 120MHz
2SA872A SI-P 120V 50mA 0.3W 120MHz
2SA884 SI-P 65V 0.2A 0.27W 140MHz
2SA885 SI-P 45V 1A 5W 200MHz
2SA886 SI-P 50V 1.5A 1.2W
2SA893 SI-P 90V 50mA 0.3W
2SA900 SI-P 18V 1A 1.2W
2SA914 SI-P 150V 0.05A 200MHz
2SA915 SI-P 120V 0.05A 0.8W 80MHz
2SA916 SI-P 160V 0.05A 1W 80MHz
2SA921 SI-P 120V 20mA 0.25W 200MHz
2SA933 SI-P 50V 0.1A 0.3W
2SA934 SI-P 40V 0.7A 0.75W
2SA935 SI-P 80V 0.7A 0.75W 150MHz
2SA937 SI-P 50V 0.1A 0.3W 140MHz
2SA940 SI-P 150V 1.5A 25W 4MHz
2SA941 SI-P 120V 0.05A 0.3W 150MHz
2SA949 SI-P 150V 50mA 0.8W 120MHz
2SA965 SI-P 120V 0.8A 0.9W 120MHz
2SA966 SI-P 30V 1.5A 0.9W 120MHz
2SA968 SI-P 160V 1.5A 25W 100MHz
2SA970 SI-P 120V 0.1A 100MHz
2SA982 SI-P 140V 8A 80W 20MHz
2SA984 SI-P 60V 0.5A 0.5W 120MHz
2SA985 SI-P 120V 1.5A 25W 180MHz
2SA988 SI-P 120V 0.05A 0.5W
2SA991 SI-P 60V 0.1A 0.5W 90MHz
2SA992 SI-P 100V 0.05A 0.2W
2SA995 SI-P 100V 0.05A 0.4W 100MHz
2SB1009 SI-P 40V 2A 10W 100MHz
2SB1010 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz
2SB1012K P-DARL 120V 1.5A 8W
2SB1013 SI-P 20V 2A 0.7W
2SB1015 SI-P 60V 3A 25W 0.4us
2SB1016 SI-P 100V 5A 30W 5MHz
2SB1017 SI-P 80V 4A 25W 9MHz
2SB1018 SI-P 100V 7A 30W 0.4us
2SB1020 P-DARL+D 100V 7A 30W 0.8us
2SB1023 P-DARL+D 60V 3A 20W B=5K

2SB1035 SI-P 30V 1A 0.9W 100MHz

2SB1039 SI-P 100V 4A 40W 20MHz
2SB1050 SI-P 30V 5A 1W 120MHz
2SB1055 SI-P 120V 6A 70W 20MHz
2SB1065 SI-P 60V 3A 10W
2SB1066 SI-P 50V 3A 1W 70MHz
2SB1068 SI-P 20V 2A 0.75W 180MHz
2SB1071 SI-P 40V 4A 25W 150MHz
2SB1077 P-DARL 60V 4A 40W B>1K
2SB1086 SI-P 160V 1.5A 20W 50MHz
2SB1098 P-DARL+D 100V 5A 20W B=80
2SB1099 P-DARL+D 100V 8A 25W B=6K
2SB1100 P-DARL+D 100V 10A 30W B=6
2SB1109 SI-P 160V 0.1A 1.25W
2SB1109S SI-P 160V 0.1A 1.25W
2SB1117 SI-P 30V 3A 1W 280MHz
2SB1120 SI-P 20V 2.5A 0.5W 250MHz
2SB1121T SI-P 30V 2A 150MHz
2SB1123 SI-P 60V 2A 0.5W 150MHz
2SB1132 SI-P 40V 1A 0.5W 150MHz
2SB1133 SI-P 60V 3A 25W 40MHz
2SB1134 SI-P 60V 5A 25W 30W
2SB1135 SI-P 60V 7A 30W 10MHz
2SB1136 SI-P 60V 12A 30W 10MHz
2SB1140 SI-P 25V 5A 10W 320MHz
2SB1141 SI-P 20V 1.2A 10W 150MHz
2SB1143 SI-P 60V 4A 10W 140MHz
2SB1146 P-DARL 120V 6A 25W
2SB1149 P-DARL 100V 3A 15W B=10K
2SB1151 SI-P 60V 5A 20W
2SB1154 SI-P 130V 10A 70W 30MHz
2SB1156 SI-P 130V 20A 100W
2SB1162 SI-P 160V 12A 120W
2SB1163 SI-P 170V 15A 150W
2SB1166 SI-P 60V 8A 20W 130MHz
2SB1168 SI-P 120V 4A 20W 130MHz
2SB1182 SI-P 40V 2A 10W 100MHz
2SB1184 SI-P 60V 3A 15W 70MHz
2SB1185 SI-P 50V 3A 25W 70MHz
2SB1186 SI-P 120V 1.5A 20W 50MHz
2SB1187 SI-P 80V 3A 35W

2SB1188 SI-P 40V 2A 100MHz

2SB1202 SI-P 60V 3A 15W 150MHz
2SB1203 SI-P 60V 5A 20W 130MHz
2SB1204 SI-P 60V 8A 20W 130MHz
2SB1205 SI-P 25V 5A 10W 320MHz
2SB1212 SI-P 160V 1.5A 0.9W 50MHz
2SB1223 P-DARL+D 70V 4A 20W 20MHz
2SB1236 SI-P 120V 1.5A 1W 50MHz
2SB1237 SI-P 40V 1A 1W 150MHz
2SB1238 SI-P 80V 0.7A 1W 100MHz
2SB1240 SI-P 40V 2A 1W 100MHz
2SB1243 SI-P 60V 3A 1W
2SB1254 P-DARL 160V 7A 70W
2SB1255 P-DARL 160V 8A 100W B>5K
2SB1258 P-DARL+D 100V 6A 30W B>1K
2SB1274 SI-P 60V 3A 30W 100MHz
2SB1282 P-DARL+D 100V 4A 25W 50MHz
2SB1292 SI-P 80V 5A 30W
2SB1302 SI-P 25V 5A 320MHz
2SB1318 P-DARL+D 100V 3A 1W B>200
2SB1326 SI-P 30V 5A 0.3W 120MHz
2SB1329 SI-P 40V 1A 1.2W 150MHz
2SB1330 SI-P 32V 0.7A 1.2W 100MHz
2SB1331 SI-P 32V 2A 1.2W 100MHz
2SB1353E SI-P 120V 1.5A 1.8W 50MHz
2SB1361 SI-P 150V 9A 100W 15MHz
2SB1370 SI-P 60V 3A 30W 15MHz
2SB1373 SI-P 160V 12A 2.5W 15MHz
2SB1375 SI-P 60V 3A 25W 9MHz
2SB1382 P-DARL+D 120V 16A 75W B>2
2SB1393 SI-P 30V 3A 2W 30MHz
2SB1420 SI-P 120V 16A 80W 50MHz
2SB1425 SI-P 20V 2A 1W 90MHz
2SB1429 SI-P 180V 15A 150W 10MHz
2SB1434 SI-P 50V 2A 1W 110MHz
2SB1468 SI-P 60/30V 12A 25W
2SB1470 P-DARL 160V 8A 150W B>5K
2SB1490 P-DARL 160V 7A 90W B>5K
2SB1493 P-DARL 160/140V 7A 70W 20
2SB1503 P-DARL 160V 8A 120W B>5K
2SB1556 P-DARL 140V 8A 120W B>5K

2SB1557 P-DARL 140V 7A 100W B>5K

2SB1559 P-DARL 160V 8A 80W B>5K
2SB1560 P-DARL 160V 10A 100W 50MHz
2SB1565 SI-P 80V 3A 25W 15MHz
2SB1587 P-DARL+D 160V 8A 70W B>5K
2SB1624 P-DARL 110V 6A 60W B>5K
2SB206 GE-P 80V 30A 80W
2SB324 GE-P 32V 1A 0.25W
2SB337 GE-P 50V 7A 30W LF-POWER
2SB407 GE-P 30V 7A 30W
2SB481 GE-P 32V 1A 6W 15KHz
2SB492 GE-P 25V 2A 6W
2SB511E SI-P 35V 1.5A 10W 8MHz
2SB524 SI-P 60V 1.5A 10W 70MHz
2SB527 SI-P 110V 0.8A 10W 70MHz
2SB531 SI-P 90V 6A 50W 8MHz
2SB536 SI-P 130V 1.5A 20W 40MHz
2SB537 SI-P 130V 1.5A 20W 60MHz
2SB541 SI-P 110V 8A 80W 9MHz
2SB544 SI-P 25V 1A 0.9W 180MHz
2SB546A SI-P 200V 2A 25W 5MHz
2SB549 SI-P 120V 0.8A 10W 80MHz
2SB557 SI-P 120V 8A 80W
2SB560 SI-P 100V 0.7A 0.9W 100MHz
2SB561 SI-P 25V 0.7A 0.5W
2SB564 SI-P 30V 1A 0.8W
2SB598 SI-P 25V 1A 0.5W 180MHz
2SB600 SI-P 200V 15A 200W 4MHz
2SB601 P-DARL 100V 5A 30W
2SB605 SI-P 60V 0.7A 0.8W 120MHz
2SB621 SI-N 25V 1.5A 0.6W 200MHz
2SB621A SI-N 50V 1A 0.75W 200MHz
2SB631 SI-P 100V 1A 8W
2SB632 SI-P 25V 2A 10W 100MHz
2SB633 SI-P 100V 6A 40W 15MHz
2SB637 SI-P 50V 0.1A 0.3W 200MHz
2SB641 SI-P 30V 0.1A 120MHz
2SB647 SI-P 120V 1A 0.9W 140MHz
2SB649A SI-P 160V 1.5A 1W 140MHz
2SB656 SI-P 160V 12A 125W 20MHz
2SB673 P-DARL+D 100V 7A 40W 0.8us

2SB676 P-DARL 100V 4A 30W 0.15us

2SB681 SI-N 150V 12A 100W 13MHz
2SB688 SI-P 120V 8A 80W 10MHz
2SB700 SI-P 160V 12A 100W
2SB703 SI-P 100V 4A 40W 18MHz
2SB705 SI-P 140V 10A 120W 17MHz
2SB707 SI-P 80V 7A 40W POWER
2SB709 SI-P 45V 0.1A 0.2W 80MHz
2SB716 SI-P 120V 0.05A 0.75W
2SB720 SI-P 200V 2A 25W 100MHz
2SB727 P-DARL+D 120V 6A 50W B>1K
2SB731 SI-P 60V 1A 10W 75MHz
2SB733 SI-P 20V 2A 1W >50MHz
2SB734 SI-P 60V 1A 1W 80MHz
2SB739 SI-P 20/16V 2A 0.9W 80MHz
2SB740 SI-P 70V 1A 0.9W
2SB744 SI-P 70V 3A 10W 45MHz
2SB750 P-DARL+D 60V 2A 35W B>100
2SB753 SI-P 100V 7A 40W 0.4us
2SB764 SI-P 60V 1A 0.9A 150MHz
2SB766 SI-P 30V 1A 200MHz
2SB772 SI-P 40V 3A 10W 80MHz
2SB774 SI-P 30V 0.1A 0.4W 150MHz
2SB775 SI-P 100V 6A 60W 13MHz
2SB776 SI-P 120V 7A 70W 15MHz
2SB788 SI-P 120V 0.02A 0.4W 150MHz
2SB791 P-DARL+D 120V 8A 40W B>10
2SB794 P-DARL+D 60V 1.5A 10W B=7
2SB795 P-DARL+D 80V 1.5A 10W B<3
2SB808 SI-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz
2SB810 SI-P 30V 0.7A 0.35W 160MHz
2SB815 SI-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz
2SB816 SI-P 150V 8A 80W 15MHz
2SB817 SI-P 160V 12A 100W
2SB817F SI-P 160V 12A 90W 15MHz
2SB819 SI-P 50V 1.5A 1W 150MHz
2SB822 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz
2SB824 SI-P 60V 5A 30W 30MHz
2SB825 SI-P 60V 7A 40W 10MHz
2SB826 SI-P 60V 12A 40W 10MHz

2SB827 SI-P 60V 7A 80W 10MHz

2SB828 SI-P 60V 12A 80W 10MHz
2SB829 SI-P 60V 15A 90W 20MHz
2SB857 SI-P 50V 4A 40W NF/S-L
2SB861 SI-P 200V 2A 30W
2SB863 SI-P 140V 10A 100W 15MHz
2SB865 P-DARL 80V 1.5A 0.9W
2SB873 SI-P 30V 5A 1W 120MHz
2SB884 P-DARL 110V 3A 30W B=4K
2SB891 SI-P 40V 2A 5W 100MHz
2SB892 SI-P 60V 2A 1W
2SB895A P-DARL 60V 1A B=8000
2SB897 P-DARL+D 100V 10A 80W B>1
2SB908 P-DARL+D 80V 4A 15W 0.15us
2SB909 SI-P 40V 1A 1W 150MHz
2SB922 SI-P 120V 12A 80W 20MHz
2SB926 SI-P 30V 2A 0.75W
2SB938A P-DARL+D 60V 4A 40W B>1K
2SB940 SI-P 200V 2A 35W 30MHz
2SB941 SI-P 60V 3A 35W POWER
2SB945 SI-P 130V 5A 40W 30MHz
2SB946 SI-P 130V 7A 40W 30MHz
2SB950A P-DARL+D 80V 4A 40W B>1K
2SB953A SI-P 50V 7A 30W 150MHz
2SB955 P-DARL+D 120V 10A 50W B=4
2SB976 SI-P 27V 5A 0.75W 120MHz
2SB985 SI-P 60V 3A 1W 150MHz
2SB986 SI-P 60V 4A 10W 150MHz
2SB988 SI-P 60V 3A 30W <400/2200
2SC1000 SI-N 55V 0.1A 0.2W 80MHz
2SC1008 SI-N 80V 0.7A 0.8W 75MHz
2SC1012A SI-N 250V 60mA 0.75W >80MHz
2SC1014 SI-N 50V 1.5A 7W
2SC1017 SI-N 75V 1A 60mW 120MHz
2SC1030 SI-N 150V 6A 50W
2SC1046 SI-N 1000V 3A 25W
2SC1047 SI-N 30V 20mA 0.4W 650MHz

2SC1050 SI-N 300V 1A 40W

2SC1051 SI-N 150V 7A 60W 8MHz
2SC1061 SI-N 50V 3A 25W 8MHz=H106
2SC1070 SI-N 30V 20mA 900MHz
2SC1080 SI-N 110V 12A 100W 4MHz
2SC109 SI-N 50V 0.6A 0.6W
2SC1096 SI-N 40V 3A 10W 60MHz
2SC1106 SI-N 350V 2A 80W
2SC1114 SI-N 300V 4A 100W 10MHz
2SC1115 SI-N 140V 10A 100W 10MHz
2SC1116 SI-N 180V 10A 100W 10MHz
2SC1161 SI-P 160V 12A 120W
2SC1162 SI-N 35V 1.5A 10W
2SC1172 SI-N 1500V 5A 50W
2SC1195 SI-N 200V 2.5A 100W
2SC1213C SI-N 50V 0.5A 0.4W UNI
2SC1214 SI-N 50V 0.5A 0.6W 50MHz
2SC1215 SI-N 30V 50mA 0.4W 1.2GHZ
2SC1216 SI-N 40V 0.2A 0.3W <20/40
2SC1226 SI-N 40/50V 2A 10W 150MHz
2SC1238 SI-N 35V 0.15A 5W 1.7GHz
2SC1247A SI-N 50V 0.5A 0.4W 60MHz
2SC1308 SI-N 1500V 7A 50W
2SC1312 SI-N 35V 0.1A 0.15W 100MHz
2SC1318 SI-N 60V 0.5A 0.6W 200MHz
2SC1343 SI-N 150V 10A 100W 14MHz
2SC1345 SI-N 55V 0.1A 0.1W 230MHz
2SC1359 SI-N 30V 30mA 0.4W 250MHz
2SC1360 SI-N 50V 0.05A 1W >300MHz
2SC1362 SI-N 50V 0.2A 0.25W 140MHz
2SC1368 SI-N 25V 1.5A 8W 180MHz
2SC1382 SI-N 80V 0.75A 5W 100MHz
2SC1384 SI-N 60V 1A 1W 200MHz
2SC1393 SI-N 30V 20mA 250mW 700MHz
2SC1398 SI-N 70V 2A 15W
2SC1413A SI-N 1200V 5A 50W
2SC1419 SI-N 50V 2A 20W 5MHz
2SC1426 SI-N 35V 0.2A 2.7GHz
2SC1431 SI-N 110V 2A 23W 80MHz
2SC1432 N-DARL 30V 0.3A 0.3W B=40
2SC1439 SI-N 150V 50mA 0.5W 130MHz

2SC1445 SI-N 100V 6A 40W 10MHz

2SC1446 SI-N 300V 0.1A 10W 55MHz
2SC1447 SI-N 300V 0.15A 20W 80MHz
2SC1448 SI-N 150V 1.5A 25W 3MHz
2SC1449 SI-N 40V 2A 5W 60MHz
2SC1450 SI-N 150V 0.4A 20W
2SC1454 SI-N 300V 4A 50W 10MHz
2SC1474-4 SI-N 20V 2A 0.75W 80MHz
2SC1501 SI-N 300V 0.1A 10W 55MHz
2SC1505 SI-N 300V 0.2A 15W
2SC1507 SI-N 300V 0.2A 15W 80MHz
2SC1509 SI-N 80V 0.5A 1W 120MHz
2SC1515 SI-N 200V 0.05A 0.2W 110MHz
2SC1520 SI-N 300V 0.2A 12,5W
2SC1545 N-DARL 40V 0.3A 0.3W B=1K
2SC1567 SI-N 100V 0.5A 5W 120MHz
2SC1570 SI-N 55V 0.1A 0.2W 100MHz
2SC1571 SI-N 40V 0.1A 0.2W 100MHz
2SC1573 SI-N 200V 0.1A 1W 80MHz
2SC1577 SI-N 500V 8A 80W 7MHz
2SC1583 SI-N 50V 0.1A 0.4W 100MHz
2SC1619 SI-N 100V 6A 50W 10MHz
2SC1623 SI-N 60V 0.1A 0.2W 250MHz
2SC1624 SI-N 120V 1A 15W 30MHz
2SC1627 SI-N 80V 0.4A 0.8W 100MHz
2SC1674 SI-N 30V .02A 600MC RF/IF
2SC1675 SI-N 50V .03A 0.25W
2SC1678 SI-N 65V 3A 3W
2SC1685 SI-N 60V 0.1A 150MC UNI
2SC1688 SI-N 50V 30mA 0.4W 550MHz
2SC1708A SI-N 120V 50mA 0.2W 150MHz
2SC1729 SI-N 35V 3.5A 16W 500MHz
2SC1730 SI-N 30V 0.05A UHF 1.1GHz
2SC1740 SI-N 40V 100mA 0.3W
2SC1741 SI-N 40V 0.5A 0.3W 250MHz
2SC1756 SI-N 300V 0.2A >50MHz
2SC1760 SI-N 100V 1A 7.9W 80MHz
2SC1775A SI-N 120V 0.05A 0.2W UNI
2SC1781 SI-N 50V 0.5A 0.35W
2SC1815 SI-N 50V 0.15A 0.4W 80MHz
2SC1815BL SI-N 60V 0.15A 0.4W B>350

2SC1815GR SI-N 60V 0.15A 0.4W B>200

2SC1815Y SI-N 60V 0.15A 0.4W B>120
2SC1827 SI-N 100V 4A 30W 10MHz
2SC1832 N-DARL 500V 15A 150W B>10
2SC1841 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1844 SI-N 60V 0.1A 0.5W 100MHz
2SC1845 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1846 SI-N 120V 0.05A 0.5W
2SC1847 SI-N 50V 1.5A 1.2W
2SC1855 SI-N 20V 20mA 0.25W 550MHz
2SC1871 SI-N 450V 15A 150W <1/3us
2SC1879 N-DARL+D 120V 2A 0.8W B>1
2SC1890 SI-N 90V 0.05A 0.3W 200MHz
2SC1895 SI-N 1500V 6A 50W 2MHz
2SC1906 SI-N 19V 0.05A 0.3W
2SC1907 SI-N 30V 0.05A 1100MHz
2SC1913 SI-N 150V 1A 15W 120MHz
2SC1914 SI-N 90V 50mA 0.2W 150MHz
2SC1921 SI-N 250V 0.05A 0.6W
2SC1922 SI-N 1500V 2.5A 50W
2SC1923 SI-N 30V 20mA 10mW 550MHz
2SC1929 SI-N 300V 0.4A 25W 80MHz
2SC1941 SI-N 160V 50mA 0.8W
2SC1944 SI-N 80V 6A PQ=16W
2SC1945 SI-N 80V 6A 20W
2SC1946A SI-N 35V 7A 50W
2SC1947 SI-N 35V 1A 4W 175MHz
2SC1953 SI-N 150V 0.05A 1.2W 70MHz
2SC1957 SI-N 40V 1A 1.8W 27MHz
2SC1959 SI-N 30V 0.5A 0.5W 200MHz
2SC1967 SI-N 35V 2A 8W 470MHz
2SC1968 SI-N 35V 5A 3W 470MHz
2SC1969 SI-N 60V 6A 20W
2SC1970 SI-N 40V 0.6A 5W
2SC1971 SI-N 35V 2A 12.5W
2SC1972 SI-N 35V 3.5A 25W
2SC1975 SI-N 120V 2A 3.8W 50MHz
2SC1980 SI-N 120V 20mA 0.25W 200MHz
2SC1984 SI-N 100V 3A 30W B=700
2SC1985 SI-N 80V 6A 40W 10MHz
2SC2023 SI-N 300V 2A 40W 10MHz

2SC2026 SI-N 30V 0.05A 0.25W

2SC2027 SI-N 1500/800V 5A 50W
2SC2036 SI-N 80V 1A PQ=1..4W
2SC2053 SI-N 40V 0.3A 0.6W 500MHz
2SC2055 SI-N 18V 0,3A 0,5W
2SC2058 SI-N 40V 0.05A 0.25W
2SC2060 SI-N 40V 0.7A 0.75W 150MHz
2SC2061 SI-N 80V 1A 0.75W 120MHz
2SC2068 SI-N 300V 0.05A 95MHz
2SC2073 SI-N 150V 1.5A 25W 4MHz
2SC2078 SI-N 80V 3A 10W 150MHz
2SC2086 SI-N 75V 1A 0.45W 27MHz
2SC2092 SI-N 75V 3A 5W 27MHz
2SC2094 SI-N 40V 3.5A PQ>15W 175MHz
2SC2097 SI-N 50V 15A PQ=85W
2SC2120 SI-N 30V 0.8A 0.6W 120MHz
2SC2122 SI-N 800V 10A 50W
2SC2166 SI-N 75V 4A 12.5W RFPOWER
2SC2168 SI-N 200V 2A 30W 10MHz
2SC2200 SI-N 500V 7A 40W 1US
2SC2209 SI-N 50V 1.5A 10W 150MHz
2SC2216 SI-N 45V 50mA 0.3W 300MHz
2SC2228 SI-N 160V 0.05A 0.75W >50
2SC2229 SI-N 200V 50mA 0.8W 120MHz
2SC2230 SI-N 200V 0.1A 0.8W 50MHz
2SC2233 SI-N 200V 4A 40W 8MHz
2SC2235 SI-N 120V 0.8A 0.9W 120MHz
2SC2236 SI-N 30V 1.5A 0.9W 120MHz
2SC2237 SI-N 35V 2A PQ>7.5W 175MHz
2SC2238 SI-N 160V 1.5A 25W 100MHz
2SC2240 SI-N 120V 50mA .3W 100MHz
2SC2261 SI-N 180V 8A 80W 15MHz
2SC2267 SI-N 400/360V 0.1A 0.4W
2SC2270 SI-N 50V 5A 10W 100MHz
2SC2271 SI-N 300V 0.1A 0.9W 50MHz
2SC2275 SI-N 120V 1.5A 25W 200MHz
2SC2283 SI-N 38V 0.75A 2.8W 500MHz
2SC2287 SI-N 38V 1.5A 7.1W 175MHz
2SC2295 SI-N 30V 0.03A 0.2W 250MHz
2SC2307 SI-N 500V 12A 100W 18MHz
2SC2308 SI-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz

2SC2310 SI-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz

2SC2312 SI-N 60V 6A 18.5W 27MHz
2SC2314 SI-N 45V 1A 5W
2SC2320 SI-N 50V 0,2A 0,3W
2SC2329 SI-N 38V 0.75A 2W 175MHz
2SC2331 SI-N 150V 2A 15W POWER
2SC2333 SI-N 500/400V 2A 40W
2SC2336B SI-N 250V 1.5A 25W 95MHz
2SC2344 SI-N 180V 1.5A 25W 120MHz
2SC2347 SI-N 15V 50mA 250mW 650MHz
2SC2362 SI-N 120V 50mA 0.4W 130MHz
2SC2363 SI-N 120V 50mA 0.5W 130MHz
2SC2369 SI-N 25V 70mA 0.25W 4.5GHz
2SC2383 SI-N 160V 1A 0.9W 100MHz
2SC2389 SI-N 120V 50mA 0.3W 140MHz
2SC2407 SI-N 35V 0.15A 0.16W 500MHz
2SC2412 SI-N 50V 0.1A 180MHz
2SC2433 SI-N 120V 30A 150W 80MHz
2SC2440 SI-N 450V 5A 40W
2SC2458 SI-N 50V 0.15A 0.2W 80MHz
2SC2466 SI-N 30V 0.05A 2.2GHz
2SC2482 SI-N 300V 0.1A 0.9W 50MHz
2SC2485 SI-N 100V 6A 70W 15MHz
2SC2486 SI-N 120V 7A 80W 15MHz
2SC2491 SI-N 100V 6A 40W 15MHz
2SC2497 SI-N 70V 1.5A 5W 150MHz
2SC2498 SI-N 30V 0.05A 0.3W 3.5GHz
2SC2508 SI-N 40V 6A 50W 175MHz
2SC2510 SI-N 55V 20A 250W 28MHz
2SC2512 SI-N 30V 50mA TUNE 900MHz
2SC2516 SI-N 150V 5A 30W <0.5/2us
2SC2517 SI-N 150V 5A 30W <0.5/2us
2SC2538 SI-N 40V 0.4A 0.7W
2SC2539 SI-N 35V 4A 17W 175MHz
2SC2542 SI-N 450V 5A 40W
2SC2547 SI-N 120V 0.1A 0.4W
2SC2551 SI-N 300V 0.1A 0.4W 80MHz
2SC2552 SI-N 500V 2A 20W

2SC2553 SI-N 500V 5A 40W 1us

2SC2562 SI-N 60V 5A 25W 0.1us
2SC2563 SI-N 120V 8A 80W 90MHz
2SC2570A SI-N 25V 70mA 0.6W
2SC2579 SI-N 160V 8A 80W 20MHz
2SC2581 SI-N 200V 10A 100W
2SC2590 SI-N 120V 0.5A 5W 250MHz
2SC2592 SI-N 180V 1A 20W 250MHz
2SC2603 SI-N 50V 0.2A 0.3W
2SC2610 SI-N 300V 0.1A 0.8W 80MHz
2SC2611 SI-N 300V 0.1A 0.8W 80MHz
2SC2621E SI-N 300V 0.2A 10W >50MHz
2SC2625 SI-N 450V 10A 80W
2SC2630 SI-N 35V 14A 100W
2SC2631 SI-N 150V 50mA 0,75W 160MHz
2SC2632 SI-N 150V 50mA 1W 160MHz
2SC2634 SI-N 60V 0.1A 0.4W 200MHz
2SC2653 SI-N 350V 0.2A 15W >50MHz
2SC2654 SI-N 40V 7A 40W
2SC2655 SI-N 50V 2A 0.9W 0.1us
2SC2656 SI-N 450V 7A 80W <1.5/4.5
2SC2660 SI-N 200V 2A 30W 30MHz
2SC2668 SI-N 30V 20mA 0.1W 550MHz
2SC2671 SI-N 15V 80mA 0.6W 5.5GHz
2SC2682 SI-N 180V 0.1A 8W 180MHz
2SC2690 SI-N 120V 1.2A 20W 160MHz
2SC2694 SI-N 35V 20A 140W
2SC2705 SI-N 150V 50mA 0.8W 200MHz
2SC2706 SI-N 140V 10A 100W 90MHz
2SC2712 SI-N 50V 0.15A 0.15W 80MHz
2SC2714 SI-N 30V 20mA 0.1W 550MHz
2SC2717 SI-N 30V 50mA 0.3W 300MHz
2SC2724 SI-N 30V 30mA 200MHz
2SC2749 SI-N 500V 10A 100W 50MHz
2SC2751 SI-N 500V 15A 120W 50MHz
2SC2752 SI-N 500V 0.5A 10W <1/3.5
2SC2753 SI-N 17V 0.07A 0.3W 5GHz
2SC2759 SI-N 30V 50mA 0.2W 2.3GHz
2SC2786 SI-N 20V 20mA 600MHz
2SC2787 SI-N 50V 30mA 0.3W 250MHz

2SC2791 SI-N 900V 5A 100W

2SC2792 SI-N 850V 2A 80W
2SC2793 SI-N 900V 5A 100W
2SC2802 SI-N 300V 0.2A 10W 80MHz
2SC2808 SI-N 100V 50mA 0.5W 140MHz
2SC2810 SI-N 500V 7A 50W 18MHz
2SC2812 SI-N 55V 0.15A 0.2W 100MHz
2SC2814 SI-N 30V 0.03A F 320MHz
2SC2825 SI-N 80V 6A 70W B>500
2SC2837 SI-N 150V 10A 100W 70MHz
2SC2839 SI-N 20V 30mA 0.15W 320MHz
2SC2851 SI-N 36V 0.3A 1W 1.5GHz
2SC2873 SI-N 50V 2A 0.5W 120MHz
2SC2878 SI-N 20V 0.3A 0.4W 30MHz
2SC2879 SI-N 45V 25A PEP=100W 28MHz
2SC2882 SI-N 90V 0.4A 0.5W 100MHz
2SC288A SI-N 35V 20mA 0.15W
2SC2898 SI-N 500V 8A 50W
2SC2901 SI-N 40V 0.2A 0.6W <12/18
2SC2908 SI-N 200V 5A 50W 50MHz
2SC2910 SI-N 160V 70mA 0.9W 150MHz
2SC2911 SI-N 180V 140mA 10W 150MHz
2SC2912 SI-N 200V 140mA 10W 150MHz
2SC2922 SI-N 180V 17A 200W 50MHz
2SC2923 SI-N 300V 0.1A 140MHz
2SC2928 SI-N 1500V 5A 50W
2SC2939 SI-N 500V 10A 100W 2.5us
2SC2958 SI-N 160V 0.5A 1W
2SC2979 SI-N 800V 3A 40W
2SC2987 SI-N 140V 12A 120W 60MHz
2SC2988 SI-N 36V 0.5A 175MHz
2SC2999 SI-N 20V 30mA 750MHz
2SC3001 SI-N 20V 3A PQ=7W 175MHz
2SC3019 SI-N 35V 0.4A 0.6W 520MHz
2SC3020 SI-N 35V 1A 10W
2SC3022 SI-N 35V 7A 50W
2SC3030 N-DARL 900V 7A 80W
2SC3039 SI-N 500V 7A 52W
2SC3042 SI-N 500/400V 12A 100W
2SC3052F SI-N 50V 0.2A 0.15W 200MHz

2SC3063 SI-N 300V 0.1A 1.2W 140MHz

2SC3067 2xSI-N 130V 50mA 0.5W 160
2SC3068 SI-N 30V 0.3A Ueb=15V B>8
2SC3071 SI-N 120V 0.2A Ueb=15V B>
2SC3073 SI-N 30V 3A 15W 100MHz
2SC3074 SI-N 60V 5A 20W 120MHz
2SC3075 SI-N 500V 0.8A 10W 1/1.5us
2SC3089 SI-N 800V 7A 80W
2SC3101 SI-N 250V 30A 200W 25MHz
2SC3102 SI-N 35V 18A 170W 520MHz
2SC3112 SI-N 50V 0.15A 0.4W 100MHz
2SC3116 SI-N 180V 0.7A 10W 120MHz
2SC3117 SI-N 180V 1.5A 10W 120MHz
2SC3133 SI-N 60V 6A 1.5W 27MHz
2SC3148 SI-N 900V 3A 40W 1us
2SC3150 SI-N 900V 3A 50W 15MHz
2SC3153 SI-N 900V 6A 100W
2SC3157 SI-N 150V 10A 60W
2SC3158 SI-N 500V 7A 60W
2SC3164 SI-N 500V 10A 100W
2SC3169 SI-N 500V 2A 25W >8MHz
2SC3175 SI-N 400V 7A 50W 40MHz
2SC3178 SI-N 1200V 2A 60W
2SC3179 SI-N 60V 4A 30W 15MHz
2SC3180N SI-N 80V 6A 60W 30MHz
2SC3181N SI-N 120V 8A 80W 30MHz
2SC3182N SI-N 140V 10A 100W 30MHz
2SC3195 SI-N 30V 20mA 0.1W 550MHz
2SC3199 SI-N 60V 0.15A 0.2W 130MHz
2SC3200 SI-N 120V 0.1A 0.3W 100MHz
2SC3202 SI-N 35V 0.5A 0.5W 300MHz
2SC3203 SI-N 35V 0.8A 0.6W 120MHz
2SC3205 SI-N 30V 2A 1W 120MHz
2SC3206 SI-N 150V 0.5A 0.8W 120MHz
2SC3210 SI-N 500V 10A 100W 1us
2SC3211 SI-N 800V 5A 70W >3MHz
2SC3212 SI-N 800V 7A 3W 3.5MHz
2SC3225 SI-N 40V 2A 0.9W 1us
2SC3231 SI-N 200V 4A 40W 8MHz
2SC3240 SI-N 50V 25A 110W 30MHz
2SC3242 SI-N 20V 2A 0.9W 80MHz

2SC3244E SI-N 100V 0.5A 0.9W 130MHz

2SC3245A SI-N 150V 0.1A 0.9W 200MHz
2SC3246 SI-N 30V 1.5A 0.9W 130MHz
2SC3247 SI-N 50V 1A .9W 130MHz B>
2SC3257 SI-N 250V 10A 40W 1/3.5us
2SC3258 SI-N 100V 5A 30W 120MHz
2SC3260 N-DARL 800V 3A 50W B>10
2SC3262 N-DARL 800V 10A 100W
2SC3263 SI-N 230V 15A 130W
2SC3264 SI-N 230V 17A 200W 60MHz
2SC3271 SI-N 300V 1A 5W 80MHz
2SC3277 SI-N 500V 10A 90W 20MHz
2SC3279 SI-N 10V 2A 0.75W 150MHz
2SC3280 SI-N 160V 12A 120W 30MHz
2SC3281 SI-N 200V 15A 150W 30MHz
2SC3284 SI-N 150V 14A 125W 60MHz
2SC3293 N-DARL+D 50V 1.2A 20W 180
2SC3297 SI-N 30V 3A 15W 100MHz
2SC3299 SI-N 60V 5A 20W 0.1us
2SC3300 SI-N 100V 15A 100W
2SC3303 SI-N 100V 5A 20W 0.2us
2SC3306 SI-N 500V 10A 100W 1us
2SC3307 SI-N 900V 10A 150W 1us
2SC3309 SI-N 500V 2A 20W 1us
2SC3310 SI-N 500V 5A 30W 1us
2SC3311 SI-N 60V 0.1A 0.3W 150MHz
2SC3320 SI-N 500V 15A 80W
2SC3326 SI-N 20V 0.3A 0.15W 30MHz
2SC3327 SI-N 50V 0.3A 0.2W 30MHz
2SC3328 SI-N 80V 2A 0.9W 100MHz
2SC3330 SI-N 60V 0.2A 0.3W 200MHz
2SC3331 SI-N 60V 0.2A 0.5W 200MHz
2SC3332 SI-N 180V 0.7A 0.7W 120MHz

CORTA HISTORIA...
Charles Plumb, era piloto de un bombardero en la guerra de Vietnam.

Después de muchas misiones de combate, su avión fue derribado por un misil.
Plumb se lanzó en paracaídas, fue capturado y pasó seis años en una prisión
norvietnamita. A su regreso a Estados Unidos, daba conferencias relatando su
odisea, y lo que aprendió en la prisión.
Un día estaba en un restaurante y un hombre lo saludó:
Le dijo "Hola, usted es Charles Plumb, era piloto en Vietnam y lo derribaron
verdad?" "Y usted, ¿cómo sabe eso?", le preguntó Plumb.
"Porque yo empacaba su paracaídas. Parece que le funcionó bien, ¿verdad?"
Plumb casi se ahogó de sorpresa y con mucha gratitud le respondio.
"Claro que funcionó, si no hubiera funcionado, hoy yo no estaría aquí."
Estando solo Plumb no pudo dormir esa noche, meditando:
¿“Se preguntaba Cuántas veces vi en el portaviones a ese hombre y nunca le
dije buenos días, yo era un arrogante piloto y él era un humilde marinero?"
Pensó también en las horas que ese marinero paso en las entrañas del barco
enrollando los hilos de seda de cada paracaídas, teniendo en sus manos la
vida de alguien que no conocía.
Ahora, Plumb comienza sus conferencias preguntándole a su audiencia:
¿"Quién empacó hoy tu paracaídas?".
Todos tenemos a alguien cuyo trabajo es importante para que nosotros
podamos salir adelante. Uno necesita muchos paracaídas en el día: uno físico,
uno emocional, uno mental y hasta uno espiritual.
A veces, en los desafíos que la vida nos lanza a diario, perdemos de vista lo
que es verdaderamente importante y las personas que nos salvan en el
momento oportuno sin que se los pidamos.
Dejamos de saludar, de dar las gracias, de felicitar a alguien , o aunque sea,
decir algo amable sólo porque sí.
Hoy, esta semana, este año, cada día, trata de darte cuenta quién empaca tu
paracaídas, y agradécelo.

Electrónica II Glosario
11. Glosario
(β) BETA (FACTOR DE GANANCIA): Número a dimensional típico

de un transistor que representa en número de veces que puede
amplificar un transistor. Matemáticamente β representa la variación
de la corriente de colector con respecto a la de base.
(α) ALFA: variación de la corriente de colector con respecto a la de

emisor.
DOPAJE:Introducir átomos de diferente naturaleza a una estructura

pura para alterar la conducción de corriente eléctrica.
POLARIZACIÓN: Ordenar internamente la carga eléctrica en un

semiconductor, para favorecer o no la conducción.
CIRCUIT MAKER: Software simulador para circuitos eléctricos y/o

electrónicos, analógicos o digitales.
2016-2016

Electrónica II Modulo

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Instituto Tecnológico Superior

Mecánica automotriz Segundo

Mecánica industrial Segundo

6. Orientaciones generales para el estudio ....................................10

7. Desarrollo de contenidos ............................................................11

I. Unidad: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA ............11

Configuración del transistor ...................................................14

Operación del transistor .........................................................17

Curva característica de entrada .............................................19

Aproximaciones para el funcionamiento del transistor .........22

Clasificación de los transistores bipolares.............................26

Polarización de los transistores bipolares .............................27

Circuito de polarización fija ....................................................28

Circuito de polarización estabilizado en emisor ....................28

Corrientes de polarización .....................................................29

Voltajes de polarización .........................................................29

Voltaje en la juntura colector emisor......................................29

Circuito de polarización por divisor de voltaje .......................29

Corrientes de polarización .....................................................30

Voltajes de polarización .........................................................30

Voltaje en la juntura colector emisor......................................30

Polarización con realimentación ............................................30

Corrientes de polarización .....................................................31

Voltajes de polarización .........................................................31

Voltaje en la juntura colector emisor......................................31

Estrategias de enseñanza – aprendizaje ...................................31

II. Unidad: APLICACIONES DEL BJT .......................................34

El transistor como interruptor .................................................35

El transistor como amplificador ..............................................36

Estrategias de enseñanza – aprendizaje ...................................39

III. Unidad. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.....................49

El amplificador operacional ideal. ..........................................51

Estructura interna y características: ......................................52

Tecnológico Vida Nueva Página 3

El amplificador diferencial.- ....................................................58

El sumador inversor ...............................................................61

El seguidor de tensión ............................................................66

Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y

Estrategias de enseñanza – aprendizaje ...................................68

8. Evaluación final ...........................................................................72

10. Anexos ....................................................................................76

Codificación de los transistores bipolares .............................76

Codificación europea .............................................................76

Codificación japonesa ............................................................77

Codificación americana ..........................................................78

Datos técnicos de voltaje y corriente en un transistor...........78

11. Glosario ............................................................................... 104

Tecnológico Vida Nueva Página 4

La producción aumentó de cerca de 1 millón de tubos en 1922

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947,(1940 a 1950) la industria

Figura 1: Inicios de la electrónica (Monografias, 2013)

El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra

El lector descubrirá que todos los amplificadores (son dispositivos

Figura 2: El primer transistor (bell telephone laboratories).

Tecnológico Vida Nueva Página 6

Sería imposible entender la evolución de la electrónica analógica y

 Su consumo de energía es mucho menor con lo que también

Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vacío al

Tecnológico Vida Nueva Página 7

En un gráfico detalle la construcción de semiconductores Tipo N y

Explique construcción y características del primer elemento

Explique con gráficos como se prueba un diodo utilizando el

Tecnológico Vida Nueva Página 8