ELECTRONICA INDUSTRIAL

PRACTICO DE SELECCION DE DIODOS

RECTIFICADORES DE POTENCIA
AÑO 2021

Bibliografía
• Titulo: Power Semiconductors
Autor: Semikron
• Titulo: Rectificadores con diodos
Autor: FAPESA (Philips)

FCEFyN - UNC
Preparo: Ing. Sergio Gangi –Cátedra: Electronica Industrial - UNC
 CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE
IF

IF I F: corriente directa
+ VF V F: tensión directa
-
I R: corriente inversa
- VR +
IR V R: tensión inversa

VR V R MAX VF

La característica VI es similar a cualquier diodo

rectificador. En el tercer cuadrante circula una débil
corriente IR hasta que supero VR MAX donde se
produce la ruptura por avalancha e IR crece sin
control y se produce la destruccion de la unión por la
enorme potencia inversa que se disipa.
Adicionalmente en la región de avalancha se
produce el embalamiento térmico que genera una
reducción del valor de VRMAX con el aumento de la
temperatura de juntura.
T1 T2 > T1 IR
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Si Industrial
T↑ -→ UNCV ↓
R MAX
 RECUPERACION DE LOS DIODOS

IF(A)

Recuperación Recuperación
rápida rápida suave

VR VF

Usos
generales
IR (mA)

Una característica importante de los rectificadores de recuperación rápida es el tiempo de

recuperación inversa trr. En los manuales Philips se define trr como el tiempo que tarda la
corriente en recuperar el 10% de su valor pico inverso

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RECUPERACION DE LOS DIODOS (Semikron)

En los manuales Semikron se

define trr como el tiempo que tarda
la corriente en recuperar el 25% de
su valor pico inverso y Qrr es el
área bajo la curva

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 EJEMPLO SELECCIÓN DE DIODOS EN RECTIFICADOR TRIF. DE ONDA COMPLETA
Los diodos rectificadores se seleccionan con los siguientes parámetros
o Corriente media (average) por diodo
I D(av) = 100A
Normalmente se toma un coeficiente de seguridad asociado a la sobrecargas que
pueda tener el circuito. Si no se conoce la magnitud de las sobrecargas esperadas se
puede estimar el coeficiente de seguridad en un 30 % lo que conduce a seleccionar
diodos de corriente media 130 A.
o Tensión pico inversa aplicada sobre el diodo que es la tensión de línea pico en este
circuito. Puede verse claramente aplicada en el diodo D2 cuando conduce D1.
V R2 = V S1 – V S2 = V S12 tensión compuesta o de línea
V R2 = V PI = √3 * V s (max) = √3 * √2 * Vs(rms) = √3 * √2 * 0,4275 * V L (av) = 1,047 * V L (av)
V R2 = 62,8V
Debido a las sobre tensiones que pueden generase en el circuito los diodos se eligen
con un factor de seguridad de al menos 2,5 veces o sea la tensión pico inversa de
selección será del orden de 157 V.
●
D1
Con estos valores podemos entrar en las VS1
tablas de selección de los fabricantes de
semiconductores. Por ejemplo podemos VS2
seleccionar el diodo BYX32 o el SKN 152
- VR2 +
●
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D2
TABLA DE SELECCIÓN DIODOS RECTIFICADORES DE POTENCIA (Philips)

Parámetros de entrada en
la selección
I F (av) = 130 A
V pi = 157 V

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BYX32 SKN 152
Philips Semikron

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VALORES NOMINALES DE TENSION Y CORRIENTE BYX32

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VALORES NOMINALES DE TENSION Y CORRIENTE BYX32

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 CORRIENTE EFICAZ NO REPETITIVA VS DURACION

IFSM = 1600 A

IFSM / √2 = 1131 A

Preparo:
I2 * t (10 ms) = Ing. Sergio
1131 2 10Gangi
-2 –Cátedra:
= 12.800 Electronica
A 2 s Industrial - UNC
*
 IMPEDANCIA TERMICA TRANSITORIA

R th j-mb = 0,4 °C / W

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CARACTERISTIVA VI EN EL PRIMER CUADRANTE

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 CALCULO DE LA POTENCIA DISIPADA EN LOS DIODOS

Entrando en el siguiente grafico obtengo la potencia disipada en los diodos y la resistencia

térmica en base a los siguientes datos
• Corriente media
I D (av) = I F(av) = 100 A
I D (rms) = I F(rms) = 173 A
• Factor de forma de la corriente
a = I D (rms) / I D (av) = I F (rms) / I F (av)
a = 1,73
• Temperatura ambiente
T a = 60 °C
Obtenemos
• Potencia disipada por diodo
P D (W) = 150 W
• Resistencia térmica entre base de montaje y ambiente
R th mb-a ≈ 0,4 °C / W
• Temperatura de la base de montaje
T mb = 130 °C Preparo: Ing. Sergio Gangi –Cátedra: Electronica Industrial - UNC
 CALCULO DEL DISPADOR Tj

Aplicando la ley de ohm térmica al diodo obtenemos

T j – T a = P D * (R th j-mb + R th mb-h + R th h-a )
Tmb PD
R th j-a = R th j-mb + R th mb-h + R th h-a
Podemos calcular y verificar T mb
Th
T mb = T j - P D * R th j-mb = 190 – 150* 0,4 = 130 °C
T j – T a = P D * (R th j-mb + R th mb-a )
R th mb-a = R th mb-h + R th h-a
Ta
R th h-a = R th mb-a - R th mb-h
R th h-a = 0,4 - 0,1 = 0,3 °C /W
Th Ta Tj

Semiconductor
De potencia

Preparo: Ing. Sergio Gangi –Cátedra: Electronica Industrial - UNC Tmb

 SELECCION DEL DISPADOR

Selección del disipador: perfil 56230 ennegrecido.

Necesitamos una longitud por diodo de 13 cm o sea que
podemos montar de a 3 diodos en 2 disipadores de 40 cm
de largo cada uno con refrigeración forzada por ventilador
y velocidad de aire de 5 metros / seg.

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SELECCIÓN DEL VENTILADOR (COOLER)

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 SELECCIÓN DEL VENTILADOR (COOLER)

Velocidad de aire necesario de 5 metros / seg

• Selecciono el cooler 5318 que le corresponde la curva 3
• Calculo de la Superficie de salida del ventilador
S = π * Φ2 / 4 = π * 0,142 / 4 = 0,0154 m2
• Calculo del caudal necesario
Q = S * v = 0,0154 m2 * 5 m / s = 0,077 m3 / s = 277 m3 / h

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SIMBOLOS PARA VALORES NOMINALES DE TENSION Y CORRIENTE

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VALORES NOMINALES DE TENSION Y CORRIENTE

• VR (Continius reverse voltage)

• VRWM (Crest working reverse voltage)

• VRRM (Repetitive peak reverse voltage)

• VRSM (Non repetitive peak reverse voltage)

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 VALORES NOMINALES DE TENSION
VF

θ (t)
VR max

V RWM

V RRM

V RSM

VR

 VR (Continius reverse voltage): Tensión continua inversa máxima.

 VRWM (Crest working reverse voltage): Tensión inversa de pico de trabajo de la forma
de onda idealizada de la red.
 VRRM (Repetitive peak reverse voltage): Tensión inversa de pico repetitiva, que es el
valor pico de los transitorios repetitivos. VRRM deberá especificarse junto con el
máximo factor de trabajo de los transitorios que pueden ser manejados.
 VRSM (Non repetitive peak reverse voltage): Tensión inversa de pico no repetitiva, que
es el valor pico de los transitorios no repetitivos. VRSM se especifica junto con la
duración máxima del transitorio que puede ser manejado (normalmente t  10ms)
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 VALORES NOMINALES DE CORRIENTE
IF

I FSM

I FRM

I F(rms)
I F(av)
θ (t)

 I F (av) (Average forward current): valor medio de onda de corriente de red idealizada
tomada durante un ciclo
 I F (rms) (routh mean square forward current): corriente eficaz en conducción
 I FRM (repetitive peak on state forward current): depende del factor de forma
 I FSM (non repetitive peak on state forward current): corriente de pico no repetitiva o
inicial. Este valor nominal es el valor de pico admisible de los transitorios no repetitivos
y depende la duración de la sobrecarga inicial.
 I2 * t: capacidad de sobrecarga inicial para los diodos.

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