UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

LAB. RADIOCOMUNICACIONES
CIRCUITOS AMPLIFICADORES SINTONIZADOS DE FI
PARA MNODULACIÓN AM Y FM
INFORME PREVIO N°1

Integrantes:

Cumpa Huaman, Jhoarid Jorge (20150402A)

Manini Paredes, Rember Darli (20152159G)

Docente: Renzo Hurtado Garrafa

Curso: EE498 Q

Fecha de presentación: 12/09/2023

Ciclo: 2023-2
1. Explique las diferencias de operación y construcción entre
circuitos que operan a frecuencias bajas y los que operan
a frecuencias de radiofrecuencias.

Una de las diferencias es que en los circuitos de baja frecuencia es que son
sencillos sin mucha interferencia electromagnética como por ejemplo los
amplificadores de señales, o como aquellos que son circuitos para bandas
como pasa bajos que permiten solo pasar señales en una banda de
frecuencias baja determinada por la frecuencia de corte, este circuito se
construiría con elementos básicos como por ejemplo un capacitor y una
resistencia. Mientras que los circuitos que trabajan en frecuencias de
radiofrecuencias son utilizados para fines inalámbricos, estos son de
construcción más elaborada añadiendo entre ellos antenas y circuitos
integrados.
A frecuencias más altas, debe tenerse más cuidado de influir
efectos reactivos, no solo los que se incluyen de forma deliberada
como elementos del circuito, sino también las reactancias parasitas que a
bajas frecuencias la reactancia parasita es despreciable, pero a frecuencias
más altas, esta reactancia influye en los componentes, alambres y pistas
del circuito y no debe despreciarse.
Otra diferencia es que los dispositivos y los métodos de construcción
comúnmente usados resultan poco eficaces y se vuelven importantes los
métodos innovadores de diseño de circuitos. A frecuencias de microondas
muchos de estos circuitos
aparentemente mantienen muy poca semejanza física con los que
se emplean a baja frecuencia.
Los capacitores por ejemplo tendrán una inductancia y resistencia
además de capacitancia y a medida que aumenta la frecuencia, también lo
hace la reactancia inductiva, mientras tanto disminuye la reactancia
capacitiva. Al punto donde las dos reactancias se igualan se llama
frecuencia autor resonante.

Para los transistores tenemos que en las junturas se tienen capacitancias

que dependen de las características del transistor. Al igual que el
capacitor, las reactancias capacitivas disminuirán a medida que aumente
la frecuencia causando que se degrade el funcionamiento del transistor.
La capacitancia de base colector, por ejemplo, causará realimentación de
la salida a la entrada en un circuito amplificador ordinario de emisor
comúnmente. La realimentación puede disminuir la ganancia de
amplificador o hacer que se vuelva inestable. Se usan los transistores
 NPN para operaciones de alta frecuencia importantes en el rango de los
giga Hertz y por efectos de tránsito (tiempo que toma un portador de
carga para cruzar un dispositivo). Si tenemos una pista de circuito
impreso en el intervalo de UHF, es necesario analizarla como si fuera
una línea de transmisión. Es decir, incluyendo las constantes distribuidas
que se ignoran a bajas frecuencias.

2. Investigue sobre los amplificadores de radiofrecuencia de

banda estrecha o angosta.
Amplificadores de radiofrecuencia de banda estrecha:

El espectro de una señal de radiofrecuencia se compone de una

frecuencia central, alrededor de la cual se agrupan otros componentes
de frecuencia. Dicha frecuencia central está en el rango de 100 KHz a 30
GHz y las frecuencias laterales se extienden de 5 a 10 KHz en la
radiodifusión de AM y hasta algunos MHz en otras aplicaciones. Cuando
la banda que interesa es solamente un pequeño porcentaje de la
frecuencia central, se dice que es una señal de banda estrecha. En
aplicaciones de banda estrecha, una solución alternativa para el
problema de la adaptación de impedancias puede ser el uso de

reactancias no acopladas.

El amplificador de banda estrecha de la figura 1 utiliza como elemento de

acoplamiento un circuito resonante conectado en paralelo con la carga, a
fin de hacerlo selectivo. Tanto la capacidad interna del dispositivo activo
como las capacidades, están incluidas en el capacitor de sintonía C.

Acoplamiento por inductancia mutua:

En las aplicaciones de banda ancha, las inductancias del transformador

son altas comparadas con las impedancias que le son conectadas. En
 banda estrecha en cambio, los devanados suelen ser parte del circuito
sintonizado. El devanado sin sintonizar se coloca en el circuito de
impedancia más baja.

3. Explique cómo determinar en forma experimental:

- Frecuencia de resonancia mínima y máxima:
La frecuencia de resonancia está dada por:

donde:
● L es la inductancia del tanque
● C es la capacidad del tanque

Para poder observar la frecuencia mínima y la frecuencia máxima,

vamos a fijar el valor de la capacitancia entonces la resonancia será
máxima si la inductancia es mínima y será máxima si la inductancia es
mínima:

Para obtener los valores mínimo o máximo de las bobinas habrá que
ajustar el tornillo de la bobina del tanque.

- Lin y Cin de la bobina:

Para el subsistema mostrado en la figura:

El tanque consiste en una inductancia y un capacitor en paralelo, con

magnitudes y. En este sistema se coloca un capacitor externo en
paralelo a dicho tanque.
 Si tenemos el valor de las frecuencias de resonancia para dos
capacitores externos diferentes, los cuales se consigue ajustando la
frecuencia hasta obtener el mayor voltaje posible.

- Rp (Resistencia de pérdidas de la bobina):

La resistencia de pérdidas de la bobina se puede hallar al colocar un

potenciómetro en paralelo a dicha bobina. Luego se varía la frecuencia
tal que sea de resonancia. Se ajusta el potenciómetro tal que la tensión
de la bobina se reduzca a la mitad.

4. Indicar que consideraciones se deben tener en cuenta

para seleccionar los transistores. Asimismo, de los
manuales se obtienen los datos de los transistores C1394
y 2N2222.
Al momento de seleccionar los transistores, se debe considerar que
estos estarán sometidos a altas frecuencias, por lo cual en el data sheet
deberemos buscar que tengan un alto producto de ganancia de ancho de
banda. Además, se tiene que tener en cuenta la impedancia de salida
que tiene el transistor, cuidar que no sea muy baja para evitar bajar el
valor de Q. Para el C1394, se tiene la siguiente hoja de datos:
Para el 2N2222, se tiene la siguiente hoja de datos:
5- Simular en computadora el Laboratorio:

Primero se determina la inductancia con la cual trabaja el tanque si el dato de la

frecuencia es 455KHz:
Figura: Circuito de un amplificador sintonizado de FI en MULTISIM
 Figura: Gráfica de la simulación en MULTISIM

Observación: En el circuito se realizó el cambio de un componente del transistor

NPN C1394 a BF200 pero como tampoco se encontró dicho componente
buscamos otro transistor de la familia BF que tenga las características similares
BF550.