Resumen Coloquio

Í N D I C E
1. Amplificadores de potencia lineales 3

1.1. Introducción 3
1.2. Requerimientos de adaptación 4
1.2.1. Redes de adaptación para VHF 5
1.2.2. Redes de adaptación para UHF 5
1.3. Circuitos amplificadores lineales de banda ancha 6
1.3.1. Compensación de la entrada 7
1.3.2. Circuito amplificador clase A 8
1.4. Amplificadores de banda ancha de UHF 9
1.4.1. Amplificador clase A 11
1.5. Circuitos de entrada 11
1.6. Amplificadores lineales clase AB 13
1.6.1. Circuito de entrada 14
1.7. Amplificadores de banda ancha AB para FM 15
1.8. Amplificadores de Banda ancha, banda de TV cable IV y V en Clase
AB 17
2. Amplificadores de potencia sintonizados 21

2.1. Amplificadores clase C 21
2.1.1. Amplificador clase C como fuente de corriente 21
2.1.2. Amplificadores de clase de modo saturado 25
2.1.3. Amplificador clase C con transistores bipolares o modo mixto 26
2.1.3.1. Análisis del modo mixto 27
2.2. Osciladores de potencia clase C 29
2.2.1. Amplificador clase C modo mixto (bipolar) con red de realimenta-
ción tipo T 29
2.2.2. Amplificador clase C con modulación de amplitud 29
2.2.3. Amplificador clase C como multiplicador de frecuencia 30
3. Amplificadores de Alta Eficiencia 31

3.1. Introduccion 31
3.2. Amplificador de clase D 32
3.2.1. Amplificador clase D conmutado por tension 32
3.2.2. Amplificador clase D conmutado por corriente 35
3.3. Amplificadores de alta eficiencia clase E 37
1
2
3.3.1. Amplificador de potencia de clase E diferencial 37

3.3.2. Amplificador de potencia de clase E de simetrı́a complementa-
ria 38
3.3.3. Exitación y polarización de un amplificador clase E 38
3.4. Amplificador de alta eficiencia clase F 40
3.5. Amplificador de alta eficiencia de clase G 40
4. Transmisores de CW, FM y AM 43
4.1. Amplificadores de CW (señal de onda continua) 43
4.2. Transmisores de FM 44
4.3. Transmisores de AM 50
5. Transmisores de banda lateral única 53

5.1. Conversión de frequencia por banda discreta 53
5.2. Conversión de frecuencia en banda ancha 54
5.3. Transmisor SSB de conversión directa con método de faseamiento 55
5.4. Transmisor SSB de conversión directa con el tercer método de modula-
ción 55
5.5. Cadenas de amplificadores lineales 56
5.6. Control automático de ganancia 56
5.7. Atenuador a diodo PIN 57
5.8. Protección VSWR 58
5.9. Eliminación y restauración de envolvente 59
5.10. Retroalimentación de envolvente 60
AMPLIFICADORES DE POTENCIA LINEALES
1
1.1. Introducción 3
1.2. Requerimientos de adaptación 4
1.2.1. Redes de adaptación para VHF 5
1.2.2. Redes de adaptación para UHF 5
1.3. Circuitos amplificadores lineales de banda ancha 6
1.3.1. Compensación de la entrada 7
1.3.2. Circuito amplificador clase A 8
1.4. Amplificadores de banda ancha de UHF 9
1.4.1. Amplificador clase A 11
1.5. Circuitos de entrada 11
1.6. Amplificadores lineales clase AB 13
1.6.1. Circuito de entrada 14
1.7. Amplificadores de banda ancha AB para FM 15
1.8. Amplificadores de Banda ancha, banda de TV cable IV y V en Clase
AB 17
1.1 introducci ón
En la actualidad existe una amplia variedad de amplificadores, se podrı́a llegar

a decir que hay un amplificador para cada necesidad. Pues su elección dependerá
fundamentalmente del tipo de aplicación, ya que esto determinará las caracterı́sticas
del diseño del amplificador. Por esto si las señales a amplificar son para BLU, BLD,
amplificadores de potencia de transmisores de TV o amplificadores de lı́nea de TV por
cable, tendremos un condicionamiento severo en cuanto a las caracterı́sticas de linealidad.
En estos casos solamente podremos recurrir a amplificadores de clase A, o AB, que son
los que podrán cumplimentar las condiciones impuestas.
En el caso de Transmisores para Banda Lateral Única BLU (SSB) o BLD (DSB), las
exigencias de ı́nter modulación deben ser inferiores a -40 dB. Para el caso de transmisores
de TV el requerimiento cae en el tema de la compresión dentro del rango de amplitudes,
donde las exigencias están dentro de las décimas de dB. En los amplificadores distribui-
dores de TV por cable, se debe contar con una muy baja producción de productos de
ı́nter modulación total, donde los mismos deben cumplir con las pruebas de ı́nter modu-
lación de tres tonos con productos que deben mantenerse por debajo de los −55 [dB] a
−60 [dB].
Si se estudia el espectro de emisión de un amplificador de potencia de RF veremos
que existe una singular distribución de componentes de ı́nter modulación las cuales se
3
4 amplificadores de potencia lineales
suman a las componentes deseadas como se observa en la Fig. 1.1 de mayor intensidad y
se encuentran adyacente a las señales deseadas.
Figura 1.1: Espectro de emisión de un amplificador de potencia de RF
Este espectro lo podemos dividir en señales deseadas por un lado, que consisten en
dos tonos f c ± f m de una misma amplitud que corresponde al tono de señal modula-
dora, mientras que por otro lado tenemos las señales producidas por las alinealidades
del amplificador que corresponden respectiva-mente a armónica de la portadora y a
los productos de ı́nter modulación, mas un cierto contenido de frecuencias espurias.
Los productos de ı́nter modulación serán de 3º, 5º, 7º, 9º, etc. orden, siendo los de 3º
orden los de mayor intensidad y se encuentran adyacente a las señales deseadas. Estas
señales de IMD producirán interferencia a los canales adyacentes dentro del espectro de
comunicaciones en el caso de emisión al aire, e interferencias producidas en la recepción
al mezclarse con la señales de oscilador local. Las señales espurias por lo general son
producto de oscilaciones subarmónicas, o bien el resultado de productos del mezclado
de señales.
Tomando el ejemplo de una transmisión de BLU, que por lo general se usa en un
rango de 2 a 30 [MHz]; se establece el grado de distorsión aplicando dos tonos de audio
puros en la modulación, con amplitudes perfectamente establecidas en porcentaje de
modulación, y a frecuencia de portadora del orden de los 28 [MHz]. Este prueba se
realiza con dos tonos de audio separados 1 [kHz] entre si.
1.2 requerimientos de adaptaci ón
Para el caso de amplificadores de potencia, no es aplicable el criterio de adaptación

de baja señal, ya que los transistores al trabajar con alta señal, sus parámetros no son
lineales y por lo tanto no es compatible con un estudio de cuadripolo lineal.
No obstante cada transistor necesita una adaptación entre la entrada y la entrada de
la etapa amplificadora, siendo lo mismo que para el caso de la salida, a los efectos de
obtener la máxima ganancia de potencia.
Por lo general las etapas de potencia se diseñan para entradas y salidas normalizadas
de 50 [Ω], pero cuando se trata de amplificadores de potencia multietapas se debe
realizar la adaptación de las etapas entre sı́, simplemente para adaptar sus impedancias,
teniendo en cuenta que estas redes de adaptación deben diseñarse para obtener un
mı́nimo de pérdida de inserción.
Otro tema importante en el diseño de las redes de adaptación, es tener en cuenta que
se trata de circuitos sintonizados, por lo tanto proseen un Q determinado, y con esto,
como sabemos, las corrientes y las tensiones pueden encontrarse multiplicadas por este
1.2 requerimientos de adaptaci ón 5
factor, por lo cual se debe tener en cuenta este detalle al seleccionar los componente
pasivos que componen la red. En general el Q, es decir, el ancho de banda para estos
amplificadores de potencia no tiene requerimientos muy severos, por lo tanto esto es
una ventaja que debe aprovecharse, con lo que no debe hacerse muy alto este Q.
1.2.1 Redes de adaptación para VHF
En los circuitos ya descriptos se han usado capacitores ajustables tanto paralelo como
en serie, pero esto puede ser no conveniente en circuitos de alta frecuencia porque en
el momento del ajuste, aún usando calibradores de plástico, la capacidad introducida
en el circuito puede llevar a un ajuste erróneo, al igual que sucede con las puntas de
prueba utilizadas para la medición. Por este motivo se debe usar un circuito alternativo,
donde la influencia de las capacidades parásitas introducidas en la medición, no lleguen
a alterar mayormente el ajuste del circuito para la adaptación deseada.
Suponiendo un caso en el cual tengamos una resistencia mas alta del lado de la carga
y la menor del lado del generador, como puede ocurrir en la impedancia de salida de un
transistor de potencia, la cual debe adaptarse a la impedancia normalizada de 50 [Ω]
para la salida del amplificador. En este caso podemos utilizar una simple configuración
L con la rama paralelo para el lado de la carga, y luego añadir una sección π para la
adaptación de la resistencia virtual del punto A, a la carga, como lo podemos apreciar
en la Fig. 1.2.
Figura 1.2: Circuito de adaptación que usa capacitores en paralelo solamente
La técnica descripta en la Fig. 1.1 disminuye los efectos del calibrado, al presentar los
capacitores en paralelo y cuyos extremos se encuentran a tierra, esto último permite el
ajuste de estos capacitores por el otro lado del blindaje, y por ende no agrega capacidad
del operador o del elemento de ajuste. No obstante el circuito tiene el defecto de
no permitir el aislamiento de continua. El método de cálculo de estas redes ya se
mencionó en el capı́tulo de adaptación de impedancia, en el cual podı́amos seleccionar
los componentes necesarios, para la adaptación de valores definidos de entrada y salida
para un Q especificado. El inconveniente de estas redes es que las pérdidas en general
son mayores que para los otros circuitos. Las pérdidas se incrementarán en la medida
que sea mayor la diferencia entre las resistencias de entrada y de salida a adaptar. Las
pérdidas razonables para estos circuitos están dadas para relaciones de las resistencias a
adaptar en el orden de dos entre sı́, ya sea para arriba o para abajo.
1.2.2 Redes de adaptación para UHF
En estos casos se hace prácticamente imprescindible el uso de circuitos impresos con

componentes distribuı́dos tipo strip line.
Figura 1.3: Circuito con strip line para UHF
Este método es eficaz para potencias medianas en las cuales se encuentra involucrado
un solo transistor. Cuando las potencias a desarrollar son mayores debemos recurrir a
implementar circuitos con más de un elemento activo, como ser la configuración push
pull o bien los combinadores de potencia. En este caso se debe recurrir a transformadores
de impedancia para obtener la adaptación, pero debido a la frecuencia de trabajo de
los transformadores en la que deben operar, estos deberán ser del tipo de lı́nea de
transmisión, cuyas caracterı́sticas especiales las veremos en el capı́tulo destinado a ello.
No obstante se verá en este capı́tulo, algún tipo de técnica en el cual se utilizará este
tipo de transformadores evaluando los valores de cálculo para su uso, o bien técnicas
que conformarán un circuito de cinta que cumple las funciones de transformador de RF,
siendo esto último prácticamente indispensable cuando nos acercamos a frecuencias de
microondas, es decir, por arriba de las frecuencias de VHF de rango alto.
1.3 circuitos amplificadores lineales de banda ancha
Dentro de este tipo de amplificadores, se encuentran los amplificadores de HF que

cubren un rango de frecuencia de 1.6 a 30 MHz, los cuales en su mayor parte trabajará en
amplitud modulada con transmisión de Banda Lateral Única (BLU), por lo que requiere
de amplificadores lineales de potencia. Dado que el ancho de banda es muy grande, se
requiere el uso de adaptación de impedancia, que mantenga la adaptación dentro de este
ancho de banda amplio. Por lo tanto no se puede lograr con adaptaciones como las vista
hasta este momento, sino que se debe recurrir a adaptación, mediante transformadores
de banda ancha de radio frecuencia, o bien con transformadores de tubo compensados
que permiten un gran ancho de banda con bajas pérdidas.
Por lo general los transistores de potencia tendrán una capacidad de salida que varı́a
según la potencia de salida empleada, pudiendo variar entre un 15 % y un 20 %. Por otro
lado la reactancia capacitiva en el extremo de frecuencia es del orden de cuatro veces la
resistencia de carga óptima. Con esto la relación de onda estacionaria será alta ya que
puede llegar a 1,3. Por lo tanto se requerirá alguna compensación para reducir la onda
estacionaria. Esta compensación se puede lograr añadiendo uno o dos componentes al
circuito.
Es común el uso de la teorı́a de filtros para una configuración Chebyshev donde
usualmente se usan los valores normalizados para una resistencia caracterı́stica de 1 [Ω]
y una frecuencia de corte normalizada en ω = 1 [rad/s], siendo esta la frecuencia
superior para una configuración pasa bajo y la inferior para una pasa alto. En el ejemplo
que se dará se utilizará para las cantidades normalizadas la simbologı́a gk donde k es el
identificador del elemento del filtro.
1.3 circuitos amplificadores lineales de banda ancha 7
1.3.1 Compensación de la entrada
Para transistores bipolares, las variaciones de la impedancia de entrada, en especial la

parte reactiva en función de la frecuencia, como se observa en la Fig. 1.4 para el caso del
transistor de HF/UHF, BLW 96, presentan un problema a resolver en los amplificadores
de banda ancha ya que esto producirá variaciones de ganancia de potencia del circuito
y de ROE, pero se pueden resolver mediante el uso de circuitos sintonizados RLC tal
como se observa en la Fig. 1.4.
En la figura se puede observar que existe una red compleja, que no es una adaptación
simple para una frecuencia, sino que debe presentar una variación, en sus extremos de
adaptación, que compense las variaciones de impedancia de entrada del transistor con la
variación de frecuencia.
En este caso la red compuesta por C6 y R2 se debe calcular en resonancia con L3 y R4
a la frecuencia en la que la impedancia de entrada del transistor presenta el punto de
cambio de inductiva a capacitiva, y que dicha red presente una variación que debe ser la
compleja conjugada de la que presenta el transistor, o sea que es un caso semejante al de
absorción de reactancia parásita que ya se vio en el capı́tulo de adaptación de impedancia,
pero que es para un rango de frecuencia notablemente mayor. La inductancia L1 con
el capacitor C4 conforma la red de adaptación para logra la adaptación de carga de
generador a la del transistor compensado.
Figura 1.4: Circuito de compensación de impedancia de entrada
Normalmente se emplean programas de computadora para realizar la optimización

de este tipo de circuitos. Los capacitores a utilizar son de mica plata y los inductores son
de bajas pérdidas. Todos los componentes a utilizar en estos tipos de circuitos deben ser
fijos debido a lo engorroso que serı́a tratar de alinear la respuesta de la red.
Para el caso de utilizar transistores MOSFET, se presentará un panorama bastante
diferente al del caso de los BJT, ya que su impedancia de entrada presenta un valor
capacitivo elevado en comparación con el bipolar, como por ejemplo el transistor BLF
177 que presenta una capacidad aproximadamente constante de 745 [pF] en el rango
de VHF, no ası́ en el rango de HF, donde la capacidad es variable. No obstante el
principal problema en estos transistores, consiste en mantener constante la tensión de
entrada en esta capacidad sobre todo en el rango de frecuencia a utilizar. También la
red de adaptación que se diseñe debe proveer de una buena adaptación de la entrada
para obtener la máxima ganancia. Por lo tanto una simple resistencia para polarizar
no es una buena solución, en parte por los problemas vistos en la primer parte de este
capı́tulo, desde el punto de vista de la polarización en DC. Desde el punto de vista de

la adaptación el mejor resultado se obtiene por medio de una configuración circuital
como la indicada en la Fig. 1.5 aunque es factible mejorarla teniendo en cuenta otros
problemas que se discutirán mas adelante.
Figura 1.5: Circuito básico de adaptación para MOSFET
En la Fig. 1.5 la fuente de corriente y la resistencia R1 representa la fuente de señal que

por lo general será un transformador de RF, la capacidad C1 representa la capacidad de
entrada del transistor. La red de compensación está constituida por las inductancias L1 ,
L2 , y la resistencia R2 , por lo general el valor de R2 es prácticamente igual a R1 . El voltaje
desarrollado sobre C1 debe ser de la misma magnitud que el que se desarrolla sobre R1 .
Normalmente como la tensión desarrollada en C1 que es un valor dado, se debe trabajar
con valores de R1 lo mas grande posible para evitar grandes disipaciones de potencia.
Para obtener los valores óptimos de los componentes se debe trabajar con programas
de computadora, y de esta manera se obtendrá los valores de C1 y R1 , observando
el producto C1 × R1 con la frecuencia para obtener el mı́nimo de ROE en la banda de
trabajo, lo mismo se debe observar un mı́nimo de variación de la tensión desarrollada
sobre C1 .
Se debe tener en cuenta que la impedancia de entrada del transistor no es puramente
capacitiva, sino que posee también alguna resistencia e inductancia en serie, por lo tanto
se debe realizar una reoptimización para tener en cuenta la impedancia de entrada real,
en función de la frecuencia, del dispositivo.
Es común que en las etapas excitadoras para mejorar la linealidad, se utilice algún
tipo de realimentación, que puede ser la del uso de una resistencia de emisor o una
realimentación colector-base, de manera de manejar a los transistores bipolares por
corriente en lugar que por tensión, evitando de esta manera las alinealidades introducidas
por la caracterı́sticas propias del tranconductancia del bipolar para señales grandes. En el
caso de la realimentación colector-base se suele agregar una pequeña inductancia en serie
con la resistencia de realimentación para disminuir la realimentación a alta frecuencia.
De manera similar, en el caso de los MOSFET se puede agregar una resistencia
de realimentación de drenador a compuerta, pero debe agregarse una resistencia de
compuerta a sumidero para dar un control a la realimentación que realmente trabaja
reduciendo la intermodulación. Este tipo de realimentación la podemos observar en la
Fig. 1.6.
1.3.2 Circuito amplificador clase A
En la Fig. 1.7 se observa el circuito práctico construido con los cálculos efectuados, en
la cual se han realizado algún retoque para mejorar el funcionamiento del circuito.
1.4 amplificadores de banda ancha de uhf 9
Figura 1.6: Método de realimentación en amplificador excitador MOS
Figura 1.7: Circuito práctico real para amplificador Lineal Clase A con BLF 175
Los capacitores C1 y C2 son para compensar la inductancia presentada por el trans-

formador T1 , la capacidad C4 es una capacidad de bloqueo de DC, R3 hace que el Q
de L2 sea bajo para ofrecer un ancho de banda adecuado, C6 , L3 , y C8 presentan un
perfecto filtrado a todas las frecuencias para aislar la fuente. C7 y R3 también juegan
como amortiguador de oscilaciones parásitas. En este caso se usan tres capacitores en
paralelo para evitar la autoresonancia.
La disposición de los componentes sobre una placa de fibra epoxi de doble cara con
plano de tierra, con ε r = 4,5 y espesor 1/16 de pulgada, es la que se puede ver en la Fig.
1.8. Como se observa los capacitores son de montaje superficial y del tipo multicapa con
excepción de C8 que es un electrolı́tico de aluminio. Debe observarse que las inductancias
y choques están distribuidos en cuadratura para minimizar el acoplamiento por flujo
disperso. La zona de plano de tierra esta conectada a la tierra del lado de los componentes
a través de agujeros pasantes interconectados.
1.4 amplificadores de banda ancha de uhf
También en el caso de UHF se debe definir dos rangos de trabajo uno que denomi-
namos Rango Bajo de UHF (220 a 400 [MHz]) y otro que denominamos Rango Alto de
UHF (400 a 900 [MHz]). En el rango bajo en general, se podrán usar las técnicas del
rango alto de VHF, pero las limitaciones provendrán de las limitaciones en los valores de
los inductores, por lo tanto se hace imprescindible trabajar con inductancias producidas
circuitalmente con lı́neas de cinta. Una cosa importante a tener siempre presente es que
toda lı́nea de cinta no representa una inductancia pura, sino que posee asociada una
Figura 1.8: Disposición de componentes sobre plaqueta para amplificador lineal de potencia
realizado con el transistor BLF 175 sugerido por Philips Semiconductores
capacidad, que se deberá tener en cuenta en el diseño del circuito. La capacidad de la

lı́nea de cinta está relacionada con la superficie de la lı́nea, o sea su ancho, mientras que
la inductancia esta relacionada con el largo, y la impedancia caracterı́stica la cinta está
dada por el ancho de la cinta en forma inversa, además de otros parámetros de la placa
donde este montada. Por lo tanto podemos hacer angosta la cinta elevando la resistencia
R0 caracterı́stica de la lı́nea y de esta manera disminuimos las capacidades asociadas, es
decir la capacidad por unidad de longitud y la inductancia aumentará en su magnitud
por unidad de longitud. El elevar la impedancia caracterı́stica de la lı́nea no afectará el
proceso de adaptación, por lo tanto se puede jugar con estos valores para adecuarlos a
las necesidades de la red de adaptación y/o compensación.
Cuando la longitud de la lı́nea se mantiene por debajo de un octavo de la longitud
de onda de la máxima frecuencia a utilizar, podemos obtener un circuito equivalente,
bastante cercano a la realidad, como el que podemos observar en la Fig. 1.9.
Figura 1.9: Circuito equivalente para una lı́nea de cinta con l < λ/8
A modo de ejemplo el circuito de un amplificador lineal de potencia clase A para la

banda III de televisión que abarca un ancho de banda que va de 175 a 230 [MHz], se
realiza con las técnicas de la banda baja de UHF. Tomando el circuito sugerido por el
fabricante, para el transistor bipolar BLV33, podemos apreciar como se debe encarar la
adaptación por medio de componentes realizadas con el circuito impreso, tal como se
observa en la Fig. 1.10.
Como ejemplo podemos observar las inductancias L4 y L7 están realizadas con dos
tramos de cintas de distinto ancho que conformará dos circuitos como el indicado en
la Fig. 1.9 en cascada, lo mismo ocurre con los circuitos de compensación conformados
con la cinta que forma L10 , L13 , y L15 , y de la misma manera para L19 y L21 . L3 y L9 son
1.5 circuitos de entrada 11
Figura 1.10: Amplificador clase A para banda 175 a 230 MHz
choque de filtro hacia la fuente. L1 y L17 son inductores fı́sicos dado su valor demasiado
grande para realizarlo con cinta.
Para el caso de la banda alta de UHF, las técnicas son algo mas refinadas, ya que dentro
de este rango caen los amplificadores de banda ancha lineales de muy baja distorsión
como los usados en la distribución de video de los canales de televisión de las bandas
IV y V de TV por cable que cubren el rango de 470 a 860 [MHz], que como se puede
apreciar, requiere de un ancho de banda de 390 [MHz].
En estos casos se puede llegar a una adaptación de resistencias muy dispares en valor
por medio de redes de compensación asincrónicas, que deberán ser compuestas por
varias secciones en cascada para lograr en ancho de banda tan amplio que requiere las
señales de las bandas de TV.
1.4.1 Amplificador clase A
El circuito final que se obtuvo, el que se puede observar en la Fig. 1.11 donde también
se incluye el circuito de polarización que está realizado con un transistor BD136, con
compensación de temperatura D1 , con una realimentación por corriente de colector a
través de R5 y con ajuste de polarización con R6 y desacople de RF con el choque L3 y
demás capacitores y redes de amortiguamiento de oscilaciones parásitas RC.
En general se requieren de tres o mas secciones de filtros para obtener un buen ROE,
con varios pasabajos al lado de pasa altos. Es conveniente el uso de etapas en cascada con
sintonı́a asincrónica, tal como ya se vio en el capı́tulo destinado a circuitos sintonizados
acoplados inductivamente, donde podemos ver que para el caso de cuatro secciones, se
puede obtener una respuesta relativamente plana.
1.5 circuitos de entrada
Por lo general los requerimientos de un circuito de entrada, pasan primordialmente

por establecer una adaptación de la impedancia de entrada del transistor, a los efectos
de mantener la ganancia más o menos constante dentro del ancho de banda establecido.
Para bajas potencias esto se logra usando una red de dos o más elementos, pero para
potencias más elevadas se requiere otro tipo de técnicas.
A estas técnicas las podemos establecer de dos formas, la primera consiste en obtener
una red que produzca una buena adaptación dentro de la banda, y las compensaciones de
Figura 1.11: Amplificador clase A con BLW32 en el rango de 470 a 860 MHz
las variaciones de ganancia se realizan dentro de la cadena de ganancia del amplificador

en su totalidad. La segunda es haciendo una red que produzca una adaptación mas o
menos exacta a la frecuencia superior de la banda, y dejando una desadaptación en las
frecuencias bajas de la banda, compensando de esta manera la reducción de la ganancia
del transistor a alta frecuencia.
Este segundo método es mas fácil de realizar porque involucra un factor Q cargado
mas alto que para el primer caso. Suponiendo una variación de −20 [dB] por década para
la ganancia del transistor a alta frecuencia, el ROE que se producirá en bajas frecuencias,
tomando el caso de la banda de 470 a 860 [MHz], puede llegar a tomar valores tan altos
como 11.3 para el segundo método. Es indudable que esto no es un funcionamiento
normal para el amplificador en su entrada, por lo tanto no es un método elegible para
esta banda.
Existe un tercer método que presenta una solución simple a este último problema y
que consiste en realizar dos etapas amplificadoras utilizando el segundo método pero
combinada con un acoplador hı́brido de 3dB y 90º tal como se observa en la Fig. 1.12.
Figura 1.12: Circuito de entrada de dos amplificadores acoplados con acopladores hı́bridos de 3
dB y 90º
Los acopladores hı́bridos tienen la capacidad de dividir la potencia que entra en el

puerto 1 en dos partes iguales entramándolas en los puertos 2 y 3, introduciendo una
variación de fase de 90º entre las señales de salida. Además si los puertos 2 y 3 están
cargados con una impedancia de 50 [Ω] la potencia que se desarrolla en el puerto 4 es
1.6 amplificadores lineales clase ab 13
nula. Sin embargo la propiedad más importante de estos acopladores hı́bridos es que si
existe para desadaptaciones iguales en los puertos 2 y 3 no producen desadaptación en
el puerto 1 y cualquier onda reflejada va al puerto 4. Lo que sı́ debe cumplirse es que la
desadaptación de los puertos 2 y 3 deben ser iguales en magnitud y fase.
Para el caso del acoplador hı́brido de la salida debe comportarse al revés, es decir las
dos señales de entrada de amplitudes iguales pero con una diferencia de fase de 90º se
verán sumadas en potencia a la salida, mientras que la potencia a desarrollar en la salida
4 es nula.
Para el caso del transistor BLW34, el circuito alcanzado por las recomendaciones del
fabricante se observan en la Fig. 1.13. En este circuito la potencia es el doble que la
de una etapa simple pero además se obtiene una reducción en el ROE con valores del
orden de 1,2 debido a las propiedades del acoplador hı́brido de 3 dB y 90º, donde la
potencia reflejada es absorbida por la resistencia del puerto 4. Esta resistencia puede
estar constituida por resistencia del tipo de pelı́cula metálica, que para el caso del circuito
lleva dos en paralelo de 100 [Ω] por razones de disipación.
Figura 1.13: Circuito de amplificador con acoplador hı́brido de 90º para el BLW34
1.6 amplificadores lineales clase ab
Cuando se necesita mayor potencia y eficiencia y con condiciones de intermodulación

de bajo nivel se recurre a amplificadores clase AB. El esquema básico de funcionamiento
de un amplificador lineal de potencia clase AB es el que se observa en la Fig. 1.14. La
teorı́a de funcionamiento del clase AB se supone conocida, por lo tanto no se desarrolla
aquı́.
Como se observa, el acoplamiento se realiza por lo general con transformadores que
permiten pasar de carga desbalanceada a balanceada a la entrada, y de balanceada a
desbalanceada en la salida, debido a que las conexiones de entrada y salida se hacen a
través de conectores coaxiales normalizados.
Figura 1.14: Amplificador básico clase AB
Por lo general los transformadores son del tipo de lı́nea de transmisión, los cuales
poseen relaciones preestablecidas, siendo las mas comunes de 4:1 , 9:1 , 16:1 , los cuales
adaptaran la impedancia de 50 [Ω] a los bajos niveles de impedancia que presentan
los transistores, tanto a la entrada como a la salida. Además se agrega una red de
adaptación y compensación que produce la adaptación al dispositivo, para la obtención
de la ganancia con respuesta lo más plana posible dentro de la banda establecida.
Para realizar la alimentación de tensión de polarización a los drenadores, se usa la
técnica descripta en la Fig. 1.15, en la cual los choques se realizan usando un núcleo
común.
Figura 1.15: Circuito de salida con compensación y alimentación en continua
Con esta técnica se puede reducir el contenido de armónicas pares, puesto que la
impedancia entre los dos drenadores, para las armónicas pares, dependerá del factor de
acoplamiento k entre ambos devanados.
1.6.1 Circuito de entrada
El circuito con los valores optimizados, y con las correcciones como se hizo con el
transformador de salida, se observa en la Fig. 1.16.
Figura 1.16: Circuito de adaptación y compensación de entrada definitivo para el BLF 177 en
configuración clase AB
1.7 amplificadores de banda ancha ab para fm 15
Aquı́ el transformador fue corregido con un capacitor en paralelo para la compensación

a alta frecuencia y un capacitor en serie para baja frecuencia. Con esta compensación se
midió una relación de retorno para el transformador simulando las cargas.
Con todo esto calculado e implementado se construyó el amplificador completo con
el circuito indicado en la Fig. 1.17, en el cual hubo que realizar modificaciones que
indicamos seguidamente.
Figura 1.17: Amplificador Lineal clase AB de 300 [W] en la banda de 1,6 a 28 [MHz]
1.7 amplificadores de banda ancha ab para fm
Como es sabido, el rango de frecuencia para Broadcasting de FM cubre la banda de

87,5 a 108 [MHz], y los amplificadores para transmisores tı́picos proveen una potencia
de salida de 300 [W], pero con esta potencia los rendimientos deben ser mejores del 50 %,
ya que tienen una explotación comercial, por lo tanto el aspecto económico es de cierta
importancia. Esto hace que sea necesario encarar la construcción de un amplificador
clase AB, como para satisfacer este último requerimiento.
Como queremos configurar una salida push pull, tendremos que los transistores
deberán ver una salida balanceada, y por otro lado la salida del amplificador debe
ser desbalanceada de 50 [Ω]. Por lo tanto recurrimos a un transformador de lı́nea de
transmisión de relación 1:4 y un balun para pasar a carga desbalanceada. Por lo tanto, del
lado de los transistores, vemos una impedancia de 12,5 [Ω] balanceada, la cual debemos
adaptar a la impedancia de carga óptima dada por el fabricante, por medio de una red
adaptadora LC. En la Fig. 1.18 vemos el esquema del circuito a adoptar.
Figura 1.18: Esquema del amplificador clase B para FM

En el esquema de la de la Fig. 1.18 comprende desde la salida a la entrada los siguientes

elementos, que excluyen los de polarización:
• L13 y L14 que conforman el balun de adaptación de carga desbalanceada a balancea-

da. L14 está conformada por un coaxial de 50 [Ω], que se encuentra soldado a una
cinta de circuito impreso de 2,8 [mm] del mismo largo del coaxial, cuya longitud
no debe superar λ/4 de la media frecuencia a usar. L13 es una cinta de circuito que
debe ser igual en longitud y ancho que la de montaje del coaxial, es decir 2,8 [mm]
de ancho y el largo del coaxial, esto es para restablecer la simetrı́a con el punto A
del circuito y tierra
• L11 y L12 que se conforman con dos coaxiales con impedancia caracterı́stica de
25 [Ω], provee un transformador semejante a la del tipo tubo de bronce, con relación
de transformación 1:4 para reducir los 50 [Ω] a 12,5 [Ω] en forma balanceada, y
permite introducir la alimentación a los colectores.
• Los capacitores C9 y C10 son capacitores de paso para aislar la continua hacia la
salida y compensar las capacidades paralelo a tierra que aparecen en los puntos A
y B del circuito.
• La red L9 L10 conformadas con cinta de circuito impreso de impedancia carac-
terı́stica de 30 [Ω], y C8 que es del tipo convencional, proveen la adaptación entre
los 12,5 [Ω] y la impedancia óptima de salida del transistor. C8 normalmente es
un valor relativamente grande debido a que tiene que absorber la inductancia
presentada por el transformador y como debe soportar un VA alto deben ser de
buena calidad y normalmente se deben usar dos o mas capacitores en paralelo.
• En la entrada de base de los transistores las inductancias L5 a L8 y las capacidades
C3 a C7 , conforman una red de adaptación y compensación de dos secciones para
adaptar la baja impedancia de entrada a los 12,5 [Ω] de salida del transformador
de entrada.
• L3 y L4 son dos coaxiales de 25 [Ω] asociados a un núcleo de ferrite cada uno, que
conforman el transformador del tipo de tubo, para reducir los 50 [Ω] de entrada a
12,5 [Ω] balanceados.
• Las inductores L1 y L2 conforman un transformador de desbalanceado a balanceado
y la técnica a implementar es la misma que para el balun de salida.
• C1 y C2 proveen de aislamiento de continua y compensación de las inductancias
producidas por los circuitos de cinta.
La polarización es un tema a observar con cuidado para evitar oscilaciones o realimen-

tación con otras etapas. En el esquema el punto indicado como VB puede conectarse a
tierra directamente si operamos en clase B al amplificador, pero es conveniente colocar
un choque de RF en paralelo con una resistencia de bajo valor, como ser 12 [Ω], debido
a las pequeñas asimetrı́as de los transistores y del circuito, y también sirve para evitar
posibles oscilaciones del circuito cuando ambos transistores están en la zona muerta y
que en ese caso están trabajando en paralelo. Las resistencias R1 y R2 se colocan a los
efectos de mejorar la estabilidad para cuando se produce alguna desadaptación. Para el
caso de VC se debe emplear la técnica de desacople por medio de filtrado en cascada,
como se aprecia en la Fig. 1.19.
Los choques CH1 y CH2 , por lo general, se realizan por medio del uso de un toroide
o un cilindro de ferrite , eligiendo el material adecuado para la frecuencia de trabajo y
el manejo de corriente. Los capacitores C1 y C2 son una combinación de capacitores de
tantalio por un lado, y de mica plata o cerámico multicapa por otro, para asegurar el
1.8 amplificadores de banda ancha, banda de tv cable iv y v en clase ab 17
Figura 1.19: Filtro de alimentación de colectores
filtrado a alta frecuencia. La resistencia R es una resistencia amortiguadora para evitar

oscilaciones.
Figura 1.20: Esquema del amplificador clase B para FM con las consideraciones de polarización
1.8 amplificadores de banda ancha, banda de tv cable iv y v en clase

ab
Un caso interesante a analizar, es el diseño de amplificadores de banda ancha en UHF

para frecuencias de TV cable, dentro de las bandas IV y V que cubre las frecuencias de
470 a 860 [MHz]. Este amplificador tiene un requerimiento de baja intermodulación y
respuesta lo mas plana posible.
Como el rango de frecuencia a cubrir por el ancho de banda estipulado es muy
amplio, y la diferencia entre las impedancias de entrada y salida del amplificador con
las del transistor también son amplias, se deberá utilizar la técnica de uso de elementos
distribuidos empleando microcintas, y principalmente la de microcintas escalonadas
para transformar las impedancias y lograr una adaptación adecuada, con compensación
de las variaciones de la impedancia del transistor.
Si utilizamos la técnica de cintas escalonadas, podemos aumentar el ancho de banda,
ya que en el punto de unión de las cintas de distinto ancho w, creamos una resistencia
ficticia al igual que sucedı́a cuando asociamos dos redes L. Por lo tanto si agregamos
más cintas escalonadas podremos aumentar notablemente el ancho de banda. A partir
de esta idea es que haremos el planteo del diseño de adaptación de impedancias tanto
a la entrada como a la salida. En la Fig. 1.21 vemos el esquema a lograr del circuito
amplificador, que incluye el circuito de polarización.
A partir de lo que se puede apreciar de la Fig. 1.21, haremos un análisis de los pasos
seguido en el presente diseño, comenzando desde la salida a la entrada como ya hemos
hecho anteriormente.
El primer paso es reducir los 50 [Ω] de salida desbalanceados a 25 [Ω] balanceados
colector a colector, o sea 12,5 [Ω] para cada colector, para lo cual recurrimos a una lı́nea
de λ/4 para fabricar un balun con un coaxial semi rı́gido de 25 [Ω], designado como B2
Figura 1.21: Circuito de amplificador Clase AB para banda 470 a 860 [MHz]
en el circuito, que para este caso tiene una longitud eléctrica de 45º a 636 [MHz]. Este se
encuentra soldado a lo largo de toda su longitud sobre una lı́nea de cinta de 1,8 [mm]
de ancho, designada como L19 en el circuito, lo cual produce un desbalance que debe ser
restaurado mediante una terminación L20 , con la misma longitud que L19 .
El circuito de adaptación de la salida se realiza con tres secciones en cascada, lo que
permite un Q bajo para obtener el ancho de banda deseado. Aquı́ se usan tres cintas
con diferente ancho para ir bajando la impedancia paulatinamente y con esto lograr
un Q adecuado. Estas secciones trabajan como semi pasa bajo y una terminación sobre
los colectores para actuar como compensación. Para calcular estas redes se usan los
lineamientos ya expresados en la primer parte de este capı́tulo, con la única consideración
que al momento de implementar el circuito definitivo, se debe tener en cuenta que para
la potencia a manejar, los capacitores deben ser de muy alto Q para evitar pérdidas por
un lado, y por el otro se debe tener en cuenta la disipación para evitar calentamiento
que puede llegar a desoldar los componentes. Esto último se evita colocando más de un
capacitor en paralelo.
El circuito de entrada tiene un tratamiento semejante al de la salida, con la diferencia
que aquı́ debemos reducir la impedancia de entrada al circuito de 50 [Ω], para adaptarla
a la entrada del transistor, tratando de lograr una respuesta en ganancia lo más pareja
posible, dentro del ancho de banda pre establecido. Primero se realiza una transformación
de desbalanceado a balanceado mediante una lı́nea de λ/4, que se realiza en forma
idéntica a la de salida, con su terminación L1 para restaurar el desbalance producido por
L2 sobre la cual se soldó el coaxial semi rı́gido de 25 [Ω]. El resto de la adaptación se
logra mediante tres secciones de filtros pasa bajo, con el capacitor C7 lo mas cerca de
la base de los transistores para mantener el Q lo mas bajo posible. El capacitor C1 para
aislar la continua del circuito de polarización de entrada. Los capacitores C5 y C6 son
variables para ajustar la ganancia dentro de la banda y la adaptación a la frecuencia más
alta de la banda.
El circuito de polarización está formado por dos transistores NPN, utilizando al
transistor TR2 en modo inverso, a los efectos de obtener la tensión del diodo colector
base mas baja posible, y de esta manera seguir el voltaje de base a emisor del BLV862. El
detalle del circuito es el que se observa en la Fig. 1.22.
En este circuito la resistencia R7 se coloca para compensar las diferencias entre TR2 y
TR3 . Como estos transistores se encuentran montados sobre un mismo disipador con
los BLV862 tendremos un ajuste automático de las variaciones de la tensión VBE con la
1.8 amplificadores de banda ancha, banda de tv cable iv y v en clase ab 19
Figura 1.22: Circuito de polarización de bases
temperatura. La capacidad C18 es a los efectos de eliminar cualquier señal de RF sobre el

circuito de polarización. R8 está al solo efecto de limitar la corriente de TR3 en caso de un
corto en las bases de los BLV862. En la Fig. 1.21, también se pueden apreciar capacitores
de paso, tanto a la entrada como a la salida del circuito de polarización, esto se debe a
que es estrictamente necesario asegurar su funcionamiento en continua únicamente. El
potenciómetro P1 permite el ajuste de la corriente de reposo de los transistores BLV862,ya
que ajusta el nivel de polarización.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA SINTONIZADOS
2
2.1. Amplificadores clase C 21
2.1.1. Amplificador clase C como fuente de corriente 21
2.1.2. Amplificadores de clase de modo saturado 25
2.1.3. Amplificador clase C con transistores bipolares o modo mixto 26
2.1.3.1. Análisis del modo mixto 27
2.2. Osciladores de potencia clase C 29
2.2.1. Amplificador clase C modo mixto (bipolar) con red de realimenta-
ción tipo T 29
2.2.2. Amplificador clase C con modulación de amplitud 29
2.2.3. Amplificador clase C como multiplicador de frecuencia 30
Las aplicaciones que no requieren amplificación lineal en RF aprovechan la sencillez

y mayor eficiencia que ofrece un amplificador de potencia en clase C. Por ejemplo, las
señales CW, FM y AM. Donde las primeras dos tienen dos máximas amplitudes posibles.
Esta clase de amplificadores requieren un filtro de salida de sintonizado, para reducir
los armónicos de salida. En algunos casos, no es necesario un filtro de banda estrecha,
sino más bien una red de acoplamiento de banda estrecha.
2.1 amplificadores clase c
• Rendimiento teórico del 78,5 %, inferiores al máximo del clase B.

• Si se requiere utilizar grandes potencias, se desea obtener un rendimiento mayor,
ya que esto sucede por reducir el tiempo que el transistor trabaja en zona activa.
• Angulo de conducción menor a 180°, lo que genera que el dispositivo activo se
corte, generando armónicas de orden mayores a la fundamental, esto se soluciona
con filtros de sintonı́a de alto Q.
• Amp con carga resonante o clase C, se desarrolló para válvulas de vacı́o, para que
el elemento activo sea utilizado como fuente de corriente pura. Como los BJT no se
puede aplicar el mismo principio, se los denomina clase C mixto, ya que se debe
modificar la estructura del circuito.
2.1.1 Amplificador clase C como fuente de corriente
Esta topologı́a corresponde con la del amplificador de clase A anteriormente visto. En

este caso, el elemento activo se energiza y es por esto que se puede utilizar como fuente
de corriente. Pero presenta la desventaja que la forma de onda de la corriente en la carga
no es la sinusoidal deseada.
21
22 amplificadores de potencia sintonizados
Figura 2.1: Configuración para fuente de corriente de un aplificador clase C
La señal de entrada VS estará montada sobre una tensión negativa Vgg , para que la
amplitud se mantenga por debajo de la tensión umbral VT del transistor Q1 , con esto se
logra que el angulo de conducción en zona activa sea menor de 180°.
Se utiliza un inductor de choque CH1 con un valor inductivo tal que en conjunto con
R L se produzca una constante de tiempo mucho mayor a la inversa de la frecuencia de
trabajo del amplificador. Este último punto es fundamental para el funcionamiento del
choque como fuente de corriente durante el ciclo de Q1 cortado.
• C1 debe tener una reactancia despreciable con respecto a R L en la frecuencia de

trabajo.
• Tanque L1 − C2 se calcula para resonancia en frecuencia de trabajo.
• La dimensión de los componentes deben ser adecuados para corrientes Q veces la
de la carga.
• C1 debe manejar corriente igual a IDC .
Figura 2.2: Forma de onda de las señales
Como se aprecia en la Fig. 2.2, el transistor conduce cuando Vg1 > VT , lo hará con un
ángulo θC .
La corriente de drenador para VGS ≥ VT será
i D = IDQ − IDD sin θ (2.1)

2.1 amplificadores clase c 23
Mientras que para caso contrario, será nula.

La corriente de polarización está en función del ángulo de excitación γ
IDQ = − IDD cos γ (2.2)
Figura 2.3: Forma de onda de las señales en función del ángulo θ
• Durante el periodo completo θ = 2π, la tensión de salida será una senoidal pura.
Esto se debe al efecto de filtro del tanque L1 − C2 en combinación con la energı́a
del circuito.
• Durante el periodo de conducción, el transistor estará drenando corriente, la cual
estará entregando energı́a al inductor de choque CH1 , cerrando el circuito para el
semiciclo negativo de la carga.
La potencia de salida sobre la carga debido a la fundamental de la corriente es
Vp2 2 R
IDD 2
2
Po = = 2 γ − sin γ (2.3)
2R 8π 2
Se observa como la potencia disminuye a medida que se reduce el ángulo de conduc-

ción. Puede ser nula para un ángulo de conducción cero.
Como la corriente depende del ángulo de conducción, la potencia tiene una relación
no lineal con esta misma.
Para obtener máximo rendimiento, se debe tener que
Vp2 = VDD (2.4)
2
P0 2 γ − sin2 γ
n= = (2.5)
PDC 4 (sin γ − γ cos γ)
La potencia que se puede extraer del amplificador práctica, es siempre más baja que la
calculada idealmente, ya que el transistor no puede excursiones el total de la tensión
de alimentación, ya que en la zona de baja tensión VDS deja de trabajar como fuente de
(a) Potencia máxima (b) Rendimiento
Figura 2.4: Curvas de rendimiento
corriente y se convierte en una resistencia, cuyo valor mı́nimo es Ron la cual viene dada
por el fabricante.
Por lo tanto, el rendimiento y potencia de salida dejan de ser los calculados, siendo
afectados por el valor efectivo de excursión Vefect en el drenador.
• Si la carga es reactiva, el circuito perderá eficiencia y potencia de salida, ya que se

ve afectado como los amplificadores clase B.
El circuito tanque de salida tiene las siguientes funciones:
• Debe transferir a la carga el máximo posible de potencia alterna de salida, lo que

quiere decir que debe entregar el minimo de disipación de potencia que se entrega
al amplificador.
• Filtrar las armónicas que son producidas por la forma de los pulsos de la corriente
en el drenador. Es por esto que el Q del circuito tanque debe ser lo suficientemente
alto.
• Debe producir la carga adecuada para el drenador. El Q a considerar es el Q
cargado, que incluye la carga.
Rendimiento de circuito tanque
QC
ηT = 1 − (2.6)
QD
• Mayor rendimiento significa que debe ser lo mas alto posible
• QC bajo reduce la energı́a reactiva, por lo que permite que los elementos reactivos
sean de menor tamaño.
• QC alto posee mayor capacidad de filtrado de las armónicas que pueden pasar a la
carga.
Se debe elegir una tensión máxima para el drenador del transistor, mediante la cual el
transistor no llega a saturación. Por lo que será
VDMAX = 2 VDD (2.7)
Por lo que la tensión seleccionada, debe tener un 20 % más por razones de seguridad.
Por otra parte, se requiere que la señal de excitación sea constante, para que no haya
fluctuaciones en el ángulo de conducción y del pico de la señal de salida (potencia de
salida). Esto se evita llevando el transistor a la saturación, durante un breve periodo del
ángulo de conducción.
2.1.2 Amplificadores de clase de modo saturado
Mantiene una salida de tensión que solo depende de la alimentación del drenador, lo
cual lo hace insensible a las variaciones a la tensión de excitación.
• La potencia de salida depende del valor de tensión efectiva.

• Debido a esto se puede modular fácilmente la señal de salida, con el método de
modulación por tensión de alimentación.
• Permite un pequeño aumento de potencia y rendimiento de amplificador.
• Se debe controlar el ángulo de conducción para que sea inmune a las variaciones
en la tensión de excitación.
• La señal de salida se mantendrá senoidal y con una amplitud que depende del
circuito tanque de salida.
• Mientras está saturado, el FET se comportara como una resistencia Ron .
Figura 2.5: Regiones del amplificador saturado
Hay tres regiones claramente definidas:
• Corte: cuando i D = 0 .
• Activa: zona gobernada por el ángulo de conducción γ.
• Saturación: esta zona depende del ángulo de excitación en saturación γs .
VDD + Vp sin θ
iD = (2.8)
Ron
En saturación:
• La tensión pico de salida está en excursión negativa, por lo que requiere mayor
corriente del inductor de choque CH1 .
• Al estar inhibido el transistor de drenar más corriente, ya que está saturado, la
corriente i D se verá disminuida, tomando la forma de la imagen.
• Si el Q del circuito tanque es relativamente bajo, este apartamiento de la senoide
será más acentuado.
• El rendimiento llega a ser máximo en este punto, ya que la tensión de salida deja
de crecer, mientras que la de excitación sı́. Esto no mejora el rendimiento pero si
da el beneficio de controlar la potencia de salida mediante variaciones de tensión
de alimentación.
Figura 2.6: Tensión pico de salida y rendimiento de amplificador clase C en función de corriente
de drenador
La señal pico crece lentamente a partir de la saturación, esto se debe a la variación de

Ron en función de la corriente de drenador.
El rendimiento empieza a caer a partir de un máximo que se produce cuando comienza
la saturación.
2.1.3 Amplificador clase C con transistores bipolares o modo mixto
• Es imposible fijar un valor estable de frecuencia con filtro LC paralelo, ya que

tienen capacidad de colector base variable con la amplitud de señal.
• Un angulo constante es difı́cil de mantener para la polarización.
• Resistencia de saturación muy baja, genera que la función de filtrado del circuito
tanque desaparezca, lo que genera contenido armónico a la salida.
• La capacidad variable en paralelo con la inductancia produce armónicas junto a la
señal de excitación senoidal pura.
Diferencias más notables respecto del clase C verdadero:
• Filtro serie, en lugar del tanque paralelo, el cual mediante un Q adecuado, sola-
mente pasa la fundamental de la señal que circula por el colector.
• Se asemeja más a un clase D, algunos lo denominan clase C/D.
• El capacitor Cs filtra a tierra a todas las demás armónicas de la señal de colector.
Para esto, debe tener una reactancia mucho menor que la carga.
Figura 2.7: Amplificador C en modo mixto, en el lugar marcado va un diodo
• El inductor de choque RFC1 debe poseer las mismas caracterı́sticas del clase C
verdadero, es decir, una constante de tiempo 10 veces menor que el periodo de
menor frecuencia a usar, para que funcione como fuente de corriente.
2.1.3.1 Análisis del modo mixto
Durante el corte, la corriente iC (θ ) será nula, por lo que el choque suminstra la energı́a
a la carga para la fundamental iO (θ ). El capacitor CS deriva las armónicas de la corriente
a tierra iC4 (θ ).
Figura 2.8
Cuando el transistor conduce, la corriente iC (θ ) repone energı́a que se perdió en el

choque. Además, deriva la energı́a de las armónicas que se acumularon en el capacitor, y
entrega la energı́a del ciclo negativo a la carga.
Para el circuito de entrada, se tiene que las variaciones de la tensión umbral del
transistor debido a temperatura y la variación del umbral con el nivel de la señal de
excitación, afectara el ángulo de conducción.
Figura 2.9
Para que cumpla con el requisito de mantener el ángulo de conducción, se tiene un

filtro resonante serie en la entrada compuesto por Cb y L1 . Son utilizados para aislar la
fuente de excitación de las armónicas que produce el circuito de entrada.
El circuito conformado por C1 , el choque RFC2 y la juntura base-emisor del transistor,
forman un rectificador con un filtro, el cual integra la siguiente forma de onda, el cual
generara un nivel de continua negativo para polarizar adecuadamente y lograr el ángulo
de conducción predeterminado.
Figura 2.10
Resumiendo, el circuito de entrada al transistor, se comportara como un rectificador

tipo de media onda, ya que será utilizado con polarización negativa.
• El choque RFC2 debe comportarse como circuito abierto a la menor frecuencia de

trabajo.
• El valor de resistencia continúa de RFC2 en conjunto con C1 , conforman una
constante de tiempo que será el valor medio de tensión de polarización.
• El diodo en serie con RFC2 está para corregir las variaciones de temperatura en la
juntura.
Este auto polarización compensa las variaciones del ángulo de conducción, ya que
un incremento de la señal de entrada producirá un aumento del ángulo, pero además,
producirá un aumento del pico negativo de la forma de onda mostrada. Esto genera que el
nivel promedio del rectificador aumenta negativamente, compensando el desplazamiento
del ángulo de conducción.
La red adaptadora de salida debe existir, ya que la impedancia de salida del transistor
bipolar de potencia es muy baja, por lo que se usa una red o transformador para llevarlo
a valores estándar, para que se use en acoplamiento con otra etapa de potencia o para
alimentar una antena
2.2 osciladores de potencia clase c 29
Figura 2.11: Oscilador de potencia clase C
2.2 osciladores de potencia clase c
2.2.1 Amplificador clase C modo mixto (bipolar) con red de realimentación tipo T
Se requieren osciladores de potencia para emitir una señal especı́fica, como por ejemplo
transmisores de telemetrı́a o para rastreo de fauna de bajo consumo, u otro ejemplo
como hornos de RF con potencia estable en usos industriales.
• Son realimentados.
• Se diseña tratando de compatibilizar la potencia con la eficiencia.
• Usan ángulos de excitación del orden de 70° a 80°, lo que permite rendimientos
del orden de 85 %.
• La red de alimentación se debe elaborar en función de los requerimientos de
espurias y armónicas que son permisibles.
• En el ejemplo de la figura, se utiliza una red de realimentación tipo T, para
transformar las bajas impedancias de entrada y salida en una resistencia virtual
de alto valor, que permite obtener un Q lo suficientemente alto para mantener la
frecuencia estable.
• Si C f 1 y C f 3 son lo suficientemente chicas, se obtiene un desplazamiento de 180°
requerido.
• Son ajustables para poder modificar el modulo que dará la ganancia adecuada, y
compensa el desplazamiento de fase del amplificador.
• Para frecuencias de más de 50 MHz se debe reemplazar los componentes discretos
por elementos distribuidos.
2.2.2 Amplificador clase C con modulación de amplitud
En las aplicaciones donde los amplificadores clase C se usan para transmisión de

señales moduladas en AM, es necesario usar modulación discreta, la cual es mediante
de variación de tensión en la fuente del amplificador.
• El capacitor C en conjunto con la reactancia del devanado secundario de transfor-

mador de modulación, conforman un filtro pasa bajo para permitir el paso de la
señal moduladora.
Figura 2.12: Amplificador con modulación de amplitud
• Esta modulación será de caracterı́sticas más o menos lineales, las cuales dependen
de la capacidad de saturación del amplificador clase C.
• Posee una no linealidad inherente a la capacidad del colector del transistor.
• Cuando se llega a ı́ndices de modulación cercanos al 100 %, la tensión remanente
de alimentación instantánea al colector, puede ser prácticamente nula, lo que
generara que una señal directa de salida, se debe a la reactancia de la capacidad de
colector-base.
• Esta trasmisión llega con una fase de hasta 90°, ya que la resistencia es muy
pequeña comparada con la reactancia de CCB .
• En consecuencia se genera una modulación de frecuencia, lo que genera una serie
de bandas laterales adicionales a las de la modulación por amplitud, que pueden
generar alteraciones en los canales adyacentes de la banda AM.
• Para evitar esta problemática, se debe restringir el ı́ndice de modulación, para
evitar crear distorsiones.
2.2.3 Amplificador clase C como multiplicador de frecuencia
Figura 2.13: Multiplicador de frecuencia
Son de uso común en amplificadores de alta y media potencia.

Como los clase C están diseñados para una fundamental, la potencia de salida de los
multiplicadores tendrán menos capacidad de potencia.
También se observa una variación relativa de la carga que representa. Son utilizados
de etapas intermedias.
Los circuitos de adaptación de salida deben ajustarse a la frecuencia de multiplicación
deseada, y el ángulo de conducción según el factor de multiplicación para magnificar la
potencia de salida.
A M P L I F I C A D O R E S D E A LTA E F I C I E N C I A
3
3.1. Introduccion 31
3.2. Amplificador de clase D 32
3.2.1. Amplificador clase D conmutado por tension 32
3.2.2. Amplificador clase D conmutado por corriente 35
3.3. Amplificadores de alta eficiencia clase E 37
3.3.1. Amplificador de potencia de clase E diferencial 37
3.3.2. Amplificador de potencia de clase E de simetrı́a complementa-
ria 38
3.3.3. Exitación y polarización de un amplificador clase E 38
3.4. Amplificador de alta eficiencia clase F 40
3.5. Amplificador de alta eficiencia de clase G 40
3.1 introduccion
Cuando se habla de disenos que poseen una alta eficiencia, estamos hablando de
dispositivos cuya relacion de potencia entregada a potencia de alimentación es cercana a
la unidad. Para lograr esto, se debe tratar de que el dispositivo activo esta el mı́nimo
tiempo en la zona activa, es decir, debemos manejar corriente con el mı́nimo de tensión
en sus bornes, o bien desarrollar la máxima tensión sin corriente circulando en el
mismo. Esta condicion es unicamente factible cuando manejamos un elemento activo
con una onda cuadrada ideal, es decir, con pendientes infinitas. En este caso ideal,
podrı́amos obtener un rendimiento teorico del orden del 100 %, ya que el tiempo en
el que tendrı́amos tensiones y corrientes en forma simultánea serı́a nulo. No obstante,
en la concrecion de amplificadores reales, las pendientes de conmutacion no serian de
pendientes infinitas, y la caı́da de tension en el dispositivo activo cuando maneja su
maxima corriente, es decir, en saturacion, la tension a sus bornes posee un valor no nulo.
Esto ultimo hace imposible que los niveles teoricos del 100 % de rendimientos puedan
alcanzarse. Sin embargo, se podrin obtener rendimientos mucho mas altos que los que
se alcanzan con las configuraciones de los amplificadores clase A, clase AB y Clase C.
Dependiendo de como se maneja, tanto la forma de conmutacion como la imple-
mentacion del filtrado del contenido armonico que indefectiblemente se produce en la
conmutacion del dispositivo activo, es la denominacion que adquieren cada uno de los
circuitos amplificadores, que en algunos casos es bastante confuso entre los distintos
autores. Estas clases se denominan, como clase D, E, F, G, H y S. Las clases D y S son las
que mas se confunden y su denominacion dependera del destino final del amplificador.
El rendimiento de los amplificadores de potencia dependera de la eleccio del dispositivo
activo y de la magnitud de la potencia a desarrollar, como veremos mas adelante.
31
32 amplificadores de alta eficiencia
El auge de estos amplificadores esta definido por los requerimientos de aumentar el

ciclo de trabajo de los equipos electronicos portables, con independencia de la magnitud
real de potencia a manejar, como es el caso de los telefonos celulares, tanto para la parte
audible como para la de RF.
Por otra parte, el hecho de obtener un rendimiento mas alto trae aparejado una menor
produccion de calor debido a la disipacion de los elementos activos, que por lo general
es un problema a tener en cuenta en la mayor parte de los equipos.
Desde el punto de vista del diseño, estos amplificadores de potencia en RF, por lo
general, siguen los mismos lineamientos que ya hemos visto; lo mismo ocurre en cuanto
al calculo de los elementos pasivos para el filtrado. La diferencia fundamental pasa por
la seleccian del elemento activo, el cual debe poseer una alta capacidad de conmutacion
y poseer bajos niveles de tension de saturacion, o baja resistencia de encendido Ron . Por
lo tanto, se aplican tecnicas de conmutacion digital en el diseño de estos amplificadores.
3.2 amplificador de clase d
En la mayor parte de los casos, la topologia del amplificador clase D esta configurada
por dos elementos activos y un filtro de salida pasa bajo o sintonizado con un factor
de calidad (Q) relativamente alto, para su uso en RF, ya que debemos eliminar todo el
contenido armonico que se produce en la conmutacion. Nuevamente, como en el caso
de la descripcion del funcionamiento del amplificador clase C, es conveniente entender
como opera un amplificador clase D en funcion de un intercambio de energia. En el caso
de los dos elementos activos, estos trabajaran en oposicion de fase, donde uno de ellos
conecta el sistema de carga y el filtro hacia la fuente para proveer de energı́a al filtro y
a la carga, generando el semiciclo positivo, mientras que el otro provee el camino de
retorno a tierra para cerrar el circuito del filtro que entrega energia a la carga, generando
el semiciclo negativo. La conmutacion en estos tipos de amplificadores puede ser de
tension o de corriente, dependiendo de como se configure la topologia de los mismos.
Como el diseño que se pretende es para operar en radio frecuencia y no en audio
frecuencia, la variante fundamental consiste en que se debe trabajar con transformadores
de linea de transmision, a los efectos de mantener la eficiencia que se pretende. Por otra
parte, el filtro debe eliminar las armonicas en gran medida, no como en el caso del audio
en el que el parlante es parte del filtrado.
3.2.1 Amplificador clase D conmutado por tension
En este circuito podemos determinar que funcion cumple cada componente, por lo
tanto, empezamos por T1 que, por lo general, es un transformador de los denominados
”tubo de bronce”, que produce la adaptacion de nivel necesaria para excitar a los
transistores Q1 y Q2 . Las resistencias R1 y R2 se colocan como amortiguadoras para
reducir el rebote, pero este tema sera discutido mas adelante. Los transformadores T2 ,
T3 y T4 , que son del tipo Guanela, conforman un transformador ideal con un primario
con punto medio y un secundario con salida desbalanceada. La configuracion de T2 y T3
provee una transformacion de impedancia de 1:4, manteniendo flotantes los drenadores.
El transformador T4 se comporta como un balun transformando la salida de T2 y T3 de
balanceada a desbalanceada. El capacitor C1 es una capacidad de filtro de la fuente de
alimentacion de drenadores, y C2 y C3 son capacitores de paso para aislar la continua.
Por ultimo, esta el filtro de salida sintonizado L0 y C0 , que elimina las armonicas
3.2 amplificador de clase d 33
Figura 3.1: Amplificador clase D con conmutacion por tension
generadas, bloqueandolas e imposibilitando su arribo a la carga. Desde el punto de vista

del funcionamiento electrico, a los transistores se los polariza justo por debajo del umbral
de conduccion, y como se los alimenta con señales en oposicion de fase, estos estaran
conduciendo y cortandose alternativamente. Cuando Q1 conduce, Q2 estara cortado, por
lo tanto, la tension sobre Q1 sera idealmente nula, mientras que en el drenador de Q2 se
desarrolla la tension de 2 : VDD , tal como se indica en la Fig. 3.2.
Figura 3.2: Distribucion de tensiones desarrolladas con Q1 cerrado y Q2 abierto
Como se puede inducir, cuando el transistor Q1 se encuentra abierto y Q2 cerrado,

la tension a los bornes del transformador T4 sera tambien de magnitud 2 VDD pero
invertido en polaridad. Por lo tanto, sobre la carga se entregara una onda cuadrada de
una amplitud con niveles de pico +2 VDD y −2 VDD , es decir, una tension pico a pico de
4 VDD . Esta tension a la salida es la aplicada al filtro que dejara pasar la fundamental
solamente, que de acuerdo con la descomposicion de Fourier, tendra una amplitud de
4 m
Vo = VDD (3.1)
π n
donde para el caso presente la relacion m/n es de 2 debido a la configuracion usada.

La corriente senoidal sobre la carga R0 producira una potencia de
2
8 VDD
Po = (3.2)
4 π 2 R0
Debido a que el filtro teoricamente presentara una impedancia infinita para las armo-
nicas, la corriente en el transformador T4 sera senoidal, por lo tanto, esto implica que
las corrientes en los drenadores de Q1 y Q2 seran semiciclos senoidales, para cada ciclo
de trabajo de los mismos. Es indudable que si las corrientes armonicas no alcanzan la
carga y, por ende, son nulas como componente de la corriente de los drenadores, no se
producira disipacion de energia, por lo tanto se puede concluir que el rendimiento es
del 100 %, en forma ideal, ya que no contemplamos la caida de la tension de saturacion.
No obstante, es conveniente esquematizar un circuito ideal para poder estudiar correc-
tamente el funcionamiento del circuito, como se presenta en la Fig. 3.3, en la cual se ha
incluido el efecto de las resistencias RON .
Figura 3.3: Circuito equivalente del circuito amplificador clase D
La capacidad C representa la capacidad del drenador del transistor, que sera una
capacidad variable con la amplitud de la señjal sobre el mismo. L representa la induc-
tancia que presenta el balun constituido por un transformador de linea de transmision
y dependera de la longitud de dicha linea. La resistencia RON es la resistencia real
que presentara para una determinada corriente el transistor que estara conduciendo en
saturacion.
Desde el punto de vista de la operacion dinamica, a partir del momento en que el
transistor Q1 va a la conduccion, se genera una onda de voltaje sobre la linea, que
corresponde a la descarga de la capacidad C del drenador desde una tension 2 : VDD a
cero, en el momento de la conmutacion, a traves de la resistencia Ron . El otro transistor
presentara un circuito abierto dado que aquel fue conmutado a apagado, por lo tanto la
capacidad de colector empezara a cargarse a traves de la linea, dado que esta generare
una tension opuesta en su devanado correspondiente. Como la linea es cortocircuitada
por la resistencia Ron , debemos estimar la impedancia de la linea de transmision, siendo
esta la inductancia que presenta una linea cortocircuitada, cuyo valor puede calcularse
a partir de la impedancia caracteristica de la linea usada y de la longitud de la misma.
Esta inductancia serie se asemeja a la inductancia de dispersion de los devanados de un
transformador convencional. Esto conduce al modelo de la Fig. 3.3(b), la cual representa
un tipico circuito RLC de segundo orden, pero que posee una diferencia notable, y que
es la dependencia de la capacidad C de la tension.
Considerando este modelo, podemos esperar un pequeño sobrepico si la inductancia
es pequeña y el tiempo de crecimiento no es demasiado abrupto; caso contrario, para
valores de inductancia grandes y para tiempos de crecimientos reducidos, es decir,
pendientes abruptas, el sobrepico puede ser considerable, y el repique transitorio puede
3.2 amplificador de clase d 35
ser largo. Por lo tanto, se debe poner cuidado en la seleccion del transformador de linea
de transmision a los efectos de que la inductancia presentada sea lo mas baja posible.
Por lo tanto, es recomendable el uso de ondas de excitacion cuya pendiente no sea
abrupta. Esto es resuelto con el uso de señales senoidales con la amplitud suficiente para
la conduccion plena del dispositivo.
Para poder usar este tipo de configuracion a frecuencias de VHF o UHF, se debe
descartar el uso de nucleos de ferrita; por lo tanto, las tecnicas de transformacion
de impedancia usando lineas de cinta es la que se requerira para suplantar a los
transformadores hibridos, tal como se vio en el capitulo de amplificadores lineales.
3.2.2 Amplificador clase D conmutado por corriente
Un amplificador conmutado por corriente es semejante al de conmutacion de tension,

con la diferencia de que ahora la onda de corriente es cuadrada, por lo tanto, en
el secundario tendremos una onda de corriente cuadrada. Esto ultimo implica que
tendremos armonicas de corriente que se deben eliminar antes de llegar a la carga, y es
por esto que el filtro se conecta en paralelo con la carga y en resonancia paralelo a la
frecuencia de salida. De esta manera, se consigue un camino a tierra para el contenido
de armonicas de la corriente secundaria. Tener un filtro paralelo a la salida proyectara la
carga R0 sobre los transistores para la frecuencia fundamental, mientras que proyecta
una carga nula para las armonicas. Esto producira una onda senoidal de tension sobre
los transistores del amplificador, pero para que esto se produzca, se debe poseer un
choque de radiofrecuencia adecuado intercalado entre la fuente de alimentacion y el
punto medio del primario del Fig. 3.4 en condiciones semejantes a las del amplificador
clase C, es decir, debe presentar como minimo una impedancia 10 veces mayor que R0 , a
la frecuencia de trabajo.
Figura 3.4: Amplificador clase D con conmutacion por corriente
En los circuitos reales, se debe tener en cuenta que existe caida de tension a los bornes
de los transistores cuando esten saturados, lo que producira una merma en el rendimien-
to, al igual que las inductancias de dispersion en los transformadores, produciran una
perdida por energia reactiva e incrementaran las pendientes de conmutacion.
La ventaja de este tipo de amplificador se debe a que, al existir un filtro resonante
paralelo con la carga, la tension a los bornes de los transistores es practicamente nula
al momento de la conmutacion, evitando asi el gasto de energia que se debe utilizar
para cargar las capacidades de salida, denominandose esta operacion como conmutacion
con tension nula (ZVS, siglas en ingles). Ademas, las capacidades de salida, tanto de
los transistores como las parasitas del transformador, pueden absorberse dentro de la
capacidad de resonancia del filtro. Otro aspecto importante es hacer nula la corriente en
el momento de la conmutacion, ya que de esta manera se evitarian las perdidas en las
inductancias parasitas del circuito, incluido el transformador. Estas perdidas se pueden
apreciar en el modelo para distintas configuraciones en la Fig. 3.5.
Figura 3.5: Modelo de elementos de conmutacion
En el caso de la Fig. 3.5b, es indudable que se requiere un voltaje nulo en el momento

de la conmutacion para evitar las perdidas debido a la carga y descarga del capacitor.
No obstante, las perdidas en el modo de corriente son menores, incluso cuando no se
alcance la conmutacion con corriente nula. Por otra parte, los amplificadores clase D en
modo de corriente son los mas adecuados para su utilizacion en altas frecuencias.
Las estructuras circuitales de los amplificadores de frecuencias de alrededor del GHz
varian un poco de la estructura basica de la Fig. 3.4, evitandose un transformador con
punto medio. Esta estructura es la que podemos apreciar en la Fig. 3.6, donde se combina
el uso de lineas de transmision, hibridos de 180 grados y un balun.
Figura 3.6: Amplificador clase D de alta frecuencia
En este caso, se utilizan los hibridos de 180 grados para producir el efecto del transfor-
mador con punto medio, y se utiliza una configuracion balanceada, como se muestra en
la Fig. 3.6, que conmuta las corrientes provenientes de los choques CHD , manteniendo
el filtrado paralelo a traves del transistor que conduce. En este caso, considerando lo
ideal, no existiran perdidas de potencia en continua para la señal y para las armonicas,
pero como existe una resistencia Ron , ademas de las capacidades e inductancias parasitas,
no se podra alcanzar una eficiencia del 100 %. La ventaja de esta configuracion es que
la capacidad de salida del transistor es absorbida por el circuito tanque. Para que este
3.3 amplificadores de alta eficiencia clase e 37
circuito sea eficiente tambien se requiere que los tiempos de trepada y caida de los
transistores sean mucho mas pequeños que el semiperiodo de la frecuencia de trabajo.
3.3 amplificadores de alta eficiencia clase e
La alta eficiencia de un amplificador clase E se basa en que nunca el elemento activo

se encuentra con tensiones altas simultaneamente con corriente y viceversa, es decir,
nunca en corrientes altas se encuentra con tensiones altas, de tal manera que el producto
tension por corriente se mantiene extremadamente bajo. Por otra parte, se trata de ajustar
el circuito de manera que cuando se produce la conmutacion no se encuentre carga
alguna en las capacidades que se conmutan, logrando con esto eliminar las perdidas
debido a este fenomeno, tal como lo vimos en el caso anterior del amplificador clase D.
La topologia basica de un amplificador clase E es la que podemos apreciar en la Fig.
3.7.
Figura 3.7: Topologia circuital basica de un amplificador clase E
Donde L1 debe comportarse como una fuente de corriente, es decir, un choque. La

capacidad C1 debe ser capaz de absorber la capacidad de salida del transistor y las
capacidades parasitas, de manera que la capacidad total no sea afectada por el efecto de
varactor de la capacidad de salida del transistor. En muy altas frecuencias, la capacidad
de salida del transistor es suficiente para conformar la capacidad C1 de manera de
mantener un valor de L2 en una magnitud manejable. La resistencia R L es la resistencia
de carga, que si es de un valor muy bajo, se debe adaptar por medio de una red que a su
vez puede actuar como filtro armonico. C2 y L2 conforman el circuito resonante para la
frecuencia fundamental, rechazando las armonicas que se presentan en la conmutacion,
y la impedancia L2 debe absorber cualquier inductancia que presente la red adaptadora
o la carga.
3.3.1 Amplificador de potencia de clase E diferencial
Efectivamente, el uso de amplificadores diferenciales en la configuracion de clase E

permite disminuir el contenido armonico de armonicas impares, lo que contribuye a
mejorar la eficiencia y la calidad de la señal amplificada. La configuracion diferencial
tipica de un amplificador de potencia clase E se muestra en la Figura 3.8.
La principal ventaja de esta configuracion es que las corrientes se descargan a tierra
dos veces por ciclo, lo que ayuda a reducir el contenido armonico no deseado en la señal
de salida. Sin embargo, para operar en modo balanceado, se requiere un balun para
excitar las entradas del amplificador de manera adecuada.
Figura 3.8: Amplificador de potencia clase E diferencial
El uso de amplificadores diferenciales tambien contribuye a mejorar la inmunidad del

sistema a ruidos y perturbaciones externas, ya que cualquier señal comun presente en
ambas entradas (ruido comun) tiende a cancelarse debido a la naturaleza diferencial del
amplificador. Esta caracteristica es especialmente util en aplicaciones de comunicacion y
audio, donde la calidad de la señal es crucial.
3.3.2 Amplificador de potencia de clase E de simetrı́a complementaria
Las topologı́as de simetrı́a complementaria también son factibles para su uso en

amplificadores clase E, dado que los transistores trabajan como llaves a diferencia de
los amplificadores lineales, pero exigen que la relación de ancho a largo del canal sea
la mayor posible, por lo que la compuertas deben ser grandes, redundando en una
capacidad parásita mas grande. La capacidad requerida para un circuito resonante debe
ser constante y esto difiere mucho de las capacidades que presentarán en conducción y
corte los transistores, por lo que producirá una considerable distorsión armónica sobre
la salida. La solución a este problema pasa por utilizar una bobina de alto Q o bien con
el uso de un filtro pasa banda apropiado entre la salida del amplificador y la carga. En
la figura 3.9 se observa la topologı́a de estos tipos de amplificadores.
Este tipo de amplificador por su topologı́a posee inherentemente debido a su simetrı́a
una reducción en el contenido armónico, pero lo fundamental es lograr las condiciones
de contorno establecidas para estos tipos de amplificadores, es decir, tensión nula en la
capacidades Cd en el momento de la conmutación de encendido y que la pendiente de la
tensión sea nula en dicho instante.
3.3.3 Exitación y polarización de un amplificador clase E
El diseño de un pre amplificador para excitar un amplificador clase E posee una

singular importancia, ya que debe proveer una onda perfectamente cuadrada, o sea que
provea de tiempos de transición extremadamente cortos, lo que es dificultoso debido a las
capacidades parásitas que presentan los CMOS, por lo tanto se debe emplear transistores
3.3 amplificadores de alta eficiencia clase e 39
Figura 3.9: Amplificador clase E de simetrı́a complementaria
de GaAs para conseguir lo deseado. No obstante existen técnicas para lograr la reducción
de estos efectos no deseados y es la de compensar las capacidades con bobinas de muy
baja resistencia propia, tal como se puede apreciar en la figura 3.10, donde L g1 es un
inductor calculado para absorber la capacidad de entrada a la frecuencia de trabajo, y
que se utiliza a su vez para la polarización adecuada del transistor. Por otra parte una
de las técnicas más empleadas, es la de utilizar amplitudes de las señales de excitación
mucho mayores de las que se requiere para la sola saturación del transistor.
Figura 3.10: Circuito de Excitación para clase E
En la figura 3.10, podemos observar que la técnica de polarización, se realiza desdo-

blando el filtrado de aislamiento de la tensión Vgs por medio de la inductancia L g1 , que
como ya dijimos, es para la absorción por resonancia de la capacidad de entrada. La
capacidad Cg2 es la que refiere una tierra real a alta frecuencia, por lo que esta capacidad
debe ser de alto Q.
El choque CHg provee conjuntamente con Cgg de un filtrado adicional para asegurar
que no llegue RF a la fuente de polarización, siendo esta la técnica que se observa en la
polarización del amplificador clase D. La capacidad CB es una capacidad de paso para
aislamiento de la polarización.
3.4 amplificador de alta eficiencia clase f
La idea de un amplificador Clase F nace de la investigación para mejorar la eficiencia de

un amplificador Clase C, por lo tanto los primeros trabajos sobre este tipo de amplificador
se titulan Amplificadores clase C de alta eficiencia, luego esto varió para denominarse
biarmónicos o poliarmónicos: También se los denominó clase CD, para luego ser tratados
como en la actualidad como Amplificadores Clase F.
Estos amplificadores en realidad se trata de un amplificador clase A al cual se le a
adicionado un filtrado de armónicas en serie con la salida y se los maneja con excitación
de ondas cuadradas, por lo tanto como llave que conmuta corriente sobre la carga, dado
que cuenta con un choque de rf que trabaja como fuente de corriente.
En la práctica se realizan circuitos simples en los cuales el filtro poliarmónico es
reemplazado por un simple filtro tanque sintonizado a la tercera armónica, que algunos
autores denominan clase C con piqueo de 3ra armónica. Este circuito es el que se observa
en la figura 3.11.
Figura 3.11: Amplificador clase F con filtrado de 3ra armónica
Cuando se trabaja a relativamente altas frecuencias en el orden de cientos de MHz, la

técnica para lograr un clase F poliarmónico, es usar en lugar del filtro pasa bajo serie,
una lı́nea de transmisión cortada a λ/4 a la frecuencia de trabajo. La impedancia que
debe presentar esta lı́nea al drenador es una resistencia pura con ZL = R L debido a que
la salida del tanque es un circuito abierto a la frecuencia fundamental. Para todas las
frecuencias armónicas el tanque se comporta como un cortocircuito, Para las armónicas
de frecuencia pares, la longitud de la lı́nea es de n¼ con n par, por lo que estas armónicas
verán en la entrada de la lı́nea un corto, por lo tanto la onda de corriente verá, con sus
armónicas, un corto. En la figura 3.12 podemos observar la topologı́a de este tipo de
amplificador.
Por otro lado, las armónicas impares, debido a que el tanque sigue siendo un corto,
verán del lado del drenador, un circuito abierto, ya que para estas armónicas tendremos
una longitud de lı́nea de n λ/4 con n impar, dando lugar a un circuito abierto del lado del
drenador. Por lo tanto esto permitirá una onda cuadrada de voltaje sobre el drenador.
3.5 amplificador de alta eficiencia de clase g
En el caso de amplificadores lineales de clase A, Clase AB, y clase C, el rendimiento es

bajo debido a la presencia simultánea de tensión y corriente dentro de la zona activa.
Esto hace que la eficiencia sea relativamente baja y produce un desperdicio de energı́a. El
amplificador clase G trabaja en alguna de las clases anteriores, pero se basa en segmentar
3.5 amplificador de alta eficiencia de clase g 41
Figura 3.12: Circuito amplificador clase F con lı́nea poliarmónica
la excursión de la señal de manera de mantener siempre baja la caı́da de tensión en los

extremos del transistor. Esto se consigue con el uso de múltiples fuentes de alimentación,
que enclavarán la excursión de señal para cada uno de los elementos activos. Este método,
que se observa en la figura 3.13 en la que se reproduce el circuito original
Figura 3.13: Amplificador clase G Patente
Para lograr esta eficiencia alta, siempre es conveniente el uso de fuentes múltiples, de
manera de mantener siempre lo más baja posible la caı́da de tensión en cada uno de los
transistores cuando conducen, de manera que la disipación en cada elemento activo es
baja en todo momento de la excursión de señal. No obstante, el problema fundamental
que presenta este tipo de amplificadores, pasa por la conmutación de las fuentes de
alimentación en cada tramo de amplificación, por lo cual existe una limitación de su uso
en altas frecuencias, pero es de aplicación para excursiones de tensión elevadas.
En este caso se utiliza un amplificador clase B, en el cual la fuente de alimentación
múltiple es conmutada en función a un circuito que sensa el modulo de la tensión sobre
el primario del transformador de salida, el cual controla el circuito de conmutación.
T R A N S M I S O R E S D E C W, F M Y A M
4
4.1. Amplificadores de CW (señal de onda continua) 43
4.2. Transmisores de FM 44
4.3. Transmisores de AM 50
4.1 amplificadores de cw (se ñal de onda continua)
Figura 4.1: Cadena simple en frecuencia única
• CLASE A: se utilizan en etapas de baja potencia (100mW o menos), ya que su

ganancia es más alta que las demás, pero su eficiencia es menor.
• CLASE C mixto: se usan en etapas de salida de media y alta potencia (1W o más),
también en transmisores de estado sólido modernos para servicios de CW, FM y
AM.
• CLASE D, E y F: se utilizan cuando se requiere una alta eficiencia y cuando lo
permite el nivel de potencia y la frecuencia de operación.
Utilizar un multiplicador de frecuencia permite que el oscilador opere en un submúlti-

plo de la frecuencia de salida. Significa más estabilidad en el transmisor, más barato y
estable, además de en osciladores a crista.
Figura 4.2: Cadena simple con multiplicador de frecuencia
Los multiplicadores de frecuencia, separadores y combinadores de potencia se pueden

utilizar o no, para incrementar la flexibilidad del diseño y la capacidad del transmisor.
La operación del oscilador y sus etapas de alta potencia en diferentes frecuencias
reducen los efectos de retroalimentación RF accidental, por lo que reducen las oscilaciones
espurias.
Los multiplicadores pueden ser pasivos (diodos), activos mediante clase C mixto, clase
A excitados con voltaje (BJT).
Los pasivos tienen ganancias de potencias negativas pequeñas (−1,2 a −6 [dB])
43
44 transmisores de cw, fm y am
Los activos tienen ganancias positivas, ligeramente menores que los amplificadores de
potencia para misma frecuencia y potencia.
Normalmente, una sola etapa se usa para multiplicar la frecuencia por 2 o 3.
Para multiplicaciones mayores a 6, se utilizan multiplicaciones sucesivas o mezclando
salidas de multiplicadores de bajo orden.
Figura 4.3: Cadena compuesta con frecuencia única
Logran una salida de mayor potencia que la que se logra con un amplificador de
potencia a transistor único.
Los amplificadores clase C requieren un circuito de salida sintonizado para producir
salidas senoidales adecuadas, sin perdidas en el combinador de potencias
Se requiere incluir un circuito sintonizado en los amplificadores A3 Y 3B de la figura.
Los circuitos sintonizados no tienen que tener un Q alto, su filtro de supresión de
armónicas puede seguir al combinador de potencias.
4.2 transmisores de fm
Las señales FM se producen en niveles de baja potencia y se amplifican de la misma

manera que en CW, con cadenas amplificadoras. La FM se puede realizar de manera:
• Directa: variando la frecuencia de un oscilador con la señal de entrada de audio.

• Indirecta: por modulación de fase de la señal de RF, mediante una señal de entrada
de audio integrada.
Como se requiere alta linealidad, la mayorı́a de moduladores de FM producen ı́ndices

de modulación pequeños ante una desviación de frecuencia menor que la que se desea a
la salida del transmisor.
Figura 4.4: Transmisor de FM con multiplicación de frecuencia
Multiplican ambos factores, el ı́ndice de modulación y la desviación de frecuencia.

También multiplican la frecuencia.
Son muy adecuados para transmisores de FM que operan en rangos de frecuencias
relativamente menores.
4.2 transmisores de fm 45
Figura 4.5: Transmisor de FM con multiplicación y traslación de frecuencia
Si se necesita una escala mayor de frecuencias, se utiliza la traslación de frecuencias.

Esta configuración no modifica el ı́ndice de modulación ni la desviación de frecuencia.
En la mayor parte de las aplicaciones de comunicaciones de voz, se requiere que los
siguientes factores sean considerablemente mayor que el que se requiere para una señal
de FM y la amplificación puede considerarse exenta de distorsión.
• Ancho de banda de la etapa intermedia

• Redes de acoplamiento de salida
• Redes de acoplamiento de impedancias y filtrado
No obstante, en algunas aplicaciones de telemetrı́a en banda ancha, estos factores

pueden alterar las amplitudes y fases de bandas laterales importantes de la señal FM, lo
cual produce distorsiona.
En dichas aplicaciones de telemetrı́a, los filtros introducen modulación en amplitud
de la señal, esto se debe a la ausencia de bandas laterales filtradas.
Por otro lado, las etapas amplificadores en modo mixto de un clase C, recortan la
señal, esto genera bandas laterales fuera de la banda de paso del filtro.
Figura 4.6: OSCILADOR A CRISTAL MODULADOR POR VARACTOR (DIRECTA)

La FM directa se realiza comúnmente en transmisores portátiles y móviles, “jalando”

la frecuencia del oscilador de cristal con un capacitor de voltaje variable.
Solo puede lograrse una variación de frecuencia pequeña, para ello se preserva la
estabilidad en alta frecuencia. Pero debe usarse la multiplicación en frecuencia, para
lograr desviaciones de frecuencias de uso común.
Esta técnica se utiliza más fácilmente cuando el cristal oscila en el modo de frecuencia
fundamental (en vez de sobretono). La separación entre frecuencias de resonancia serie y
paralelo del cristal debe ser lo suficientemente grande apra impedir que oscile en una
frecuencia errónea.
• Varicap: capacitor de voltaje variable, también es un diodo varactor. Operan con

polarización inversa.
• Los parámetros de estos diodos se eligen para producir relaciones entre voltaje y
capacitancia adecuadas.
• Los diodos comunes proporcionan una capacitancia 3:1, con un Q de entre 100 y
500.
• Los diodos de unión hiperabrupta ofrecen capacitancia 10:1, con un Q de 200.
• Algunos varactores son diseñados especialmente para producir variación lineal de
frecuencia con voltaje.
• Valores comunes: rango de 100 a 500 pF con -2 a -10V.
• El varactor se polariza en inversa con VD, para producir una capacitancia CVVC
en función del voltaje de audio modulador vm(t), que esta agregado a la entrada.
Ese voltaje de audio produce cambios pequeños en la capacitancia .
• La red formada por C1 , C2 , y el varactor conforman una capacitancia CN a señal
cero. Los cambios pequeños están en paralelo con CP del cristal.
• C1 y C2 son generalmente mucho más chicos que CVVC.
• Gracias al varactor, evitan la carga excesiva del cristal.
Si se requiere una desviación de frecuencia más grande y es aceptable una estabilidad

de frecuencia más baja, se puede usar un varactor para modular la frecuencia de un
oscilador LC.
Se obtiene estabilidad, baja distorsión o ambas con un oscilador LC, el cual es modula-
do mediante el control automático de frecuencias o con técnicas de retroalimentación
FM.
Una FM indirecta se produce en transmisores portátiles y móviles mediante un
modulador de corrimiento de fase o de reactancia.
Esta técnica utiliza una conductancia controlable en combinación con una reactancia
fija para modificar los retardos de fase de las señales que pasan por el modulador.
• Este modulador varı́a directamente la fase, no su frecuencia, por esto es que es

importante integrar en el tiempo la señal de audio de entrada antes del modulador.
• El voltaje modulador integrado en el tiempo controla la conductancia mutua del
FET.
• Se supone que en RF las RFCs producen circuitos abiertos, que CB y CS poseen
reactancias cero y las capacitancias del FET son despreciables.
• Entonces, ya que controla a , controlara también el corrimiento de fase θ.
Figura 4.7: MODULADORES DE CORRIMIENTO DE FASE (INDIRECTA)
• Esta relación es lineal dentro del rango 0 < θ < 90. Esto sugiere que puede lograrse
una relación de fase lineal con corrimiento de ±45◦
Figura 4.8: MODULADORES CON LAZO DE ENGANCHE DE FASE
Se puede configurar para operar como modulador de fase como demodulador de fase.
• Las desviaciones de fase de hasta ±180° se pueden producir linealmente, lo que da

el detector de fase adecuado.
• La modulación FM se produce indirectamente mediante el voltaje de audio inte-
grado en el tiempo, en calidad de entrada al modulador de fase PLL. Se utiliza en
transmisores que usan un sintetizador de frecuencia, directamente se dispone de
un PLL.
• Esto se realiza inyectando el voltaje de frecuencia de audio integrado en tiempo
como un voltaje de error.
• Este circuito responde a esa tensión de error ajustando el VCO, el cual produce el
corrimiento de fase especificado.
• Se puede incluir divisores de frecuencia, la diferencia de fase en señal cero entre

VCO y la referencia puede ser 0 grados o 90 grados, dependiendo de lo que se
necesite.
• La linealidad depende del detector de fase, se requiere una detección en diente de
sierra para una desviación de fase de ±180◦ .
Figura 4.9: MODULADOR DE FRECUENCIA POR COMPARACION
Se puede configurar para operar como modulador de fase como demodulador de fase.
• Las desviaciones de fase de hasta ±180◦ se pueden producir linealmente, lo que

da el detector de fase adecuado.
• La modulación FM se produce indirectamente mediante el voltaje de audio inte-
grado en el tiempo, en calidad de entrada al modulador de fase PLL. Se utiliza en
transmisores que usan un sintetizador de frecuencia, directamente se dispone de
un PLL.
• Esto se realiza inyectando el voltaje de frecuencia de audio integrado en tiempo
como un voltaje de error.
• Este circuito responde a esa tensión de error ajustando el VCO, el cual produce el
corrimiento de fase especificado.
• Se puede incluir divisores de frecuencia, la diferencia de fase en señal cero entre
VCO y la referencia puede ser 0 o 90 grados, dependiendo de lo que se necesite.
• La linealidad depende del detector de fase, se requiere una detección en diente de
sierra para una desviación de fase de ±180◦ .
Otra forma de realizar una señal de FM de manera indirecta es la comparación de una

señal diente de sierra con una forma de onda moduladora en audio integrada en tiempo.
• Aunque es más complicada que la mayorı́a de las otras técnicas, la calidad de su

salida es muy alta.
• Se utiliza en transmisores de radiodifusión normales diseñados recientemente.
Figura 4.10: MODULADOR DE FRECUENCIA POR COMPARACION
• n el diagrama en bloques se puede observar que:

• El oscilador opera al doble de la frecuencia de la señal de salida deseada, es el que
excita al generador diente de sierra
• Se suponen iguales las excursiones positivas y negativas del diente de sierra.
• La señal se aplica en la entrada positiva del comparador, mientras que la del diente
de sierra se inyecta en la negativa.
• La salida del comparador se aplica a un circuito basculador.
• La salida del circuito basculador es una onda rectangular de frecuencia cuya fase
varia en proporción a .
• Este modulador posee una linealidad que depende de la forma de onda de la
diente de sierra.
• Este tipo de circuitos se pueden fabricar como circuitos integrados para operar en
el rango de unos pocos MHz.
Es un método tradicional que produce una FM indirecta de alta calidad.

Se basa en la semejanza entre señales AM y PM con bajo ı́ndice de modulación.
Es adecuado para transmisores que incluyan un modulador AM con portadora supri-
mida y banda lateral única.
Los ı́ndices de modulación son iguales en AM y PM, por lo que las bandas laterales
producidas por estas señales son idénticas.
La portadora PM difiere en fase respecto de la AM en 90°.
La PM si agregara una portadora corrida en fase.
Los divisores de frecuencia sincronizados proporcionan un corrimiento de fase preciso
de 90°.
Figura 4.11: Modulador de Armstrong
Se integra en tiempo la señal de entrada de audio, para producir una salida modulada
en frecuencia.
Se aplica a un mezclador balanceado doble.
La señal AM DCB/SC producida por el mezclador se añade a la portadora desplazada
en fase para producir la FM deseada.
Solo es lineal mientras el ı́ndice de modulación sea menor a 0.5.
4.3 transmisores de am
La modulación de amplitud en doble banda lateral con portadora completa se puede

conseguir de varias maneras:
1. Modulación de bajo nivel

2. Variación de voltaje de alimentación del amplificador de potencia de RF por
acoplamiento a transformador.
• Efectúa modulación de amplitud de alta calidad.

4.3 transmisores de am 51
• Utiliza un AP de audio clase B acoplado a transformador para variar el voltaje de

colector de un amplificador de potencia RF mixto clase C.
• Tambien puede ser un amplificador de potencia clase A cuando se desea sencillez
en lugar de eficacia.
• El transformador, AP de audio, en conjunto con los excitadores y preamplificadores
de audio se les denomina modulador.
• La linealidad depende de la linealidad del modulador
• El diseño de amplificadores de audio son semejantes a los AP en RF clases A y B.
• El voltaje de alimentación de colector del AP final de RF y del excitador excursionan
arriba y abajo del nivel de portadora sin modulación.
• La eficiencia de los amplificadores clase C mixto, D, E y F son independientes
del voltaje de alimentación (en gran medida), genera que el AP final de RF y el
excitador tengan cargas resistivas constantes al modulador y a la fuente de poder.
• La eficiencia global a clase B es de 72 %. Mientras que si se usa un clase A de audio,
la eficiencia global es de 58.9 %.
Figura 4.12: Variación del voltaje final de alimentación de AP de RF con control serie
• Se puede utilizar el modulador para producir directamente el voltaje de alimenta-

ción de colector variable en el tiempo para el AP de RF final.
• Los principios son los mismos que el caso anterior.
• En este caso, el voltaje de salida de modulador no debe exceder al Vcc, por lo que la
potencia de salida pico se producirá con Vcc (no con 2Vcc), el cual es suministrado
al amplificador de RF final.
• 1/2 VCC es la portadora no modulada.
• Su principal ventaja es que no necesita un transformador de modulación pesado y
que es caro.
• Un modulador clase S es adecuado para usarse con este método. Si no se necesita
de eficiencia, se usa un clase A.
• Se polariza la entrada al modulador clase S, para producir una salida salida ½ Vcc.
En ausencia de una señal de audio.
• La aplicación de la señal de audio produce que el modulador genere un voltaje
entre 0 y VCC .
• La eficiencia de una modulación en serie con un clase A, es comparable a la

modulación acoplada a transformador con un clase B.
• En el modulador de clase A, el AP de audio final es un transistor único, cuyo
colector y emisor pasan corriente proveniente de la fuente hacia el AP final de RF
y al excitador.
• Al ser de clase A, la señal amplificada tiene componentes de AC y DC.
• El modulador clase A en serie es eficiente solamente en 50 % cuando el transmisor
produce únicamente una portadora no modulada. Lo que implica una eficiencia
global más baja (la mitad).
• Con una sinusoide única, la eficiencia del clase A incrementa a 75 %.
• Portadora controlada, se produce cuando se reduce la disipación de potencia
aminorando la amplitud de portadora cuando la señal moduladora es pequeña o
no esta presente.
Figura 4.13: Control de voltaje de polarización de compuerta de AP de RF final en clase C con

FET
• Los circuitos de este tipo son sencillos, muy adecuados para transmisores de bajo
costo.
• La distorsión puede reducirse con retroalimentación de envolvente.
• Usa FET VMOS, es análoga a la de control de reja de AP de tubo de vacio.
• Este tipo de modulación se usa con AP de RF en clase C.
• El voltaje en la compuerta es una suma de los voltajes de excitación de RF, la
polarización CC y la señal moduladora de AF.
• El voltaje de audio vm(t) y el voltaje de polarización CC, producen el voltaje de
modulación, lo que genera una corriente de drenador estática que varı́a con el
tiempo.
• Esta técnica es útil para reducir la disipación de potencia bajo condiciones de no
modulación.
T R A N S M I S O R E S D E B A N D A L AT E R A L Ú N I C A
5
5.1. Conversión de frequencia por banda discreta 53
5.2. Conversión de frecuencia en banda ancha 54
5.3. Transmisor SSB de conversión directa con método de faseamiento 55
5.4. Transmisor SSB de conversión directa con el tercer método de modula-
ción 55
5.5. Cadenas de amplificadores lineales 56
5.6. Control automático de ganancia 56
5.7. Atenuador a diodo PIN 57
5.8. Protección VSWR 58
5.9. Eliminación y restauración de envolvente 59
5.10. Retroalimentación de envolvente 60
5.1 conversi ón de frequencia por banda discreta
• Las modulaciones BLU son generalmente de 1.6 a 30MHz, para comunicaciones de

larga distancia por salto ionosferico
• La distancias posibles de estas comunicaciones depende de la frecuencia y las
condiciones ionosfericas. Durante el dia se pueden lograr comunicaciones de hasta
300km en 3.5MHz, y de 1000 a 2000km en 14MHz (primer rebote).
• Una comunicación confiable entre dos puntos requiere la selección de una frecuen-
cia acorde a las condiciones climáticas.
• La técnica de traslación de frecuencia en banda discreta se ajusta bien para operar
en varias bandas pequeñas asignadas.
Respecto al diagrama en bloques
• Las señales SSB se generan en 3MHz y se trasladan mediante señales de 5 a 5.5MHz,
por lo que dan señales de 8 a 8.5MHZ.
53
54 transmisores de banda lateral única
• Estas traslaciones las produce el oscilador de frecuencia variable VFO.

• Estas señales son filtradas y se trasladan a la frecuencia de salida mediante señales
de frecuencia .
• Las señales de salida son amplificadas hasta la potencia de salida deseada.
• Se requiere una para cada banda de operación cada 0.5MHz.
• La tercera armónica del VFO se encuentra entre 15 y 16.5MHz.
• Cuando se mezcla con la salida de 12MHz del oscilador a cristal, resulta una señal
de 3 a 4.5MHz.
• La operación en dichas frecuencias puede generar espurias si la tercera armónica
del VFO alcanza al segundo mezclador.
5.2 conversi ón de frecuencia en banda ancha
• En aplicaciones militares, se requieren transmisores que sean capaces de operar en

cualquier frecuencia dentro de HF.
• El diseño común de radios en HF para diferentes usos posee ventaja comercial y
las asignaciones de banda de frecuencia se modifican de vez en cuando.
• especto al diagrama en bloques
• Se muestra un sistema de conversión de frecuencia de banda ancha para un
transmisor que puede operar en cualquier frecuencia dentro de 1.6 a 30MHz.
• Las señales SSB se generan en 10MHz y se convierten a una frecuencia inter-
media de 72MHz mediante señales de 62MHz que provienen de un oscilador o
sintetizador.
• Otro sintetizador o combinación de un sintetizador y un VFO (oscilador de fre-
cuencia variable), produce una señal de rango 73.6 a 102MHz.
• Se amplifica a la potencia deseada y se eliminan las armónicas de la señal mediante
filtros de salida pasa bajos.
Esta técnica tiene varias ventajas sobre la de banda discreta si se requiere cobertura de
frecuencias continua o prácticamente continua.
• El rechazo de imagen es satisfactorio, donde el producto indeseable de 72MHz

de IF por la salida del sintetizador de frecuencia variable se encuentra arriba de
145MHz, por lo que está alejado de las frecuencias de salida deseadas.
• La IF está siempre arriba de la frecuencia de salida, produce que la inversión de
banda lateral no se presente como resultado del cambio de frecuencia.
5.3 transmisor ssb de conversi ón directa con m étodo de faseamiento 55
• Para este caso, la frecuencia central del VCO es elevada (88MHz), los cambios
que se requieren para sintonizar dentro del rango completo de frecuencias son
relativamente pequeños, de 16
• Genera que el VCO sea menos complicado.
5.3 transmisor ssb de conversi ón directa con m étodo de faseamiento
• La señal de entrada de audio se aplica a una red divisora de fase, produce dos
señales de audios, desfasadas 90° entre sı́.
• Estas señales se aplican a dos mezcladores doblemente balanceados, junto con
señales en fase y en cuadratura a la frecuencia de salida deseada.
• Las salidas de los dos mezcladores se suman y se amplifican hasta el nivel deseado.
• Las señales de fase en cuadratura de frecuencia portadora se obtienen mediante la
división de frecuencia digital de la salida de un VFO que opera en .
• Esta señal se aplica a un circuito basculante, las salidas son y 180° fuera de fase.
• Se vuelven a dividir estas señales con otro par de circuitos basculantes, para obtener
salidas de frecuencia y desfasadas 90°.
5.4 transmisor ssb de conversi ón directa con el tercer m étodo de

modulaci ón
• Son muy semejantes al método anterior.

• Las señales en fase y en cuadratura en 1.8KHz se generan por división de frecuencia
digital de la salida de un oscilador o sintetizador de 7.2KHz.
• Los filtros pasa bajo y un segundo grupo de mezcladores doblemente balanceados

sustituyen la red divisora del método anterior.
• La frecuencia de salida difiere en ±1.8KHz respecto a la que produce el VCO en el
método anterior explicado.
5.5 cadenas de amplificadores lineales
La saliad de señal SSB de un mezclador o modulador de conversión directa por lo

general es de 1mW o menos. Los amp de clase A de RF son los más usados, con salidas
de 100mW o menos. Mientras que los clase B de RF se usan en etapas de 1W o más.
• Las cadenas simples (a) se utilizan en transmisores SSB de potencia media y baja,
• Las cadenas de compuerta (b) se utilizan en transmisores de potencia media y alta.
• Los métodos de diseños de estas cadenas amplificadoras son los mismos para
transmisores de CW.
• Los amplificadores lineales generalmente tienen ganancia de potencia mayor a los
AP en modo mixto clase C.
• Son comunes ganancias de 10 a 20dB.
• La eficiencia de salida de potencia es común entre el 55 % y 65 % para clase B.
Mientras que para clase A es del 30 % al 40 %.
5.6 control autom ático de ganancia
• Se usa en la mayorı́a de los transmisores SSB para evitación subexitacion excesiva,

lo que genera baja potencia de salida. O sobre excitación, lo que genera distorsión
de intermodulación y recortado de los amplificadores de potencia.
• El ACG en un transmisor es semejante al de un receptor.
• El voltaje de salida RF se acopla a través de un capacitor de bloque a un detector
de envolvente.
5.7 atenuador a diodo pin 57
• Este detector tiene una caracterı́stica de ataque rápido (10ms o menos) y un

decaimiento lento (0.1 a 1 seg). De tal modo que la ganancia global del amplificador
se determina por la envolvente señal pico y no por el promedio de la envolvente
de la señal.
• Si la salida del detector excede a un voltaje de umbral o preestablecido ajustable, la
señal se aplica a la etapa de ganancia controlada para reducir su ganancia.
• Esta etapa de ganancia controlada opera en un segmento de baja potencia de la
cadena amplificadora de potencia de RF.
• Cualquiera de varios circuitos se pueden usar como etapa de ganancia controlada.
Esto incluye a los FETs de compuerta dual, varios circuitos de tipo mezclador, cir-
cuitos integrados de RF de propósito especial que tengan entrada AGS y atenuador
a diodo PIN.
5.7 atenuador a diodo pin
• PIN (positivo intrı́nseco negativo)

• Depende de su carga almacenada, que depende de la corriente que fluye a través
del diodo.
• En frecuencias bajas, el diodo PIN actua como un diodo PN convensional.

• Para frecuencias altas, solo la corriente continua que fluye en el diodo controla su
conductancia efectiva.
• Lo convierte en resistencia controlada a corriente
• El de la figura es un diodo PIN en serie.
• La corriente de RF fluye a través de la fuente Vs – Rs, de los capacitores de bloqueo,
del diodo PIN y de la carga RL.
• La corriente de control CC fluye a través del diodo PIN y de las dos bobinas de RF.
• Es importante que los diodos tengan una constante de tiempo lo suficientemente
grande para asegurar un comportamiento resistivo en la frecuencia de operación
más baja.
• Rango de resistencia de 15 a 1000ohm
5.8 protecci ón vswr
• Relación de onda estacionaria de voltaje

• El valor de VSWR resulta de numerosas combinaciones de resistencias y reactancias.
• vo(t) se obtiene mediante acoplamiento capacitivo
• io(t) se convierte a un voltaje mediante un transformador de corriente T1 y una
resistencia R1.
• El voltaje v1(t) se aplica a un detector de envolvente pico.
• La salida del detector de envolvente pico es cero cuando la carga tiene su valor
nominal Ro y aumenta cuando R o haya reactancia en la carga.
• El ajuste de umbral, se establece para que los valores de V1m que se excedan
reducen la ganancia en la cadena amplificadora.
• Esto produce que la salida del amplificador permanece en un nivel seguro para la
carga desacopladora existente.
• Entonces, la salida V1m es el detector de VSWR.
• Los verdaderos VSWR se utulizan en lı́neas de transmisión acopladas laxamente,
para derivar señales proporcionales a las potencias directa y reflejada.
5.9 eliminaci ón y restauraci ón de envolvente 59
Se observa la semejanza entre el detector VSWR y el lazo AGC. Ya que si se reduce la

salida del transformador de corriente T1 de manera tal que aparezca el voltaje de salida
pico en V1m, cuando la carga tiene su valor nominal R0, se obtiene el AGC.
5.9 eliminaci ón y restauraci ón de envolvente
• Utiliza la caracterización de la señal como modulación en amplitud y fase simul-

taneas para permitir el uso de APs de RF en clase D, E o F, en conjunto con un
modulador clase S para amplificación de alta eficiencia de señales SSB y otras de
RF.
• Se aplica la salida de un modulador SSB a un detector de envolvente y a un
limitador de RF.
• La salida del limitador se traslada mediante uno o más mezcladores a la fre-
cuencia de salida, amplificándose enseguida hasta alcanzara la potencia de salida
envolvente pico deseada.
• La salida del detector de envolvente controla a un modulador clase C, cuya salida
modula al amplificador de RF final. Este restaura la envolvente de la portadora
modulada en fase, produciendo una señal SSB deseada como salida final.
• Como la eficiencia de los amplificadores en modo de conmutación es alta en niveles
de salida bajos, su eficiencia promedio para señales derivadas de voz puede ser
mayor que la de un transistor que solo se use para amplificadores lineales de RF.
• El detector de envolvente y el amplificador clase C deben tener respuestas desde
CC a 10 veces el ancho de banda d ela señal SSB de RF.
• El ancho de banda de la salida modulada en fase del limitador es aproximadamente
10 veces la señal de entrada SSB.
• El limitador de RF debe diseñarse para minimizar la conversión amplitud a fase.
• Se debe operar el limitador en frecuencias intermedias o bajas (455 a 40MHz) y no
en frecuencia de salida real.
• Si existe retardo considerable entre las cadenas de amplificación, se originara
distorsión por intermodulación, las cuales deben minimizarse.
• Se debe incluir un circuito de corte exterior en baja amplitud para evitar la genera-
ción de señales de RF espurias cuando no exista una señal SSB de entrada.
5.10 retroalimentaci ón de envolvente
• Esta técnica es útil para reducir la distorsión de intermodulación en una cadena

de AP cuando proviene de la no linealidad de una amplitud a otra, y no de la
conversión amplitud a fase.
• La envolvente de la SSB de entrada se detecta y compara con la amplitud detectada
de la señal SSB de salida, luego de un escalonamiento adecuado.
• La diferencia entre ambas señales controla la ganancia de la cadena amplificadora
de RF, de modo tal que el AP final este automáticamente ajustado para reducir la
amplitud de salida deseada.
• En la práctica, las no linealidades en la caracterı́stica de transferencia de amplitud
en cadena se reducen sustancialmente.
• Para lograr máxima linealidad, se usan detectores de envolvente idénticos, tanto
en la entrada como en la salida. Con un atenuador que acopla los niveles de las
entradas en cada dectector.
• Al usar retroalimentación, se tiene un filtro pasabajos en el lazo para asegurar la
estabilidad.
• La ganancia de este incluyen las ganancias del amplificador diferencial, de la
cadena de RF, del atenuador y la del detector de envolvente.
• La ganancia en bucle debe ser tan grande como la mejora requerida en linealidad.
• La retroalimentación por envolvente tiene poco efecto en el IMD que resulta por
conversión amplitud a fase.

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Í N D I C E

1. Amplificadores de potencia lineales 3

2. Amplificadores de potencia sintonizados 21

3. Amplificadores de Alta Eficiencia 31

3.3.1. Amplificador de potencia de clase E diferencial 37

5. Transmisores de banda lateral única 53

1.1 introducci ón

En la actualidad existe una amplia variedad de amplificadores, se podrı́a llegar

Figura 1.1: Espectro de emisión de un amplificador de potencia de RF

1.2 requerimientos de adaptaci ón

Para el caso de amplificadores de potencia, no es aplicable el criterio de adaptación

1.2.1 Redes de adaptación para VHF

Figura 1.2: Circuito de adaptación que usa capacitores en paralelo solamente

1.2.2 Redes de adaptación para UHF

En estos casos se hace prácticamente imprescindible el uso de circuitos impresos con

Figura 1.3: Circuito con strip line para UHF

1.3 circuitos amplificadores lineales de banda ancha

Dentro de este tipo de amplificadores, se encuentran los amplificadores de HF que

1.3.1 Compensación de la entrada

Para transistores bipolares, las variaciones de la impedancia de entrada, en especial la

Figura 1.4: Circuito de compensación de impedancia de entrada

Normalmente se emplean programas de computadora para realizar la optimización

capı́tulo, desde el punto de vista de la polarización en DC. Desde el punto de vista de

Figura 1.5: Circuito básico de adaptación para MOSFET

En la Fig. 1.5 la fuente de corriente y la resistencia R1 representa la fuente de señal que

1.3.2 Circuito amplificador clase A

Figura 1.6: Método de realimentación en amplificador excitador MOS

Los capacitores C1 y C2 son para compensar la inductancia presentada por el trans-

1.4 amplificadores de banda ancha de uhf

capacidad, que se deberá tener en cuenta en el diseño del circuito. La capacidad de la

A modo de ejemplo el circuito de un amplificador lineal de potencia clase A para la

Figura 1.10: Amplificador clase A para banda 175 a 230 MHz

1.4.1 Amplificador clase A

1.5 circuitos de entrada

Por lo general los requerimientos de un circuito de entrada, pasan primordialmente

las variaciones de ganancia se realizan dentro de la cadena de ganancia del amplificador

Los acopladores hı́bridos tienen la capacidad de dividir la potencia que entra en el

1.6 amplificadores lineales clase ab

Cuando se necesita mayor potencia y eficiencia y con condiciones de intermodulación

Figura 1.14: Amplificador básico clase AB

Figura 1.15: Circuito de salida con compensación y alimentación en continua

1.6.1 Circuito de entrada

Aquı́ el transformador fue corregido con un capacitor en paralelo para la compensación

1.7 amplificadores de banda ancha ab para fm

Como es sabido, el rango de frecuencia para Broadcasting de FM cubre la banda de

Figura 1.18: Esquema del amplificador clase B para FM

En el esquema de la de la Fig. 1.18 comprende desde la salida a la entrada los siguientes

• L13 y L14 que conforman el balun de adaptación de carga desbalanceada a balancea-

La polarización es un tema a observar con cuidado para evitar oscilaciones o realimen-

Figura 1.19: Filtro de alimentación de colectores

filtrado a alta frecuencia. La resistencia R es una resistencia amortiguadora para evitar

1.8 amplificadores de banda ancha, banda de tv cable iv y v en clase

Un caso interesante a analizar, es el diseño de amplificadores de banda ancha en UHF

Figura 1.22: Circuito de polarización de bases

temperatura. La capacidad C18 es a los efectos de eliminar cualquier señal de RF sobre el

Las aplicaciones que no requieren amplificación lineal en RF aprovechan la sencillez

2.1 amplificadores clase c

• Rendimiento teórico del 78,5 %, inferiores al máximo del clase B.

2.1.1 Amplificador clase C como fuente de corriente

Esta topologı́a corresponde con la del amplificador de clase A anteriormente visto. En

Figura 2.1: Configuración para fuente de corriente de un aplificador clase C

• C1 debe tener una reactancia despreciable con respecto a R L en la frecuencia de

Figura 2.2: Forma de onda de las señales