INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TOLUCA

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA




CRESTOMATIA DE
ELECTRÓNICA




PROFESOR: ING. HÉCTOR GARCÍA DE LA ROSA
ING. OMAR GARCIA DE LA ROSA










FEBRERO 2011






CURSO DE ELECTRÓNICA


UNIDAD I
DIODO
UNIDAD II
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN
UNIDAD III
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS
DE TIEMPO
UNIDAD IV
PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DIGITAL
UNIDAD V
PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA
UNIDAD VI
CONTROLADORES LÓGICOS PROGRAMABLES
(PLC)




















UNIDAD I

DIODOS

1.1 Conducción en semiconductores.

1.2 Semiconductores contaminados y unión PN.

1.3 Curva característica y especificaciones.

1.4 Circuitos rectificadores.

1.5 Circuitos limitadores de nivel.

1.6 Diodo Zener.

1.7 Regulación con diodo Zener.




















DIODOS

Los diodos realizan una gran variedad de funciones entre ellas, la rectificación de
señales de corriente alterna en fuentes de poder y en radios AM, reguladores de
voltaje, formadores de onda, duplicadores de voltaje, selectores de frecuencia,
detectores de FM, disparadores, indicadores luminosos, detectores de haz,
generadores láser, etc. Las aplicaciones de los diodos son muchas y muy variadas;
de ahí la importancia de conocerlos mas a fondo.

Los diodos semiconductores como su nombre lo indica, son dispositivos
conformados por dos uniones de material semiconductor, una tipo P y otra tipo N.
Su nombre proviene de la contracción de las palabras”dos electrones”, en ingles.
En la actualidad, la palabra diodo se utiliza de manera más amplia para definir
muchos dispositivos semiconductores que únicamente tienen dos terminales de
conexión; esto a pesar de que su formación interna sea de mas de dos secciones
de material semiconductor.

A la sección P de un diodo se le conoce con el nombre de ánodo y a la sección
N con el cátodo.

En la codificación de diodos se distinguen tres códigos fundamentales, que son:

 Europeo (PROELECTRÓN)
 Americano (JEDEC)
 Japonés (JIS)

Habitualmente se utiliza la codificación europea o americana.

1. Código europeo (PROELECTRÓN).-Dispone de dos o tres letras seguidas
de un número (que también puede tener alguna letra intermedia).La primera
letra indica el material utilizado (A al Germanio, B al Silicio). Las otras letras
son relativas a la aplicación.
2. Código americano (JEDEC).- El código americano empieza con 1N (una
unión) seguido de un número sin ninguna significación especial que no sea
de identificación en catálogo.

Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con códigos
diferentes puedan ser equivalentes.

Cuando un diodo se encuentra en polarización directa, los electrones libres de la
sección N y los huecos de la sección P son repelidos hacia la unión P-N debido al
voltaje aplicado por la fuente externa.

Si el voltaje de polarización es mas que el de la barrera de potencial, entonces un
electrón de la sección N cruzara a través de la unión para recombinarse con un
hueco de la sección P, el desplazamiento de los electrones hacia la unión, genera
iones positivos dentro de la sección N, los cuales atraen a los electrones del
conductor externo hacia el interior de cristal.

Una vez dentro, los electrones pueden desplazarse también hacia la unión para
recombinarse con los electrones de la unión P, mismos que se convierten en
electrones de valencia y son atraídos por el polo positivo del conductor externo;
entonces salen del cristal (semiconductor P), y de ahí se dirigen hacia la batería.

El hecho de que un electrón de valencia en la sección P se mueva hacia el
extremo izquierdo, es equivalente a que un hueco se desplace hacia la unión.
Este proceso de flujo de corriente en el diodo se mantiene en tanto exista la
polarización directa con el voltaje mayor a la barrera de potencial.

Si el diodo esta polarizado de manera inversa, los huecos de la sección P son
atraídos hacia el polo negativo de la batería y los electrones de la sección N son
atraídos hacia el polo positivo. Puesto que huecos y electrones se alejan de la
unión, la zona de deplexión crece de acuerdo con el valor del voltaje inverso
aplicado a las terminales del diodo. Por tanto, la zona de deplexión deja de
aumentar cuando tiene una diferencia de potencial igual al valor de la tensión
inversa aplicada con la zona de deplexión aumentada, no circula entonces la
corriente eléctrica; la razón es que el positivo, en cierta forma, aumentó el máximo
de sus resistencia eléctrica interna.

Aunque de manera practica consideramos que no hay flujo de corriente eléctrica a
través del diodo de polarización inversa, realmente si se genera un pequeño flujo
de corriente eléctrica inversa.

El calor del ambiente hace que de manera espontánea se generen pares (hueco-
electrón) suficiente para mantener un diminuto flujo de corriente eléctrica. A la
corriente eléctrica también se ele conoce como “corriente de portadores
minoritarios”.

Hay otra corriente que se genera de manera paralela a la corriente inversa, y es la
eléctrica superficial de fugas; esta es producida por impurezas de la superficie del
cristal e imperfecciones en sus estructura interna.


1.1 Conducción en semiconductores

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de
corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al
movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se
producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las
cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos
pertenecientes al grupo IV de la tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc.).

En los átomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con
suficiente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad
dentro del átomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace
covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de
energía. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los
electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra
característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta
comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

El germanio es un ejemplo de semiconductor, tiene cuatro electrones en su orbital
de valencia. Hace unos años el germanio era el único material adecuado para la
fabricación de dispositivos semiconductores. Sin embargo estos dispositivos de
germanio tenían un grave inconveniente, que no pudo ser resuelto por los
ingenieros: su excesiva corriente inversa.

Mas tarde otro semiconductor, el silicio, se hizo mas practico dejando obsoleto al
germanio en la mayoría de las aplicaciones electrónicas. Después del oxigeno el
silicio es el elemento mas abundante en la tierra.
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia
nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el
sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, representada en la
figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.
- presenta resistencia nula.
- presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un
diodo en circuito sencillo.


Figura 1.1: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Según está colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.
En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la corriente
entra por el ánodo, y éste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto,
se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia, y se obtiene una
corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose
como un interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V
se aplican al diodo.
2.2.1 Principales características comerciales
A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que
presente unas características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe
examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee.
Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en
cualquier hoja de especificaciones son:
1. Corriente máxima en directa, I
Fmax
o I
FM
(DC forward current): Es la
corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que
este sufra ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un
calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir
tres límites:
o Corriente máxima continua (I
FM
)
o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que
se especifica también el tiempo que dura el pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la
que se especifica la frecuencia máxima del pico
1. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage,
BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el
fenómeno de ruptura por avalancha.
2. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse
Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar
para una operación en inversa segura.
3. Corriente en inversa, I
R
(Reverse current): Es habitual que se
exprese para diferentes valores de la tensión inversa
4. Caída de tensión en PD, V
F
(Forward Voltage): Pese a que se ha
señalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en muchas
ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de
tensión, mediante la gráfica I-V del dispositivo.
Además, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca
del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.
En el Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a
modo de ejemplo.


1.2 Semiconductores contaminados y unión PN.
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable
cuando se introducen cantidades pequeñas de impurezas específicas en el cristal.
Este procedimiento se llama dopado. Si las sustancias contaminantes tienen
electrones libres extra, se conoce como donador, y el semiconductor contaminado
es de tipo n. Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores
minoritarios son huecos, pues existen más electrones que huecos. Si la sustancia
contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y el
semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos
y los minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen como
semiconductores extrínsecos, mientras que las sustancias puras son materiales
intrínsecos.
2.3 Diodo de unión PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales
semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el
resto del circuito. En la Figura 1.2: se presenta el esquema de los dos tipos de
diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.


Figura 1.2: Esquemas de diodos de unión PN.

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas
desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal.
En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los
diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento
eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.
2.3.1 Formación de la unión PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos
zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 1.3). La zona P tiene un exceso de
huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por
ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de
átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de
signo contrario, aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior
(portadores minoritarios).


Figura 1.3: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN.

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por
cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni
campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente
concentración de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusión. Como se
recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay más a donde
hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las
dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
- Electrones de la zona N pasan a la zona P.
- Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la
región de la zona P cercana a la unión:
1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una
carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era
nula.
2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la
zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de
carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 1.4).

Figura 1.4: Formación de la unión PN.

La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo
eléctrico desde la zona N a la zona P. Este campo eléctrico se opone al
movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más
cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico
se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento está ya formado el
diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:
- Zona P, semiconductora, con una resistencia R
P
.
- Zona N, semiconductora, con una resistencia .
- Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no
posee portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien
entre los extremos actúa una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el
momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún
aporte de energía, excepto el de la agitación térmica.
2.3.2 Polarización directa
El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 1.5) en principio no permite
el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la
zona de deplección no es conductora.

Figura 1.5: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera.

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo
eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento
de la zona de deplección (Figura 1.6). Sin embargo, mientras ésta exista no será
posible la conducción.



Figura 1.6: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera.

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y
el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente
(Figura 1.6):
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona
P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de
cargas móviles la zona de deplección.
La tensión aplicada se emplea en:
- Vencer la barrera de potencial.
- Mover los portadores de carga.
2.3.3 Polarización inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N
y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.
Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la
zona de deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula (Figura 1.7). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores
minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los
minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores
minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en
polarización directa para los mismos niveles de tensión.


Figura 1.7: Diodo PN polarizado en inversa.


Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de
la zona de deplección, al igual que sucede en un material aislante: el campo
eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces
covalentes entre los átomos de silicio, originando un proceso de rotura por
avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destrucción
del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles
admisibles).


Modelos del diodo de unión PN
A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para
el funcionamiento de un diodo de unión PN.

Modelos para señales continuas
Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales
constantes en el tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.

Modelo DC del diodo real
El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente
expresión:

En donde:
- n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.
Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la
magnitud de la corriente directa y del valor de I
S
.
- V
T
, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de
Boltzmann (K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo
T(K). La siguiente expresión permite el cálculo de V
T
:
Con y .
El potencial térmico a temperatura ambiente, T=25ºC, es V
T
=25.71mV.
- R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es
la tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que
circula por el componente y V la tensión entre terminales externos.
- I
S
, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 1.8:


Figura 1.8: Representación gráfica del modelo del diodo real.
Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en
inversa.
El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que
incluyan efectos no contemplados en la teoría básica. Por ejemplo, algunos
modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta
quince parámetros. Sin embargo, a la hora de realizar cálculos sobre el papel
resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para
obtener soluciones de modo más simple.
2.3.3.1 Modelo ideal del diodo de unión PN.
El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes
simplificaciones:
- Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.
- Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por
lo tanto, la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la
caída de tensión en la unión PN.

Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la
unidad. Entonces la intensidad tiende al valor I
S
, que como ya se había indicado
anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece
rápidamente por encima de la unidad.
2.3.3.2 Modelo lineal por tramos
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su
carácter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación
del modelo ideal del diodo de unión PN, considerando las siguientes
simplificaciones:
- En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
- En directa, la caída de tensión en la unión PN (V
ON
) es constante e
independiente de la intensidad que circule por el diodo.
Para calcular el valor de V
ON
se considera un diodo de unión PN de silicio con una
I
S
= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC. El potencial térmico a esa
temperatura es V
T
=25.7 mV. Tomando como variable independiente la intensidad
I, la ecuación ideal del diodo queda:


A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para
las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos. Por ejemplo,
para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <V
DIODO
<
0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 órdenes
de magnitud, la tensión apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo
que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante
de 0.7 V.

Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que
complican los cálculos en la resolución del circuito. Sin embargo, se divide el
modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y
conducción), cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo
queda convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado Modelo Condición
Conducción


Corte



La Figura 1.9 muestra la curva característica V-I del modelo lineal


Figura 1.9: Modelo lineal por tramos del diodo.

En la Figura 9, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:
- Conducción o Polarización Directa "On", donde la tensión es V
ON
para
cualquier valor de la corriente.
- Corte o Polarización Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier
valor de tensión menor que V
ON
.
El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se
requiere una gran exactitud en los cálculos.
Cuando a un material se le agregan impurezas para provocar un déficit de
electrones.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. Si a la estructura del
semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el arsénico
(As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5,
se obtiene una forma distinta. Ahora, bien para aumentar la conducción de
cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o
"envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la
cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la
conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)
El dopado del cristal es realizado con átomos trivalentes (con tres electrones en su
última órbita) o pentavalentes (con cinco). Esta elección no es resultado de un
proceso azaroso sino que uno u otro tipo de átomo aumentará a su vez la
presencia de uno u otro tipo de portador. ¿Cómo es esto?: el silicio, como ya se ha
dicho, tiene cuatro electrones en su última órbita que se combinan a su vez con
otros átomos para formar un cristal. Al introducir un átomo penta o trivalente en
dicho cristal, se provocará un aumento o un defecto de electrones que hará
aumentar la cantidad portadores. Si se introduce un átomo pentavalente (P, Sb,
As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirán a cuatro electrones de
los átomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de
ninguna unión, por lo que está débilmente ligado al átomo: este electrón libre,
requerirá muy poca energía para "saltar" a la banda de conducción. La energía
térmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar
átomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conducción, es decir,
agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados átomos pentavalentes se ubican en un nivel
de energía mucho más cercano a la banda de conducción que la banda de
valencia, denominado "nivel donador" este nivel se ubica a una distancia,
energéticamente hablando, de 0,05 electrón-volt, mientras que la distancia entre
las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con átomos trivalentes (como el boro,
el Aluminio, el Galio, etc.), esto provocará un exceso de electrones en el cristal, ya
tres de los cuatro electrones de la última órbita del Silicio se combinan con los tres
electrones del anterior átomo. Esto trae como consecuencia la generación de un
espacio sin electrones, que tendrá carga positiva, es decir, esto generará un
hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a través del dopado, la
cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se
le denomina extrínseco, ya que fue modificado por elementos exteriores.



1.3 Curva característica y especificaciones.
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica
tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la
corriente es de A a K.

Figura 1.10: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.
2.3.4 Característica tensión-corriente
La Figura 1.11 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo
real.


Figura 1.11: Característica V-I de un diodo de unión PN.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de
funcionamiento explicadas en el apartado anterior:
- Región de conducción en polarización directa (PD).
o Región de corte en polarización inversa (PI).
o Región de conducción en polarización inversa.
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se
alcanza la tensión de barrera (V
ON
). El paso de conducción a corte no es
instantáneo: a partir de V
ON
la resistencia que ofrece el componente al paso de la
corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las
resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión
aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, V
ON
se sitúa en torno a
0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho
menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa,
hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.
2.3.5 Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal
Las principales diferencias entre el comportamiento real e ideal son:
1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.
2. La tensión para la que comienza la conducción es V
ON
.
3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en conducción por
avalancha.
En la Figura 1.12 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los
comportamientos del diodo de unión PN e ideal.


Figura 1.12: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del
diodo ideal.



1.4 Circuitos rectificadores.

Rectificación de media onda

La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece
en la figura 1.13. (En este caso utilizaremos el modelo ideal).


Figura 1.13. Rectificador de media onda.

A través de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 1.13, el valor
promedio es cero. El circuito rectificador de media onda que se muestra en la
figura 1.13 generará una forma de onda vo, la cual tendrá un valor promedio de
uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. Cuando un diodo es usado
para el proceso de rectificación, es común que se le llame rectificados. Sus
valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho más altos que
los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras o
sistemas de comunicación.

Durante el intervalo t=0 => T/2, la polaridad del voltaje aplicado vi es como para
establecer "presión" en la dirección que se indica, y encender el diodo con la
polaridad indicada arriba del diodo.
Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un
nivel dc se le llama rectificación de media onda.

El efecto del uso de un diodo de silicio con VT = 0.7 V se señala en la siguiente
figura par región de polarización directa. La señal aplicada debe ser ahora de por
lo menos 0.7 antes de que el diodo pueda "encender". Para los niveles de vi
menores de 0.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y v0 = 0 V, como
indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v0 y vi se encuentra
en un nivel fijo de VT = 0.7 V y v0 = vi - VT, según se indica en la figura. El efecto
neto es una reducción en el área arriba del eje, la cual reduce de manera natural
el nivel resultante de voltaje dc.

Rectificación de onda completa

Puente de diodos
El nivel de CD que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al
100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa. La red
más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 1.14 con sus cuatro
diodos en una configuración en forma de puente durante el periodo t = 0 a T/2 la
polaridad de la entrada se muestra en la figura 1.15 para mostrar que D2 y D3
están conduciendo, en tanto que D1 y D4 se hallan en estado "apagado". El
resultado neto es la configuración de la figura 1.16, con su corriente y polaridad
indicadas a través de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga
vo = vi, según se muestra en la misma figura.



Figura 1.14. Puente rectificador de onda completa.



Figura 1.15. Rectificador de onda completa para el periodo 0? T/ 2 de voltaje de
entrada vi.



Figura 1.16. Trayectoria de conducción para la región positiva de vi.







Figura 1.17: Tensiones en el rectificador de onda completa.

Si ahora se filtrara esta señal mediante un condensador, mejoraría su rizado.

Rectificación con condensador

En la Figura 1.18 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la
rectificación. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la
carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación.

Figura 1.18: Esquema de rectificador con condensador.

La corriente no puede circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido
de circulación, con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión V
M
.
La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador:

Figura 1.19: Funcionamiento del condensador.

Figura 1.20: Tensiones en el circuito de la Figura 1.18.

Funcionamiento en carga:
El funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga R
L
al
dispositivo objeto de estudio.
Figura 1.21: Dispositivo en carga.
El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de
R
L
. De este modo, se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga.
Volviendo al circuito original. D estará en corte mientras V
B
sea menor que V
A
. Por
lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (V
B
=V
A
), repitiéndose a partir
de aquí toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 1.22.


Figura 1.22: Tensiones en el circuito de la Figura 1.21.

Tal como se aprecia en la figura 1.22, el rizado obtenido es menor que el del
esquema anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a
través de la resistencia. Como se recordará, cuanto mayor sea el valor de C,
mayor será el tiempo que necesita para descargarse, y menor el rizado. Como
contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para
cargarse durante el tiempo de conducción de D.





1.5 Circuitos limitadores de nivel.

Reciben este nombre debido a que limitan el nivel de amplitud de una señal a un
valor predeterminado.

Limitador positivo

La forma de un limitador positivo es la siguiente:


Figura 1.23

Se tomo RL >> R para que en el semiciclo negativo vaya todo a la salida.


Figura 1.24

Recorta los semiciclos positivos, limita o recorta. Si se usa la 2ª aproximación:



Figura 1.25

No recorta de forma perfecta por no ser ideal el diodo.


Limitador positivo polarizado
Es como el anterior pero con una pila.

Figura 1.26

Limitador negativo

La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de dirección del diodo.

Figura 1.27

Para explicar el comportamiento del limitador negativo se analizara un limitador
doble, que esta compuesto por un limitador polarizado positivo y otro limitador
polarizado negativo.

Figura 1.28: Análisis del limitador doble.

Figura 1.29: Forma de onda del limitador doble.

Esto era para RL >> R. Si no se cumpliera esto no sería una senoidal cuando no
conducen los diodos.

Es un circuito recortador (limitador), es un circuito limitador positivo polarizado y
limitador negativo polarizado.

Transformar una Senoidal a Cuadrada; si se mete una onda de pico muy grande a
la entrada, aparece una onda prácticamente cuadrada a la salida, que aunque no
sea tan parecida se toma como si fuese una onda cuadrada (es imposible hacer
una onda cuadrada perfecta). Se puede aprovechar esto para electrónica digital.




Figura 1.30: Onda cuadrada.




Aplicación: Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y
nosotros queremos transmitir esa onda a la carga, podemos estropear la carga si
conectamos directamente la carga a ese circuito.


Figura 1.31

Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que
no se estropee la carga. Es para protección de la carga (se puede limitar la parte
positiva, la negativa o las dos dependiendo del limitador que se utilice).


Figura 1.32: Aplicación del limitador al circuito de la figura 1.31.

1.6 Diodo Zener

El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en
particular, en la zona del punto de ruptura de su característica inversa.
Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo,
se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actúa como un diodo
normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.

Figura 1.33: El diodo zener.
De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado
para trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo). Es importante
mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula
variando los niveles de dopado. Un incremento en el número de impurezas
agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.

Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -
200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo
el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un
"switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de
voltaje o en fuentes.

Efecto zener

El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan,
debido a la característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos
que causan la rotura de los enlaces entre los átomos dejando así electrones libres
capaces de establecer la conducción. Su característica es tal que una vez
alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la corriente a su
través un determinado valor mínimo, la tensión en bornes del diodo se mantiene
constante e independiente de la corriente que circula por él.

En el circuito que se muestra en la figura 1.34, se desea proteger la carga contra
sobre voltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se
elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el
voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera.


Figura 1.34: Ejemplo de aplicación de un zener

De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes
rasgos es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua
(tensión de codo). En la zona de disrupción, entre la tensión de codo y la tensión
zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la
zona de disrupción se puede considerar como un generador de tensión de valor
Vf= -Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona
de disrupción o ruptura.
Podemos distinguir:

- Vz nom, Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el zener).

- Iz min.: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de
la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupción
(Vz min.).

- Iz máx.: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de
la cual el dispositivo se destruye (Vz máx.).

- Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom e Iz máx.

Las curvas características de este tipo de diodo son:


Figura 1.35

Zeners reales contra ideales

Si un diodo Zener se comportara “perfectamente” el voltaje a través de él sería el
voltaje Zener, sin importar cuantos amperios fluyesen a través del diodo. Esto está
ilustrado por la curva verde en el grafico inferior. Desgraciadamente, el voltaje
Zener crece con corrientes grandes como se muestra abajo en la curva roja. Nota
que cuando el diodo Zener está conectado al revés actúa como un diodo normal
de silicio conectado correctamente. La conducción comienza a aproximadamente
0,6 voltios. Los Zeners reales se ven como diodos de silicio normales
correctamente polarizados. Lo que se llama conducción “directa” para un diodo es
llamada conducción “inversa” para un Zener.



Figura 1.36: Zener real e ideal.



Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas
por el fabricante):

- Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente
inversa mayor o igual a Iz min.
- La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz
máx.
- La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del
orden del doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito.

Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:

- Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión zener.- Es la
tensión que el zener va a mantener constante.

- Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en
sus bornes.

- Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos
indica el máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.


Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante
la tensión en sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la
corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor
mínimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener máxima
que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.


1.7 Regulación con diodo Zener

Un regulador de tensión se utiliza para obtener una tensión continua eliminando
las fluctuaciones que pueda producir tanto la tensión de línea como las cargas
variables.

La regulación de línea es la medida de cuánto cambia la tensión en la carga
cuando va cambiando la tensión de la fuente primaria.

Regulación de línea = AV carga / AV fuete x100

La regulación a plena carga es una medida del cambio de la tensión de la carga a
medida que cambia la corriente en la carga.

Idealmente, la regulación a plena carga y de línea deberían ser cero para la
mayoría de las aplicaciones.

Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a
él consume más corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el
rectificador y el condensador de filtro, en los adaptadores AC-DC y en las baterías.
Un voltaje regulado mantiene su valor constante aunque aumente o disminuya el
consumo de corriente.

Problemas que podemos tener:

RL variable (variaciones de carga).

Variaciones de tensión de red (variaciones de red).

Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre
dos valores y como nuestro objetivo es obtener una tensión constante a la salida
tendremos que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de
tensión basado en el diodo zener.

Figura 1.37: Circuito con regulador.

El circuito regulador con zener proporciona una tensión de salida casi constante a
partir de una fuente variable.

Regulador de tensión en vacío (sin carga)


Figura 1.38: Regulador de tensión en vacío.
Vs estará entre un mínimo y un máximo, y el regulador tiene que funcionar bien
entre esos 2 valores (Vs máx. y Vs mín.). En este caso Vs lo pondremos como una
pila variable.

Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de
ruptura.

Figura 1.39

Para que esté en ruptura se tiene que cumplir:

Regulador de tensión con carga

Figura 1.40: Regulador de tensión con carga.

Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de Thevenin
desde las bornes de la tensión VZ:

Figura 1.41: Análisis del regulador con carga.

El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensión
sobrante. Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente:

Figura 1.42: Forma de onda.

Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado". Si se requiere
disminuir más el rizado se pondría otro regulador que disminuiría más el rizado
pico a pico:

Figura 1.43: Circuito con doble regulador.
UNIDAD II

TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN

2.1 Uniones NPN, PNP.

2.2 Curvas característica y especificaciones.

2.3 Configuraciones de los transistores y circuitos de
polarización.

2.4 El transistor como amplificador.

2.5 Amplificadores en cascada.


























TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN

La mayoría de nosotros tiene que ver con algo con los productos electrónicos de
un modo rutinario y tiene cierta experiencia con las computadoras personales. Un
componente básico de los circuitos integrados que se encuentran en estos
productos electrónicos y en las computadoras es el dispositivo activo de tres
terminales que se conoce como transistor. Entender este componente es esencial
antes de que un ingeniero pueda iniciar el diseño de un circuito electrónico. La
figura representa varios tipos de transistores que se consiguen
comercialmente .Hay dos tipos básicos de transistores: transistores de unión
bipolar (BJT) y transistores de efecto de campo (FET).Aquí solamente
consideraremos al BJT que fue el primero de los dos y continúa utilizándose en la
actualidad. Nuestro objetivo es presentar al BJT, a fin de que nos permita aplicar
las técnicas para analizar los circuitos transistorizados.
















2.1 Uniones NPN, PNP

En 1948, los laboratorios Bell desarrollaron un dispositivo semiconductor con tres
secciones de materiales semiconductores (una configuración NPN y PNP); nos
referimos al transistor. Cada transistor cuenta con dos secciones de material N
separadas por una sección de material P; en tanto, cada transistor PNP cuenta
con dos secciones de material P y una sección de material N. El nombre de
transistor se deriva de la transferencia de resistencia. En su momento, este
dispositivo fue el reemplazado directo de la válvula tríodo, que durante esa época
dominaba el mundo. Por motivos de claridad, basaremos nuestra explicación en
transistores de tipo NPN. Al igual que el diodo el transistor requiere ser polarizado
para que realice la función en la que será empleado, para ello se coloca una
fuente de alimentación (una batería) entre el colector y el emisor , de tal manera
que el polo negativo de la fuente quede conectado al emisor del transistor. En la
construcción interna de un transistor, existe una tercer zona llamada base; ésta
separa al colector del emisor, mientras que no exista una polarización en la base,
el circuito descrito se mantendrá en un estado de no conducción; esto se debe a
que la barreras de potencial de las uniones se hacen tan grandes que no permiten
el paso de electrones a través de ellas.


Figura 2.1: Uniones PNP y NPN.
Si se aplica un voltaje positivo entre la base y el emisor, se fomentara la
producción de portadores mayoritarios: es decir, huecos que pueden servir de
transporte a los electrones que se encuentran en el emisor. Esto genera el paso
de la corriente eléctrica desde el emisor a través de la base, saliendo por la
terminal externa del colector; de esta forma se reduce la resistencia de las
barreras de potencial. Mientras se mantenga el voltaje aplicado en la base, por el
contrario se aplica un voltaje negativo no se generan portadores mayoritarios;
entonces la corriente eléctrica del transistor se interrumpirá, y las barreras de
potencial en las uniones se harán mas grandes.

Ahora ya sabemos que la corriente a través de un transistor puede ser controlada
mediante la aplicación de un voltaje positivo o negativo en la base del mismo.
Existe una característica que hace a los transistores especialmente útiles, sobre
todo en los que se refiere a la aplicación de señales electrónicas: El flujo de
corriente eléctrica que circula entre el emisor y el colector, puede ser de valores
que oscilan entre un rango de los miliampers hasta los amperes (una corriente
muy grande), pero para controlar el flujo de corriente entre el emisor y el colector
se requiere de corrientes del orden de los microampers.
El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

Figura 2.2

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es
el "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy
baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque también
podría ser un pnp.

En principio es similar a dos diodos:
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman
uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos
son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de
colector" (el de la derecha en este caso).

Figura 2.3

Antes y después de la difusión:
Vamos a hacer un estudio del transistor npn, primeramente cuando está sin
polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión" (como un gas
en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden,
encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las
zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

Figura 2.4

Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una
barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unión E-B
(WE) y otra en la unión C-B.


2.2 Curvas características y especificaciones

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de
base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el
fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector
dada (Ic); además de esto, suele presentar una variación acusada con la
temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no
podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este
parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una
indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de
corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el
circuito.

2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar
como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación
(potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que
lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).

4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.



Figura 2.5: Curvas características del BJT.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y
corrientes son opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:

1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

Curvas ganancia - corriente de colector

Figura 2.6: Transistor BUD600

Nos muestra la variación de la ganancia de corriente continua hFE con la corriente
de colector IC y con la temperatura.
Podemos apreciar que a una temperatura fija, la ganancia crece hasta un máximo
cuando la corriente de colector aumenta. Si esta corriente continúa aumentando,
la ganancia comienza a disminuir.
Por otro lado, también se observa que al aumentar la temperatura, aumenta la
ganancia para una corriente de colector dada.

Curvas características de entrada

Figura 2.7: Transistor BU1506DX

Relaciona la intensidad de base con la tensión base-emisor.
En ella podemos ver la característica de entrada que nos da el fabricante, para
temperaturas de 25 a 125ºC del encapsulado y para distintas corrientes de
colector. Así, cuando la temperatura de la cápsula vale 25ºC, observamos que
para una variación pequeña de VBE, tenemos una variación de IB mayor.

Curvas características de salida

Figura 2.8: Transistor BUD600

Relacionan la intensidad de colector y la tensión colector-emisor para una
intensidad de base constante.
En este caso no se limitan las curvas con la curva de máxima disipación de
potencia (en algunas hojas vienen limitadas), así que hay que tenerlo muy en
cuenta a la hora de realizar los cálculos, ya que no se debe trabajar por encima de
dicha curva.

Curvas características de transferencia

Figura 2.9: Transistor NZT44H8

Relacionan la intensidad de colector con la tensión base-emisor, para una tensión
constante de VCE, en este caso de 5V.
En esta gráfica, vemos como la relación IC-VBE es mucho más lineal a 25ºC que
a 125ºC, queriéndonos decir el fabricante que a altas temperaturas nos
encontramos con una distorsión considerable, consecuencia directa de la
alinealidad del transistor.

Curvas VCEsat / IC

Figura 2.10: Transistor BU1506DX
Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de
colector. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la
cápsula y la ganancia de corriente en continua (IC/IB).
Como podemos apreciar, para mayor temperatura habrá mayores valores de
tensión e intensidad.





















2.3 Configuraciones de los transistores y circuitos de polarización

Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 2.11 las
terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B
para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación
cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de
transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse
a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los
huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco),
entonces se considera un dispositivo unipolar.




a) b)
Figura 2.11: Tipos de transistores: a) pnp; b) npn.



Operación de Transistores

Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la
figura 2.11a. La operación del transistor npn es exactamente la misma que si
intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. En la figura 2.12
se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector. El espesor
de la región de agotamiento se redujo debido a al polarización aplicada, lo que da
por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el
material tipo p hacia el tipo n.

Figura 2.12: Unión con polarización directa de un transistor pnp.

Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura
2.11a, según se muestra en la figura 2.13.
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra
tiene polarización inversa.

Ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo
resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las
regiones de agotamiento, que indican con claridad cuál unión tiene polarización
directa y cuál polarización inversa. Habrá una gran difusión de portadores
mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo
n. Así, la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a
la corriente de base IB o si pasarán directamente al material tipo p. Debido a que
material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un número
muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia
la terminal de la base.

La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del
colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través
de la unión con polarización inversa, hacia el material tipo p conectado a la
terminal del colector. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores
mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá
con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa, los
portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores con polarización
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
minoritarios en el material tipo n.

En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material
de la región de la base tipo n. A la combinación de esto con el hecho de que todos
los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con
polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo.

Figura 2.13: Unión con polarización inversa de un transistor pnp.

Configuración de Base Común

Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología
de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal
más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este
libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional
(huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la
flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo.

Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, como los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos
de características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el
otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base
común relacionará la corriente de entrada (IE). El conjunto de características de la
salida o colector tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa, de corte
y de saturación. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores
lineales (sin distorsión). En particular:

En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que
la unión emisor - base se polariza directamente.

La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 2.14.
En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero;
esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación
inversa ICO, como lo señala la figura 2.15.

La corriente ICO real es tan pequeña (micro amperes) en magnitud si se compara
con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE
= 0 para la configuración de base común se muestra en la figura 2.16. La notación
que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de
especificaciones es, como se indica en la figura 2.16, ICBO.

Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los
transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de
potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto.
Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is, para el
diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A
mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor
importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de
un transistor tienen polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en
polarización directa.

a) b)
Figura 2.14: Símbolos utilizados con la configuración común: a) transistor pnp; b)
transistor npn.


Figura 2.15: Características de salida o colector para un amplificador a transistor
de base común.


Figura 2.16: Corriente de saturación inversa.

Configuración de Emisor Común

La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la
figura 2.17 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuración de
emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales
tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de
base como a la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de
características para describir por completo el comportamiento de la configuración
de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el
circuito de salida o colector-emisor.
En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se
encuentra polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se
encuentra polarizada directamente.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la
configuración de emisor común se definirá mediante IC = ICEO.



a) b)
Figura 2.17: símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a)
transistor npn; b) transistor pnp.

Configuración de Colector Común

La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de
base común y de un emisor común.

La figura 2.18 muestra una configuración de circuito de colector común con la
resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera
similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista de diseño, no
se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los
parámetros del circuito de la figura 2.18. Puede diseñarse utilizando las
características de salida para la configuración de colector común son la mismas
que para la configuración de emisor común.

Figura 2.18: Configuración de colector común utilizado para propósitos de
acoplamiento de impedancia.

Polarización

La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente
empleando la aproximación IC ð IE y suponiendo por el momento que IB ð 0 μA. El
resultado es la configuración de la figura 2.19 para el transistor pnp. La flecha del
símbolo define la dirección del flujo convencional para IC ð IE. Las alimentaciones
de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendrá la dirección de la
comente resultante. En el transistor npn las polaridades estarán invertidas.

Figura 2.19


2.4 El transistor como amplificador.

Supongamos un transistor pnp conectado, tal como se muestra en la ¡Error! No
se encuentra el origen de la referencia.2.20. Como ya hemos visto, el número
de huecos que atraviesan la base vendrá dado fundamentalmente por la facilidad
que tengan estos huecos de atravesar la unión emisor–base. Esta barrera está
controlada por la tensión emisor–base, V
EB
, siendo, por tanto, éste el único
parámetro externo que controla el valor de la corriente de huecos que atraviesa el
transistor. Por ello, la intensidad de colector, I
C
, está gobernada por V
EB
.



I
E

I
B

P
Emisor
I
C

N
Base
P
Colector
R
L


Figura 2.20: El transistor como amplificador

Si conectamos a la salida del colector una resistencia R
L
, la diferencia de potencial
entre los terminales de esta resistencia será: V
AD
= R
L
I
C
. Dado que la resistencia
R
L
es constante, cualquier variación de la intensidad de colector afectará a V
AD

según la relación:
AV
AD
= R
L
AI
C


El valor de la intensidad de colector, así como el de su variación, dependen del
valor de la tensión emisor–base y de cómo varíe ésta. La relación entre ambos
viene dada por la expresión
A(-I
C
) = g
m
AV
EB


Siendo g
m
un parámetro denominado transconductancia y que depende del punto
de funcionamiento del transistor. Entonces, la variación de la tensión entre los
terminales de la resistencia será:

AV
AD
= R
L
g
m
AV
EB


Para un mismo incremento de la tensión emisor–base, el valor de la tensión en
bornes de la resistencia dependerá de R
L
. Cuanto mayor sea R
L
mayor será AV
AD
,
pudiéndose obtener grandes aumentos de tensión respecto a la tensión aplicada
V
EB
.

Se denomina “factor de ganancia” a la relación existente entre la variación de la
tensión a la salida y a la entrada del circuito. En nuestro caso:

m L
EB
AD
g R
V
V
=
A
A


Entonces si, por ejemplo, introducimos una señal senoidal superpuesta a VED,
podremos obtener entre los terminales A y D una señal senoidal mucho mayor
superpuesta a la tensión VAD. Habremos obtenido una amplificación de la señal
introducida.


Figura 2.21: Características del punto de entrada o manejo para un amplificador a
transistor de silicio de base común.

Se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel
superficial utilizando la red de la figura 2.22. La polaridad de corriente directa no
aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en
corriente alterna. Para la configuración de base común, la resistencia de corriente
alterna de entrada determinada por las características de la figura 2.21 es muy
pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100 . La resistencia de salida, según se
determinó en las curvas de la figura 2.15 es muy alta (mientras más horizontales
sean las curvas, mayor será la resistencia) y suele variar entre 50 k y 1 M . La
diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la
entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (base-
colector). Utilizando un valor común de 20 para la resistencia de entrada, se
encuentra que:



Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 = 10 mA

IL = Ii +10 mA

VL = ILR

= (10 mA) (5 k )

= 50 V
Figura 2.22: Acción básica de amplificador
de voltaje de la configuración base común.
AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250

Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base
común varían entre 50 y 300. La amplificación de corriente (IC / IE) es siempre
menor que 1 para la configuración de la base común.

La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una
corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta.
Transferencia + Resistor ==> Transistor


2.5 Amplificadores en cascada

Cuando vamos a trabajar un sistema de amplificación este esta conformando
varias etapas que contribuyen a que al final tengamos el resultado deseado.


Figura 2.23: Diagrama en bloques sistema en cascada.

Supongamos que cada bloque es una configuración de un amplificador de las que
hemos estudiado.
Sabemos que Av= ganancia de voltaje de un amplificador es la relación entre el
voltaje de salida y el voltaje de entrada.
i
o
V
V
Av =

Entonces Donde:

i
V
V
Av
1
1
=

i
V Av V *
1 1
=

1
2
2
V
V
Av =

i
V Av Av V Av V * * *
1 2 1 2 2
= =


2
3
V
V
Av
o
=

3 1 2 2 3
* * * * Av V Av Av V Av V
i o
= =


Por tanto:
3 2 1
* * Av Av Av Av
V
V
T
i
o
= =


Lo que indica que la ganancia de un sistema en cascada es la multiplicación de
cada una de las ganancias de cada amplificador y la impedancia de entrada del
sistema será la Zi de la primera etapa y la de salida la de la ultima etapa.
Calculada como se realizo en las diferentes configuraciones anteriores. Para
acoplar las diferentes etapas de un sistema en cascada podemos realizar
diferentes acoples tales como:

Acople Directo

La señal de un amplificador se conecta directamente a la entrada del otro, esto
ocasiona que los niveles DC de la etapa anterior se sobrepongan sobre la
siguiente etapa, moviendo el punto de trabajo, para compensar los niveles DC
que vienen de las otras etapas se deben trabajar con diferentes fuentes de voltaje
DC.

Este tipo de acople tiene una buena respuesta en frecuencia ya que no existen
elementos sensibles a la frecuencia que afecten la respuesta de la señal en baja
frecuencia, es usado generalmente en el diseño de circuitos integrados.

Figura 2.24: Ejemplo de acople directo.


Acople por Condensador

Es el más utilizado y permite en una forma sencilla desacoplar niveles DC de la
etapa anterior. El condensador es el elemento que permite que pase la señal
alterna y bloquea la señal directa DC. Para que este elemento no afecte el circuito
se desea que el condensador se comporte como un corto circuito para todas las
frecuencias de trabajo.



Figura 2.25: Ejemplo de acople por condensador.

Acople por transformador

Es usado para trabajar a altas frecuencias tiene como desventaja que los
transformadores son mas costosos que los condensadores. Son usados para
aumentar la ganancia de voltaje o corriente.

Ejemplos:
- En la etapa de salida de un amplificador el transformador se puede usar
para aumentar ganancia de corriente.
- Se puede conectar para resonar a cierta frecuencia convirtiéndose en un
filtro, este método es usado en televisión y radio.
- Usado para acoplar la ultima etapa de un amplificador a la carga.


Figura 2.26: Ejemplo de acople por transformador.

Acople Óptico

Dispositivos ópticos como:

Dispositivos emisores y receptores de luz, detectores y emisores para fibra óptica,
aisladores y acopladores que transmiten señales eléctricas si conexiones.
Usado principalmente para aislar señales.

Conexión Darlington

Conexión especial que hace que el transistor opere como un transistor con un
súper
|
.





1
|





2 |



2 1
*| | | =
D

Figura 2.27: Conexión Darlington.

El transistor compuesto actúa como un solo transistor con una ganancia de
corriente que es el producto de las dos ganancias.

Este tipo de configuración ya viene encapsulada en una solo. Y la hoja de
características brinda hfe, VBE, ICmax entre otras.

Se caracterizan por tener una alta impedancia de entrada, baja impedancia de
salida y alta ganancia de corriente.
















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UNIDAD III




AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS DE TIEMPO



3.1 CONSTRUCCIÓN Y TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS



3.2ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES



3.3 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AMPLIFICADORES
OPERACIONALES



3.4 MULTIVIBRADORES



3.5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS CIRCUITOS
TEMPORIZADORES INTEGRADOS



3.6CIRCUITOS DE TIEMPO
















UNIDAD III


AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS DE
TIEMPO

La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido
crecimiento de la electrónica moderna. Con estos dispositivos se hizo posible la
manipulación de señales, algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos
telegráficos y telefónicos, ni con los primeros transmisores que utilizaban chispas
de alta tensión para generar ondas de radio. Por ejemplo, con los tubos de vacío
pudieron amplificarse las señales de radio y de sonido débiles, y además podían
superponerse señales de sonido a las ondas de radio. El desarrollo de una amplia
variedad de tubos, diseñados para funciones especializadas, posibilitó el rápido
avance de la tecnología de comunicación radial antes de la II Guerra Mundial, y el
desarrollo de las primeras computadoras, durante la guerra y poco después de ella.

Hoy día, el transistor, inventado en 1948, ha reemplazado casi completamente al
tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. Al incorporar un conjunto de
materiales semiconductores y contactos eléctricos, el transistor permite las
mismas funciones que el tubo de vacío, pero con un costo, peso y potencia más
bajos, y una mayor fiabilidad. Los progresos subsiguientes en la tecnología de
semiconductores, atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones
asociadas con la iniciativa de exploración del espacio, llevó al desarrollo, en la
década de 1970, del circuito integrado. Estos dispositivos pueden contener
centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de material, permitiendo
la construcción de circuitos electrónicos complejos, como los de los
microordenadores o microcomputadoras, equipos de sonido y vídeo, y satélites de
comunicaciones.

El primer circuito Integrado fue creado por Jack Kilby en la empresa Texas
Instruments en el año de 1959; poco más de una década después de la invención
del transistor en los laboratorios Bell en 1947.

A partir de 1966 los Circuitos Integrados comenzaron a fabricarse por millones y
en la actualidad se considera una pieza esencial en los aparatos electrónicos.











3.1 CONSTRUCCIÓN Y TIPOS DE CIRCUITOS
INTEGRADOS


QUE SON LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
Un circuito integrado o (ci) es aquel en el cual todos los componentes, incluyendo
transistores, diodos, resistencias, condensadores y alambres de conexión, se
fabrican e interconectan completamente sobre un chip o pastilla semiconductor de
silicio.
Una vez procesado, el chip se encierra en una cápsula plástica o de cerámica que
contiene los pines de conexión a los circuitos externos.
Los chips digitales más pequeños contienen varios componentes sencillos como
compuertas, inversores y flip-tops. Los más grandes contienen circuitos y sistemas
completos como contadores, memorias, microprocesadores, etc. La mayoría de
los circuitos integrados digitales vienen en presentación tipo dip (dual in-line
package) o de doble hilera. Los ci más comunes tipo dip son los de 8, 14, 16,24,
40 y 64 pines.
En la cápsula trae impresa la información respecto al fabricante, la referencia del
dispositivo y la fecha de fabricación.
Además del tipo dip, existen otras presentaciones comunes de los circuitos
integrados digitales como la cápsula metálica, la plana y la " chip carrier". Existen
circuitos integrados que utilizan cápsulas smt o de montaje superficial, smt son
casi 4 veces más pequeñas que los dip.
La tecnología smt (surface-mount technology) es la que ha permitido obtener
calculadoras del tamaño de una tarjeta de crédito.




HISTORIA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.
La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido
crecimiento de la electrónica moderna. Con estos dispositivos se hizo posible la
manipulación de señales, algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos
telegráficos y telefónicos, ni con los primeros transmisores que utilizaban chispas
de alta tensión para generar ondas de radio. Por ejemplo, con los tubos de vacío
pudieron amplificarse las señales de radio y de sonido débiles, y además podían
superponerse señales de sonido a las ondas de radio. El desarrollo de una amplia
variedad de tubos, diseñados para funciones especializadas, posibilitó el rápido
avance de la tecnología de comunicación radial antes de la II Guerra Mundial, y el
desarrollo de las primeras computadoras, durante la guerra y poco después de
ella.
Hoy día, el transistor, inventado en 1948, ha reemplazado casi completamente al
tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. Al incorporar un conjunto de
materiales semiconductores y contactos eléctricos, el transistor permite las
mismas funciones que el tubo de vacío, pero con un costo, peso y potencia más
bajos, y una mayor fiabilidad. Los progresos subsiguientes en la tecnología de
semiconductores, atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones
asociadas con la iniciativa de exploración del espacio, llevó al desarrollo, en la
década de 1970, del circuito integrado. Estos dispositivos pueden contener
centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de material, permitiendo
la construcción de circuitos electrónicos complejos, como los de los
microordenadores o microcomputadoras, equipos de sonido y vídeo, y satélites de
comunicaciones.
El primer circuito Integrado fue creado por Jack Kilby en la empresa Texas
Instruments en el año de 1959; poco más de una década después de la invención
del transistor en los laboratorios Bell en 1947.
A partir de 1966 los Circuitos Integrados comenzaron a fabricarse por millones y
en la actualidad se considera una pieza esencial en los aparatos electrónicos.
En este capitulo se dará a conocer la forma en que los circuitos integrados son
fabricados, así como los materiales de los cuales están constituidos; también
veremos la clasificación de dichos circuitos de acuerdo a su estructura y la
clasificación de acuerdo a su función.







COMO SE FABRICAN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.

Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de pastillas de
silicio. El procesamiento del silicio para obtener CI o chips es relativamente
complicado.
El silicio utilizado para la fabricación de chips es de una pureza de orden del
99.9999999%. Una vez sintetizado, el silicio se funde en una atmósfera inerte y se
cristaliza en forma de barras cilíndricas de hasta 10cm de diámetro y 1 m de largo.
Cada barra se corta en pastillas de 0.25 a 0.50 mm de espesor y las superficies
de estas ultimas se pulen hasta quedar brillantes. Dependiendo de su tamaño, se
obtienen varios cientos de circuitos idénticos (chips) sobre ambas superficies
mediante un proceso llamado planar, el mismo utilizado para producir transistores
en masa.
Para fabricar un chip, las pastillas de silicio se procesan primero para hacer
transistores. Una pastilla de silicio por si misma es aislante y no conduce corriente.
Los transistores se crean agregando impurezas como fósforo o arsénico a
determinadas regiones de la pastilla. Las conexiones se realizan a través de líneas
metálicas.
Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones seleccionadas un
químico protector sensible a la luz llamado photoresist, el cual forma una película
muy delgada sobre la superficie de la pastilla. La pastilla es entonces
bombardeada con luz, mediante un proyector deslizante muy preciso llamado
alineador óptico.
El alineador posee un dispositivo muy pequeño llamado mascara, que evita que
la luz incida sobre puntos específicos de la pastilla, cuando la luz alcanza un área
determinada de la pastilla elimina el photoresist presente en esa zona. A este
proceso se le denomina fotolitografía.
Mediante un proceso de revelado, el químico se deposita en las regiones
descubiertas por la luz e ignora las encubiertas por la mascara. Estas últimas
zonas aun permanecen recubiertas de " photoresist".
La precisión del alineador óptico determina que tan fino puede hacerse un rasto.
A comienzos de los 70´s, era difícil hacer transistores de menos de 10 micras de
tamaño. Ahora, los transistores alcanzan tamaños inferiores a una velocidad de
respuesta de los dispositivos.
A continuación, la pastilla se calienta a altas temperaturas; esto origina que el
silicio no procesado de la superficie se convierta en oxido de silicio (SiO2). El SiO2
se esparce sobre la superficie de la pastilla y forma sobre la misma una delgada
película aislante de unas pocas micras de espesor.
De este modo se obtiene el primer nivel de metalización de chips. Para obtener
una nueva capa de metalización, el SiO2 se trata nuevamente con "photoresist" y
se expone al alineador óptico, repitiéndose el mismo procedimiento seguido con el
silicio del primer nivel.
Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una estructura
parecida a un sándwich, con el SiO2 como el pan y el metal o el silicio dopado
como la salchicha, la mayoría de Circuitos Integrados no se hacen con mas de
tres capas de metalización.
DE QUE ESTÁN HECHOS LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.
Los Circuitos Integrados están hechos por silicio que sirve como base donde se
fabrican transistores, diodos y resistencias. Los circuitos Integrados contienen
cientos de estos componentes distribuidos de manera ordenada; esto se logra por
medio de la técnica llamada fotolitografía la cual permite ordenar miles de
componentes en una pequeña placa de silicio.

CLASIFICACIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE ACUERDO
A SU ESTRUCTURA.
La clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura puede ser
de acuerdo a la cantidad de compuertas utilizadas para implementar la función
propia del chip (llamado Escalas de Integración) como sabemos, las compuertas
son los bloques constructivos básicos de todos los circuitos digitales.
Las escalas de Integración son 4: SSI, MSI, LSI, VLSI; a continuación veremos
cada una de ellas.
SSI.- Significa Small Scale Integration (integración en pequeña escala) y
comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas. Ejemplos:
compuertas y flip flops. Los Circuitos Integrados SSI se fabrican empleando
tecnologías ttl, cmos y ecl. Los primeros Circuitos Integrados eran SI.
MSI.- Significan Médium Scale Integration (integración en mediana escala), y
comprende los chips que contienen de 13 a 100 compuertas. Ejemplos:
codificadores, registros, contadores, multiplexores, de codificadores y de
multiplexores. Los Circuitos Integrados MSI se fabrican empleando tecnologías ttl,
cmos, y ecl.
LSI.- significa Large-Scale Integration (integración en alta escala) y comprende
los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas. Ejemplos: memorias,
unidades aritméticas y lógicas (alu's), microprocesadores de 8 y 16 bits. Los
Circuitos Integrados LSI se fabrican principalmente empleando tecnologías.
VLSI.- Significa Very Large Scale Integration (integración en muy alta escala) y
comprende los chips que contienen más de 1000 compuertas ejemplos: micro-
procesadores de 32 bits, micro-controladores, sistemas de adquisición de datos.
Los Circuitos Integrados VSLI se fabrican también empleando tecnologías ttl,
cmos y pmos.

CLASIFICACIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE ACUERDO
A SU FUNCIÓN.
Los Circuitos Integrados se clasifican en CI analógicos, digitales, de interfase y
de consumo. A continuación veremos cada uno de estos.
Circuitos Integrados Analógicos.
Los Circuitos Integrados analógicos se fabrican usado gran variedad de
tecnologías de semiconductores, como bipolar, efecto de campo, óxidos metálicos
y combinaciones de estas tres. En la mayoría de los casos el usuario no esta
interesado en este aspecto de los Circuitos Integrados, ya que únicamente puede
basar su trabajo en las especificaciones del fabricante. La tecnología empleada en
la fabricación de los Circuitos Integrados digitales es importante para el usuario,
debido a que estos se emplean en “familias lógicas”, con características eléctricas
comunes que garantizan su compatibilidad. Los Circuitos Integrados analógicos se
seleccionan normalmente siguiendo criterios individuales, y solo es importante su
compatibilidad con los requisitos de alimentación. Incluso en este aspecto, la
mayoría de los Circuitos Integrados analógicos están disponibles con amplios
márgenes de alimentación, por lo que su empleo no suele estar condicionado por
su compatibilidad.










3.2ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS
AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Para trabajar con AO reales es necesario tomar en cuenta consideraciones de tipo
práctico pues, aunque el modelo ideal se asemeja bastante al real, éste no se
comporta exactamente igual al ideal. Es importante conocer esta diferencia, ya
que de ello depende el comportamiento final de un circuito diseñado con un AO.
La diferencia más significativa entre el AO ideal y el real es la ganancia de tensión
(en lazo abierto). El AO ideal tiene ganancia infinita, mientras que la del AO real es
finita y además disminuye a medida que aumenta la frecuencia en la cual se está
trabajando. Por lo general la ganancia de tensión se especifica en decíbeles.



EL AO INTEGRADO ( OP AMP IC)
El AO integrado (CI) está constituido básicamente por dos etapas de ganancia de
voltaje (una entrada diferencial y una etapa de emisor común) seguida por una
etapa de salida clase AB de baja impedancia.
Un diagrama simplificado de este circuito integrado es mostrado en la fig. 2.2. Esta
Versión simplificada de un AO integrado es equivalente a un AO de propósito
general, similar al LM101, mA 741, o versiones de AO múltiples. Este circuito
permite entender el funcionamiento interno del CI. Le etapa de entrada
conformada por Q1 y Q2 forman un par diferencial con carga activa
Formada por Q3 y Q4. La salida se toma desde el colector del transistor Q4. Por
otro lado Q10 proporciona una polarización adecuada para el par diferencial.
En la mayoría de los AO, la etapa intermedia (2ª etapa) proporciona una alta
ganancia a través de varios amplificadores, en el circuito de la fig. 2.2, dicha etapa
esta formada por Q5 la cual es un circuito en emisor común que proporciona una
alta impedancia de entrada a la primera etapa (la que atenúa los efectos de
carga). Además, esta etapa tiene un capacitor Cc el cual es utilizado por el AO
para compensación en frecuencia.




CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE LOS AO

Los fabricantes especifican una serie de características eléctricas para los AO,
que permiten determinar tanto los rangos máximos a los cuales pueden ser
sometidos los amplificadores, como también sus características de entrada y
salida.
Relación de rechazo en modo común (CMRR)
Esta es la medida de la habilidad de un AO para rechazar señales en modo
común. Si la misma señal alimenta a la entrada inversora como a la no inversora
de una configuración diferencial, la salida vo debiera ser cero, sin embargo, debido
a la componente en modo común esto no ocurre. La capacidad de atenuar esta
componente es lo que se conoce como CMRR y comúnmente se expresa en
decibeles (dB)



Resistencia de entrada (rin)
Es la resistencia desde un terminal de entrada con la otra entrada puesta a tierra.
La resistencia de entrada de un AO es variable dependiendo del tipo y de su uso.








ENCAPSULADOS Y CÓDIGOS DE IDENTIFICACIÓN N

El AO se fabrica de un pequeño chip de silicio y se encapsula en una caja
adecuada, existen diferentes tipos de encapsulados, los que pueden ser de metal,
plástico o cerámico. La fig. 2.19 muestra los diferentes tipos de encapsulado.




También existen AO encapsulados en componentes más pequeños llamados de
montaje superficial (SMT), en formato PLCC (Plastic Lead Chip Carriers) o "chip
con encapsulado de plástico" indicado en la fig. 2.19c. Los diferentes tipos de
montaje superficial se encuentran indicados en la tabla 2.13.



COMBINACIÓN DE SÍMBOLOS Y TERMINALES

Se puede combinar en un sólo dibujo el símbolo del AO con el encapsulado (fig.
2.20).


La abreviación NC indica que no hay conexión. El componente se mira desde
arriba. En el encapsulado DIP 14 la numeración de los pines es similar al DIP 8,
con la única diferencia enque tiene 7 terminales por lado y no 4.

Códigos De Identificación
Cada tipo de AO tiene un código de identificación de letra y número, el que
permite sabe quien lo fabrica, que tipo de amplificador es, de que calidad es y que
tipo de encapsulado tiene. No todos los fabricantes utilizan el mismo código, pero
la mayoría utiliza un código que consta de cuatro partes escritas en el siguiente
orden:

Número del Circuito: Se compone de tres a siete números y letras que identifican
el tipo de AO y su intervalo de temperatura.



3.3 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS
AMPLIFICADORES

OPERACIONALES


AMPLIFICADOR CLASE A (LINEAL)
En este amplificador, la señal de entrada es reproducida, aumentada en amplitud,
exactamente con la misma forma de onda a la salida. Para ello, el punto de reposo
(Q) se sitúa en el centro de la curva de corriente del colector (Ic), de forma que
tanto la señal de entrada como la señal amplificada de salida trabajan solamente
en la zona lineal de la misma. Ic es siempre saliente (fig.1) Los amplificadores
Clase A se emplean siempre que la forma de onda de salida haya de ser la
misma, con una distorsión mínima, que la de la señal de entrada. Los
amplificadores operacionales y los amplificadores “de pequeña señal”, como por
ejemplo amplificadores de radio frecuencia, amplificadores de frecuencia
intermedia, preamplificadores, etc., son básicamente amplificadores en Clase A.

Figura 1.- Amplificador clase A





AMPLIFICADOR CLASE AB
En este tipo de amplificador el punto de trabajo (Q) se sitúa por debajo del punto
central de la zona lineal de la curva Ic. Como resultado se ello se tiene que una
mitad de la salida será una reproducción lineal de una mitad de la entrada, pero la
segunda mitad de la salida estará parcialmente suprimida. Existen dos versiones
Clase AB1 y Clase AB2. En Clase AB2 el punto Q esta muy cerca del punto de
corte; en Clase AB1 este se sitúa aproximadamente un 20% o 30% por encima del
punto de corte. Ambas versiones de usan en circuitos push-pull minimizándose la
distorsión de cruce mediante, compensación mutua. Los amplificadores Clase AB1
y AB2 son ampliamente utilizados en la excitación de altavoces y motores de
servomecanismos, aplicaciones en las que se requiere una amplificación
sinusoidal lineal con potencias moderadas.
AMPLIFICADOR CLASE B
En este tipo de amplificador, el punto de trabajo (Q) se sitúa exactamente en el
punto de corte de la curva del circuito integrado, teniendo esto como resultado la
amplificación de solo medio ciclo de la señal sinusoidal de entrada. Los
amplificadores Clase B son sistemáticamente empleados en configuraciones
complementarias push-pull. En esta configuración, uno de los amplificadores
trabaja sobre los semiciclos positivos de la señal de entrada, mientras que el otro
lo hace sobre el semiciclo negativo de la señal sinusoidal de entrada. Ampliamente
utilizado como amplificadores de audio, amplificadores para servomecanismos y
aplicaciones similares en las que es esencial una alta linealidad en la seña
sinusoidal de salida, los amplificadores en Clase B gozan de una excelente
eficiencia y un buen comportamiento en lo relativo a la presencia de armónicos de
segundo y tercer orden. Aparece cierta distorsión en el punto de cruce debido a la
ligera linealidad de la curva Ic en este punto. El componente representativo de
estos amplificadores es Fairchild TBA 810S.
AMPLIFICADOR CLASE C.
En los amplificadores Clase C, el punto de trabajo (Q) se sitúa al doble del punto
de corte de la curva Ic. Solo una mitad de un semiciclo de señal sinusoidal es
amplificada a la salida. Los amplificadores Clase C son utilizados usualmente en
osciladores de radio frecuencia y, en algunos casos en transmisores de radio
frecuencia. En estas aplicaciones el efecto del circuito resonante proporciona la
otra mitad del ciclo. Alta eficiencia es la característica esencial para los
amplificadores Clase C en circuitos de radio frecuencia adecuadamente diseñados
y ajustados.
Los parámetros fundamentales son:
a) Ganancia. En la mayoría de las aplicaciones, una ganancia en tensión de 20
es adecuada.
b) Frecuencia. Para aplicaciones como osciladores o amplificadores la salida de
transmisores RF, el límite de frecuencia del dispositivo deberá estar situado al
menos un 10% por encima de la frecuencia de resonancia esperada.
c) Potencia de salida. La potencia de salida puede variar en función con la
frecuencia de trabajo, pero es un criterio básico de diseño.
d) Disipación de potencia. Los amplificadores en Clase C trabajan normalmente
cerca de sus límites especificados para la disipación de potencia, por lo que
resulta critico el acoplo mecánico de sus características técnicas.
AMPLIFICADOR DE CORRIENTE (SEGUIDOR LINEAL).
Los amplificadores de corriente son básicamente amplificadores Clase A que
tienen usualmente una ganancia en tensión de 1 y funcionan efectivamente como
en transformadores de impedancias*. Su característica principal es su capacidad
de manejar importantes corrientes de salida. Algunas veces se denominan
seguidores lineales por similitud con los circuitos seguidores de emisor con
transistores. Los amplificadores de corriente son frecuentemente utilizados,
conjuntamente con amplificadores operacionales, dentro del lazo de
realimentación para proporcionar una corriente de salida adicional.
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Los amplificadores diferenciales tienen dos terminales de entrada, aislados ambos
respecto de masa a través de la misma impedancia como se muestra en la figura
2. Básicamente similar a los amplificadores de tensión Clase A, el amplificador
diferencial amplifica solamente la diferencia de tensión entre sus dos terminales de
entrada. Las señales que aparecen en ambos terminales no son amplificadas,
permitiendo el amplificador diferencial extraer pequeñas señales en presencia de
fuertes interferencias electromagnéticas. Esta capacidad de rechazar señales
comunes a ambos terminales de entrada se especifica en la relación de rechazo al
modo común. El componente representativo es el Sprague ULN-2047.

Figura 2.- Amplificador Diferencial


AMPLIFICADOR DE AISLAMIENTO.
Consistente en varias etapas de amplificación, el amplificador de entrada está,
bien eléctricamente bien ópticamente aislado de la salida (fig.3). El amplificador de
entrada es usualmente de tipo diferencial, modulándose en radio frecuencia su
salida, que se lleva a través de un transformador de RF hasta la segunda etapa,
en la que se remodula y filtra. La fuente de alimentación para la sección del
amplificador de entrada también debe estar aislada de forma que no exista
conexión en bajas frecuencias o en continua entre las secciones de entada y
salida del amplificador. El funcionamiento de los amplificadores por aislamiento
óptico es similar, sustituyéndose en transformador de RF por un opto-acoplador.
Los amplificadores de aislamiento están generalmente encapsulados en una
unidad y se emplean en aquellas aplicaciones que requieren muy bajos niveles de
conducta en continúa o a través de alimentación. Los amplificadores de
aislamiento siempre requieren fuentes de alimentación aisladas así como cables
convenientemente aislados entre la fuente alimentación y el amplificador. En
algunos casos se emplean baterías para evadir el problema de aislamiento de la
fuente de alimentación. El componente representativo es el Análoga Devices
AD293.

.
AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO
Estos dispositivos son amplificadores de potencia de baja frecuencia
(generalmente desde 40Hz a 20.000Hz). Internamente están diseñados como
amplificadores de potencia en clase B y ofrecen una ganancia de potencia
razonable (entre 5 y 10 W típicamente), así como bajos niveles de distorsión. Para
manejar las potencias digitales, la mayoría de los integrados poseen varios
terminales planos y grandes que se conectan a masa y actúan como radiadores
térmicos. Estos integrados ofrecen además funciones adicionales, como por
ejemplo shut-down térmico, protección contra sobre tensiones y compensaciones
en frecuencia. La salida esta diseñada para trabajar sobre bajas impedancias (un
altavoz de 4 ohmios es típico).
Parámetros fundamentales
a) Potencia de salida. Es la potencia de salida especificada del dispositivo. La
potencia se da para una carga y frecuencia especificada. La potencia de salida
disminuye al hacerlo la tensión fuente.
b) Distorsión armónica total. La distorsión armónica total es la distorsión
causada por el funcionamiento a lineal del amplificador. Este parámetro se
expresa como un porcentaje de la salida total, siendo el 0,3 % el valor normal.
c) Consideraciones térmicas. Desde el momento que estos dispositivos están
diseñados para la entrega de una potencia significativa a la carga, los efectos del
calor producido por el integrado son un criterio primario para la construcción y
funcionamiento de los circuitos integrados situados en los alrededores del
amplificador de potencia. Los puntos de atención prioritaria incluyen los detalles
físicos del montaje y los datos de potencia térmica. Los terminales anchos del
integrado se emplean para la conducción del calor fuera del integrado y serán muy
eficaces si se utilizan con propiedad. El fabricante entrega generalmente
información mostrando la disipación de potencia frente a la temperatura indican
como debe reducirse la disipación de potencia al aumentar la temperatura
ambiente. La disipación de potencia especificada para un integrado lo es para
temperatura ambiente (25 grados Celsius).






































3.4 MULTIVIBRADORES

Los multivibradores son en realidad osciladores, pero su forma de onda es una
señal senoidal, sino que generan una onda cuadrada.
Existen dos clases de multivibradores:
-De funcionamiento continuo, también llamados libres, recurrentes o estables,
mucho más conocidos por éste último nombre, que generan ondas sin la
necesidad de más excitación exterior que la propia fuente de alimentación.
-De funcionamiento excitado, que requieren una tensión exterior de disparo o de
excitación para salir de unas condiciones estáticas o de reposo.
MULTIVIBRADOR ESTABLE.
Un multivibrador estable es un oscilador de relajación; su frecuencia de salida
depende de la carga y descarga de condensadores. Estas cargas y descargas son
provocadas por la conmutación de sendos transistores.
Si dividimos un multivibrador estable en dos verticalmente, se puede observar que
es un circuito simétrico, desde el punto de vista geométrico. Si hacemos T1=T2,
R1=R4, R2=R3 y C1=C2, la forma de onda de cualquiera de las salidas será
simétrica, es decir, la duración de ambos niveles de tensión de cada ciclo será
idéntica.
La frecuencia de salida viene determinada por los valores de C1, C2, R2 y R3; si
se rompe la igualdad, expuesta anteriormente, entre dichos componentes, la forma
de onda de salida será asimétrica.
Las formas de onda de salida Vo1 y Vo2 está desfasadas 180º; mientras una está
en su nivel superior la otra está en el inferior. Esto es debido a la situación de T1
en corte y T2 en saturación, y viceversa.
FUNCIONAMIENTO
Si consideramos un instante en el que T2 esté en saturación y T1 en corte, C1 se
empezará a cargar a través de T2 y R1, y, como el punto de unión de C1 y R2
está conectado a la base de T2, llegará un momento en que la tensión en la base
de T2 es insuficiente para que T2 permanezca saturado, con lo que al conducir
menos la tensión Vo2 aumentará, iniciando el proceso descrito anteriormente pero
en sentido contrario, es decir, llevando a T1 a saturación y T2 al corte.
Mientras C1 adquiría carga para provocar tal cambio, C2 se va descargando.
Este proceso se mantiene mientras estemos suministrando tensión al circuito de
esta forma:
Las condiciones iniciales son estas:
C1 estaba prácticamente descargado.
C2 estaba totalmente cargado.
T1 estaba en corte
T2 estaba en saturación
En estas circunstancias, C2 encuentra un camino de descarga a través de R3 y T2
y C1 se carga a través de la unión base-emisor de T2 y de R1.
Momentáneamente, la base de T1 se encuentra sometida a un potencial de -Vcc,
aproximadamente, respecto a masa. Obsérvese la polaridad con que se había
cargado C2, al conectar su terminal positivo a masa a través de T2, al inicio de la
descarga, en la base de T1 se reflejan -Vcc voltios, aproximadamente, que es la
carga de C2.
A partir del instante en que T2 pasa a saturación, C2 se empieza a descargar;
tardará un tiempo
T2 = 0.69 · C2 · R3
En un tiempo menor se habrá cargado C1, ya que
C1 = C2 y R1 << R3
Una vez que C2 se ha descargado totalmente empezará a cargarse en sentido
contrario, esto es, el punto de unión de C2 y R3 será ligeramente positivo, por lo
que también se aplicará polarización directa a la base de T1, que provocará el
basculamiento del circuito y que sitúa a T1 en saturación y a T2 en corte,
comenzado entonces C2 a cargarse a través de su circuito de carga y C1 a
descargarse a través de R2 y T1.
De forma análoga al proceso anterior, la base de T2 se encuentra en el instante de
la conmutación sometida a un potencial negativo próximo a -Vcc que va
disminuyendo según se descarga C1; lo hará en un tiempo
T1 = 0.69 · R2 · C1
Por la razón expuesta anteriormente, C2 se cargará en un tiempo menor que T1.
Una vez extinguida la carga de C1, éste adquiere una pequeña carga en sentido
contrario, que hará de nuevo conmutar al circuito, pasando T2 a saturación y T1 a
corte, con lo que se inicia un nuevo ciclo.
Por todo esto se deduce que un ciclo tendrá un periodo
T = t2 + t1
Como C1 = C2 y R2 = R3, tendremos que
t = 2 · (0.69 · R2 · C1) = 1.38 · R2 · C1
Esta expresión es cierta sólo en el caso de circuitos simétricos; en caso contrario,
la duración de un ciclo será
T = t1 + t2 = 0.69 · R2 · C1 + 0.69 · R3 · R2
Por lo que, en cualquiera de los casos, la frecuencia de oscilación es conocida con
facilidad.
AS

MULTIVIBRADOR TABLE.
MULTIVIBRADOR MONOESTABLE.
Dentro de los multivibradores de funcionamiento excitado se distinguen dos tipos:
Monoestable, que permanecen en un estado determinado mientras no se les
aplique una señal exterior que les haga cambiar al estado contrario para,
posteriormente, regresar de nuevo al de reposo y permanecer en él hasta la
presencia de un nuevo impulso de excitación.
Biestable, que pueden permanecer en cualquiera de los dos estados de forma
indefinida, si no se les aplica una señal exterior que les haga cambiar al estado
contrario.
El multivibrador monoestable no es estrictamente un oscilador, pero en
determinadas circunstancias se puede comportar como tal, aunque siempre
controlado por una señal exterior.
El multivibrador monoestable es muy similar al estable, como podemos observar.

MULTIVIBRADOR MONOESTABLE.
La sustitución del condensador C2 por la resistencia R3 es lo que le permite que el
circuito permanezca en un estado concreto, esto es, T1 en corte y T2 en
saturación, luego, Vo1 = Vcc y Vo2 = 0V.
Cuando se aplica un impulso a Vd, T1 pasa a conducir y T2 al corte; en este
estado estará un tiempo determinado por R2 y C1, y volverá de nuevo al estado
primitivo.
Si la señal Vd es una señal que se repite a intervalos constantes, la señal de
salida ofrecerá una frecuencia constante.
Funcionamiento
Si suponemos inicialmente T2 en saturación, debido a la ausencia de tensión en la
base de T1, éste permanecerá en corte ya que Vo2 = 0. En estas circunstancias,
C1 se carga a través de R1 y de la unión base-emisor de T2 y el circuito
permanece en esta situación indefinidamente.
Si aplicamos un impulso de amplitud suficiente en Vd, T1 pasará a saturación, por
lo que Vo1 se hará prácticamente 0 y en la base de T2 se reflejará una tensión
negativa de valor próximo a -Vcc que hará que T2 pase al corte; por ello Vo2
tomará un valor próximo a Vcc y la base de T1 permanezca en saturación.
Desde el instante en que T1 pasa a saturación, C1 comienza a descargarse a
través de R2 y T1 y lo hará en un tiempo
T = 0.69 · R2 · C1
Una vez descargado empezará a cargarse en sentido contrario, esto es, la placa
conectada a la base de T2 se hará positiva y una vez alcanzada tensión suficiente
en ese punto, T2 pasará a saturación, por lo que Vo2 se hace 0 y, de nuevo, T1
pasa al corte hasta la aparición de un nuevo impulso de disparo en Vd.


3.5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS
CIRCUITOS TEMPORIZADORES INTEGRADOS

Los sistemas digitales pueden operar en forma sincrónica o asincrónica. En los
sistemas asincrónicos las salidas de los circuitos lógicos pueden cambiar de
estado en el momento en que una o más de las entradas cambien. En los
sistemas sincrónicos los tiempos exactos en que una salida puede cambiar de
estado se determinan por medio de una señal que comúnmente se le denomina
señal de reloj. Esta señal es una serie de pulsos rectangulares o cuadrados y se
distribuye a todas las partes del sistema y algunas de sus salidas cambian de
estado sólo cuando la señal de reloj hace una transición. Cuando la señal de
reloj cambia de 0 a 1, se le denomina Transición de Pendiente Positiva (TPP),
cuando pasa de 1 a 0 se le conoce como Transición de Pendiente Negativa (TPN).



























La Figura 2, muestra el símbolo general empleado para un multivibrador (MVB). El
símbolo indica que el MVB tiene dos salidas Q y Q' inversas entre sí. Q recibe el nombre
de salida normal del MVB, mientras que Q' es la salida negada o invertida. Siempre que
se haga referencia al estado del MVB, éste será el de su estado normal y se entiende que
Q' se encontrará en estado opuesto.


Características de los multivibradores sintonizados por reloj:
1. Los multivibradores (MVB) sincronizados por reloj tienen una
entrada de reloj designada CLK (Clock-reloj). Esta entrada se
dispara por flanco, lo que significa que es activada por una
transición de señal; esto se especifica por la presencia de un
triángulo en la entrada del reloj. Posteriormente, se explican
detalladamente los MVB disparados por flanco.
2. Los MVB sincronizados por reloj también poseen una o más
entradas de control que pueden tener varios nombres, lo que
depende de su operación; su efecto está sincronizado con la señal
aplicada en la entrada CLK. Por esta razón se les llama entradas
sincronizadas de reloj.
3. Las entradas de control hacen que las salidas del MVB estén
listas para cambiar, mientras que la transición activa en la entrada
CLK es la que dispara un cambio.

S-R ASINCRÓNICO CON COMPUERTAS NO O.
El multivibrador biestable S-R, basado en compuertas No O, tiene dos entradas
S y R y dos salidas Q y Q', donde Q' es el complemento de Q. Con el circuito,
figura adjunta, y la tabla de verdad se facilita la explicación de su funcionamiento.
La tabla de excitación se utiliza para el proceso de síntesis o diseño y la x
significa que es un término indiferente, es decir, puede tomar el valor de 1 o 0; la
ecuación de estados se utiliza para realizar el proceso de análisis.



















Como recordatorio, se presenta la tabla funcional de la compuerta No O.
S R O No 0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
En base al circuito de la figura anterior y la tabla funcional de la compuerta No
O, se obtiene la tabla funcional del multivibrador:
S R Q Q'
1
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
0
x
0
0
1
1
x

después de S=1 y R=0

después de S=0 y R=1
estados prohibidos
A continuación se presenta la tabla de estados, en donde Q
+
es el estado
siguiente:
DEC S R Q Q
+

0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
x
x
como
MEMORIA
puestas a
CEROS
puestas a
UNOS
estados
PROHIBIDOS
De la tabla de estados, se observa que cuando S=R=0, Q
+
=Q; cuando S=0 y
R=1, Q
+
=0; cuando S=1 y R=0, Q
+
= 1 y cuando S=R=1, Q
+
=x, o sea se presentan
los estados prohibidos. La siguiente tabla, llamada característica, resume las
observaciones anteriores:
S R Q
+

0
0
1
1
0
1
0
1
Q
0
1
x
De la misma tabla de estados, se observa que cuando Q=Q
+
=0, S=0 y R puede
ser 0 o 1, o sea indiferente; cuando Q=0 y Q
+
=1, S=1 y R=0; cuando Q=1 y Q
+
=0,
S=0 y R=1 y cuando Q=Q
+
=1, S puede ser 0 o 1, indiferente, y R=0. La tabla de
excitación muestra estas observaciones:
Q Q
+
S R
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
x
x
0
1
0
De la tabla de excitación se observa, que dadas las salidas Q y Q+, se pueden
determinar qué valores de las variables de entrada, S y R, produjeron dichas
salidas.
Nuevamente, de la tabla de estados
se determina la función canónica para
Q
+
:
Q
+
(S, R, Q)= 3
m
(1,4,5) + 3
x
(6,7)
Se simplifica por mapas de
Karnaugh, como se muestra en la figura
adjunta, y se obtiene la ecuación de
estados, dada por:
Q
+
(S, R, Q)= S + R'Q







Finalmente, el diagrama a bloques del MVB es:
















A continuación se presentan las tablas y diagramas correspondientes a este tipo de
multivibrador, cuyo logigrama se presenta en la figura adjunta.

























Tabla de
ESTADOS
S R Q Q
+

0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
x
x
como
MEMORIA
puesta a
CEROS
puestas a
UNOS
estados
PROHIBIDOS
De la tabla de estados, se observa que cuando S=0, R=0 y Q es igual a 0 o 1
(indiferente), Q
+
se comporta como memoria; cuando S=0, R=1 y Q es igual a 0 o 1
(indiferente), Q
+
se pone a ceros; cuando S=1, R=0 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente) , Q
+

se pone a unos; finalmente, cuando S=R=1 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente), Q
+
presenta
estados prohibidos.
La tabla característica se obtiene a partir de la tabla de estados, en esta tabla se
incluye la señal de reloj (CLK), las entradas S y R y el estado siguiente Q
+
.
Tabla
CARACTERÍSTICA
CLK S R Q
+

0
1
1
1
1
x
0
0
1
1
x
0
1
0
1
Q
Q
0
1
x
Debe observarse que cuando CLK=0, sin importar los valores de S y R, Q+ mantiene el
valor del estado presente (Q). En las otras combinaciones, cuando CLK=1, se presentan
las cuatro posibilidades mostradas en la tabla de estados; es decir, como memoria
(S=R=0), puesta a ceros (S=0 y R=1), puesta a unos (S=1 y R=0) y los estados
prohibidos (S=R=1).
A continuación se presenta la tabla de excitación, que se obtiene a partir de la tabla de
estados:
Tabla de
EXCITACIÓN
Q Q
+
S R
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
x
x
0
1
0
De tabla de excitación se observa, que dadas las salidas Q y Q+, se pueden
determinar qué valores de las variables de entrada, S y R, produjeron dichas salidas. Se
observa que cuando Q=Q
+
=0, S=0 y R puede ser 0 o 1; cuando Q=0 y Q
+
=1, S=1 y R=0;
cuando Q=1 y Q
+
=0, S=0 y R=1; finalmente, cuando Q=Q
+
=1, S puede ser 0 o 1 y R Para
determinar la ecuación de estados, se debe tener una tabla ampliada de la tabla de
estados, cuyas entradas sean CLK, S, R, Q y tenga como salida el estado siguiente Q
+
.
Los valores funcionales de Q+ se obtienen de la tabla característica:




















DEC CLK S R Q Q
+

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
x
x

Obsérvese que cuando CLK=0, combinaciones 0-7, Q
+
=Q, por tanto Q
+
=1 para las
combinaciones 1, 3, 5 y 7; para CLK=1, combinaciones 8-15, se tiene que para cuando
S=R=0, Q
+
=Q, lo que ocurre para las combinaciones de entrada 8 y 9, siendo Q
+
=1 para
la combinación de entrada 9; finalmente, cuando S=1 y R=0, Q
+
=1, cumpliéndose para las
combinaciones 12 y 13.
La figura siguiente, muestra la función de conmutación de Q
+
, el mapa de Karnaugh
para reducir dicha función y la función reducida para Q
+
, que es la función de estados.

La figura adjunta presenta la carta de tiempo del multivibrador S-R sincronizado por
reloj con TPP (transición de pendiente positiva).
La siguiente tabla presenta un resumen explicativo de la gráfica anterior.
































3.6CIRCUITOS DE TIEMPO




MULTIVIBRADOR TIPO T (Toggle, variar o cambiar de estado).
En el multivibrador tipo T, su diagrama a bloques se muestra en la figura
adjunta, la señal de reloj es la única existente, cuando pulsa la entrada T el
biestable cambia de estado. En otras palabras, el nombre del MVB se deriva de la
habilidad de variar (toggle) o cambiar de estado. Independientemente del estado
presente del multivibrador, éste asume el estado de complemento cuando ocurre
el pulso de reloj, siempre y cuando el estado lógico de T esté a nivel alto.
La tabla de estados correspondiente a este MVB se presenta a continuación:
Tabla de
ESTADOS
T Q Q
+

0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0

De la tabla, se observa claramente que cuando T=0, Q+=Q y cuando T=1,
Q+=Q'. A partir de esta tabla, se obtiene la tabla característica, cuya variable de
entrada es T y la de salida el estado siguiente Q+:
De la tablas, se observa que cuando T=0, el estado siguiente es igual al estado
presente, Q+=Q, y cuando T=1, el estado siguiente es igual al complemento del
estado presente, es decir: Q+=Q'.
Finalmente, la tabla de excitación presenta como entradas a las variables de
estado presente y siguiente, Q y Q+, y como salida a la variable T que las produce:






´



Tabla
CARACTERÍSTICA
T Q
+

0
1
Q
Q'
Tabla de
EXCITACIÓN
Q Q
+
T
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
La ecuación de estados, Q+(T, Q), se deduce de la tabla de estados, en la cual se
observa que dicha función es igual a la O EXC de T y Q; es decir:

Q+(T,Q)=TrQ

A continuación se presenta la carta de tiempo del multivibrador tipo T
sincronizado por reloj con TPP.



















MULTIVIBRADOR DISPARADO POR FLANCO

Un tipo más común de multivibrador, para sincronizar el cambio de estado
durante una transición de pulso de reloj, es el multivibrador disparado por flanco,
en el cual las transiciones de salida ocurren en un nivel específico del pulso de
reloj. Cuando el nivel de entrada excede este umbral, se cierran las entradas y el
multivibrador se hace inactivo a cambios posteriores en las entradas hasta que el
pulso de reloj regresa a cero y ocurre otro pulso.
Las figuras siguientes, corresponden al diagrama a bloques de un multivibrador
tipo D disparado por flanco positivo y la gráfica de tiempo. El valor de entrada D se
transfiere a la salida Q cuando CLK tiene una transición de pendiente positiva
(TPP).







La transición de reloj positiva efectiva incluye un tiempo mínimo llamado tiempo
de establecimiento, en el cual la entrada D debe permanecer en un valor
constante antes de la transición y un tiempo definido llamado tiempo de retención,
donde la entrada D no debe cambiar después de la transición positiva. La
transición de reloj positiva efectiva es por lo general una fracción muy pequeña del
período total del pulso de reloj.

Las figuras siguientes corresponden a un multivibrador tipo D disparado por
flanco negativo, en el cual el símbolo gráfico incluye un círculo de negación
enfrente de CLK, indicando que fue disparado por flanco negativo. En este caso el
multivibrador corresponde a la transición de la señal de reloj de nivel 1 al nivel 0.


















MULTIVIBRADOR MAESTRO/ESCLAVO

En el caso de circuitos integrados (CI), un multivibrador maestro/esclavo, ya es
obsoleto, aunque puede encontrarse en equipos viejos, algunos estándares en la
familia TTL son 7473, 7476 y 74107; las nuevas tecnologías, tales como 74LS,
74AS, 74ALS y 74HCT, no incluyen ningún multivibrador maestro/esclavo dentro
de sus series.

El multivibrador maestro/esclavo no es más que dos MVB: uno maestro y otro
esclavo. Durante la transición de pendiente positiva (TPP) de la señal de reloj, los
niveles presentes de las entradas de control (CLK, S, R) se emplean para
determinar la salida del multivibrador maestro. Cuando existe un cambio de TPP,
los estados del maestro se transfieren al esclavo, cuyas salidas son Q y Q'. Por
tanto, ambas cambian sólo después de cada TPN del reloj. En conclusión, el
multivibrador maestro/esclavo debe mantener estables las entradas de control,
mientras que CLK se encuentre en estado ALTO, de lo contrario puede ocurrir una
operación no previsible.
Las siguientes figuras muestran el diagrama a bloques de un multivibrador
maestro/esclavo sincronizado por reloj, así como su carta de tiempo.






























La siguiente tabla explica la operación del multivibrador maestro/esclavo:
Operación del multivibrador MAESTRO/ESCLAVO
Inicialmente la salida Z=0, en ausencia de las entradas para cambiar a 1; la salida
Y del primer par de compuertas con acoplamiento transversal del elemento
maestro es igual que Z, entonces Y=0.
La entrada uno pasa a 1 antes de que el pulso 2 del reloj se acople a dicha
entrada, de p=0 y después de un retardo de compuerta sigue al borde delantero
del pulso 2.
Después de un retardo de compuerta adicional, la salida Y del elemento maestro
va a 1. Obsérvese que no existe ninguna otra actividad del circuito hasta que el
reloj vuelve a 0.
La salida Z del segundo par de compuertas con acoplamiento transversal,
elemento esclavo, permanece en 0. Con CLK=q=0, y después de otro retardo de
compuerta, Z=1




Lo
s
mu
ltivi
bra
dor
es
dis
po
nib
les
en
CI
proporcionan a veces terminales de
entrada para iniciar o borrar el multivibrador en forma asincrónica. Estas entradas,
por lo general, se llaman preinicio (preset) y borrado (clear) y afectan al
multivibrador en el nivel negativo de la señal de entrada sin necesidad de un pulso
de reloj. Estas entradas son útiles para llevar a los multivibradores a un estado
inicial antes de su operación cronometrada.
Sincronización de multivibradores.
La mayoría de los sistemas digitales son sincrónicos en su operación, pues la
generalidad de las señales cambiarán estados de sincronización con las
transmisiones del reloj. En algunos casos, existirá una señal interna que no esté
sincronizada por el reloj, por lo que será una señal asincrónica. Las señales
asincrónicas ocurren a menudo como resultado de una señal interruptora al azar,
en relación con la señal de reloj. Esta selección no programada puede producir
resultados impredecibles.

1.6 CONVERSIÓN ENTRE MULTIVIBRADORES
1. Obtener un multivibrador J-K a partir del multivibrador tipo D, como se muestra
en el diagrama de bloques adjunto.
Pasos a seguir:
a) Obtener la tabla de estados del multivibrador que se desea alcanzar:
Tabla de ESTADOS
De la tabla se observa que la ecuación de estados es: D=Q+
c) La entrada del multivibrador D, representa la salida del circuito de excitación
(marcado con ? en la figura), la cual se obtiene de la tabla de estados del inciso a),
es decir:
D =Q+(J, K, Q) = 3m (1,4,5,6)
Reduciendo la función por mapas K:




















Obsérvese que el logigrama se obtuvo con compuertas No Y, lo cual se logra
complementando dos veces la función y aplicando uno de los complementos,
como se muestra en el mapa de Karnaugh.



















2. Obtener un multivibrador J-K a partir del multivibrador tipo T, como se muestra
en el diagrama a bloques adjunto.
Se siguen los pasos indicados en el ejemplo anterior.
a) Obtención de la tabla de estados del multivibrador que se desea





















De la tabla se observa que: T(Q, Q+) = Q r Q+
c) Para determinar a T en función de J, K y Q, se agrega una columna extra a la
tabla de estados y los valores de T se determinan en base a la tabla de excitación
del multivibrador tipo T. Así, cuando Q y Q+ tengan el mismo valor de verdad T=0
y cuando Q y Q+ tengan distinto valor de verdad T=1, como se muestra en la
siguiente tabla:




Obsérvese que para las combinaciones 0, 1, 2 y 5, Q y Q+ tienen el mismo valor
de verdad, por tanto T=0; para las combinaciones 3, 4, 6 y 7, Q y Q+ tienen
distinto valor de verdad, por tanto T=1. Expresando a T en función de J, K y Q, se
tiene la siguiente función canónica:
T(J,K,Q)=3m(3,4,6,7)
Reduciendo por mapas K:



















Tabla de ESTADOS
DEC J K Q Q
+

0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
como
MEMORIA
puesta a
CEROS
puesta a
UNOS
complemento de Q
Y realizando el logigrama, se tiene:




















También en este caso, la función se genera con compuertas No Y.

3. Obtener el multivibrador tipo D a partir del multivibrador tipo J-K.
Obtención de la tabla de estados del multivibrador tipo D (el que se desea
alcanzar):

Tabla de
ESTADOS
D Q Q
+

0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1











Se obtiene la tabla de excitación del multivibrador J-K:












Se genera una tercera tabla para relacionar a D y Q con J y K. Esto se logra
agregando tres columnas a la tabla de estados del MVB tipo D; una a su izquierda
que muestra los decimales asociados a las combinaciones de D y Q; y dos a la
derecha correspondientes a J y K. Los valores de J y K se obtienen de la tabla de
excitación del multivibrador J-K; es decir, cuando Q=Q+=0, J=0 y K=x; cuando
Q=0 y Q+=1, entonces J=1 y K=x y así sucesivamente, como se muestra a
continuación:











Ahora si podemos encontrar a J y K en función de D y Q, como se muestra a
continuación:
J(D, Q) = 3m (2) + 3x (1,3)
K(D, Q) = 3m (1) + 3x (0,2)











Tabla de
ESTADOS
D Q Q
+

0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
Tabla de
ESTADOS
DEC D Q Q
+

J

K

0
1
2
3
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
x
1
x
x
1
x
0
Reduciendo por mapas de Karnaugh las funciones anteriores y realizando el
logigrama, se tiene:





















UNIDAD IV



PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DIGITAL

4.1 SISTEMA BINARIO



4.2 EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR



4.3 ÁLGEBRA BOLEANA



4.4 CONFIGURACIÓN LÓGICA DE OPERACIONES DIGITALES



4.5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS CIRCUITOS
INTEGRADOS



4.6 APLICACIONES



















4.1SISTEMA BINARIO


Un sistema de numeración puede ser definido como: "el conjunto de símbolos y
reglas que se utilizan para la representación de datos numéricos o cantidades”.

Un sistema de de numeración se caracteriza fundamentalmente por su base, que
es el número de símbolos distintos que utiliza, y además es el coeficiente que
determina cuál es el valor de cada símbolo dependiendo de la posición que ocupe.

El sistema binario es el sistema de numeración que utiliza internamente los
circuitos digitales que configuran el hardware de las computadoras actuales.

La base o números que utiliza el sistema binario son 2, siendo éstos el 0 y el 1.
Cada cifra o dígito de un número representado en este sistema se denomina BIT
(contracción de BInary digiT).

Para la medida de cantidades de información representadas en binarios se utilizan
una serie de múltiplos del BIT que poseen nombre propio; éstos son los siguientes:
- Nivel o cuarteto. Conjunto de cuatro bits
- Byte u octeto. Conjunto de 8 bits
- Kilobyte (KB). Conjunto de 1024 bytes (1024 * 8 bits)
- Megabyte (MB). Conjunto de 1024 kilobytes (1024² * 8 bits)
- Gigabyte (GB). Conjunto de 1024 megabytes (1024³ * 8 bits)
- Terabyte (TB). Conjunto de 1024 gigabytes (1024
4
* 8 bits)

La razón por la que se utiliza el factor multiplicador 1024 en lugar de 1000, como
sucede en otras magnitudes físicas, es por ser el múltiplo de 2 más próximo a
1000, cuestión importante desde el punto de vista electrónico.

2
10
= 1024













SUMA BINARIA

Es semejante a la suma en el sistema decimal, con la diferencia de que se
manejan sólo 2 dígitos (0 y 1), de tal forma que cuando el resultado excede de los
símbolos utilizados se agrega el exceso (denominado acarreo) a la suma parcial
siguiente hacia la izquierda.



Las tablas de sumar son:

Tabla del 0 Tabla del 1
0 + 0 = 0
0 + 1 = 1
1 + 0 = 1
1 + 1 = 1 0 ( 0 con acarreo
1)


Ejercicios:

1 0 0 1 0 0
+ 0 1 0 0 1 0
1 1 0 1 1 0



Resta Binaria

Es similar a la decimal, con la diferencia de que se manejan sólo 2 dígitos, y
teniendo en cuenta que al realizar las restas parciales entre dos dígitos de
idénticas posiciones, uno del minuendo y otro del sustraendo, si el segundo
excede al primero, se sustraes una unidad del dígito de más a la izquierda en el
minuendo (si existe y vale 1), convirtiéndose este último en 0 y equivaliendo la
unidad extraída a 1*2 en el minuendo de resta parcial que estamos realizando. Si
es 0 el dígito siguiente a la izquierda, se busca en los sucesivos.

Las tablas de restar son:

Tabla del 0 Tabla del 1
0 - 0 = 0
0 - 1 = no cabe
1 - 0 = 1
1 - 1 = 0






1 1 1 Acarreos
1 1 0 0 1
+ 1 0 0 1 1
1 0 1 1 0 0
Multiplicación binaria

Se realiza similar a la multiplicación decimal salvo que la suma final de los
productos se hace en binario.

Las tablas de multiplicar son:

Tabla del 0 Tabla del 1
0 * 0 = 0
0 * 1 = 0
1 * 0 = 0
1 * 1 = 1


Ejercicios:

1 1 0 1 0 1
* 0 0 1 1 0 1
1 1 0 1 0 1
0 0 0 0 0 0
1 1 0 1 0 1
1 1 0 1 0 1
1 0 1 0 1 1 0 0 0 1



División Binaria

Al igual que las operaciones anteriores, se realiza de forma similar a la división
decimal salvo que las multiplicaciones y restas internas al proceso de la división se
hacen en binario.

Ejemplos:


1 0 0 0 1 0 1 1 0
1 1 0 ↓ ↓
1 0 1 0 1 0 1 → Cociente
1 1 0
1 0 0 → Resto








1 1 1 1 1 1
* 1 0 1 0 1 0
0 0 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1
1 1 1 1 1 1
1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0
1 0 1 0 1 0
1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 → Cociente
1 0 1 0 1 0
1 0 1 0 1 0
1 0 1 0 1 0
0 0 → Resto
CONVERSIONES A OTROS SISTEMAS

De binario a decimal

1. Método para convertir números binarios enteros a decimal. Consiste en rescribir
el número binario en posición vertical de tal forma que el dígito de la derecha
quede en la zona superior y el dígito de la izquierda quede en la zona inferior. Se
repetirá el siguiente proceso para cada uno de los dígitos comenzando por el
inferior: se suma el dígito al producto de 2 por el resultado de la operación anterior,
teniendo en cuenta que para el primer dígito, el resultado de la operación anterior
es 0. El número decimal buscado será el resultado obtenido en la última operación.

Ejemplo:


1 0 1 1
↓ 2 * 5 + 1 = 11 Resultado
↓ 2 * 2 + 1 = 5
↓ 2 * 1 + 0 = 2
→ → → → 2 * 0 + 1 = 1

2. Método de las sumas de las potencias de 2. Es válido para números binarios
con o sin decimales. Consiste en realizar la multiplicación del dígito binario por la
potencia del 2 de acuerdo a la posición que le corresponde con referencia al punto.
El número decimal buscado es la sumatoria de las multiplicaciones parciales.

Ejemplo:

1 0 1 0 . 1 0 1
↓ ↓
↓ → 1*2
-3
= 0.125
↓ 0*2
-2
= 0
↓ 1*2
-1
= 0.500
→ → → → 0*2
0
= 0
1*2
1
= 2
0*2
2
= 0
1*2
3
= 8
10.625








De decimal a binario

1. Divisiones sucesivas entre 2. Este se utiliza para convertir un número entero
decimal a su respectivo número entero en binario. Se trata de dividir
sucesivamente el número decimal y los sucesivos cocientes entre 2, hasta que el
cociente en una de las divisiones tome el valor de 0. La unión de todos los restos
obtenidos, escritos en orden inverso, nos proporciona el número expresado en
binario.

Ejemplo:

10 2 1 0 1 0
0 5 2 ↑ ↑ ↑ ↑
↓ 1 2 2 ↑ ↑ ↑ ↑
↓ ↓ 0 1 2 ↑ ↑ ↑ ↑
↓ ↓ ↓ 1 0 ↑ ↑ ↑ ↑
↓ ↓ ↓ ↓ ↑ ↑ ↑ ↑
↓ ↓ ↓ ↓ → → ↑ ↑ ↑
↓ ↓ ↓ → → → → ↑ ↑
↓ ↓ → → → → → → ↑
↓ → → → → → → → →

2. Multiplicaciones sucesivas por 2. Se utiliza para convertir una fracción decimal a
su equivalente fracción en binario. Consiste en multiplicar dicha fracción por 2,
obteniendo en la parte entera del resultado el primero de los dígitos binarios de la
fracción que buscamos. A continuación, repetimos el mismo proceso con la parte
fraccionaria del resultado anterior. Repetiremos de esta forma, hasta que
desaparezca la parte fraccionaria de los resultados parciales o hasta que
tengamos los dígitos binarios suficientes.

Ejemplo:
↑→→→ → → →
0.828125*2= 1.65625 ↓
0.65625*2= 1.3125 ↓
0.3125*2= 0.625 ↓
0.625*2= 1.25 ↓
0.25*2= 0.5 ↓
0.5*2= 1.0 0 . 1 1 0 1 0 1






De binario a hexadecimal

Para convertir números binarios a hexadecimales, se agrupan los dígitos de 4 en 4
a partir del punto decimal hacia la izquierda y hacia la derecha, sustituyendo cada
cuarteto por su correspondiente dígito hexadecimal, de acuerdo a la siguiente
tabla.


Ejemplo:

0111101110100011.10111100 → 7BA3.BC

0111 1011 1010 0011. 1011 1100
7 B A 3 . B C

De hexadecimal a binario

Para convertir números hexadecimales a binarios se sustituye cada dígito
hexadecimal por su representación binaria con cuatro dígitos de acuerdo a la
anterior tabla.

Ejemplo:

2BC → 1010111100

2 B C
0010 1011 1100



Dígito
hexadecimal
Dígitos
binarios
0 0000
1 0001
2 0010
3 0011
4 0100
5 0101
6 0110
7 0111
8 1000
9 1001
A 1010
B 1011
C 1100
D 1101
E 1110
F 1111
De binario a octal

Para convertir números binarios a octal, se sigue el método que se usa para
convertir de binario a hexadecimal, pero aquí se agrupan los dígitos de 3 en 3 a
partir del punto decimal hacia la izquierda y hacia la derecha, sustituyendo cada
grupo de tres dígitos binarios por su correspondiente dígito octal, de acuerdo a la
siguiente tabla.


Dígito
octal
Dígitos
binarios
0 000
1 001
2 010
3 011
4 100
5 101
6 110
7 111


Ejemplo:

1010111100 → 1274

1 010 111 100
1 2 7 4


















4.2 EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR
Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. A
través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para
computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor
en los circuitos lógicos de las computadoras.
Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplicó
sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una
fuente de dc conectada al circuito de la base. La única fuente de dc está
conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras
normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada, en este
caso 5 V.

Figura 4.24. Transistor inversor.
El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación
conmute de corte a la saturación, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la
figura 4.52. para estos propósitos se asumirá que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0
µA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de
fabricación).
Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar
que la red está saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva
IB, que aparece cerca del nivel de saturación. El nivel de saturación para la
corriente del colector y para el circuito está definido por:
ICsat = Vcc/ Rc
Transistor en conmutación

Tenemos un interruptor en posición 1, abierto:
I
B
= 0
I
C
= 0 CORTE (el transistor no conduce)
Recta de carga:

Esto era lo ideal, lo exacto sería:

Pero para electrónica digital no tiene mucha importancia ese pequeño margen, por
lo tanto se desprecia.
Interruptor en posición 2:

Finalmente tenemos una gráfica de la siguiente forma:

Aplicación: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada.

Se invierte la V
sal
, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en
electrónica digital.

A ese circuito le llamábamos "Circuito de polarización de base", que era bueno
para corte y saturación, para conmutación. Pero este que hemos hecho no es
exacto, lo exacto es:

Entonces se cogen los márgenes, pero como están muy separados se desprecia y
no se le da importancia a ese pequeño error.
Conmutación ideal
La acción de conmutación de los transistores, bien sean bipolares (BJT) o de
efecto campo (MOSFET). La conmutación se puede describir de una forma
sencilla como la posibilidad de un dispositivo de saltar o cambiar entre dos
posiciones o dos estados distintos (que podemos llamar Alto/Bajo, On/Off,
Marcha/Paro, 1/0, etc.) de una forma más o menos rápida. En el caso de los
transistores, ambos estados se identifican con las situaciones de Saturación y
Corte.
Para un transistor bipolar, la operación de conmutación es la siguiente: cuando la
base está a unos 0,7 voltios por encima del emisor (y se suministra corriente
suficiente a la base) el transistor conduce y entra en saturación. En esta situación,
el transistor se comporta idealmente como un interruptor cerrado entre el colector
y el emisor, como ilustra la figura 1.a. Cuando la base está a menos de 0,7 V por
encima del emisor, el transistor no conduce y se comporta como un interruptor
abierto entre el colector y el emisor.

a) Transistor en Saturación.

b) Transistor en Corte.
Figura 1. Conmutación ideal de un transistor BJT.

Los transistores MOSFET (transistores de efecto campo) difieren enormemente en
su construcción y en su funcionamiento interno de los transistores bipolares, pero
su acción de conmutación es básicamente la misma. Idealmente, funcionan como
interruptores abiertos o cerrados, dependiendo de su entrada.
Cuando la tensión de puerta de un MOSFET de canal-n (NMOS) es más positiva
que la de fuente, el MOSFET conduce (saturación) e, idealmente, se comporta
como un conmutador cerrado entre el drenador y la fuente. Cuando la tensión
puerta-fuente es cero, el MOSFET no conduce (corte) y se comporta idealmente
como un interruptor abierto entre el drenador y la fuente (ver figura 2).

a) Transistor en Saturación.

b) Transistor en Corte.
Figura 2. Conmutación ideal de un transistor MOSFET de canal-n.

Los MOSFET de canal-p (PMOS) funcionan con polaridades de tensión opuestas,
tal como muestra la figura 3.

a) Transistor en Saturación.

b) Transistor en Corte.
Figura 3. Conmutación ideal de un transistor MOSFET de canal-p.


































4.3 COMPUERTAS LÓGICAS

INTRODUCCIÓN
El conocimiento de las puertas lógicas, exige tener en cuenta unos conceptos
básicos que se estudiaran en este apartado.
Puertas Lógicas.- es la unidad básica sobre la que se diseña un sistema digital.
Pueden poseer una entrada o más y una sola salida. Son capaces de realizar
funciones dando un nivel de tensión a la salida que puede ser alto o bajo. Alto
significa 1 (H) y bajo significa 0 (L)
Las puertas lógicas básicas son: AND, OR, NAND, NOR, NOT, EX-OR, y EX-
NOR.
Niveles Lógicos.- En TTL y CMOS los niveles de tensión en entradas y salidas no
son fijos, hay fluctuaciones entre dos márgenes, tanto alto como bajo. En esta
tabla comparativa entre las dos tecnologías se observan las diferencias que son
capaces de soportar de niveles de tensión. Se dice que zona prohibida es aquella
en la que no se puede garantizar un nivel lógico 1 o 0. Este es un concepto
importante, pues en electrónica digital lo que pretendemos es enviar información
fiable.
Tecnología
Zona
prohibida
entrada
Zona
prohibida
salida
V
cc
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL

TTL 0.8 a 2v
0.4 a
2.4v
5v 2 a 5.5v 0 a 0.8v 2.4 a 5.5v 0 a 0.4v
CMOS
1.5 a
3.5v
0.01 a
4.99v
3 a 15v 3.5 a 5v 0 a 1.5v 4.99 a 5v 0 a 0.01v

Siendo:
V
cc
= Tensión de alimentación de las puertas. En CMOS se ha supuesto dicha
tensión en 5v.
V
IH
= Nivel alto de tensión (H) de entrada (L)

V
IL
= Nivel bajo de tensión (L) de entrada (L)

V
OH
= Nivel alto de tensión (H) de salida (O)

V
OL
= Nivel bajo de tensión (L) de salida (O)

Tablas de verdad.- A través de las tablas de verdad se puede conocer
teóricamente el comportamiento de las puertas lógicas, en función de los niveles
que se aplican a la entrada. Más adelante veremos como además nos van a
servir para diseñar circuitos digitales
PUERTA AND
En las escenas de esta página se muestran las tres puertas lógicas elementales y
que son la base de cualquier circuito digital. De hecho con esas puertas bastaría
para poder diseñar cualquiera de ellos. En las dos páginas siguientes veremos
otras puertas que permiten simplificar el diseño e implementación de los circuitos
lógicos más complejos. Cualquiera de estas puertas existen cómo productos
comerciales electrónicos. Los símbolos usados en las escenas, para representar
las puertas, son los estandares empleados en electrónica digital. Así mismo se
representa la notación booleana de la función representada por cada una de las
puertas mostradas y su nombre en inglés ya que es usado en muchos textos.
La primera puerta que vemos es la puerta "Y". Podeis observar que tiene dos
entradas (inputs) y una salida (output). Las variables A y B representan dos
variables booleanas cualesquiera y, modificando sus valores, podemos ver cómo
se modifica el valor de salida. Una puerta "Y" la podemos imaginar como la
entrada a un comercio en el que hay una barrera y una puerta a continuación. Si
una de las dos, o ambas, están cerradas (alguna de las variables de entrada es 0),
no podemos entrar al establecimiento. Sólo podemos entrar si ambas están
abiertas (las dos variables de entrada, así como la salida, serán 1).
A nivel de lógica proposicional la función Y corresponde a la conjunción o
producto lógico. Un ejemplo sería: "Juan es moreno y Luis practica baloncesto".
En el caso de que ambas proposiciones sean verdaderas, tambien será verdadera
su conjunción.









SÍMBOLO FUNCIÓN

S = A . B
TABLA DE VERDAD ANIMACION
A B S
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1


PUERTA NAND
En las escenas de esta página se presentan dos nuevas puertas lógicas, la puerta
NO-Y y la puerta NO-O. Dichas puertas permiten implementar circuitos con un
menor número de componentes y, así mismo, ayudan a poder simplificar algunas
expresiones que resultarian algo complejas si únicamente dispusieramos de las
puertas y funciones vistas en la página anterior. En la parte derecha de las puertas
se puede observar un pequeño círculo. Dicho círculo nos indica que se invierten
las salidas de una Y y una O, respectivamente.
En la realidad, las puertas NO-Y , por razones prácticas, se suelen comercializar
con 2, 3 o 4 entradas. Igualmente sucede con las puertas NO-O. Estas puertas
tienen la característica que con ellas se puede implementar cualquier expresión
booleana sin usar ninguna otra puerta de otro tipo. Por ello están presentes, en
gran cantidad, en un sinfín de circuitos integrados (sumadores, flips-flops,...)

SÍMBOLO FUNCIÓN


B A S · =



TABLA DE VERDAD ANIMACIÓN
A B S
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0


PUERTA OR

Como se puede observar también tiene dos entradas (inputs), A y B , y una salida
(output). Si modificas los valores de las entradas, tal como hiciste en la escena
anterior, verás cómo varía la salida correspondiente. Un ejemplo físico sencillo que
se asemeja al comportamiento de una puerta O sería el de una puerta de doble
hoja de una casa. Basta abrir una de las dos hojas para poder entrar o abrir las
dos hojas. Hay ejemplos más complejos pero éste resulta suficientemente claro).
Preposicionalmente se corresponde con la disyunción, también llamada suma
lógica. Un ejemplo sería el aserto "esta página tiene el fondo blanco O se acaba
este párrafo". Dicho aserto será verdadero siempre que lo sea alguna de las dos
proposiciones (frases) que lo forman.



SIMBOLO FUNCION



B A S + =


TABLA DE VERDAD ANIMACION
A B S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1


PUERTA NOR
Su respuesta es contraria a la de la puerta OR. Solo cuando tengamos nivel bajo
de tensión en todas las entradas se obtendrá un nivel alto a la salida
SIMBOLO FUNCION



B A S + =

TABLA DE VERDAD ANIMACION
A B S
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0


PUERTA EX-OR
También denominada Or Exclusive. La salida toma valor 1 cuando el estado lógico
de las entradas es diferente, y tomará valor 0 cuando ambas tienen el mismo
estado.

SIMBOLO FUNCION



) ( ) ( B A B A B A S · + · = © =

TABLA DE VERDAD ANIMACION
A B S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0


























4.4 ÁLGEBRA BOLEANA


Se define como álgebra de Boole a un sistema matemático con un conjunto de
elementos B y dos operaciones binarias cerradas (·) y (+) siempre y cuando se
cumplan los siguientes postulados:

• P1.- las operaciones tienen la propiedad conmutativa.

a+b = b+a
a·b = b·a

• P2.- las operaciones son distributivas entre sí

a·(b+c) = a·b + a·c
a+(b·c) = (a+b)·(a+c)

• P3.- las operaciones tienen elementos identidad diferentes dentro de B. Estos
elementos son definidos como 0 para (+) y 1 para (·).

a+0 = a
a·1 = a

• P4.- para cada elemento, a, del conjunto B, existe otro elemento denominado
complemento, a también del conjunto B, tal que se cumple:

a+a = 1
a·a = 0

Como podemos ver, en cualquier álgebra booleana se cumple el principio de
dualidad:
Cualquier teorema o identidad algebraica deducible de los postulados anteriores
puede transformarse en un segundo teorema o identidad válida sin más que
intercambiar las operaciones binarias y los elementos identidad.

Como en cualquier álgebra, podemos disponer de constantes y de variables. Así,
una constante se define como cualquier elemento del conjunto
B.
Mientras que una variable es un símbolo que representa un elemento arbitrario del
álgebra, ya sea una constante o una fórmula algebraica completa.

Teoremas del Álgebra de Boole.
En cualquier álgebra de Boole se pueden demostrar los siguientes teoremas:
Teorema 2.1.- El elemento a del 4º postulado (denominado complemento o
negación de a) está unívocamente determinado, es decir, es único.

Demostración.- Supongamos que existen dos complementos de a: a1 y a2.

a2 = a2·1 = a2·(a+ a1) = a2·a + a2·a1 = a·a1 + a2·a1 = (a + a2)·a1 = a1
Teorema 2.2.- (o Teorema de elementos nulos) Para cada cualquier elemento a,
se verifica
a+1 = 1 y a·0 = 0

Demostración.-
a+1 = 1·(a+1) = (a+a‟)·(a+1) = a + a‟·1 = a + a‟ = 1
a·0 = a·0+0 = a·0 + a·a‟ = a·(a‟+0) = a·a‟ = 0

Teorema 2.3.- Cada uno de los elementos identidad es el complemento del otro,
es decir, 1‟ = 0
y 0‟ = 1
Demostración.- Si fuese cierto, deberían cumplir el cuarto postulado del álgebra:
1 = 0 + 0‟
0 = 0 · 0‟
Por ser único l complemento: 0‟ = 1
1 = 1 + 1‟
0 = 1 · 1‟
Por ser único el complemento: 1‟ = 0

Teorema 2.4.- (o Teorema de idempotencia) Para cada elemento a, se verifica:
a + a = a
a · a = a
Demostración.-
a + a = a + a · 1 = a + a · (a + a‟) = a + a · a + a · a‟ = a · (1 + a) = a · 1 = a
a · a = a · a + 0 = a · a + a · a‟ = a·(a + a‟) = a·1 = a

Teorema 2.5.- (o Teorema de involución) Para cada elemento de a, se verifica que
el complemento del complemento de a es a, es decir, (a‟)‟ = a
Demostración.-




Teorema 2.6.- (o Teorema de absorción) Para cada par de elementos, a y b, se
verifica:
a + a · b = a
a · (a + b) = a
Demostración.-
a + a · b = a · 1 + a · b = a · (1 + b) = a · 1 = a
a·(a + b) = (a + 0) · (a + b) = a + 0 · b = a

Teorema 2.7.- Para cada par de elementos, a y b, se verifica:
a + a‟ · b = a + b
a · (a‟ + b) = a · b
Demostración.-
a + a‟ · b = (a + a‟)·(a + b) = 1·(a + b) = a + b
a · (a‟ + b) = a · a‟ + a · b = a · b

Teorema 2.8.- (o Leyes de DeMorgan) Para cada par de elementos, a y b, se
verifica
(a + b)‟ = a‟ · b‟
(a · b)‟ = a‟ + b‟
Demostración.- Se comprobará si se satisface el cuarto postulado
a + b + (a + b)‟ = a + b + a‟ · b‟ = a + a‟ · b‟ + b + b‟ · a‟ =
= a + b‟ + b + a‟ = a + a‟ + b + b‟ = 1 + 1 = 1
(a + b) · (a‟ · b‟) = a · a‟ · b‟ + b · b‟ · a‟ = b‟ · 0 + 0 · a‟ = 0 + 0 = 0
a · b + (a · b)‟ = a · b + a‟ + b‟ = a · b + a‟ + a · b + b‟ =
= a + a‟ + b + b‟ = 1 + 1 = 1
a · b · (a‟ + b‟) = a · a‟ · b + a · b · b‟ = 0 · b + a · 0 = 0 + 0 = 0

Teorema 2.9.- (o Leyes de DeMorgan generalizadas) Para cualquier conjunto de
elementos se verifica:
(X0 + X1 + … + Xn) = X0 · X1 · … · Xn
(X0 · X1 · … · Xn) = X0 + X1 + … + Xn
Teorema 2.10.- (o Teorema de asociatividad) Cada uno de los operadores binarios
(+) y (·) cumple la propiedad asociativa, es decir, para cada tres elementos, a, b y
c, se verifica

(a + b) + c = a + (b + c)
(a · b) · c = a · (b · c)

Álgebra de Conmutación.

Hasta ahora no hemos puesto ninguna restricción al conjunto de elementos ni a
los operadores binarios (salvo los postulados que deberían cumplir). Si
particularizamos para el caso
de los circuitos digitales, restringimos el conjunto de elementos a los dos dígitos
binarios {0,1} y las operaciones binarias son las siguientes:


Se verifica que un álgebra definida de la forma mostrada en la tabla 2.1 se trata de
un álgebra de Boole. La demostración de esta afirmación se realiza mediante la
verificación de los cuatro postulados:
• P1.- Se comprueba por simple inspección de la definición de las operaciones.
• P2.- Se puede comprobar evaluando todas las combinaciones posibles.

• P3.- Por inspección de los operadores se puede verificar.


• P4.- Por definición del operador complemento.
Un álgebra así definida se denomina álgebra de conmutación. Los operadores de
esta álgebra reciben los siguientes nombres:
• Operador + operador OR
• Operador · operador AND
• Operador „operador NOT
Y los circuitos electrónicos que realizan estas operaciones se denominan puertas
(OR, AND y NOT o inversor). Estas puertas tienen unos símbolos especiales, los
cuales son mostrados en la figura 2.1. Éstos son los símbolos tradicionales; y
aunque existe una simbología internacional también mostrada, usaremos
preferentemente estos símbolos:


Aritmética binaria.
Una vez visto el álgebra de Boole, y en particular el de conmutación, pasaremos a
ver como se harían las operaciones más básicas de la aritmética (suma, resta,
multiplicación y división) utilizando el código binario.
Suma binaria.
La suma binaria tiene dos salidas: suma y acarreo. La salida suma es el resultado,
mientras que el acarreo es lo que se le añade a la siguiente suboperación. La
tabla de combinaciones para la suma de dos entradas es la tabla 2.10, que se
encuentra junto a un ejemplo:


Resta.
La resta binaria tiene dos salidas: resta y desbordamiento. La salida resta es el
resultado, mientras que el desbordamiento es lo que se le vuelve a restar a la
siguiente suboperación, como si fuese un nuevo substraendo. La tabla de
combinaciones para la suma de dos entradas es la tabla 2.11, que se encuentra
junto a un ejemplo:

Complemento.
Al igual que la resta de los números reales se puede ver como la suma del número
negativo, en la resta binaria se puede hacer lo mismo. El número negativo en
binario es el denominado complemento a dos de dicho número, representado por
2B. El complemento a dos de un número binario se calcula invirtiendo dicho
número y sumarle 1 a la inversión, como podemos ver en el siguiente ejemplo:

Otra forma de obtener el complemento a dos es la siguiente: empezando por la
derecha se deja todo igual hasta encontrar el primer 1 (inclusive) y a partir de ahí
se invierte la parte restante bit a bit.
En el caso de que el resultado sea negativo, tanto con la suma con el
complemento a dos como en la resta binaria, el número que se obtiene es el
número negativo binario, y por tanto, el complemento a dos del número en
cuestión.
Desplazamiento.
En el caso que queramos realizar operaciones complejas (multiplicación y/o
división) con números de potencia de dos (2, 4, 8, 16, 32), éstas resultan muy
simples por propia construcción del código binario. La multiplicación (división) por
2n se realiza desplazando el punto decimal n dígitos a la derecha (izquierda). En
el caso de que no existan más dígitos, se rellenarán con ceros. Esta forma se
puede demostrar por la expresión polinómica de los números binarios.



Multiplicación.
La multiplicación de dos números binarios cualesquiera se basa en la tabla 2.12
de combinaciones:


Después se realiza la suma de los productos parciales (como en el caso decimal).
Así, mostramos como ejemplo la multiplicación de 5.75 x 5 = 28.75.

División.
La división es la operación más compleja, realizándose generalmente a través de
un algoritmo. El algoritmo que vamos a emplear será el siguiente. El divisor se
alineará con la parte más significativa (más a la izquierda) del dividendo y se
restará. Si el resultado de esta resta es negativo, al cociente se le añade un cero a
la derecha y el divisor se desplaza un dígito a la derecha y volvemos a restar. Si el
resultado es positivo, al cociente se le añade un 1 a la derecha y al resultado de la
resta se le añade el dígito inmediatamente siguiente de la derecha del dividendo, y
se vuelve a empezar. A continuación, vemos en la figura 2.2, y a modo de
Ejemplo, la división correspondiente a 45/5:










4.5 CONFIGURACIÓN LÓGICA DE OPERACIONES
DIGITALES

Un computador digital, como su nombre lo indica, es un sistema digital
que realiza diversas operaciones de cómputo. La palabra Digital
implica que la información que se representa en el computador por
medio de variables que toman un número limitado de valores Discretos
o cuantizados. Estos valores son procesados internamente por
componentes que pueden mantener un número limitado de estados
discretos. Los dígitos decimales por ejemplo, proporcionan 10 valores
discretos ( 0 .. 9 ). Como sabemos en la práctica, los computadores
funcionan más confiablemente si sólo utilizan dos estados
equiprobables. Debido al hecho que los componentes electrónicos
atienden a dos estados ( encendido / apagado ) y que la lógica
humana tiende a ser binaria ( esto es, cierto o falsa, si o no ) se utiliza
el sistema binario y se dice que son binarias.

Los computadores digitales utilizan el sistema de números binarios,
que tiene dos dígitos 0 y 1. Un dígito binario se denomina un BIT. ' La
in fonación está representada en los computadores digitales en grupos
de bits. Utilizando diversas técnicas de codificación los grupos de bits
pueden hacerse que representen no solamente números binarios sino
también otros símbolos discretos cualesquiera, tales como dígitos
decimales o letras de alfabeto. Utilizando arreglos binarios y diversas
técnicas de codificación, los dígitos binarios o grupos de bits pueden
utilizarse para desarrollar conjuntos completos de instrucciones para
realizar diversos tipos de cálculos.

La información binaria se representa en un sistema digital por
cantidades físicas denominadas señales, Las señales eléctricas tales
como voltajes existen a través del sistema digital en cualquiera de dos
valores reconocibles y representan un a variable binaria igual a 1 o 0.
Por ejemplo, un sistema digital particular puede emplear una señal de
3 [volts 1 para representar el binario "I" y 0.5 [volts 1 para el binario "0".
La siguiente ilustración muestra un ejemplo de una señal binaria.












Como se muestra en la figura, cada valor binario tiene una desviación
aceptable del valor nominal. La región intermedia entre las dos
regiones permitidas se cruza solamente durante la transición de
estado. Los terminales de entrada de un circuito digital aceptan
señales binarias dentro de las tolerancias permitidas y los circuitos
responden en los terminales de salida con señales binarias que caen
dentro de las tolerancias permitidas.

La lógica binaria tiene que ver con variables binarias y con
operaciones que toman un sentido lógico. Es utilizada para escribir, en
forma algebraica o tabular. La manipulación y. procesamiento de
información binaria. La manipulación de información binaria se hace
por circuitos lógico que se denominan Compuertas.

Las compuertas son bloques del hardware que producen señales del
binario 1 ó 0 cuando se satisfacen los requisitos de entrada lógica. Las
diversas compuertas lógicas se encuentran comúnmente en sistemas
de computadores digitales. Cada compuerta tiene un símbolo gráfico
diferente y su operación puede describirse por medio de una función
algebraica. Las relaciones entrada - salida de las variables binarias
para cada compuerta pueden representarse en forma tabular en una
tabla de verdad.

A continuación se detallan los nombres, símbolos, gráficos, funciones
algebraicas, y tablas de verdad de ocho compuertas.



Compuerta ADN:

Cada compuerta tiene una o dos variables de entrada designadas por
A y B y una salida binaria designada por x. La compuerta AND
produce la unión lógica AND: esto es: la salida es 1 si la entrada A y la
entrada B están ambas en el binario 1: de otra manera, la salida es 0.
Estas condiciones también son especificadas en la tabla de verdad
para la compuerta AND. La tabla muestra que la salida x es 1
solamente cuando ambas entradas A y B están en 1 . El símbolo de
operación algebraico de la función AND es el mismo que el símbolo de
la multiplicación de la aritmética ordinaria (*). Podemos utilizar o un
punto entre las variables o concatenar las variables sin ningún símbolo
de operación entre ellas. Las compuertas AND pueden tener más de
dos entradas y por definición, la salida es 1 si cualquier entrada es 1.
Compuerta OR:

La compuerta OR produce la función OR inclusiva, esto es, la salida
es 1 si la entrada A o la entrada B o ambas entradas son 1; de otra
manera, la salida es 0. El símbolo algebraico de la función OR (+),
similar a la operación de aritmética de suma. Las compuertas OR
pueden tener más de dos entradas y por definición la salida es 1 si
cualquier entrada es 1.

Compuerta NOT (Inversor):

El circuito inversor invierte el sentido lógico de una señal binaria.
Produce el NOT,. o función complemento. El símbolo algebraico
utilizado para el complemento es una barra sobra el símbolo de la
variable binaria. Si la variable binaria posee un valor 0, la compuerta
NOT cambia su estado al valor 1 y viceversa. El círculo pequeño en la
salida de un símbolo gráfico de un inversor designa un complemento
lógico. Es decir cambia los valores binarios 1 a 0 y viceversa.

Compuerta Separador:

Un símbolo triángulo por sí mismo designa un circuito separador no
produce ninguna función lógica particular puesto que el valor binario
de la salida es el mismo de la entrada. Este circuito se utiliza
simplemente para amplificación de la señal. Por ejemplo, un separador
que utiliza i volt para el binario 1 producirá una salida de 3 volt cuando
la entrada es 3 volt. Sin embargo, la corriente suministrada en la
entrada es mucho más pequeña que la corriente producida en la salida.
De ésta manera, un separador puede excitar muchas otras
compuertas que requieren una cantidad mayor de corriente que de
otra manera no se encontraría en la pequeña cantidad de corriente
aplicada a la entrada del separador.

Compuerta NAND:

Es el complemento de la función AND, como se indica por el símbolo
gráfico que consiste en un símbolo gráfico AND seguido por un
pequeño círculo. La designación NAND se deriva de la abreviación
NOT - AND. Una designación más adecuada habría sido AND
invertido puesto que Es la función AND la que se ha invertido.
Compuerta NOR:

La compuerta NOR es el complemento de la compuerta OR y utiliza un
símbolo gráfico OR seguido de un círculo pequeño. Tanto las
compuertas NAND como la NOR pueden tener más de dos entradas, y
la salida es siempre el complemento de las funciones AND u OR,
respectivamente.
Compuerta OR exclusivo (XOR):

La compuerta OR exclusiva tiene un símbolo gráfico similar a la
compuerta OR excepto por una línea adicional curva en el lado de la
entrada. La salida de esta compuerta es 1 si cada entrada es 1 pero
excluye la combinación cuando las dos entradas son 1. La función OR
exclusivo tiene su propio símbolo gráfico o puede expresarse en
términos de operaciones complementarias AND, OR .

Compuerta NOR exclusivo (XOR):

El NOR exclusivo como se indica por el círculo pequeño en el símbolo
gráfico. La salida de ésta compuerta es 1 solamente si ambas
entradas son tienen el mismo valor binario. Nosotros nos referiremos a
la función NOR exclusivo como la función de equivalencia. Puesto que
las funciones OR exclusivo y funciones de equivalencia no son
siempre el complemento la una de la otra. Un nombre más adecuado
para la operación OR exclusivo sería la de una función impar; esto es,
la salida es 1 si un número impar de entrada es 1. Así en una función
OR (impar) exclusiva de tres entradas, la salida es 1 si solamente la
entrada es 1 o si todas las entradas son 1. La función de equivalencia
es una función par; esto es, su salida es 1 si un número par de
entradas es 0. Para un función de equivalencia de tres entradas, la
salida es 1 si ninguna de las entradas son 0 ( todas las entradas son 1 )
o si dos de las entradas son 0 ( una entrada es 1 Una investigación
cuidadosa revelará que el OR exclusivo y las funciones de
equivalencia son el complemento la una de la otra cuando las
compuertas tienen un número par de entradas, pero las dos funciones
son iguales cuando el número de entradas es impar. Estas dos
compuertas están comúnmente disponibles con dos entradas y
solamente en forma rara se encuentran con tres o más entradas.








































Retornemos el teorema De Morgan:

El teorema De Morgan es muy importante al tratar compuertas NOR y
NAND. Expresa que una compuerta NOR que realiza la función (x + y)'
es equivalente a la expresión función xy' . Similarmente, una función
NAND puede ser expresada bien sea por (xy)' o por x' + y' por esta
razón, las compuertas NOR y NAND tienen dos símbolos gráficos
distintos como se muestra en la figura:







En vez de representar una compuerta NOR por el símbolo gráfico OR
seguido por un círculo, nosotros podemos representarla por un
símbolo gráfico AND precedido por círculos en toda la entrada. El
inversor AND para la compuerta NOR proviene M teorema De Morgan
y de la convención de que los círculos pequeños denotan
complementación. Similarmente la compuerta NAND también posee
dos símbolos gráficos.






Para ver cómo se utiliza la manipulación del álgebra Booleana para
simplificar circuitos digitales considere el diagrama lógico de la
siguiente figura. La salida de la primera compuerta NAND es, por el
teorema De Morgan, (AB)' = A' + B' . La salida del circuito es la
operación NAND de este término y B' .

3 X = [( A' + B ) * B' ] '



Utilizando el teorema De Morgan dos veces, obtenemos:

4 X = (A' + B)' + B = AB' + B

Note que el teorema De Morgan ha sido aplicado tres veces ( para
demostrar su utilización ) pero podría ser aplicado solamente una vez
de la siguiente manera:

X = [(AB‟)*B']' = AB' + B

La expresión para x puede simplificarse por aplicación de las
relaciones mencionadas anteriormente





X = AB'+ B
= B + AB'
= (B + A) (B + B')
= (BEA)* 1
= B + A
= A + B

El resultado final produce una función OR y puede ser implementado
con una sola compuerta OR como se muestra en la figura parte (b).
Uno Puede demostrar que dos circuitos producen relaciones binarias
idénticas Entrada - Salida simplemente obteniendo la tabla de verdad
para cada uno de ellos.

Configuración interna de las compuertas lógicas más comunes:

NAND 7400











NOR 7402












INVERSOR



















AND 7408







OR 7432















XOR 7486














4.6 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS

Como se fabrican los Circuitos Integrados.

Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de
pastillas de silicio. El procesamiento del silicio para obtener CI o chips
es relativamente complicado. El silicio utilizado para la fabricación de
chips es de una pureza de orden del 99.9999999%. Una vez
sintetizado, el silicio se funde en una atmósfera inerte y se cristaliza en
forma de barras cilíndricas de hasta 10cm de diámetro y 1 m de largo.

Cada barra se corta en pastillas de 0.25 a 0.50 mm de espesor y las
superficies de estas ultimas se pulen hasta quedar brillantes.
Dependiendo de su tamaño, se obtienen varios cientos de circuitos
idénticos (chips) sobre ambas superficies mediante un proceso
llamado planar, el mismo utilizado para producir transistores en masa...

Para fabricar un chip, las pastillas de silicio se procesan primero para
hacer transistores. Una pastilla de silicio por si misma es aislante y no
conduce corriente. Los transistores se crean agregando impurezas
como fósforo o arsénico a determinadas regiones de la pastilla. Las
conexiones se realizan a través de líneas metálicas.

Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones
seleccionadas un químico protector sensible a la luz llamado
fotorresistencia, el cual forma una película muy delgada sobre la
superficie de la pastilla. La pastilla es entonces bombardeada con luz,
mediante un proyector deslizante muy preciso llamado alineador óptico.

El alineador posee un dispositivo muy pequeño llamado mascara, que
evita que la luz incida sobre puntos específicos de la pastilla, cuando
la luz alcanza un área determinada de la pastilla elimina el
fotorresistencia presente en esa zona. A este proceso se le denomina
fotolitografía.

Mediante un proceso de revelado, el químico se deposita en las
regiones descubiertas por la luz e ignora las encubiertas por la
mascara. Estas últimas zonas aun permanecen recubiertas de "
fotorresistencia".

La precisión del alineador óptico determina que tan fino puede hacerse
un rasto. A comienzos de los 70´s, era difícil hacer transistores de
menos de 10 micras de tamaño. Ahora, los transistores alcanzan
tamaños inferiores a una velocidad de respuesta de los dispositivos.

A continuación, la pastilla se calienta a altas temperaturas; esto origina
que el silicio no procesado de la superficie se convierta en oxido de
silicio (SiO2). El SiO2 se esparce sobre la superficie de la pastilla y
forma sobre la misma una delgada película aislante de unas pocas
micras de espesor.

De este modo se obtiene el primer nivel de metalización de chips. Para
obtener una nueva capa de metalización, el SiO2 se trata nuevamente
con "fotorresistencia" y se expone al alineador óptico, repitiéndose el
mismo procedimiento seguido con el silicio del primer nivel.

Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una
estructura parecida a un sándwich, con el SiO2 como el pan y el metal
o el silicio dopado como la salchicha, la mayoría de Circuitos
Integrados no se hacen con mas de tres capas de metalización.

Clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura.

La clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura
puede ser de acuerdo a la cantidad de compuertas utilizadas para
implementar la función propia del chip (llamado Escalas de Integración)
como sabemos, las compuertas son los bloques constructivos básicos
de todos los circuitos digitales.

Las escalas de Integración son 4: SSI, MSI, LSI, VLSI; a continuación
veremos cada una de ellas.

SSI.- Significa Small Scale Integration (integración en pequeña escala)
y comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas.
Ejemplos: compuertas y flip flops. Los Circuitos Integrados SSI se
fabrican empleando tecnologías ttl, cmos y ecl. Los primeros Circuitos
Integrados eran SSI .

MSI.- Significan Médium Scale Integration ( integración en mediana
escala), y comprende los chips que contienen de 13 a 100
compuertas . ejemplos: codificadores, registros, contadores ,
multiplexores, de codificadores y de multiplexores. los Circuitos
Integrados MSI se fabrican empleando tecnologías ttl, cmos, y ecl.

LSI.- significa Large-Scale Integration ( integración en alta escala) y
comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas.
ejemplos: memorias, unidades aritméticas y lógicas (alu's),
microprocesadores de 8 y 16 bits . los Circuitos Integrados LSI se
fabrican principalmente empleando tecnologías.

VLSI.- Significa Very Large Scale Integration ( integración en muy alta
escala) y comprende los chips que contienen más de 1000
compuertas ejemplos: micro-procesadores de 32 bits, micro-
controladores, sistemas de adquisición de datos. los Circuitos
Integrados VSLI se fabrican también empleando tecnologías ttl, cmos
y pmos.

Clasificación de los circuitos Integrados de acuerdo a su función.

Los Circuitos Integrados se clasifican en CI analógicos, digitales, de
interfase y de consumo. A continuación veremos cada uno de estos.

Circuitos Integrados Analógicos.

Los Circuitos Integrados analógicos se fabrican usado gran variedad
de tecnologías de semiconductores, como bipolar, efecto de campo,
óxidos metálicos y combinaciones de estas tres. En la mayoría de los
casos el usuario no esta interesado en este aspecto de los Circuitos
Integrados, ya que únicamente puede basar su trabajo en las
especificaciones del fabricante. La tecnología empleada en la
fabricación de los Circuitos Integrados digitales es importante para el
usuario, debido a que estos se emplean en “familias lógicas”, con
características eléctricas comunes que garantizan su compatibilidad.
Los Circuitos Integrados analógicos se seleccionan normalmente
siguiendo criterios individuales, y solo es importante su compatibilidad
con los requisitos de alimentación. Incluso en este aspecto, la mayoría
de los Circuitos Integrados analógicos están disponibles con amplios
márgenes de alimentación, por lo que su empleo no suele estar
condicionado por su compatibilidad.


Características Importantes
TTL
La familia TTL usa transistores del tipo bipolar por lo que está dentro
de las familias lógicas bipolares.
Las familias TTL estándar.-
Texas Instruments (1964) introdujo la primera línea estándar de
productos circuitales TTL. La serie 5400/7400 ha sido una de las
familias lógicas de Circuitos Integrados más usadas.
La diferencia entre las versiones 5400 y 7400 es que la primera es de
uso militar, operable sobre rangos mayores de temperatura (de –55 a
+125ºC) y suministro de alimentación (cuya variación en el suministro
de voltaje va de 4,5 a 5,5 V). La serie 7400 opera sobre el rango de
temperatura 0 – 70ºC y con una tensión de alimentación de 4,75 a
5,75 V. Ambas tienen un fan-out típico de 10, por lo que pueden
manejar otras 10 entradas.
TTL de baja potencia, serie 74L00:
Tienen menor consumo de energía, al costo de mayores retardos en
propagación, esta serie es ideal para aplicaciones en las cuales la
disipación de potencia es más crítica que la velocidad. Circuitos de
baja frecuencia operados por batería tales como calculadoras son
apropiados para la serie TTL.

TTL de alta velocidad, serie 74H00:
Poseen una velocidad de conmutación mucho más rápida con un
retardo promedio de propagación de 6ns. Pero la velocidad
aumentada se logra a expensas de una disipación mayor de potencia.
TTL Schotty, serie 74S00:
Tiene la mayor velocidad disponible en la línea TTL.

Otras propiedades de los TTL son:
-En cualquier Circuito Integrado TTL, todas las entradas son 1 a
menos que estén conectadas con alguna señal lógica.
-No todas las entradas en un Circuito Integrado TTL se usan en una
aplicación particular.
-Se presentan situaciones en que una entrada TTL debe mantenerse
normalmente BAJA y luego hecha pasar a ALTA por la actuación de
un swich mecánico.
-Las señales de entrada que manejan circuitos TTL deben tener
transiciones relativamente rápidas para una operación confiable. Si los
tiempos de subida o de caída son mayores que 1 µs, hay posibilidad
de ocurrencia de oscilaciones en la salida.
CMOS
Acrónimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor
(Semiconductor Complementario de Óxido Metálico).
Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de
conmutación, estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad
de acceso y un bajo consumo de electricidad. Pueden resultar
dañados fácilmente por la electricidad estática.
La lógica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el área
MSI, mayormente a expensas de TTL, con la cual es de directa
competencia.

El proceso de fabricación del CMOS es más simple que TTL y tiene
una densidad de empaque mayor, permitiendo por consiguiente más
circuitería en un área dada y reduciendo el costo por función.
CMOS usa sólo una fracción de la potencia que se necesita para la
serie TTL de baja potencia (74L00) y es así apropiada idealmente para
aplicaciones que usan potencia de batería o potencia con batería de
respaldo. La velocidad de operación de CMOS no es comparable aún
con las series TTL más rápidas, pero se espera mejorar en este
respecto.
La serie 4000A es la línea más usada de Circuitos Integrados digitales
CMOS. Contiene algunas funciones disponibles en la serie TTL 7400 y
está en expansión constante. Algunas características más importantes
de esta familia lógica son:
-La disipación de potencia de estado estático de los circuitos lógicos
CMOS es muy baja.
-Los niveles lógicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lógico y + V
DD
para 1 lógico. El suministro + V
DD
puede estar en el rango 3 V a 15 V
para la serie 4000A, por lo que la regulación de la fuente no es una
consideración seria para CMOS. Cuando se usa CMOS con TTL, el
voltaje de la fuente se hace 5 V, siendo los niveles de voltaje de las
dos familias los mismos.
-La velocidad de conmutación de la familia CMOS 4000A varía con el
voltaje de la fuente.
-Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algún nivel de
voltaje, preferiblemente tierra o V
DD
. Entradas no usadas no pueden
dejarse flotado (desconectadas), porque estas entradas serían
susceptibles al ruido. Estas entradas no usadas pueden también ser
conectadas a una de las entradas usadas, siempre y cuando no se
exceda el fan-out de la fuente de señal. Esto es altamente improbable
debido al alto fan-out del CMOS.
Diferencias mas importantes:
- Los voltajes de alimentación son de 5V para los circuitos TTL y
de 3 V a 15 V para los circuitos CMOS.
- En la fabricación de los circuitos integrados se usan transistores
bipolares par el TTL y transistores MOSFET para La tecnología CMOS.
- El circuito integrado CMOS es de menor consumo de energía
pero de menor velocidad que los TTL.





FUNCIONES Y TABLAS DE VERDAD
Una función de un Álgebra de Boole es una variable binaria cuyo valor
es igual al de una expresión algebraica en la que se relacionan entre
sí las variables binarias por medio de las operaciones básicas,
producto lógico, suma lógica e inversión.
Se representa una función lógica por la expresión f = f (a, b, c,...)
El valor lógico de f, depende del de las variables a, b, c,...
Se llama termino canónico de una función lógica a todo producto o
suma en la cual aparecen todas las variables en su forma directa o
inversa. Al primero de ellos se le llama producto canónico y al segundo
suma canónica. Por ejemplo sea una función de tres variables f (a, b,
c). El término abc es un producto canónico mientras que el término a +
b + c es una suma canónica.
El número máximo de productos canónicos o sumas canónicas viene
dado por las variaciones con repetición de dos elementos tomados de
n en n. El número de productos o sumas canónicas de n variables es
por lo tanto 2n.
Para mayor facilidad de representación, cada termino canónico se
expresa mediante un número decimal equivalente al binario obtenido
al sustituir las variables ordenadas con un criterio determinado por un
1 o un 0 según aparezcan en su forma directa o complementada
respectivamente.

Los circuitos digitales operan en el sistema numérico binario, que
implica que todas las variables de circuito deben ser 1 o 0. El álgebra
utilizada para resolver problemas y procesar la información en los
sistemas digitales se denomina álgebra de Boole, basada sobre la
lógica más que sobre el cálculo de valores numéricos reales. El
álgebra booleana considera que las proposiciones lógicas son
verdaderas o falsas, según el tipo de operación que describen y si las
variables son verdaderas o falsas. Verdadero corresponde al valor
digital 1, mientras que falso corresponde a 0. Las tablas de verdad,
llamadas tablas booleanas, presentan todas las posibles
combinaciones de entrada frente a las salidas resultantes.
Los teoremas del álgebra de Boole son demostrables a diferencia de
los del álgebra convencional, por el método de inducción completa.
Para poder realizar esto se emplean las llamadas tablas de verdad
que no son otra cosa que representaciones gráficas de todos los
casos que pueden darse en una relación y de sus respectivos
resultados.
La tabla de verdad de una función lógica es una forma de
representación de la misma en la que se indica el valor 1 o 0 que toma
la función para cada una de las combinaciones posibles de las
variables de las cuales depende. En la siguiente tabla se representa la
tabla de verdad de una función de tres variables. La deducción de la
forma canónica de la función por medio de la tabla de verdad resulta
sencilla.
Si, para una determinada combinación de las entradas, la fusión toma
el valor lógico 1, el producto canónico de todos los posibles 2n, que
vale 1 para dicha combinación, ha de formar parte de la función. La
deducción del producto canónico correspondiente es inmediata
asignando al estado 0 la variable inversa y al estado 1 la variable
directa.







c b a f
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 1

No existe actualmente un criterio unico de minimización de la
expresión de una función lógica y además se prevé una gran evolución
de este concepto debido a la cada día mayor disponibilidad de
sistemas funcionales complejos en circuitos integrados que permite
realizar cualquier función lógica.
CIRCUITOS BÁSICOS
Los siguientes son pequeños circuitos digitales integrados cuyo
funcionamiento se adapta a las operaciones y postulados del álgebra
de Boole . Los operadores o puertas lógicas mas importantes
aparecen en la siguiente tabla , junto a su nombre , símbolo mas
extendido y ecuación.
Simbolo Función Ecuación
Lógica
Tipos
comerciales
Sumadora O
(Or)
S = a+b Se fabrican en
dos entradas




Multiplicadora Y
(AND)
S = a.b Se fabrican en
dos, tres o
cuatro
entradas

Inversora No
(NOT)
S = ā Se fabrican en
una entrada

Sumadora
Negadora No O
(NOR)
S = a+b Se fabrican en
dos, tres,
cuatro o cinco
entradas

Multiplicadora
Negadora No
Y(NAND)
S = ab Se fabrican en
dos, tres o
cuatro, ocho,
doce o trece
entradas

Ahora pasaremos a especificar cada uno de los circuitos básicos que
hemos resumido anteriormente en la tabla.
CIRCUITO OR
Es un dispositivo digital que entrega una salida baja cuando todas sus
entradas son bajas, y una salida alta cuando existe por lo menos un
alto en cualquiera de sus entradas o en las dos al mismo tiempo.
El signo (+) denota la función propia de una compuerta OR y no se
puede omitir, tampoco debe confundirse con el signo más de la suma
aritmética, a esta operación se le denomina también suma lógica.
Es un circuito que tiene dos o más entradas y su salida es igual a la
suma OR de las entradas. La figura siguiente muestra el símbolo
correspondiente a una compuerta OR de dos entradas. Las entradas A
y B son niveles de voltaje lógico y la salida S es un nivel de voltaje
lógico cuyo valor es el resultado de la operación OR de A y B; esto es
S = A+B, que debe leerse como "S es igual a o B"o "A o B es igual a
S" y no como "S es igual a A más B" En otras palabras, la compuerta
OR opera en tal forma que su salida es alta (nivel lógico 1)si la entrada
A, B o ambas están en el nivel lógico 1.La salida de la compuerta OR
será baja (nivel lógico 0)si todas sus entradas están en el nivel lógico
0.
Esta misma idea puede ampliarse a más de dos entradas Por ejemplo
si tuviéramos tres entradas la tabla lógica que se muestra a
continuación nos demuestra una vez más que la salida 1 se dará en el
caso de que una o más entradas sean 1.Este es el principio general es
el mismo que rige para compuertas OR con cualquier número de
entradas .
Mediante el uso del lenguaje del álgebra booleana , la salida x puede
expresarse como X = A + B + C, donde una vez debe hacerse hincapié
en que el signo + representa la operación OR. Por consiguiente la
salida de cualquier compuerta OR se puede expresar como la suma
OR de todas sus entradas.









CIRCUITO AND
Una compuerta AND de dos entradas es un dispositivo lógico que
entrega una salida alta cuando todas sus entradas son altas y una
salida baja cuando hay un alto en cualquiera de sus entradas .
El signo (.) denota la función propia de una compuerta AND y se
puede omitir, de modo que da lo mismo si se coloca o no. A la función
AND se le llama también producto lógico.
Es un circuito con dos o mas entradas, la salida de estas es igual al
producto AND de las entradas lógicas es decir S = A.B Es un circuito
que opera en tal forma que su salida es alta solamente cuando todas
sus entradas son altas . En todos los otros casos la salida de la
compuerta AND es baja es decir 0,. Al igual que en el caso del circuito
OR también se cumple que esta operación también se cumpla para
más de dos entradas . En la figura que se muestra a continuación se
encuentra una tabla con tres entradas. Cabe resaltar que la salida de
la compuerta es 1 solamente en el caso que A = B = C = 1. La
expresión para la salida sería la siguiente X =ABC.
Se debe tener cuidado a la hora de observar los símbolos para operar
dado que como son un poco parecidos podría haber una equivocación
y obviamente esto sería realmente fatal si lo que se busca es reducir o
resolver el circuito.
A B C X=A+B+C
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 1







CIRCUITO NOT
Esta operación se puede efectuar con una sola variable de entrada. En
el caso de que la variable fuera B si la sometemos a la operación NOT
el resultado sería X = Ā.Existen varias formas de expresar esta
operación una de ellas es: X es igual a la inversa de A o X es igual a
no A. Lo que indica la negación vendría a ser el simbolito que se
encuentra encima de la variable de entrada.
A este circuito también se le conoce con el nombre de inversor o
complementador puesto que también pudimos haber dicho Ā es el
complemento de A.
En este circuito solo observamos dos casos cuando 1 se ha negado o
complementado se convierte en 0 y cuando 0 se ha negado o
complementado se convierte en 1. A continuación se muestra esto
simbólicamente . Si lo quisiéramos representar en una tabla
de verdad sería de la forma siguiente:





A B C X=ABC
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
A X= Ā
0 1
1 0
CIRCUITOS NAND Y NOR
Una vez que se ha obtenida la expresión mínima de una función es
necesario realizarla en la practica mediante elementos físicos. El
diseño de puertas lógicas con transistores en un principio y la posterior
aparición de los circuitos ha hecho que las puertas NAND y NOR sean
las mas utilizadas en la realización de las funciones lógicas Se ha
demostrado que las funciones NAND y NOR pueden realizar
cualquiera de las tres funciones elementales suma, producto e
inversión.
Par realiza con puertas NAND ( NOR) la expresión mínima de la
función obtenida por el método tabular o el método numérico, se
aplicaran las siguientes reglas cuya validez se deduce de los
postulados y teoremas existentes.
a. Se aplican a la expresión global de la función dos inversores con
lo cual la misma queda invariable.
b. Si la operación más externa es una suma (producto)lógica, se
opera una de las inversiones aplicando el Teorema de Morgan y
si es producto (suma) no se operan ninguna de las dos.
c. Si en el interior de la expresión existen sumas (producto) lógicas,
se aplican a cada una de ellas dos inversiones y se opera una de
ellas par convertirla en el inverso del producto (suma).
d. Se continúa realizando esta operación hasta que todas las
sumas (producto)hayan llegado convertidas en inversos de
productos (sumas).
Las reglas par realizar cualquier expresión con puertas NAND no son
iguales a las de la puerta NOR sustituyendo la palabra suma por
producto, lo cual se ha indicado incluyendo la palabra suma entre
paréntesis en las reglas que acabamos de indicar.
Componentes Digitales
Muchas veces, en la etapa de diseño de un circuito digital, se requiere
utilizar una compuerta. Utilizar un circuito integrado y sólo disponer de
una compuerta de éste es muy ineficaz. Para evitar este problema
realizaremos algunos dispositivos digitales con componentes discretos
y/o con otros dispositivos, con el fin de optimizar algunos circuitos.
La primera compuerta lógica que fabricaremos con componentes
discretos será la NOT. Algunos esquemas posibles son los siguientes:
NOT:









El primer circuito es el más simple y el más usado. El transistor es ,
mientras que R2 adopta un valor de cualquier transistor pequeño. R1
es de 10k . VCC es la tensión de alimentación del circuito. Esta
compuerta es útil en 1k sistemas tanto TTL como CMOS.
El segundo circuito, que es del tipo CMOS, es un poco más
complicado, pero su respuesta es casi igual al de una compuerta del
tipo CD4XXX. Con lo cual debe ser utilizado en circuitos con grandes
exigencias a nivel de lógica.





AND:
La compuerta AND se realiza de la siguiente manera:

Nuevamente, el primer circuito es el más utilizado y el más versátil.
Los . Sin embargo, el diodos son cualquier diodo pequeño y la
resistencia es de 10k segundo ofrece características mucho más
similares a las de un circuito integrado. Para agregar más entradas a
la compuerta, basta sólo colocar tantos diodos en paralelo con D1 y
D2 como entradas adicionales se requiera. Aquí se observa una nueva
ventaja de la "fabricación" de compuertas: es perfectamente factible
realizar una AND ó una OR con 30 ó 40 entradas, algo muy difícil de
conseguir en un circuito integrado convencional.
OR:
De forma similar a las AND las compuertas OR se crean de la
siguiente manera:




De nuevo aparece el compromiso entre la versatilidad y facilidad o la
similitud de respuesta entre ambos diseños.
Las compuertas NAND, NOR, X-OR, X-NOR surgen de la combinación
de los tres diseños anteriores.
Si bien, como se explicó arriba, realizar una compuerta con
componentes discretos es útil en algunas circunstancias, en otras es
necesario crear un componente digital a partir de otros. Por ejemplo: si
se dispone de un circuito integrado con 4 compuertas NAND, del que
se utilizan 3 y se requiere una compuerta "NOT", no hace falta colocar
otro CI con una compuerta NOT es posible utilizar la compuerta NAND
como una NOT.
Se pueden fabricar unos componentes con otros, por ejemplo:
• COMPUERTA NOT CON NAND:

• COMPUERTA NOT CON NOR:


• COMPUERTA AND CON NOR:

• COMPUERTA NAND CON NOR:

• COMPUERTA OR CON NAND:


• COMPUERTA NOR CON NAND:






4.7 APLICACIONES





Tarjeta UART para PC – elevada integración en los diseños con Compact
Flash: VPU16550
El VPU16550 es la solución de Elan para promotores que deseen crear tarjetas
PC o Compact Flash que posean una conexión de datos en serie.
El VPU, que representa Tarjeta UART Versátil para PC, implementa toda la
decodificación y lógica de protocolos requeridos por la interfaz con el “host”,
integrados con una UART (Universal Asynchronous Receiver Transmitter,
Transceptor Asíncrono Universal) 16550 estándar en la Industria . Esto permite la
conexión directa con cualquier dispositivo asíncrono hasta 1 Mb/s.
El chip VPU , acoplado con una Estructura de Información de Tarjetas adecuada,
hará uso de los controladores por defecto a partir de todos los Sistemas
Operativos Windows; esto es: Windows95, 98, 98SE, ME, 2000, XP, CE,
PocketPC y MacOS. El VPU funcionará asimismo con controladores de DOS,
procedentes de compañías como SystemSoft y Award.



El VPU implementa también algunas funcionalidades novedosas, más allá del
funcionamiento normal del UART, para permitir que se añadan prestaciones
propietarias al diseño de la tarjeta, pero sin necesidad de escribir controladores de
los dispositivos en el núcleo.
Para apoyar a los distribuidores en el uso y producción de su tarjeta, existe un
conjunto de diseño de referencia que incluye: chips, herramientas de software,
esquemas y datos de muestra sobre CIS.
El VPU16551 se adecua, de modo ideal, a la creación de las tarjetas PC que
precisen de una funcionalidad "COM" de tipo puerto estándar. Por ejemplo:
1. Radio Bluetooth.
2. Tarjetas para interfaz RS232, 422 y 485.
3. Interfaz para escáner.
4. Transmisores / etiquetas Smart.
5. Módulos RF con E/S en serie.
6. Módulos de radio GSM y GPRS.
7. Módulos de radio CDMA.
8. Módulos GPS.
4.2 Características técnicas

16C550 compatible UART con FIFO TX y RX de 16 bytes, para mayor
velocidad y fiabilidad de las comunicaciones.

Soporta las tasas binarias estándar en la Industria y el modo mejorado x8,
para llegar hasta 1 Mb/s (y más allá)

Paquete VQFP ultra-delgado y de 100 bolitas, 16mm x 16mm x 1,1 mm típ.

Soporta interfaces PCMCIA y Compact Flash.

Muy fácil de usar. No se precisan conocimientos especiales.

Utiliza EEPROM en paralelo re-programable en circuito (como AT28C16). El
VPU proporciona señales de control a la EEPROM para permitir que el
software activado “desbloquee” la secuencia antes de la escritura (con el fin
de protegerla contra una corrupción accidental por parte del “host”).

Puerto E/S digital de amplio uso general de 8 bits (precisa controlador Elan)

Acceso mediante "puerto paralelo" a los búferes de TX y RX (en el lado de la
tarjeta) para aquellos diseños que no pueden usar el modo serie.

Soporte del modo FIFO externo hiperacelerado...completamente
independiente del puerto serie, le permite escoger la profundidad de FIFO y
obtener caudales continuos utilizables de más de 5 MBits/seg. en el “host”
PDA (como iPaq). Esta característica requiere el controlador Elan.

Resistencias de “pull-up” y “pull-down” incorporadas (rev Ch hacia adelante)

Controlador del LED de actividad del registro UART.

Se proporciona una señal para auto-triestado RS485, llamada "TXRDY".

Soporte de oscilador a cristal o unidad de reloj TTL externo.

Soporte multifunción...hasta 8 VPU en una tarjeta, o compartición con otras
funciones lógicas.

Soporte por los controladores estándar de DOS, Windows 95, 98, 98SE, Me,
2000, XP, CE/ Pocket PC y MacOS.

También está disponible el controlador mejorado para PocketPC, para dar
soporte a las prestaciones extendidas del VPU (llegará pronto otros soportes
sobre SO).

Bajo consumo de energía: típicamente, 5 mA a 5 V o 3,3 V. Soporte del modo
de adormecimiento con consumo reducido, a través e la detención del
oscilador

Señal de desconexión controlada por software disponible a nivel de conector,
para usarse en su circuito.
Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. Esto no quiere decir
que por si mismos son capaces de cumplir la función para los que estén diseñados.
Para ello serán necesarios unos componentes pasivos y activos para completar
dicha funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito
impreso para los aparatos serían muy grandes y además estarían llenos de
componentes. Este tipo de dispositivos, por su diseño, son capaces de albergar en
su interior y de forma casi microscópica gran cantidad de componentes, sobre
todo, semiconductores.
No todos los componentes electrónicos se pueden integrar con la misma facilidad:
Como antes se indicó los semiconductores, básicamente, los transistores y
diodos, presentan menos problemas y menor costo en la integración.
Igualmente tanto resistencias como condensadores se pueden integrar pero
aumenta el coste.
Por último las bobinas no se integran por la dificultad física que entrañan, así
mismo ocurre con relés, cristales de cuarzo, displays, transformadores y
componentes tanto pasivos como activos que disipan una potencia considerable
respecto de la que podrían soportar una vez integrados.
El proceso de fabricación de un circuito integrado es como se observa en la figura
de un modo esquemático:

a) Diseño del circuito que se quiere integrar.
b) Máscara integrada con los semiconductores necesarios según el diseño del
circuito.
c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips.
d) Corte del microchip.
e) Ensamblado del microchip en su encapsulado y a los pines
correspondientes.
f) Terminación del encapsulado.
ESCALAS DE INTEGRACION
Las escalas de integración hacen referencia a la complejidad de los circuitos
integrados, dichas escalas están normalizadas por los fabricantes.

Escala de integración

componentes
Aplicaciones típicas
SSI: pequeña escala de
integración
<100 Puertas lógica y biestables
MSI: media escala de
integración
+100 y -1000
Codificadores, sumadores,
registros...
LSI: gran escala de integración
+1000 y -
100000
Circuitos aritméticos complejos,
memorias...
VLSI: Muy alta escala de
integración
+100000 y -
10
6

Microprocesadores, memorias,
microcontroladores...
ULSI: Ultra alta escala de
integración
+ 10
6

Procesadores digitales y
microprocesadores avanzados
ENCAPSULADOS



ENCAPSULADO DIP o DIL.- Este es el encapsulado más empleado en
montaje por taladro pasante en placa. Este puede ser cerámico (marrón) o de
plástico (negro). Un dato importante en todos los componentes es la distancia
entre patillas que poseen, en los circuitos integrados es de vital importancia este
dato, así en este tipo el estándar se establece en 0,1 pulgadas (2,54mm).
Se suelen fabricar a partir de 4, 6, 8, 14, 16, 22, 24, 28, 32, 40, 48, 64 patillas,
estos son los que más se utilizan.
Otra norma que también suele cumplirse se refiere a la identificación de la
numeración de las patillas o pines: la patilla número uno se encuentra en un
extremo señalada por un punto o una muesca en el encapsulado y se continua la
numeración en sentido antihorario (sentido contrario a las agujas del reloj),
mirando al integrada desde arriba. Por regla general, en todos los encapsulados
aparece la denominación del integrado, así como, los códigos particulares de cada
fabricante.
ENCAPSULADO FLAT-PACK.- se diseñan para ser soldados en máquinas
automáticas o semiautomáticas, ya que por la disposición de sus patillas se
pueden soldar por puntos. El material con el que se fabrican es cerámico. La
numeración de sus patillas es exactamente igual al anterior. Sus terminales tienen
forma de ala de gaviota. La distancia entre patillas es de 1,27mm, la mitad que en
los DIP.


Encapsulado DIP o DIL
(Dual In Line)
Encapsulado flat-pack
Encapsulado SOIC (Small
Outline Integrated Circuit)



Encapsulado PLCC
(Plastic Lead Chip Carrier)
Encapsulado LCCC
( Leaded Ceramic Chip
Carrier)
Encapsulado SIP
ENCAPSULADO SOIC.- Circuito integrado de pequeño contorno. Son los más
populares en los circuitos de lógica combinacional, tanto en TTL como en CMOS.
También la terminación de las patillas es en forma de ala de gaviota. Se sueldan
directamente sobre las pistas de la placa de circuito impreso, en un área
denominada footprint. La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05"). La
numeración de los pines es exactamente igual a los casos anteriores.
ENCAPSULADO PLCC.- Se emplea en técnicas de montaje superficial pero,
generalmente, montados en zócalos, esto es debido a que por la forma en J que
tienen sus terminales la soldadura es difícil de verificar con garantías. Esto permite
su uso en técnicas de montaje convencional. Se fabrican en material plástico. En
este caso la numeración de sus patillas varía respecto de los anteriores. El punto
de inicio se encuentra en uno de los lados del encapsulado, que coincide con el
lado de la cápsula que acaba en chaflán, y siguiendo en sentido antihorario. La
distancia entre terminales es de 1,27mm.
ENCAPSULADO LCC.- Al igual que el anterior se monta en zócalo y puede
utilizarse tanto en montaje superficial como en montaje de taladro pasante. Se
fabrica en material cerámico y la distancia entre terminales es cerámico.
Los encapsulados que aparecen en este tema son los más importantes y los más
utilizados. Como es lógico esta es una pequeña selección de la infinidad de tipos
de cápsulas que existen. Si pulsas en el siguiente botón verás una clasificación de
circuitos integrados bajo dos criterios que se refieren a la forma física y disposición
de patillaje, así como, al montaje en placa de circuito impreso (Montaje
convencional y SMD).

Montaje convencional Montaje Superficial





















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UNIDAD V.- PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA
5.1.- El SCR
5.2.- El TRIAC
5.3.- APLICACIONES DEL SCR Y DEL TRIAC
5.3.1.- Protección contra elevación de voltaje
5.3.2.- Controles simples de velocidad
5.3.3.- Control de iluminación
5.4.- EL UJT
5.4.1.- Aplicaciones
5.5.- CONTROL DE POTENCIA CON TIRISTORES
5.6.- DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS Y SUS APLICACIONES
5.6.1.- Led
5.6.2.- Fotodiodo
5.6.3.- Optoacopladores
5.6.4.- Fototransistor
5.1 TIRISTORES (SCR)
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio
(SCR) es, sin duda, el de mayor interés hoy en día, y fue presentado por primera
vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Algunas de las áreas más
comunes de aplicación de los SCR incluyen controles de relevador, circuitos de
retardo de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,
controles de motores, recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de
baterías, circuitos de protección, controles de calefacción y controles de fase.
En años recientes han sido diseñados SCR para controlar potencias tan
altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800
V. Su rango de frecuencia de aplicación también ha sido extendido a cerca de 50
kHz, lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia.
Operación Básica del Rectificador Controlado de Silicio
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material
de silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio
debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operación básica del
SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que
una tercera terminal, llamada compuerta, determina cuándo el rectificador
conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente sólo
la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de
conducción la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a 0.1 . La
resistencia inversa es típicamente de 100 k o más.
El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la figura 4.27, y las
conexiones correspondientes a la estructura de semiconductor de cuatro capas en
la figura 4.26.

Figura 4.26. Construcción básica del SCR.

Figura 4.27. Símbolo del SCR.
MENU
PRINCIPAL
Características y Valores Nominales del SCR
En la figura 4.28 se proporcionan las características de un SCR para
diversos valores de corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes más usados
se indican en las características.

Figura 4.28. Características del SCR.

1. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra
a la región de conducción. El asterisco (*) es una letra que se agregará
dependiendo de la condición de la terminal de compuesta de la manera siguiente:
O = circuito abierto de G a K
S = circuito cerrado de G a K
R = resistencia de G a K
V = Polarización fija (voltaje) de G a K
2. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el
SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las
condiciones establecidas.
3. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la
condición de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de
carga (corriente) del ánodo al cátodo.

MENU
PRINCIPAL
4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la región de
avalancha del diodo semiconductor de dos capas fundamental.
Aplicaciones del SCR
Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes:
- Controles de relevador.
- Circuitos de retardo de tiempo.
- Fuentes de alimentación reguladas.
- Interruptores estáticos.
- Controles de motores.
- Recortadores.
- Inversores.
- Cargadores de baterías.
- Circuitos de protección.
- Controles de calefacción.
- Controles de fase.
En la figura 4.29a se muestra un interruptor estático es serie de medida de
media onda. Si el interruptor está cerrado, como se presenta en la figura 4.29b, la
corriente de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada,
encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de
compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de
conducción, dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y
muy poca pérdida en el circuito de compuerta. Para la región negativa de la señal
de entrada el SCR se apagará, debido a que el ánodo es negativo respecto al
cátodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de
compuerta.
Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se
muestran en la figura 4.29b. El resultado es una señal rectificada de media onda a
través de la carga. Si se desea conducción a menos de 180º, el interruptor se
puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la
señal de entrada. El interruptor puede ser electrónico, electromagnético,
dependiendo de la aplicación.

a) b)
Figura 4.29. Interruptor estático en serie de media onda.
MENU PRINCIPAL
En la figura 4.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y 180º. El circuito es similar
al de la figura 4.29a, con excepción de la resistencia variable y la eliminación del interruptor. La combinación de las resistencias R y R1
limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si R1 está en su valor máximo, la corriente de
compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de ence4ndido. Conforme R1 disminuye desde el máximo, la corriente de compuerta se
incrementará a partir del mismo voltaje de entrada.
De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida
para el encendido en cualquier punto entre 0º y 90º, como se muestra en la figura
4.30b. Si R1es bajo, el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción
que la obtenida del circuito de la figura 4.30b, el control no puede extenderse más
allá de un desplazamiento de fase de 90º, debido a que la entrada está a su valor
máximo en este punto. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje
de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma
respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. A
esta operación se le menciona normalmente en términos técnicos como control de
fase de media onda por resistencia variable. Es un método efectivo para controlar
la corriente rms y, por tanto, la potencia se dirige hacia la carga.



a) b)
Figura 4.30. Control de fase de resistencia variable de media onda.
5.2 TRIAC
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de
corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede
ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es
decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
Descripción general
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una
terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado.
Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye
de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac
deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad
del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac (dv/dt) aún sin
conducción previa, el triac puede entrar en conducción directa.
Construcción básica, símbolo, diagrama
equivalente




FIG. 1 FIG. 2
La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. 1, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido MT1-
MT2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios
hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los triac son
fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias
son denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de
las terminales de un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados
por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
El Triac actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3, este
dispositivo es equivalente a dos latchs.

FIG. 3
Característica tensión – corriente

FIG. 4
La FIG. 4 describe la característica tensión – corriente del Triac. Muestra la corriente a través del
Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT
2
y MT
1
.
El punto V
BD
( tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta
a una resistencia baja y la corriente, a través del Triac, crece con un pequeño cambio en la tensión
entre los ánodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento I
H
. Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. Una vez
que el Triac entra en conducción, la compuerta no controla mas la conducción, por esta razón se
acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía
sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo MT2 es
negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Por esto es un
componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la
característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del cuadrante III.
Métodos de disparo
Como hemos dicho, el Triac posee dos ánodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2, se miden con respecto al ánodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre
los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cuáles son los fenómenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1 – El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensión del ánodo
MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo mas
común (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union P2N2 y en parte a
través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2, que es favorecida
en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral
de corriente de compuerta. Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial
exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción.
2 – El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensión del
ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto al ánodo MT1 (Intensidad de
compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva
de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta.
Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen
pasar a conducción.
3 – El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo
MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa
con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura
auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la
unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la
estructura principal, que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conducción.
4 – El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del
ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de disparo de la compuerta es
positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la
estructura P2N1P1N4.
La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusión la
unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El potencial
positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima
a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1
encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo
es mínima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+)
es el de disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo
en todos los estados.

Formas de onda de los triacs
La relación en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la FIG.7. La
corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo
que el triac permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequeña del tiempo en el
estado encendido, el flujo de corriente promedio a través de muchos ciclos será pequeño, en
cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente
promedio será alta.

Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador,
puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de
onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepción
de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8 se muestran las formas de
onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a través de los terminales
principales) para dos condiciones diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada
semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el
voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac, sin aplicar ningún
voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo.
Después de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y
comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del
semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor.

FIG.8

Circuito practico para disparo

FIG.5
En la FIG. 5 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. El resistor R
F

es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El
transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propósito es aislar eléctricamente el
circuito secundario y el primario, para este caso aísla el circuito de potencia ca del circuito de
disparo.
La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de
este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v
sincronizada con la línea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6 (a).
Cuando la alimentación de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual
se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se
acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac,
encendiéndolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc
1
), corriente del
secundario de T2 ( I
sec
) y voltaje de carga (V
LD
), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d).
La razón de carga de C1 es determinada por la razón de R
F
a R
1
, que forman un divisor de voltaje,
entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si R
F
es pequeño
en relación a R
1
, entonces R
1
recibirá una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el
transistor pnp Q
1
conduzca, con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje
de R
1
es aplicado al circuito de base, por lo tanto C
1
se carga con rapidez. Bajo estas condiciones
el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.
Por otra parte se R
F
es grande en relación a R
1
, entonces el voltaje a través de R
1
será menor que
en el caso anterior, esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor
de Q
1
con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C
1
se
reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se
disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

FIG.6
5.5. Control de potencia con tiristores
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control
por tiristores. El triac es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero conectados en
sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta.

El triac sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta.
Como el triac funciona en corriente alterna, habrá una parte de la onda que será positiva y otra
negativa.
MENU PRINCIPAL
La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido
una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de arriba hacia abajo
(pasará por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido
una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de abajo hacia arriba
(pasará por el tiristor que apunta hacia arriba)
Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta).
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y así, controlar el
tiempo que cada tiristor estará en conducción. (recordar que un trisitor solo conduce cuando ha
sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor
mínimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
Ejemplo: Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes
(circuito de control de fase).





Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lámpara
- P: potenciómetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
MENU PRINCIPAL
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga), pasando continuamente entre
los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente
no circula)
Si se varía el potenciómetro, se varía el tiempo de carga del condensador causando que se
incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la
compuerta
Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia
de tiempo) que existe entre los dos orígenes de las mismas.
5.3 Aplicaciones del SCR y del TRIAC.
La aplicación de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra básicamente en corriente
alterna. Su curva característica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo
en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad.
La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en
corriente alterna. El encapsulado del triac es idéntico al de los tiristores.

APLICACIONES DE SCR
Existen muchas aplicaciones de SCR de las cuales se indican aquí unas pocas.
DISPARO DE UNA ALARMA

El reed switch se cierra en presencia de un campo magnético, ejemplo un imán, a través de R pasa la corriente
de compuerta, el SCR entra en conducción y el relé se cierra activando la sirena, aunque el campo magnético
se retire y el reed switch se abra el SCR ya que está en conducción y se mantendrá así hasta que se abra el
circuito usado el pulsador normalmente cerrado (NC).
En la parte de SCR se escoge de forma que soporte la corriente que requiere la bobina del relé, la resistencia
se escoge de forma que por ella pase una corriente mayor que IGTmin.
R
máx
~ V / I
GTmin

PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS
Son puentes rectificadores de onda completa (monofásicos o polifásicos) donde la mitad de los diodos se
reemplazan por SCR. Aplicando unos milisegundos se retardo (tiempo de disparo) entre el instante en que la
señal alterna pasa por cero para disparar el SCR.

A mayor tiempo de disparo será menor el voltaje medio en la carga, para 60 Hz con un tiempo de disparo de
4.16 ms el voltaje habrá bajado a la mitad y con td= 8.33 ms el voltaje habrá llegado a cero.
Puente rectificado trifásico controlado y formas de onda.



APLICACIONES DEL TRIAC
Control de voltaje RMS sobre una carga monofásica. Se usa especialmente para control de iluminación con
lámparas incandescentes o control de velocidades de motores universales.
En cada semiciclo al ir aumentando el voltaje pasa una corriente muy pequeña por la carga que no la activa
pero esa corriente va por el potenciómetro y es suficiente para cargar el condensador, cuando el condensador
se ha cargado a unos 2 o 3 voltios la compuerta entra en conducción descargando el condensador y ésta es la
corriente de compuerta que dispara el Triac y enciende la carga. En el semiciclo positivo el condensador se
carga positivo y el Triac dispara en el cuadrante I, en el semiciclo negativo el condensador se carga negativo y
el Triac se dispara en el cuadrante III. Modificando el resistencia del potenciómetro se hace más rápida o más
lenta la carga del condensador con lo que se varía el tiempo de disparo el valor RMS de voltaje en la carga
varia.
Algunos Triacs requieren de mayor corriente de compuerta en el cuadrante III que en el I, esto hace que el
tiempo de disparo en el semiciclo negativo sea mayor, el voltaje positivo aplicado a la carga resulta mayor
que el negativo y en muchos casos inestabilidad en el circuito o variaciones bruscas el voltaje RMS en la
carga. Para solucionar esta situación se agrega en la compuerta un dispositivo llamado DIAC, necesario, en el
mercado se consigue el Triac con Diac incluido y se llama Quádrac.

RELÉ DE ESTADO SÓLIDO
Este dispositivo reemplaza a los relés magnéticos, su ventaja es que no tiene elementos móviles por lo que su
tiempo de conexión es menor, no sufre desgaste mecánico y no presenta generación de chispas.
Su ventaja es que al no ser un interruptor físico metálico se presenta una caída de tensión entre los terminales
de Triac (Von) que multiplicada por la corriente que pide la carga representa una potencia que se pierde en
forma de calor y eleva la temperatura del relé, obliga a tener precauciones sobre disipación de calor.
Sus características básicas son el voltaje de activación en la entrada que normalmente esta entre 3 y 30
voltios, algunos modelos pueden trabajar con DC o AC, otra característica es la máxima corriente que pueden
conducir hacia la carga que depende de la capacidad del Triac.

5.3.1 Protección contra elevación de voltaje.
Si desea controlar el nivel de iluminación del dormitorio o desea controlar la velocidad de tu taladro
o un ventilador (motores de corriente alterna), este es el circuito que busca.
Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen un punto de encendido y apagado que
no coincide (a este fenómeno se le llama histéresis), y es común en los TRIACS. Para corregir este
defecto se ha incluido en el circuito las resistencias R1, R2 y C1.
El conjunto R3 y C3 se utiliza para filtrar picos transitorios de alto voltaje que pudieran aparecer. El
conjunto de elementos P (potenciómetro) y C2 son los necesarios mínimos para que el triac sea
disparado.
El triac controla el paso de la corriente alterna a la carga conmutando entre los estados de
conducción (pasa corriente) y corte (no pasa corriente) durante los semiciclos negativos y positivos
de la señal de alimentación (110 / 220 voltios.), la señal de corriente alterna que viene por el
tomacorrientes de nuestras casas
El triac se disipará cuando el voltaje entre el condensador y el potenciómetro (conectado a la
compuerta del TRIAC) sea el adecuado.
Hay que aclarar que el condensador en un circuito de corriente alterna (como este) tiene su voltaje
atrasado con respecto a la señal original, y cambiando el valor del potenciómetro, se modifica la
razón de carga del condensador, el atraso que tiene y por ende el desfase con la señal alterna
original. Esto causa que se pueda tener control sobre la cantidad de corriente que pasa a la carga
y por ende la potencia que se le aplica.


Lista de componentes:
Resistencias: 2 de 47 KΩ, (kilohmios), 1 de 100Ω, (ohmios), 1 potenciómetro de 100KΩ (1KΩ = 1
Kilohmio)
Condensadores: 3 de 0.1 uF, ( uF = microfaradios)
Otros: 1 TRIAC (depende de la carga, uno de 2 Amperios para aplicaciones comunes como este
dimmer), 1 enchufe para la carga: de uso general, (110 / 220 Voltios)
5.3.2 Controles simples de velocidad.
Al igual que en el control de iluminacion se presenta el mismo funcionamiento
5.3.3 Control de iluminación.
Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes (circuito de
control de fase).


Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lámpara
- P: potenciómetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga), pasando continuamente entre
los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente
no circula)
Si se varía el potenciómetro, se varía el tiempo de carga del condensador causando que se
incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la
compuerta
Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia de tiempo)
que existe entre los dos orígenes de las mismas

5.4 El UJT.
El transistor UJT o de uni-unión

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por
dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor esta
fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por
ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada
(de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto).

El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b esta constituido por
un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican
RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se
puede expresar como

(12.10)


en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y ((es el factor
de división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo
utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un
diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en
R1 es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.


Figura 12.21. Transistor UJT. a) Estructura física, b) modelo equivalente,
c) circuito equivalente y d) símbolo.

Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la
figura 12.22 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la
relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos
críticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV),
ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de
operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se
detallan a continuación:


Figura 12.22. Características eléctricas de un UJT.

Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la
tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente
de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensión de pico en
el UJT viene definida por la siguiente ecuación

(12.11)

donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo,
para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un
elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para
polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en
conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1
debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT
disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una
resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor esta
comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con
unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal
de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la
corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica
las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la región de
corte.

En la figura 12.22 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona
la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una
forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el
comportamiento del diodo de emisor.



5.4.1 Aplicaciones.




Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de tiempos y
circuitos de control de ángulo de encendido de tiristores





5.6 Dispositivos opteoeléctricos y sus aplicaciones.

5.6.1 Led
diodo led
Es un diodo emisor de luz. Símbolo:
Se basa en:

El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en
p con un hueco, se recombina con él y ya no es electrón libre, al bajar de BC a BV
pierde una energía E que se desprende en forma de luz (fotón de luz).
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Diferencias entre un diodo normal y un LED:
- Diodo normal, E en forma de calor.
Diodo LED, E en forma de fotón.(E = h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia
que da color a esa luz).
- Diodo normal hecho de silicio.
Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre ellas. Para cada material
de estos la distancia de BC y BV es distinta y así hay distintos colores, y
mezclándolos se consiguen todos, hasta de luz invisible al ojo humano.
Aplicación:
- Lámparas de señalización.
- Alarmas (fotones no visibles).
- Etc...
El diodo LED siempre polarizado en directa, y emitirá luz.
Podemos usar esto en una fuente de alimentación que hemos dado.

La intensidad del LED:

Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el catálogo). La
tensión en el LED:

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Diferencia con el silicio, la tensión es mayor. Cuando no dice nada se coge V
LED
=
2 V.

Aquí el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentación está
encendida o apagada.
Conclusión: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan
bien, por lo tanto, si se pueden tomar valores grandes.
Display de 7 segmentos
Son 7 diodos LED:

Se utiliza en electrónica digital con + 5 V y 0 V.


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5.6.2 Fotodiodo
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común, pero tiene una característica que
lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica
proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina). Esta corriente eléctrica fluye en sentido
opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga.
Luz incidente

Sentido de la corriente generada
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad
y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de
iluminación sobre el fotodiodo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por él circule la corriente en el
sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendría
efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal.
La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que
lo incide, de manera que su reacción a la luz sea más evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta más pequeño.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la
base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el
circuito equivalente de un fototransistor.
5.6.3 Optoacopladores
Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un
fotoemisor, un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite
la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo
general es del tipo DIP.


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La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del
fotoreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en
una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran
ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede
establecerse entre los circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos
que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o
transistores.
Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un
haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de
plástico o cristal hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el
fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. Este
responde a las señales de entrada, que podrían ser pulsos de tensión.

Tipos
Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada
por un transistor BJT.
Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por
un triac
Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra
un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac
sólo en los cruce por cero de la corriente alterna.
5.6.4. Fototransistor
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (I
B
) (modo común)
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (I
P
) (modo de iluminación).
Se pueden utilizar las dos en forma simultánea, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con la patita de la base sin conectar. (I
B
= 0)
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La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente
de base (por iluminación): I
BT
= I
B
+ I
P

Si se desea aumentar la sensibilidad del transistor, debido a la baja iluminación, se
puede incrementar la corriente de base (I
B
), con ayuda de polarización externa
El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor común con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el cátodo del fotodiodo
conectado al colector del transistor y el ánodo a la base.
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de
iluminación es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta
muy corto, solo que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.
En el gráfico siguiente se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se
observa que está compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que
entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica β veces, y es
la corriente que puede entregar el fototransistor.
Nota: β es la ganancia de corriente del fototransistor.





















UNIDAD VI.- CONTOLADORES LÓGICOS PROGRAMABLES(PLC)
6.1.- PRINCIPIOS FUNDAMENTALES DE CONTROL
6.2.- COMPONENTES PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN
6.3.- CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN
6.4.- APLICACIONES



6.1 LOS CONTROLADORES LÓGICOS PROGRAMABLES
El desarrollo e introducción de los relés, hace muchos años, fue un paso
gigantesco hacia la automatización e incremento de la producción. La aplicación
de los relés hizo posible añadir una serie de lógica a la operación de las máquinas
y de esa manera reducir la carga de trabajo en el operador, y en algunos casos
eliminar la necesidad de operadores humanos.
Por ejemplo, los relés hicieron posible establecer automáticamente una
secuencia de operaciones, programar tiempos de retardo, conteo de eventos o
hacer un evento dependiente de que ocurrieran otros.
MENU
PRINCIPAL
Los relés con todas sus ventajas, tienen también naturalmente sus
desventajas, tienen sólo un período de vida; su naturaleza electromecánica
dictamina, que después de un tiempo de uso serán inservibles, sus partes
conductores de corriente pueden en un momento quemarse o fundirse,
desbaratando la lógica establecida y requiriendo su reemplazo.
Tal vez la inconveniencia más importante de la lógica con relés es su
naturaleza fija. La lógica de un panel de relés es establecida por los ingenieros de
diseño, se implementa entonces colocando relés en el panel y se alambra como
se prescribe.
Mientras que la máquina dirigida por el panel de relés continua llevando a
cabo los mismos pasos en la misma secuencia, todo está perfecto, pero cuando
existe un re diseño en el producto o un cambio de producción en las operaciones
de esa máquina o en su secuencia, la lógica del panel debe ser re diseñada. Si el
cambio es lo suficientemente grande, una opción más económica puede ser
desechar el panel actual y construir uno nuevo.
Este fue el problema encarado por los productores de automóviles a
mediados de los setenta. A lo largo de los años se habían altamente
automatizado las operaciones de producción mediante el uso de los relés, cada
vez que se necesitaba un cambio, se invertía en él una gran cantidad de trabajo,
tiempo y material, sin tomar en cuenta la gran cantidad de tiempo de producción
perdido.
La computadora ya existía en esos tiempos y se le dio la idea a los
fabricantes de que la clase de control que ellos necesitaban podría ser llevado a
cabo con algo similar a la computadora. Las computadoras en sí mismas, no eran
deseables para esta aplicación por un buen número de razones. La comunidad
electrónica estaba frente a un gran reto: diseñar un artefacto que, como una
computadora, pudiese efectuar el control y pudiese fácilmente ser re programada,
pero adecuado para el ambiente industrial. El reto fue enfrentado y alrededor de
1969, se entregó el primer controlador programable en las plantas ensambladoras
de automóviles de Detroit, Estados Unidos.
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Controlador Lógico Programable
De acuerdo con la definición de la "Nema" (National Electrical
Manufacturers Association) un controlador programable es: "Un aparato
electrónico operado digitalmente, que usa una memoria programable para el
almacenamiento interno de instrucciones para implementar funciones específicas,
tales como lógica, secuenciación, registro y control de tiempos, conteo y
operaciones aritméticas para controlar, a través de módulos de entrada/salida
digitales (ON/OFF) o analógicos (1 5 VDC, 4 20 mA, etc.), varios tipos de
máquinas o procesos.

Secuencia de Operaciones en un PLC.
a) Al encender el procesador, este efectúa un autochequeo de encendido e
inhabilita las salidas. Entra en modo de operación normal.
b) Lee el estado de las entradas y las almacena en una zona especial de
memoria llamada tabla de imagen de entradas
c) En base a su programa de control, el PLC modifica una zona especial de
memoria llamada tabla de imagen de salida.
d) El procesador actualiza el estado de las salidas "copiando" hacia los
módulos de salida el estado de la tabla de imagen de salidas (estas controlan el
estado de los módulos de salida del PLC, relay, triacs, etc.).
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A cada ciclo de ejecución de esta lógica se le denomina ciclo de barrido
(scan) que generalmente se divide en:
- I/O scan
- Program Scan

Funciones Adicionales
1) Autochequeo de Fallas: en cada ciclo de scan, el PLC efectúa
un Chequeo del funcionamiento del sistema reportando el resultado en Bits
internos que pueden ser accesados por el programa del usuario.
2) Inicializaciones: cada tipo de partida de un microprocesador también es
reportada en bits internos de la memoria de PLC.
3) Salvaguarda de Estados: Es posible indicar al PLC estado
deseado de algunas salidas o variables internas en caso de falla o
falta de energía en el equipo. Esto es esencial cuando se requiere
proteger algunos externos de salida.
4) Modularidad: Gracias a la utilización de Microprocesadores, es posible
expandir los sistemas a través de módulos de expansión de acuerdo al
crecimiento del sistema. Es posible expandirse en Entradas y Salidas
digitales, análogas, etc., como así también en unidades remotas y de
comunicación.
MENU
PRINCIPAL
DIRECCIONAMIENTOS DE ENTRADAS Y SALIDAS.
Como pueden existir gran cantidad de entradas y salidas, es necesario
indicarle a la CPU la dirección de la entrada o salida a la que el programa usuario
se está refiriendo. El direccionamiento de entradas y salidas en la programación
de un PLC consiste en informar a la CPU, de acuerdo al formato empleado por el
fabricante, la dirección lógica de las diferentes entradas y salidas.
El direccionamiento de I/O varía de marca en marca, sin embargo, la
mayoría adopta una nomenclatura dividida en campos que proporciona
información sobre la ubicación física de la entrada o salida, por ejemplo:
Para los PLC pequeños, la especificación de SLOT y RACK no es utilizada.
CLASIFICACIÓN DE PLC.
Debido a la gran variedad de tipos distintos de PLC, tanto en sus funciones,
en su capacidad, en su aspecto físico y otros, es que es posible clasificar los
distintos tipos en varias categorías.
PLC tipo Nano:
Generalmente PLC de tipo compacto ( Fuente, CPU e I/O
integradas ) que puede manejar un conjunto reducido de I/O, generalmente en un
número inferior a 100. Permiten manejar entradas entradas y salidas digitales y
algunos módulos especiales.
PLC tipo Compactos:
Estos PLC tienen incorporado la Fuente de Alimentación, su CPU y
módulos de I/O en un solo módulo principal y permiten manejar desde unas pocas
I/O hasta varios cientos ( alrededor de 500 I/O ) , su tamaño es superior a los
Nano PLC y soportan una gran variedad de módulos especiales, tales como:
MENU
PRINCIPAL
- entradas y salidas analogas
- modulos contadores rapidos
- modulos de comunicaciones
- interfaces de operador
- expansiones de i/o
PLC tipo Modular:
Estos PLC se componen de un conjunto de elementos que conforman el
controlador final, estos son:
- Rack
- Fuente de Alimentación
- CPU
- Módulos de I/O
De estos tipos existen desde los denominados MicroPLC que soportan gran
cantidad de I/O, hasta los PLC de grandes prestaciones que permiten manejar
miles de I/O.
DIRECCIONAMIENTO DE ENTRADAS Y SALIDAS
Como existen gran cantidad de I/O y estas pueden estar alojadas en
diferentes módulos, nace la necesidad de indicarle a la CPU, mediante nuestro
programa, la referencia exacta de la entrada o salida con la que queremos
interactuar. Al mecanismo de identificación de I/O en los PLC se le denomina
direccionamiento de entradas y salidas.
El direccionamiento de I/O varia de marca en marca, inclusive de modelo en
modelo en los PLC, pero generalmente, la mayoría de los fabricantes adopta una
terminología que tiene relación con la ubicación física de la I/O. Veamos algunos
ejemplos:
MENU
PRINCIPAL

- Direccionamiento PLC Nano Telemecanique
- Direccionamiento PLC TSX-17 Telemecanique
- Direccionamiento PLC TSX-37 Telemecanique
- Direccionamiento PLC Mitsubishi
- Direccionamiento PLC A/B SLC-500
PROGRAMACION EN DIAGRAMA DE ESCALERA ( Ladder ).
Un esquema de escalera o de contactos está constituido por varias líneas
horizontales que contienen símbolos gráficos de prueba ( “ Contactos “) y de
acción ( “ Bobinas “), que representan la secuencia lógica de operaciones que
debe realizar el PLC.
La programación en Ladder de alguna forma se ha ido normalizando y ya
casi la mayoría de los fabricantes presentan y programan sus PLC en formatos
muy parecidos, veamos algunos ejemplos:
- Ladder en PLC Mitsubishi
- Ladder en PLC Telemecanique
- Ladder en PLC A/B
INSTRUCCIONES EN LOS PLC:
Las instrucciones son en realidad una de los elementos que potencian a
estos para su implementación en diferentes aplicaciones. Inicialmente estos solo
disponían de instrucciones a nivel de test de entradas y salidas digitales, sin
embargo, esta situación a cambiado muy drásticamente al incorporar a estos
funciones muy avanzadas que amplían su espectro de aplicación. Podemos
mencionar funciones matemáticas avanzadas, aritmética en punto flotante, manejo
eficaz de datos, filtros digitales, funciones avanzadas de control, etc.
Los siguientes listados muestran algunas de las operaciones que se
encuentran el mayoría de los PLC.
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MÓDULOS
Existe gran cantidad de funciones especiales que no son soportadas por los
módulos normales en los PLC, para estas situaciones los fabricantes ofrecen una
gran variedad de elementos adicionales que permiten incorporar funciones
especiales al PLC para nuestros procesos.
Módulos de I/O Análogos:
Estos módulos permiten manejar entradas y salidas análogas en nuestro
PLC de manera de poder efectuar lecturas y control analógico de variables en
nuestros procesos, estas entradas y salidas analógicas se caracterizan,
generalmente por:
Resolución: Depende de la cantidad de bits del conversor utilizado, generalmente
se requiere una resolución no inferior a 10 bits.
Tiempo de Conversión: Corresponde al tiempo empleado en convertir el valor
analógico en su correspondiente valor discreto. Este es un factor muy importante
ya que define el tipo de aplicación para el cual puede emplearse el modulo.
Generalmente en control de procesos, la velocidad de variación de las variables es
relativamente lenta, sobre 1 segundo, por lo cual las exigencias de velocidad en
los módulos analógicos no son muy exigentes. Generalmente razones de
conversión del orden de los milisegundos es suficiente.
Número de Canales: Corresponde a la cantidad de entradas o salidas que puede
manejar el módulo, generalmente están agrupadas en 4 o más I/O. También
existen agrupaciones de entradas y salidas agrupadas en un solo módulo.
Tipo de Entrada: Corresponde al tipo de entrada que es posible manejar el
módulo, estas pueden ser Entrada o Salida en Corriente, 4-20 mA, 0-20 mA, en
tensión , 0-10v, -10 ->+10 v, termocupla, pt100, etc.

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Los primeros módulos analógicos que se incorporaron a los PLC solo
podían manejar un determinada tipo de entrada, sin embargo hoy en día es
posible encontrar módulos de propósitos generales configurables por Software que
permiten combinar distintos tipos de entrada o de salida.
6.2 COMPONENTES PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN
Las empresas de hoy, que piensan en el futuro, se encuentran provistas de
modernos dispositivos electrónicos en sus maquinas y procesos de control. Hoy
las fabricas automatizadas deben proporcionar en sus sistemas, alta confiabilidad,
gran eficiencia y flexibilidad. Una de las bases principales de tales fabricas es un
dispositivo electrónico llamado Controlador Lógico Programable. Este dispositivo
fue inicialmente introducido en 1970 y se ha sido refinando con nuevos
componentes electrónicos, tales como Micro-procesadores de alta velocidad,
agregándole funciones especiales para el control de proceso más complejos. Hoy
los Controladores Programables son diseñados usando lo ultimo en diseño de
Micro-procesadores y circuiteria electrónica lo cual proporciona una mayor
confiabilidad en su operación en aplicaciones industriales donde existen peligro
debido al medio ambiente, alta repetibilidad, altas temperaturas, ruido ambiente o
eléctrico, suministro de potencia eléctrica no confiable, vibraciones mecánicas etc.
Este medio ambiente es el que el Control Lógico Programable se encuentra
en su elemento, ya que fue diseñado y concebido para su uso en el medio
ambiente industrial.
Los Controladores Lógicos Programables, PLC como ellos son
comúnmente llamados, ofrecen muchas ventajas sobre otros dispositivos de
control tales como relevadores, temporizadores electrónicos, contadores y
controles mecánicos como del tipo tambor. El objetivo de este manual es mostrar
el funcionamiento interno y de programación de este tipo de controladores,
además de mostrar algunas de sus aplicaciones en la industria, también realizar
una serie de practicas para que el técnico de la industria pueda iniciarse en este
apasionante rema de la automatización.
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Hemos seleccionado el Controlador Lógico de GE-Fanuc por ser un equipo
de gran aceptación en la industria nacional además de ser un ideal para la
enseñanza debido a su pantalla de cristal de cuarzo la cual consta de 2 líneas
cada línea con una capacidad de 9 contactos y una bobina.
6.3 CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN
Los Controladores Lógicos Programables, (PLC s, Programable Logic Controller),
nacieron esencialmente como tales, a finales de la década de los 60s y principios de los
70s. Las industrias que propiciaron este desarrollo fueron las automotrices. Ellas usaban
sistemas industriales basadas en reveladores, en sus sistemas de manufactura. Buscando
reducir los costos de los sistemas de control por relevadores, la General Motor preparo
en 1968 ciertas especificaciones detallando un "Controlador Lógico Programable", Estas
especificaciones definían un sistema de control por relevadores que podían ser asociado
no solamente a la industria automotriz, si no prácticamente a cualquier industria de
manufactura.
Estas especificaciones interesaron a ciertas compañías tales como GE-Fanuc, reliance
Electric, MODICON, Digital Equipment Co., De tal forma que el resultado de su trabajo
se convirtió en lo que hoy se conoce como Controlador Lógico Programable. Los PLCs
surgen como equipos electrónicos sustitutos de los sistemas de control basados en
relevadores, que se hacían más complejos y esto arrojaba ciertas dificultades en cuanto a
la instalación de los mismos, los altos costos de los equipos. Losa altos costos de
operación y mantenimiento y la foca Flexibilidad y confiabilidad de los equipos.
Los primeros PLCs se usaron solamente como reemplazo de relevadores, es decir, su
capacidad se reducía exclusivamente al control On -Off (de dos posiciones) en maquinas
y procesos industriales. De echo todavía se siguen usando en muchos casos como tales.
La gran diferencia con los controles por relevador fue su facilidad de instalación, ocupan
menor espacio, costo reducido, y proporcionan autodiagnósticos sencillos.
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En la década de los 70s con el avance de la electrónica, la tecnología de los
microprocesadores agrego facilidad e inteligencia adicional a los PLCs generando un
gran avance y permitiendo un notorio incremento en la capacidad de interfase con el
operador, se fue poco a poco mejorando la idea inicial de los PLCs convirtiéndose en lo
que ahora son, Sistemas Electrónicos Versátiles y Flexibles.
En su creación, los requerimiento sobre los cuales se han desarrollado los PLC s, los
enumero la General Motors de la manera siguiente
1.- Dispositivo de control deberá ser fácil y rápidamente programable por el usuario con
un mínimo de interrupción.
2.-Todos los componentes del sistema deben ser capaces de operar en plantas
industriales sin un especial equipo de soporte, de hardware o de ambiente.
3.-El sistema debe ser de fácil mantenimiento y reparación. Deberá diseñarse con
indicadores de status y modularidad para facilitar las reparaciones y la búsqueda de
errores.
4.-El sistema deberá ocupar menor espacio que los sistemas de relevador y deberá
consumir menor potencia que los sistemas de control por relevadores.
5.-El PLC deberá ser capaz de comunicarse con un sistemas central de datos para
propósitos de monitoreo.
6.- Deberá ser capaz de trabajar con 120 volts de corriente alterna y con elementos
estándar de control, con interruptores de presión interruptores de limite, etc.
7.-Las señales de salida deberán ser capaces de manejar arranques de motores y válvulas
solenoides que operan a 120 volts de C.A.
8.- Deberá ser expandible desde su mínima configuración hasta su máxima, con una
mínima de alteración y de tiempo perdido.
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9.- Deberá ser competitivo en costo de venta e instalación, respecto de los sistemas en
base a relevadores.
10.- La estructura de memoria empleada deberá ser expandible a un mínimo de 4000
palabras o elementos de memoria. Los PLC actuales no solamente cumplen estos
requisitos si no que lo superan. El PLC actual es una computadora de propósito
especifico que proporciona una alternativa más flexible y funcional para los sistemas de
control industriales. La figura 1 muestra en general las funciones básicas de un PLC.
Debido a la gran aceptación que ha tenido el PLC, se ha dado una definición formal por
la NEMA (Nacional electrical Manufacturers Association), descrita como sigue:
EL PLC es un aparato electrónico operado digitalmente que usa una memoria
programable para el almacenamiento interno de instrucciones las cuales implementan
funciones especificas tales como lógicas, secuénciales, temporización, conteo y
aritméticas, para controlar a través de módulos de entrada /salida digitales y analógicas,
varios tipos de maquinas o procesos. Una computadora digital que es usada para ejecutar
las funciones de un controlador programable, se puede considerar bajo este rubro. Se
excluyen los controles secuenciales mecánicos. De una manera general podemos definir
al controlador lógico programable a toda maquina electrónica, diseñada para controlar
en tiempo real y en medio industrial procesos secuenciales de control. Su programación
y manejo puede ser realizado por personal con conocimientos electrónicos sin previos
conocimientos sobre informática.
También se le puede definir como una "caja negra" en la que existen unas terminales de
entrada a los que se conectaran pulsadores, finales de carrera, foto celdas, detectores,
etc... unos terminales de salida a los que se le conectaran bobinas de contactores, electro
válvulas, lámparas., De tal forma que la actuación de estos ultimo están en función de
las señales de entrada que estén activadas en cada momento, según el programa
almacenado.

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Esto quiere decir auxiliares, relees de encallamiento, temporizadores, contadores.. Son
internos. La tarea del usuario se reduce a realizar el "programa que no es mas que la
relación entre las señales de entrada que se tienen cumplir para activar cada salida.

6.4 APLICACION DEL PLC
EL PLC por sus especiales características de diseño tiene un campo de aplicación muy
extenso. La constante evolución del Hardware y Software amplia continuamente este
campo para poder satisfacer las necesidades que se detectan en el aspecto de sus
posibilidades reales.
Su utilización se da fundamentalmente en aquellas instalaciones en donde es necesario
realizar procesos de maniobra, control, señalización, etc,.. por tanto, su aplicación abarca
desde procesos de fabricación industrial de cualquier tipo al de transformaciones
industriales, control de instalaciones, etc.
Sus reducidas dimensiones, las extremas facilidades de u montaje, la posibilidad de
almacenar los programas para su posterior y rápida utilización, la modificación o
alteración de los mismos, etc., hace que su eficiencia se aprecie fundamentalmente en
procesos en que se reduce necesidades tales como: Espacio reducido. Procesos de
producción periódicamente cambiantes Maquinaria de procesos variables. Instalación de
procesos complejos y amplios. Chequeo de programación centralizada de las partes del
proceso
EJEMPLOS DE APLICACIONES DE UN PLC
A).-MANIOBRAS DE MAQUINAS.
Maquinaria industrial del mueble y la madera.
Maquinaria en proceso de grava, arena y cemento.
Maquinaria en la industria del plástico.
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Maquinas-herramientas complejas.
Maquinaria de ensamblaje.
Maquinas de transferencia.
B).-MANIOBRA DE INSTALACIONES.
Instalaciones de aire acondicionado y calefacción.
Instalaciones de seguridad.
Instalaciones de almacenamiento y transporte.
Instalaciones de plantas embotelladoras.
Instalaciones en la industria automotriz
Instalación de tratamientos térmicos.
Instalaciones de la industria azucarera.
Es interesante hacer notar que aunque el PLC fue originalmente diseñados como un
dispositivo de reemplazo de control industrial cumpla las necesidad de los usuarios. Las
necesidades de la aplicación pueden ser definidas solamente por un análisis detallado del
sistema completo. Esto significa que los exámenes detallados deben ser ejecutados en
todas las facetas de la maquina u operación del proceso, De nuevo, como nada
aplicación es diferente, no hay una rutina clara y concisa que evalué las necesidades que
todas las aplicaciones Una ultima consideración importante en la aplicación de un PLC
es el futura crecimiento del sistema. Los PLC están diseñados modularmente y por lo
tanto con posibilidades de poder expandirse para satisfacer las necesidades de la
industria. Es importante que a la aplicación de un PLC se pueda considerar los
beneficios de las Futuras expansiones.
1.- Menor tiempo empleado en la elaboración de proyectos debido a que
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a) No es necesario dibujar el esquema de contactos.
b) No es necesario simplificar las ecuaciones lógicas, ya que, por lo general, la
capacidad de almacenamiento del modulo de memoria es lo suficientemente
grande
c) La lista de materiales queda sensiblemente reducida, al elaborar el presupuesto
correspondiente eliminaremos parte del problema que supone al contactar con
diferentes proveedores, distintos plazos de entrega, etc.
2.- Una vez programado el dispositivo y habiendo probado su operación, esquema
puede imprimirse en alguno de los lenguajes en que fue programado, dependiendo
del tipo del PLC seleccionado.
3.- Existen módulos de comunicación para el PLC.
4.- En base al PLC puede construirse esquemas de control tanto superviso rió como
distribuido.
























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LISTA DE REQUERIMIENTOS DE MATERIALES
PARA CURSO DE OPTO-MECATRÓNICA
INSTRUCTOR: ING. OMAR GARCÍA DE LA ROSA
I.T.TOLUCA




No. DESCRIPCION CANTIDAD
1 Cable ó terminal tipo Banana corta 40
2 Cable ó terminal tipo Banana mediana 40
3 Cable ó terminal tipo Banana larga 40
4 Cable ó terminal tipo Caimán 15
5 Multimetro 5
6 Contactor (120Vca,60Hz) 12
7 Motor Trifásico, 220 Vca, Didácticos 3
8 Temporizador (Timer On Delay) 120
Vca, 60 Hz
6
9 Botoneras Triples 120Vca Didácticas 5
10 Compresor Campbell Hausfeld , 1 Hp,
125 Psi 120 Vca, 10Amp.
1
11 Maleta de equipo Neumático 1
12 Kit Neumática, Circuito Básico SMC
(Actuador lineal)
1
13 Kit Neumática, Circuito Básico SMC
(Actuador Basculante)
1
14 Osciloscopio 2
15 Generador de Funciones 1
16 Fuente de alimentación 12 Vcd 2

















LISTA DE EQUIPO Y CONSUMIBLES ELECTRONICOS DE ACUERDO AL
NÚMERO DE PARTICIPANTES DEL CURSO:



No. DESCRIPCION CANTIDAD
1 Proto-board 1
2 Cable cal 23 o telefónico o de
comunicaciones de Pc
0.5 mt
3 Leds ( 12 Vcd, 20 mA) 6
4 Resistencias eléctricas 330 Ohms, 470
Ohms, 1KOmh (1/8 W)
5 c/u
5 Regulador IC7805 1
6 Dip switch 1
7 IC’s
7400,7402,7404,7408,7432,7474,74174
1 c/u
8 Transistor Bc 548 2
9 Transistor Bc 549 2
10 fotorresistencia 2
11 Relay 5-12 Vcc Contactos(110-
220Vca)
2



CURSO DE ELECTRÓNICA
UNIDAD I UNIDAD II UNIDAD III UNIDAD IV UNIDAD V UNIDAD VI
DIODO

TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN

AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS DE TIEMPO PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DIGITAL

PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

CONTROLADORES (PLC)

LÓGICOS

PROGRAMABLES

UNIDAD I DIODOS 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 Conducción en semiconductores. Semiconductores contaminados y unión PN. Curva característica y especificaciones. Circuitos rectificadores. Circuitos limitadores de nivel. Diodo Zener.

1.7 Regulación con diodo Zener.

DIODOS
Los diodos realizan una gran variedad de funciones entre ellas, la rectificación de señales de corriente alterna en fuentes de poder y en radios AM, reguladores de voltaje, formadores de onda, duplicadores de voltaje, selectores de frecuencia, detectores de FM, disparadores, indicadores luminosos, detectores de haz, generadores láser, etc. Las aplicaciones de los diodos son muchas y muy variadas; de ahí la importancia de conocerlos mas a fondo. Los diodos semiconductores como su nombre lo indica, son dispositivos conformados por dos uniones de material semiconductor, una tipo P y otra tipo N. Su nombre proviene de la contracción de las palabras”dos electrones”, en ingles. En la actualidad, la palabra diodo se utiliza de manera más amplia para definir muchos dispositivos semiconductores que únicamente tienen dos terminales de conexión; esto a pesar de que su formación interna sea de mas de dos secciones de material semiconductor. A la sección P de un diodo se le conoce con el nombre de ánodo y a la sección N con el cátodo. En la codificación de diodos se distinguen tres códigos fundamentales, que son:    Europeo (PROELECTRÓN) Americano (JEDEC) Japonés (JIS)

Habitualmente se utiliza la codificación europea o americana. 1. Código europeo (PROELECTRÓN).-Dispone de dos o tres letras seguidas de un número (que también puede tener alguna letra intermedia).La primera letra indica el material utilizado (A al Germanio, B al Silicio). Las otras letras son relativas a la aplicación. 2. Código americano (JEDEC).- El código americano empieza con 1N (una unión) seguido de un número sin ninguna significación especial que no sea de identificación en catálogo. Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con códigos diferentes puedan ser equivalentes. Cuando un diodo se encuentra en polarización directa, los electrones libres de la sección N y los huecos de la sección P son repelidos hacia la unión P-N debido al voltaje aplicado por la fuente externa. Si el voltaje de polarización es mas que el de la barrera de potencial, entonces un electrón de la sección N cruzara a través de la unión para recombinarse con un hueco de la sección P, el desplazamiento de los electrones hacia la unión, genera

aumentó el máximo de sus resistencia eléctrica interna. Una vez dentro. . entonces salen del cristal (semiconductor P). Si el diodo esta polarizado de manera inversa. Puesto que huecos y electrones se alejan de la unión. la razón es que el positivo. realmente si se genera un pequeño flujo de corriente eléctrica inversa. la zona de deplexión deja de aumentar cuando tiene una diferencia de potencial igual al valor de la tensión inversa aplicada con la zona de deplexión aumentada. El hecho de que un electrón de valencia en la sección P se mueva hacia el extremo izquierdo. los electrones pueden desplazarse también hacia la unión para recombinarse con los electrones de la unión P. mismos que se convierten en electrones de valencia y son atraídos por el polo positivo del conductor externo. Este proceso de flujo de corriente en el diodo se mantiene en tanto exista la polarización directa con el voltaje mayor a la barrera de potencial. no circula entonces la corriente eléctrica. Aunque de manera practica consideramos que no hay flujo de corriente eléctrica a través del diodo de polarización inversa. los huecos de la sección P son atraídos hacia el polo negativo de la batería y los electrones de la sección N son atraídos hacia el polo positivo. los cuales atraen a los electrones del conductor externo hacia el interior de cristal. es equivalente a que un hueco se desplace hacia la unión. la zona de deplexión crece de acuerdo con el valor del voltaje inverso aplicado a las terminales del diodo.iones positivos dentro de la sección N. Hay otra corriente que se genera de manera paralela a la corriente inversa. A la corriente eléctrica también se ele conoce como “corriente de portadores minoritarios”. y de ahí se dirigen hacia la batería. y es la eléctrica superficial de fugas. Por tanto. esta es producida por impurezas de la superficie del cristal e imperfecciones en sus estructura interna. El calor del ambiente hace que de manera espontánea se generen pares (huecoelectrón) suficiente para mantener un diminuto flujo de corriente eléctrica. en cierta forma.

.

de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos. mientras que los electrones de valencia son parte del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energía. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos. estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. etc. se hizo mas practico dejando obsoleto al germanio en la mayoría de las aplicaciones electrónicas.1. y resistencia infinita en el sentido opuesto. Germanio. . En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones).). el silicio.  Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido. Sin embargo estos dispositivos de germanio tenían un grave inconveniente. pero tampoco es un aislante. indica el sentido permitido de la corriente.  presenta resistencia nula. que no pudo ser resuelto por los ingenieros: su excesiva corriente inversa. presenta resistencia infinita. El germanio es un ejemplo de semiconductor. denominados impurezas. La punta de la flecha del símbolo circuital. los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza. Mas tarde otro semiconductor. tiene cuatro electrones en su orbital de valencia. Después del oxigeno el silicio es el elemento mas abundante en la tierra. Hace unos años el germanio era el único material adecuado para la fabricación de dispositivos semiconductores. representada en la figura 1. Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla Periódica (Silicio.1 Conducción en semiconductores Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente. dependiendo de la impureza introducida. En los átomos de silicio y germanio. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del átomo. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad.

2. el diodo impide el paso de corriente. comportándose como un interruptor abierto. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico . el diodo permite dicha circulación.Figura 1. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. Corriente máxima en directa. y se obtiene una corriente de 5mA. ya que la corriente entra por el ánodo. En el circuito de la izquierda. Según está colocada la fuente. Para ello. 2.1 Principales características comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. y éste se comporta como un interruptor cerrado. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Debido a esto. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). Los fabricantes suelen distinguir tres límites: o o o Corriente máxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). la corriente debe circular en sentido horario. En el circuito de la derecha.1: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia.

1. es decir. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. se conoce como donador. Además. Si la sustancia contaminante tiene huecos extra. el diodo vertical y el plano. Corriente en inversa. mientras que las sustancias puras son materiales intrínsecos. BV. 2.2: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente. Los materiales contaminados se conocen como semiconductores extrínsecos.3 Diodo de unión PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas.7V como valor típico. La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se introducen cantidades pequeñas de impurezas específicas en el cristal. Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos. Caída de tensión en PD. En el Anejo A. se conoce como aceptor o receptor. 2. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 4. y el semiconductor contaminado es de tipo p. 1. . Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. mediante la gráfica I-V del dispositivo.2 Semiconductores contaminados y unión PN. y el semiconductor contaminado es de tipo n. En la Figura 1. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. Peak Inverse Voltage. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. pues existen más electrones que huecos. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Los portadores mayoritarios son huecos y los minoritarios son electrones. 3.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo. uno de tipo N y otro de tipo P. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. Si las sustancias contaminantes tienen electrones libres extra. Este procedimiento se llama dopado.

2. La zona N dispone de electrones en exceso. En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo. La zona P tiene un exceso de huecos.Figura 1. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores. y por cada hueco un ion negativo. no existen distribuciones de carga neta. entra en juego el mecanismo de la difusión.3: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN. y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo. definida por un plano.3). es decir. boro). En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario. dividido en dos zonas con una frontera nítida. aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).3. Como se . El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. Figura 1. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 1. procedentes de átomos del grupo V (fósforo).2: Esquemas de diodos de unión PN.1 Formación de la unión PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro. ni campos eléctricos internos.

En consecuencia.4). ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula. es decir:   Electrones de la zona N pasan a la zona P. y como resultado del proceso se ha obtenido:    Zona P. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión. El mismo razonamiento. . y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Figura 1.4: Formación de la unión PN. Aparece una carga negativa. Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto.recordará. a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión: 1. Huecos de la zona P pasan a la zona N. Zona N. semiconductora. semiconductora. Zona de agotamiento (deplección): No es conductora. puesto que no posee portadores de carga libres. con una resistencia RP. este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 1. con lo que también aparece una carga negativa. o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial. provoca un defecto de carga positiva en la zona P. 2. En ese momento está ya formado el diodo de unión PN. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria. con una resistencia . Al pasar el hueco de la zona P a la zona N. En ella actúa un campo eléctrico.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P.3. lo que sucede es lo siguiente (Figura 1. Figura 1. Si la tensión aplicada supera a la de barrera. excepto el de la agitación térmica. desaparece la zona de deplección y el dispositivo conduce. provocando un estrechamiento de la zona de deplección (Figura 1.6): . mientras ésta exista no será posible la conducción.2 Polarización directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 1. se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión. si se aplica una tensión positiva en el ánodo. y no necesita de ningún aporte de energía.5: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera. 2.6: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera.6). De forma simplificada e ideal.5) en principio no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de deplección no es conductora. Sin embargo. Sin embargo. Figura 1.

llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de deplección. aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.7: Diodo PN polarizado en inversa. Mover los portadores de carga. ello no conlleva necesariamente la destrucción del diodo. en ambas zonas hay portadores minoritarios. 2. polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios.1.7). mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente. Al aumentar la tensión inversa. Electrones y huecos se dirigen a la unión. En la unión se recombinan. que son atraídos hacia la unión.3 Polarización inversa Al contrario que en el apartado anterior. . Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la zona de deplección. 2. se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.3. La tensión aplicada se emplea en:   Vencer la barrera de potencial. (Nota: Sin embargo. al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 1. En resumen. originando un proceso de rotura por avalancha. Ahora bien. al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P. Figura 1. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplección.

La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 1. Depende de las dimensiones del diodo.8: Figura 1. es el factor de idealidad. es la corriente inversa de saturación del diodo. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. . de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS.8: Representación gráfica del modelo del diodo real. es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K). El potencial térmico a temperatura ambiente. del material semiconductor. es VT=25.71mV. de manera que V-IR es la tensión que se está aplicando en la unión PN. IS. del material. T=25ºC. Depende de la estructura. La siguiente expresión permite el cálculo de VT: Con y .   R es la resistencia combinada de las zonas P y N. Modelo DC del diodo real El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresión: En donde:   n. siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensión entre terminales externos. del dopado y fuertemente de la temperatura. Modelos para señales continuas Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales constantes en el tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.Modelos del diodo de unión PN A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unión PN. la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). VT.

dado su carácter no lineal. n=1. Para V<0. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo más simple. a la hora de realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico. Sin embargo.1 Modelo ideal del diodo de unión PN. la ecuación ideal del diodo queda: . la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña.2 Modelo lineal por tramos Al igual que el modelo real.7 mV.3. El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:   Se toma el factor de idealidad como la unidad. la exponencial crece rápidamente por encima de la unidad. Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo de unión PN. despreciable frente a la unidad. 2. considerando las siguientes simplificaciones:   En inversa.3. 2. la caída de tensión en la unión PN (V ON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. la corriente a través de la unión es nula. Para V>0. Por ejemplo. Entonces la intensidad tiende al valor IS. Tomando como variable independiente la intensidad I. el modelo ideal sigue siendo poco práctico. este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa. algunos modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros.3. En directa. que como ya se había indicado anteriormente.3. es la corriente inversa del diodo. el término exponencial es muy pequeño. El potencial térmico a esa temperatura es VT=25. El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no contemplados en la teoría básica. frente a la caída de tensión en la unión PN. por lo tanto.Como puede apreciarse. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que.

9: Modelo lineal por tramos del diodo. mientras que la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud. Como se puede apreciar. para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0. Sin embargo. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Estado Conducción Corte La Figura 1. Corte o Polarización Inversa "Off". donde la tensión es VON para cualquier valor de la corriente. donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que VON.77 V.A partir de esta expresión. la tensión apenas ha experimentado un cambio de 200 mV. se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos.9 muestra la curva característica V-I del modelo lineal Modelo Condición Figura 1. . El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los cálculos. por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante de 0. En la Figura 9. se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conducción).7 V. Por ejemplo. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los cálculos en la resolución del circuito.6 V <V DIODO< 0. cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado. quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:   Conducción o Polarización Directa "On".

para provocar un déficit de A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. La energía térmica del ambiente basta para provocar este salto.). que tendrá carga positiva. el Galio. por lo que está débilmente ligado al átomo: este electrón libre. pero el quinto queda libre. Esta elección no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de átomo aumentará a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza. es decir. etc. se obtiene una forma distinta. ¿Cómo es esto?: el silicio.Cuando a un material se le agregan impurezas electrones. El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores) El dopado del cristal es realizado con átomos trivalentes (con tres electrones en su última órbita) o pentavalentes (con cinco). sin formar parte de ninguna unión. esto generará un hueco. bien para aumentar la conducción de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". Esto trae como consecuencia la generación de un espacio sin electrones. As) en un cristal puro. cuatro de sus electrones se unirán a cuatro electrones de los átomos de silicio vecinos. requerirá muy poca energía para "saltar" a la banda de conducción. Ahora. Al introducir un átomo penta o trivalente en dicho cristal. como puede ser el arsénico (As). Si se introduce un átomo pentavalente (P. la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. agregamos portadores. de 0. ya que fue modificado por elementos exteriores. se provocará un aumento o un defecto de electrones que hará aumentar la cantidad portadores. energéticamente hablando. que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5. es decir. De esta forma al agregar átomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conducción. denominado "nivel donador" este nivel se ubica a una distancia.05 electrón-volt. De la misma forma. mientras que la distancia entre las bandas de un semiconductor es de 0. De esta forma podemos controlar de manera casi definida. Cabe mencionar que los mencionados átomos pentavalentes se ubican en un nivel de energía mucho más cercano a la banda de conducción que la banda de valencia. a través del dopado. como ya se ha dicho. ya tres de los cuatro electrones de la última órbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior átomo. Sb. tiene cuatro electrones en su última órbita que se combinan a su vez con otros átomos para formar un cristal. . el Aluminio. podemos dopar al cristal con átomos trivalentes (como el boro. A este tipo de cristal se le denomina extrínseco.7 eV. esto provocará un exceso de electrones en el cristal.

1.3 Curva característica y especificaciones. El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1.10: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal. 2.3.4 Característica tensión-corriente La Figura 1.11 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura 1.11: Característica V-I de un diodo de unión PN. En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Región de conducción en polarización directa (PD). o Región de corte en polarización inversa (PI). o Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, V ON se sitúa en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta. 2.3.5 Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real e ideal son: 1. 2. 3. 4. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula. La tensión para la que comienza la conducción es VON. En polarización inversa aparece una pequeña corriente. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en conducción por avalancha.

En la Figura 1.12 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unión PN e ideal.

Figura 1.12: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal.

1.4 Circuitos rectificadores. Rectificación de media onda La red más simple que se examinará con una señal variable en el tiempo aparece en la figura 1.13. (En este caso utilizaremos el modelo ideal).

Figura 1.13. Rectificador de media onda. A través de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 1.13, el valor promedio es cero. El circuito rectificador de media onda que se muestra en la figura 1.13 generará una forma de onda vo, la cual tendrá un valor promedio de uso particular en el proceso de conversión de ac a dc. Cuando un diodo es usado para el proceso de rectificación, es común que se le llame rectificados. Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicación. Durante el intervalo t=0 => T/2, la polaridad del voltaje aplicado vi es como para establecer "presión" en la dirección que se indica, y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo. Al proceso de eliminación de la mitad de la señal de entrada para establecer un nivel dc se le llama rectificación de media onda. El efecto del uso de un diodo de silicio con VT = 0.7 V se señala en la siguiente figura par región de polarización directa. La señal aplicada debe ser ahora de por lo menos 0.7 antes de que el diodo pueda "encender". Para los niveles de vi menores de 0.7 V el diodo aún está en estado de circuito abierto y v0 = 0 V, como indica la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v0 y vi se encuentra en un nivel fijo de VT = 0.7 V y v0 = vi - VT, según se indica en la figura. El efecto neto es una reducción en el área arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante de voltaje dc. Rectificación de onda completa Puente de diodos El nivel de CD que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificación de onda completa. La red

más familiar para llevar a cabo tal función aparece en la figura 1.14 con sus cuatro diodos en una configuración en forma de puente durante el periodo t = 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 1.15 para mostrar que D2 y D3 están conduciendo, en tanto que D1 y D4 se hallan en estado "apagado". El resultado neto es la configuración de la figura 1.16, con su corriente y polaridad indicadas a través de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga vo = vi, según se muestra en la misma figura.

Figura 1.14. Puente rectificador de onda completa.

Figura 1.15. Rectificador de onda completa para el periodo 0? T/ 2 de voltaje de entrada vi.

Figura 1.16. Trayectoria de conducción para la región positiva de vi.

Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación. Rectificación con condensador En la Figura 1. mejoraría su rizado.17: Tensiones en el rectificador de onda completa. Si ahora se filtrara esta señal mediante un condensador. Figura 1.18: Esquema de rectificador con condensador. con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión V M. La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador: .18 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la rectificación. La corriente no puede circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido de circulación.Figura 1.

20: Tensiones en el circuito de la Figura 1. Figura 1.19: Funcionamiento del condensador. Figura 1. Funcionamiento en carga: El funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.18.21: Dispositivo en carga.Figura 1. .

Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 1. . Como contrapartida. repitiéndose a partir de aquí toda la secuencia.El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de RL. mayor será el tiempo que necesita para descargarse. Figura 1. cuanto mayor sea el valor de C. y menor el rizado. si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conducción de D.22. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (V B=VA). Como se recordará. De este modo. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a través de la resistencia. se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga.22: Tensiones en el circuito de la Figura 1. Volviendo al circuito original.22. D estará en corte mientras VB sea menor que VA. el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior.21. Tal como se aprecia en la figura 1.

. Figura 1. Si se usa la 2ª aproximación: Figura 1.25 No recorta de forma perfecta por no ser ideal el diodo.1. Limitador positivo La forma de un limitador positivo es la siguiente: Figura 1.23 Se tomo RL >> R para que en el semiciclo negativo vaya todo a la salida.24 Recorta los semiciclos positivos.5 Circuitos limitadores de nivel. Reciben este nombre debido a que limitan el nivel de amplitud de una señal a un valor predeterminado. limita o recorta.

27 Para explicar el comportamiento del limitador negativo se analizara un limitador doble. Figura 1. Figura 1.28: Análisis del limitador doble.Limitador positivo polarizado Es como el anterior pero con una pila. que esta compuesto por un limitador polarizado positivo y otro limitador polarizado negativo. Figura 1. .26 Limitador negativo La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de dirección del diodo.

Transformar una Senoidal a Cuadrada. Es un circuito recortador (limitador). Si no se cumpliera esto no sería una senoidal cuando no conducen los diodos.30: Onda cuadrada. . es un circuito limitador positivo polarizado y limitador negativo polarizado.Figura 1. que aunque no sea tan parecida se toma como si fuese una onda cuadrada (es imposible hacer una onda cuadrada perfecta). aparece una onda prácticamente cuadrada a la salida. si se mete una onda de pico muy grande a la entrada. Se puede aprovechar esto para electrónica digital. Esto era para RL >> R. Figura 1.29: Forma de onda del limitador doble.

la negativa o las dos dependiendo del limitador que se utilice).33: El diodo zener.32: Aplicación del limitador al circuito de la figura 1. Figura 1.31. Figura 1. . en particular. Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo. 1. Polarizado en directa actúa como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.6 Diodo Zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y.Aplicación: Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y nosotros queremos transmitir esa onda a la carga. Es para protección de la carga (se puede limitar la parte positiva. en la zona del punto de ruptura de su característica inversa. se fabrican desde 2 a 200 voltios.31 Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para que no se estropee la carga. Figura 1. podemos estropear la carga si conectamos directamente la carga a ese circuito.

En el circuito que se muestra en la figura 1.8 volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes. se desea proteger la carga contra sobre voltajes.34. se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo). El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Su característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la corriente a su través un determinado valor mínimo. Efecto zener El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan.34: Ejemplo de aplicación de un zener De acuerdo a otras consideraciones. En la zona de disrupción. entre la tensión de codo y la tensión zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción. la tensión en bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por él.De acuerdo con la definición. el funcionamiento de este diodo. Figura 1. Cuando trabaja en la zona de disrupción se puede considerar como un generador de tensión de valor Vf= -Vz. disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ. . Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado. protegiéndola de esta manera. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4. entonces este se activará cuando el voltaje en la carga sea 4. Así. el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4. se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1. Un incremento en el número de impurezas agregadas. Es un "switch" o interruptor que se activa con VZ volts.8 V a 200 V y potencias de 1/4 a 50 W. debido a la característica constitución de los mismos.8 volts.8 volts. a grandes rasgos es la siguiente: En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua (tensión de codo).

: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupción (Vz min.). Podemos distinguir:  Vz nom.: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz máx.  Iz min. Las curvas características de este tipo de diodo son: Figura 1.). Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener).  Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de disrupción o ruptura.35 .  Iz máx. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom e Iz máx.

Zeners reales contra ideales Si un diodo Zener se comportara “perfectamente” el voltaje a través de él sería el voltaje Zener, sin importar cuantos amperios fluyesen a través del diodo. Esto está ilustrado por la curva verde en el grafico inferior. Desgraciadamente, el voltaje Zener crece con corrientes grandes como se muestra abajo en la curva roja. Nota que cuando el diodo Zener está conectado al revés actúa como un diodo normal de silicio conectado correctamente. La conducción comienza a aproximadamente 0,6 voltios. Los Zeners reales se ven como diodos de silicio normales correctamente polarizados. Lo que se llama conducción “directa” para un diodo es llamada conducción “inversa” para un Zener.

Figura 1.36: Zener real e ideal.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el fabricante):

 Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente  La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz  La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del
orden del doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito. Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: máx. inversa mayor o igual a Iz min.

 Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión zener.- Es la
tensión que el zener va a mantener constante.

 Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornes.

 Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos
indica el máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mínimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener máxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

1.7 Regulación con diodo Zener Un regulador de tensión se utiliza para obtener una tensión continua eliminando las fluctuaciones que pueda producir tanto la tensión de línea como las cargas variables. La regulación de línea es la medida de cuánto cambia la tensión en la carga cuando va cambiando la tensión de la fuente primaria. Regulación de línea = V carga / V fuete x100 La regulación a plena carga es una medida del cambio de la tensión de la carga a medida que cambia la corriente en la carga. Idealmente, la regulación a plena carga y de línea deberían ser cero para la mayoría de las aplicaciones. Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a él consume más corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el

rectificador y el condensador de filtro, en los adaptadores AC-DC y en las baterías. Un voltaje regulado mantiene su valor constante aunque aumente o disminuya el consumo de corriente. Problemas que podemos tener: RL variable (variaciones de carga). Variaciones de tensión de red (variaciones de red). Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos valores y como nuestro objetivo es obtener una tensión constante a la salida tendremos que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensión basado en el diodo zener.

Figura 1.37: Circuito con regulador. El circuito regulador con zener proporciona una tensión de salida casi constante a partir de una fuente variable. Regulador de tensión en vacío (sin carga)

Figura 1.38: Regulador de tensión en vacío.

Vs estará entre un mínimo y un máximo, y el regulador tiene que funcionar bien entre esos 2 valores (Vs máx. y Vs mín.). En este caso Vs lo pondremos como una pila variable. Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de ruptura.

Figura 1.39 Para que esté en ruptura se tiene que cumplir:

Regulador de tensión con carga

Figura 1.40: Regulador de tensión con carga. Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de Thevenin desde las bornes de la tensión VZ:

Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado".41: Análisis del regulador con carga. Si se requiere disminuir más el rizado se pondría otro regulador que disminuiría más el rizado pico a pico: Figura 1. . El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensión sobrante. Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente: Figura 1.43: Circuito con doble regulador.Figura 1.42: Forma de onda.

2. Configuraciones de los transistores y circuitos de polarización.4 2.3 Uniones NPN.5 . El transistor como amplificador. Amplificadores en cascada. PNP. Curvas característica y especificaciones.1 2.UNIDAD II TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN 2.2 2.

Un componente básico de los circuitos integrados que se encuentran en estos productos electrónicos y en las computadoras es el dispositivo activo de tres terminales que se conoce como transistor.Hay dos tipos básicos de transistores: transistores de unión bipolar (BJT) y transistores de efecto de campo (FET). Entender este componente es esencial antes de que un ingeniero pueda iniciar el diseño de un circuito electrónico.Aquí solamente consideraremos al BJT que fue el primero de los dos y continúa utilizándose en la actualidad. . Nuestro objetivo es presentar al BJT. La figura representa varios tipos de transistores que se consiguen comercialmente . a fin de que nos permita aplicar las técnicas para analizar los circuitos transistorizados.TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN La mayoría de nosotros tiene que ver con algo con los productos electrónicos de un modo rutinario y tiene cierta experiencia con las computadoras personales.

los laboratorios Bell desarrollaron un dispositivo semiconductor con tres secciones de materiales semiconductores (una configuración NPN y PNP). cada transistor PNP cuenta con dos secciones de material P y una sección de material N. basaremos nuestra explicación en transistores de tipo NPN. el circuito descrito se mantendrá en un estado de no conducción. Figura 2. esto se debe a que la barreras de potencial de las uniones se hacen tan grandes que no permiten el paso de electrones a través de ellas. para ello se coloca una fuente de alimentación (una batería) entre el colector y el emisor . que durante esa época dominaba el mundo. Cada transistor cuenta con dos secciones de material N separadas por una sección de material P. En su momento. Al igual que el diodo el transistor requiere ser polarizado para que realice la función en la que será empleado.1 Uniones NPN. mientras que no exista una polarización en la base. este dispositivo fue el reemplazado directo de la válvula tríodo. existe una tercer zona llamada base. ésta separa al colector del emisor. PNP En 1948. . de tal manera que el polo negativo de la fuente quede conectado al emisor del transistor.2. Por motivos de claridad. nos referimos al transistor.1: Uniones PNP y NPN. El nombre de transistor se deriva de la transferencia de resistencia. En la construcción interna de un transistor. en tanto.

la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". puede ser de valores que oscilan entre un rango de los miliampers hasta los amperes (una corriente muy grande). . sobre todo en los que se refiere a la aplicación de señales electrónicas: El flujo de corriente eléctrica que circula entre el emisor y el colector. En principio es similar a dos diodos: Un transistor es similar a dos diodos. mientras que el Colector posee una impurificación intermedia. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).2 La zona superior es el "Colector".Si se aplica un voltaje positivo entre la base y el emisor. aunque también podría ser un pnp. El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado. pero para controlar el flujo de corriente entre el emisor y el colector se requiere de corrientes del orden de los microampers. como se ve en la figura: Figura 2. Ahora ya sabemos que la corriente a través de un transistor puede ser controlada mediante la aplicación de un voltaje positivo o negativo en la base del mismo. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn. saliendo por la terminal externa del colector. entonces la corriente eléctrica del transistor se interrumpirá. y las barreras de potencial en las uniones se harán mas grandes. el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos. huecos que pueden servir de transporte a los electrones que se encuentran en el emisor. la Base tiene una impurificación muy baja. Existe una característica que hace a los transistores especialmente útiles. se fomentara la producción de portadores mayoritarios: es decir. de esta forma se reduce la resistencia de las barreras de potencial. mientras que el colector y la base forman el otro. Mientras se mantenga el voltaje aplicado en la base. El Emisor está muy impurificado. Esto genera el paso de la corriente eléctrica desde el emisor a través de la base. por el contrario se aplica un voltaje negativo no se generan portadores mayoritarios.

7 V (para el Si). encuentran un hueco y se recombinan.Este parámetro lo suele proporcionar el . ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona.e.4 Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio.2 Curvas características y especificaciones Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. primeramente cuando está sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión" (como un gas en una botella). y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). una en la unión E-B (WE) y otra en la unión C-B. se difunden.Figura 2. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.. donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p.3 Antes y después de la difusión: Vamos a hacer un estudio del transistor npn. 2. Se crean 2 z.c. hasta conseguir una barrera de potencial de 0. Figura 2.

suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector. Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. Se invierten todos los voltajes y corrientes. Figura 2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia. circuitos digitales. 2. por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación.). Se sustituye el transistor NPN por un PNP. y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia.). y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic). 4. El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. 3. 2. etc. además de esto.5: Curvas características del BJT. . ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic). etc. ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito. circuitos digitales.

6: Transistor BUD600 Nos muestra la variación de la ganancia de corriente continua hFE con la corriente de colector IC y con la temperatura. también se observa que al aumentar la temperatura. Podemos apreciar que a una temperatura fija.Curvas ganancia . la ganancia crece hasta un máximo cuando la corriente de colector aumenta. Curvas características de entrada Figura 2. aumenta la ganancia para una corriente de colector dada.7: Transistor BU1506DX Relaciona la intensidad de base con la tensión base-emisor. Si esta corriente continúa aumentando. la ganancia comienza a disminuir. En ella podemos ver la característica de entrada que nos da el fabricante. para temperaturas de 25 a 125ºC del encapsulado y para distintas corrientes de .corriente de colector Figura 2. Por otro lado.

Curvas características de transferencia Figura 2.8: Transistor BUD600 Relacionan la intensidad de colector y la tensión colector-emisor para una intensidad de base constante.colector. Así. tenemos una variación de IB mayor. En este caso no se limitan las curvas con la curva de máxima disipación de potencia (en algunas hojas vienen limitadas). para una tensión constante de VCE.9: Transistor NZT44H8 Relacionan la intensidad de colector con la tensión base-emisor. queriéndonos decir el fabricante que a altas temperaturas nos . Curvas características de salida Figura 2. vemos como la relación IC-VBE es mucho más lineal a 25ºC que a 125ºC. en este caso de 5V. así que hay que tenerlo muy en cuenta a la hora de realizar los cálculos. En esta gráfica. ya que no se debe trabajar por encima de dicha curva. cuando la temperatura de la cápsula vale 25ºC. observamos que para una variación pequeña de VBE.

Curvas VCEsat / IC Figura 2. Como podemos apreciar. consecuencia directa de la alinealidad del transistor.10: Transistor BU1506DX Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de colector.encontramos con una distorsión considerable. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la cápsula y la ganancia de corriente en continua (IC/IB). . para mayor temperatura habrá mayores valores de tensión e intensidad.

Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco).12 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarización base-colector.11: Tipos de transistores: a) pnp. b) Operación de Transistores Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 2.11a. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La operación del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las funciones que cumplen el electrón y el hueco. Bipolar Junction Transistor). entonces se considera un dispositivo unipolar. La abreviatura BJT. El espesor de la región de agotamiento se redujo debido a al polarización aplicada.2.11 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor. . lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n. En la figura 2. a) Figura 2.3 Configuraciones de los transistores y circuitos de polarización Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 2. de transistor bipolar de unión (del ingles. suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. C para el colector y B para la base. b) npn.

Ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp.Figura 2. mientras que la otra tiene polarización inversa. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa. comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. Habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n.11a. hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. En otras palabras. la pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si pasarán directamente al material tipo p. los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad.13. Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa. los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores con polarización inversa. Así. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento atravesarán la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo. Ahora se eliminará la polarización base-colector del transistor pnp de la figura 2.12: Unión con polarización directa de un transistor pnp. Los espesores de las regiones de agotamiento. tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo n. según se muestra en la figura 2. . que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con polarización inversa.

Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración de base común se muestra en la figura 2. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales. como se indica en la figura 2. la corriente del emisor (IE) es cero. La terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. ICBO.16. En el extremo más bajo de la región activa. el potencial de tierra.16. esa es la verdadera corriente del colector.colector se polariza inversamente. Configuración de Base Común Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. .Figura 2. mientras que la unión emisor . o que se encuentra en. como los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos de características. En particular: En la región activa la unión base . La corriente ICO real es tan pequeña (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. de corte y de saturación. La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 2.13: Unión con polarización inversa de un transistor pnp. uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es. y se debe a la corriente de saturación inversa ICO. A su vez. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). como lo señala la figura 2.15. El conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa.14.base se polariza directamente. por lo regular la base es la terminal más cercana a.

así como Is.Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación. para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. Figura 2. por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. En la región de saturación. b) transistor npn. el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.16: Corriente de saturación inversa. Sin embargo.15: Características de salida o colector para un amplificador a transistor de base común. tanto la unión como la emisor . a) b) Figura 2. A mayores temperaturas. para las unidades de mayor potencia ICBO.14: Símbolos utilizados con la configuración común: a) transistor pnp. . el nivel de ICBO para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana.base están en polarización directa. tanto la unión base-colector como la unión emisor-base de un transistor tienen polarización inversa. Figura 2. En la región de corte.

el corte para la configuración de emisor común se definirá mediante IC = ICEO. es común tanto a la terminal de base como a la de colector).18. Una vez más. Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión). b) transistor pnp. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso.17: símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor npn. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. Desde un punto de vista de diseño. La figura 2.17 para los transistores pnp y npn. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor común. a) b) Figura 2. mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.18 muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común.Configuración de Emisor Común La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 2. Configuración de Colector Común La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. no se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la figura 2. . se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. Puede diseñarse utilizando las características de salida para la configuración de colector común son la mismas que para la configuración de emisor común. En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada inversamente.

Polarización La polarización adecuada de la base común puede determinarse rápidamente empleando la aproximación IC ð IE y suponiendo por el momento que IB ð 0 μA. La flecha del símbolo define la dirección del flujo convencional para IC ð IE. siendo.18: Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia. por tanto. . Esta barrera está controlada por la tensión emisor–base. Como ya hemos visto. tal como se muestra en la ¡Error! No se encuentra el origen de la referencia.19 2. Supongamos un transistor pnp conectado.19 para el transistor pnp.Figura 2.4 El transistor como amplificador. Las alimentaciones de cd se insertan entonces con una polaridad que sostendrá la dirección de la comente resultante. el número de huecos que atraviesan la base vendrá dado fundamentalmente por la facilidad que tengan estos huecos de atravesar la unión emisor–base.2. En el transistor npn las polaridades estarán invertidas. El resultado es la configuración de la figura 2.20. Por ello. está gobernada por VEB. Figura 2. éste el único parámetro externo que controla el valor de la corriente de huecos que atraviesa el transistor. la intensidad de colector. IC. VEB.

la diferencia de potencial entre los terminales de esta resistencia será: VAD = RL IC. dependen del valor de la tensión emisor–base y de cómo varíe ésta. por ejemplo. la variación de la tensión entre los terminales de la resistencia será: VAD = RL gm VEB Para un mismo incremento de la tensión emisor–base. Habremos obtenido una amplificación de la señal introducida. podremos obtener entre los terminales A y D una señal senoidal mucho mayor superpuesta a la tensión VAD. cualquier variación de la intensidad de colector afectará a VAD según la relación: VAD = RLIC El valor de la intensidad de colector. el valor de la tensión en bornes de la resistencia dependerá de RL. Entonces. En nuestro caso: VAD  RL g m VEB Entonces si. Cuanto mayor sea RL mayor será VAD. pudiéndose obtener grandes aumentos de tensión respecto a la tensión aplicada VEB.20: El transistor como amplificador Si conectamos a la salida del colector una resistencia RL. La relación entre ambos viene dada por la expresión (-IC) = gm VEB Siendo gm un parámetro denominado transconductancia y que depende del punto de funcionamiento del transistor. introducimos una señal senoidal superpuesta a V ED. .IE P Emisor N Base IB P Colector IC RL Figura 2. así como el de su variación. Se denomina “factor de ganancia” a la relación existente entre la variación de la tensión a la salida y a la entrada del circuito. Dado que la resistencia RL es constante.

La polaridad de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en corriente alterna. Utilizando un valor común de 20 para la resistencia de entrada. la resistencia de corriente alterna de entrada determinada por las características de la figura 2. se encuentra que: Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 IL = Ii +10 mA VL = ILR = (10 mA) (5 k = 50 V ) = 10 mA Figura 2. Se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 2.22.Figura 2.15 es muy alta (mientras más horizontales sean las curvas. Para la configuración de base común.22: Acción básica de amplificador de voltaje de la configuración base común. La resistencia de salida.21 es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100 . AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250 . según se determinó en las curvas de la figura 2. mayor será la resistencia) y suele variar entre 50 k y 1 M .21: Características del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de base común. La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (basecolector).

Supongamos que cada bloque es una configuración de un amplificador de las que hemos estudiado. Figura 2.5 Amplificadores en cascada Cuando vamos a trabajar un sistema de amplificación este esta conformando varias etapas que contribuyen a que al final tengamos el resultado deseado. Transferencia + Resistor ==> Transistor 2.23: Diagrama en bloques sistema en cascada.Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre 50 y 300. La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta. Sabemos que Av= ganancia de voltaje de un amplificador es la relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada. La amplificación de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común. Av  Entonces Donde: Vo Vi Av1  Av2  V1 Vi V2 V1 V1  Av1 *Vi V2  Av2 *V1  Av2 * Av1 *Vi Av3  Vo V2 Vo  Av3 *V2  Av2 * Av1 *Vi * Av3 Por tanto: Vo  AvT  Av1 * Av2 * Av3 Vi .

para compensar los niveles DC que vienen de las otras etapas se deben trabajar con diferentes fuentes de voltaje DC. Calculada como se realizo en las diferentes configuraciones anteriores. Este tipo de acople tiene una buena respuesta en frecuencia ya que no existen elementos sensibles a la frecuencia que afecten la respuesta de la señal en baja frecuencia. Para acoplar las diferentes etapas de un sistema en cascada podemos realizar diferentes acoples tales como: Acople Directo La señal de un amplificador se conecta directamente a la entrada del otro. moviendo el punto de trabajo. es usado generalmente en el diseño de circuitos integrados. Para que este elemento no afecte el circuito se desea que el condensador se comporte como un corto circuito para todas las frecuencias de trabajo. El condensador es el elemento que permite que pase la señal alterna y bloquea la señal directa DC. .Lo que indica que la ganancia de un sistema en cascada es la multiplicación de cada una de las ganancias de cada amplificador y la impedancia de entrada del sistema será la Zi de la primera etapa y la de salida la de la ultima etapa. esto ocasiona que los niveles DC de la etapa anterior se sobrepongan sobre la siguiente etapa. Figura 2.24: Ejemplo de acople directo. Acople por Condensador Es el más utilizado y permite en una forma sencilla desacoplar niveles DC de la etapa anterior.

Ejemplos:  En la etapa de salida de un amplificador el transformador se puede usar para aumentar ganancia de corriente. detectores y emisores para fibra óptica.25: Ejemplo de acople por condensador. Son usados para aumentar la ganancia de voltaje o corriente.26: Ejemplo de acople por transformador.  Usado para acoplar la ultima etapa de un amplificador a la carga. . Acople por transformador Es usado para trabajar a altas frecuencias tiene como desventaja que los transformadores son mas costosos que los condensadores. Usado principalmente para aislar señales. aisladores y acopladores que transmiten señales eléctricas si conexiones.  Se puede conectar para resonar a cierta frecuencia convirtiéndose en un filtro. este método es usado en televisión y radio. Figura 2.Figura 2. Acople Óptico Dispositivos ópticos como: Dispositivos emisores y receptores de luz.

baja impedancia de salida y alta ganancia de corriente.Conexión Darlington Conexión especial que hace que el transistor opere como un transistor con un súper  . Este tipo de configuración ya viene encapsulada en una solo. VBE. Se caracterizan por tener una alta impedancia de entrada.27: Conexión Darlington. El transistor compuesto actúa como un solo transistor con una ganancia de corriente que es el producto de las dos ganancias. Regresar al índice . 1 2  D  1 *  2 Figura 2. Y la hoja de características brinda hfe. ICmax entre otras.

5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS CIRCUITOS TEMPORIZADORES INTEGRADOS 3.UNIDAD III AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS DE TIEMPO 3.1 CONSTRUCCIÓN Y TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS 3.4 MULTIVIBRADORES 3.6CIRCUITOS DE TIEMPO .2ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 3.3 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES 3.

en la década de 1970. durante la guerra y poco después de ella. inventado en 1948. . Estos dispositivos pueden contener centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de material. diseñados para funciones especializadas. con los tubos de vacío pudieron amplificarse las señales de radio y de sonido débiles. y el desarrollo de las primeras computadoras. ha reemplazado casi completamente al tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. Los progresos subsiguientes en la tecnología de semiconductores. A partir de 1966 los Circuitos Integrados comenzaron a fabricarse por millones y en la actualidad se considera una pieza esencial en los aparatos electrónicos. Al incorporar un conjunto de materiales semiconductores y contactos eléctricos. permitiendo la construcción de circuitos electrónicos complejos. El primer circuito Integrado fue creado por Jack Kilby en la empresa Texas Instruments en el año de 1959. llevó al desarrollo. y además podían superponerse señales de sonido a las ondas de radio. el transistor permite las mismas funciones que el tubo de vacío. como los de los microordenadores o microcomputadoras. Hoy día. el transistor. del circuito integrado. y satélites de comunicaciones. Con estos dispositivos se hizo posible la manipulación de señales. Por ejemplo. equipos de sonido y vídeo. poco más de una década después de la invención del transistor en los laboratorios Bell en 1947. atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones asociadas con la iniciativa de exploración del espacio. y una mayor fiabilidad. algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos telegráficos y telefónicos.UNIDAD III AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS DE TIEMPO La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido crecimiento de la electrónica moderna. posibilitó el rápido avance de la tecnología de comunicación radial antes de la II Guerra Mundial. ni con los primeros transmisores que utilizaban chispas de alta tensión para generar ondas de radio. peso y potencia más bajos. pero con un costo. El desarrollo de una amplia variedad de tubos.

Existen circuitos integrados que utilizan cápsulas smt o de montaje superficial. el chip se encierra en una cápsula plástica o de cerámica que contiene los pines de conexión a los circuitos externos. etc. condensadores y alambres de conexión. smt son casi 4 veces más pequeñas que los dip. microprocesadores. incluyendo transistores. la referencia del dispositivo y la fecha de fabricación. Una vez procesado. Los chips digitales más pequeños contienen varios componentes sencillos como compuertas. 14. En la cápsula trae impresa la información respecto al fabricante.1 CONSTRUCCIÓN Y TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS QUE SON LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Un circuito integrado o (ci) es aquel en el cual todos los componentes. resistencias. la plana y la " chip carrier". La mayoría de los circuitos integrados digitales vienen en presentación tipo dip (dual in-line package) o de doble hilera. La tecnología smt (surface-mount technology) es la que ha permitido obtener calculadoras del tamaño de una tarjeta de crédito. se fabrican e interconectan completamente sobre un chip o pastilla semiconductor de silicio. . Los ci más comunes tipo dip son los de 8. 16. 40 y 64 pines. Los más grandes contienen circuitos y sistemas completos como contadores.24. diodos. inversores y flip-tops.3. existen otras presentaciones comunes de los circuitos integrados digitales como la cápsula metálica. Además del tipo dip. memorias.

y satélites de comunicaciones. El desarrollo de una amplia variedad de tubos. ni con los primeros transmisores que utilizaban chispas de alta tensión para generar ondas de radio. también veremos la clasificación de dichos circuitos de acuerdo a su estructura y la clasificación de acuerdo a su función. llevó al desarrollo. Al incorporar un conjunto de materiales semiconductores y contactos eléctricos. durante la guerra y poco después de ella. Los progresos subsiguientes en la tecnología de semiconductores. En este capitulo se dará a conocer la forma en que los circuitos integrados son fabricados. Estos dispositivos pueden contener centenares de miles de transistores en un pequeño trozo de material. posibilitó el rápido avance de la tecnología de comunicación radial antes de la II Guerra Mundial. ha reemplazado casi completamente al tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. del circuito integrado. A partir de 1966 los Circuitos Integrados comenzaron a fabricarse por millones y en la actualidad se considera una pieza esencial en los aparatos electrónicos. poco más de una década después de la invención del transistor en los laboratorios Bell en 1947. permitiendo la construcción de circuitos electrónicos complejos. pero con un costo. y además podían superponerse señales de sonido a las ondas de radio. así como los materiales de los cuales están constituidos. con los tubos de vacío pudieron amplificarse las señales de radio y de sonido débiles. Por ejemplo. . atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones asociadas con la iniciativa de exploración del espacio. en la década de 1970. inventado en 1948. algo que no podía realizarse en los antiguos circuitos telegráficos y telefónicos. peso y potencia más bajos. el transistor.HISTORIA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. como los de los microordenadores o microcomputadoras. y el desarrollo de las primeras computadoras. El primer circuito Integrado fue creado por Jack Kilby en la empresa Texas Instruments en el año de 1959. equipos de sonido y vídeo. Hoy día. y una mayor fiabilidad. Con estos dispositivos se hizo posible la manipulación de señales. el transistor permite las mismas funciones que el tubo de vacío. La introducción de los tubos de vacío a comienzos del siglo XX propició el rápido crecimiento de la electrónica moderna. diseñados para funciones especializadas.

era difícil hacer transistores de menos de 10 micras de tamaño. mediante un proyector deslizante muy preciso llamado alineador óptico. El procesamiento del silicio para obtener CI o chips es relativamente complicado. Cada barra se corta en pastillas de 0.50 mm de espesor y las superficies de estas ultimas se pulen hasta quedar brillantes. el cual forma una película muy delgada sobre la superficie de la pastilla.COMO SE FABRICAN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. Mediante un proceso de revelado. La pastilla es entonces bombardeada con luz. el mismo utilizado para producir transistores en masa. Una vez sintetizado. Una pastilla de silicio por si misma es aislante y no conduce corriente. A este proceso se le denomina fotolitografía. Las conexiones se realizan a través de líneas metálicas.9999999%. la pastilla se calienta a altas temperaturas. Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de pastillas de silicio. El alineador posee un dispositivo muy pequeño llamado mascara. El silicio utilizado para la fabricación de chips es de una pureza de orden del 99. el químico se deposita en las regiones descubiertas por la luz e ignora las encubiertas por la mascara.25 a 0. A continuación. Ahora. el silicio se funde en una atmósfera inerte y se cristaliza en forma de barras cilíndricas de hasta 10cm de diámetro y 1 m de largo. Dependiendo de su tamaño. Los transistores se crean agregando impurezas como fósforo o arsénico a determinadas regiones de la pastilla. que evita que la luz incida sobre puntos específicos de la pastilla. las pastillas de silicio se procesan primero para hacer transistores. se obtienen varios cientos de circuitos idénticos (chips) sobre ambas superficies mediante un proceso llamado planar. Estas últimas zonas aun permanecen recubiertas de " photoresist". La precisión del alineador óptico determina que tan fino puede hacerse un rasto. esto origina que el silicio no procesado de la superficie se convierta en oxido de silicio (SiO2). los transistores alcanzan tamaños inferiores a una velocidad de respuesta de los dispositivos. A comienzos de los 70´s. cuando la luz alcanza un área determinada de la pastilla elimina el photoresist presente en esa zona. Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones seleccionadas un químico protector sensible a la luz llamado photoresist. Para fabricar un chip. El SiO2 .

Las escalas de Integración son 4: SSI. de codificadores y de multiplexores. CLASIFICACIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE ACUERDO A SU ESTRUCTURA. MSI. Los primeros Circuitos Integrados eran SI.. LSI. cmos. y comprende los chips que contienen de 13 a 100 compuertas. multiplexores. De este modo se obtiene el primer nivel de metalización de chips. Los Circuitos Integrados SSI se fabrican empleando tecnologías ttl. las compuertas son los bloques constructivos básicos de todos los circuitos digitales. registros. Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una estructura parecida a un sándwich. Los Circuitos Integrados están hechos por silicio que sirve como base donde se fabrican transistores. Los circuitos Integrados contienen cientos de estos componentes distribuidos de manera ordenada. Ejemplos: codificadores.Significa Small Scale Integration (integración en pequeña escala) y comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas. la mayoría de Circuitos Integrados no se hacen con mas de tres capas de metalización. MSI. DE QUE ESTÁN HECHOS LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. repitiéndose el mismo procedimiento seguido con el silicio del primer nivel. y ecl.se esparce sobre la superficie de la pastilla y forma sobre la misma una delgada película aislante de unas pocas micras de espesor. Para obtener una nueva capa de metalización. esto se logra por medio de la técnica llamada fotolitografía la cual permite ordenar miles de componentes en una pequeña placa de silicio. diodos y resistencias.Significan Médium Scale Integration (integración en mediana escala). cmos y ecl. con el SiO2 como el pan y el metal o el silicio dopado como la salchicha. SSI. .. La clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura puede ser de acuerdo a la cantidad de compuertas utilizadas para implementar la función propia del chip (llamado Escalas de Integración) como sabemos. contadores. Ejemplos: compuertas y flip flops. VLSI. el SiO2 se trata nuevamente con "photoresist" y se expone al alineador óptico. Los Circuitos Integrados MSI se fabrican empleando tecnologías ttl. a continuación veremos cada una de ellas.

CLASIFICACIÓN DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE ACUERDO A SU FUNCIÓN.. la mayoría de los Circuitos Integrados analógicos están disponibles con amplios márgenes de alimentación. . digitales. VLSI. Los Circuitos Integrados analógicos se fabrican usado gran variedad de tecnologías de semiconductores.Significa Very Large Scale Integration (integración en muy alta escala) y comprende los chips que contienen más de 1000 compuertas ejemplos: microprocesadores de 32 bits. como bipolar. micro-controladores. microprocesadores de 8 y 16 bits. Ejemplos: memorias. óxidos metálicos y combinaciones de estas tres. ya que únicamente puede basar su trabajo en las especificaciones del fabricante. cmos y pmos. A continuación veremos cada uno de estos. y solo es importante su compatibilidad con los requisitos de alimentación. unidades aritméticas y lógicas (alu's). debido a que estos se emplean en “familias lógicas”. de interfase y de consumo. La tecnología empleada en la fabricación de los Circuitos Integrados digitales es importante para el usuario. Los Circuitos Integrados se clasifican en CI analógicos. Los Circuitos Integrados LSI se fabrican principalmente empleando tecnologías.. Los Circuitos Integrados analógicos se seleccionan normalmente siguiendo criterios individuales. sistemas de adquisición de datos.significa Large-Scale Integration (integración en alta escala) y comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas. Los Circuitos Integrados VSLI se fabrican también empleando tecnologías ttl.LSI. En la mayoría de los casos el usuario no esta interesado en este aspecto de los Circuitos Integrados. Circuitos Integrados Analógicos. por lo que su empleo no suele estar condicionado por su compatibilidad. con características eléctricas comunes que garantizan su compatibilidad. efecto de campo. Incluso en este aspecto.

EL AO INTEGRADO ( OP AMP IC) El AO integrado (CI) está constituido básicamente por dos etapas de ganancia de voltaje (una entrada diferencial y una etapa de emisor común) seguida por una etapa de salida clase AB de baja impedancia.2. 2. Por otro lado Q10 proporciona una polarización adecuada para el par diferencial. mA 741. Es importante conocer esta diferencia.2ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES Para trabajar con AO reales es necesario tomar en cuenta consideraciones de tipo práctico pues. . similar al LM101. Le etapa de entrada conformada por Q1 y Q2 forman un par diferencial con carga activa Formada por Q3 y Q4. Un diagrama simplificado de este circuito integrado es mostrado en la fig.3. Este circuito permite entender el funcionamiento interno del CI. Por lo general la ganancia de tensión se especifica en decíbeles. aunque el modelo ideal se asemeja bastante al real. ya que de ello depende el comportamiento final de un circuito diseñado con un AO. El AO ideal tiene ganancia infinita. La diferencia más significativa entre el AO ideal y el real es la ganancia de tensión (en lazo abierto). o versiones de AO múltiples. Esta Versión simplificada de un AO integrado es equivalente a un AO de propósito general. mientras que la del AO real es finita y además disminuye a medida que aumenta la frecuencia en la cual se está trabajando. éste no se comporta exactamente igual al ideal. La salida se toma desde el colector del transistor Q4.

2. esta etapa tiene un capacitor Cc el cual es utilizado por el AO para compensación en frecuencia. en el circuito de la fig. .2. Además. la etapa intermedia (2ª etapa) proporciona una alta ganancia a través de varios amplificadores.En la mayoría de los AO. dicha etapa esta formada por Q5 la cual es un circuito en emisor común que proporciona una alta impedancia de entrada a la primera etapa (la que atenúa los efectos de carga).

Si la misma señal alimenta a la entrada inversora como a la no inversora de una configuración diferencial.CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE LOS AO Los fabricantes especifican una serie de características eléctricas para los AO. debido a la componente en modo común esto no ocurre. la salida vo debiera ser cero. La capacidad de atenuar esta componente es lo que se conoce como CMRR y comúnmente se expresa en decibeles (dB) . que permiten determinar tanto los rangos máximos a los cuales pueden ser sometidos los amplificadores. sin embargo. Relación de rechazo en modo común (CMRR) Esta es la medida de la habilidad de un AO para rechazar señales en modo común. como también sus características de entrada y salida.

Resistencia de entrada (rin) Es la resistencia desde un terminal de entrada con la otra entrada puesta a tierra. La resistencia de entrada de un AO es variable dependiendo del tipo y de su uso. .

19c. 2. 2. en formato PLCC (Plastic Lead Chip Carriers) o "chip con encapsulado de plástico" indicado en la fig.ENCAPSULADOS Y CÓDIGOS DE IDENTIFICACIÓN N El AO se fabrica de un pequeño chip de silicio y se encapsula en una caja adecuada. plástico o cerámico. existen diferentes tipos de encapsulados. Los diferentes tipos de montaje superficial se encuentran indicados en la tabla 2. . los que pueden ser de metal.19 muestra los diferentes tipos de encapsulado.13. La fig. También existen AO encapsulados en componentes más pequeños llamados de montaje superficial (SMT).

La abreviación NC indica que no hay conexión.COMBINACIÓN DE SÍMBOLOS Y TERMINALES Se puede combinar en un sólo dibujo el símbolo del AO con el encapsulado (fig. que tipo de amplificador es. Códigos De Identificación Cada tipo de AO tiene un código de identificación de letra y número. con la única diferencia enque tiene 7 terminales por lado y no 4. de que calidad es y que tipo de encapsulado tiene. el que permite sabe quien lo fabrica. En el encapsulado DIP 14 la numeración de los pines es similar al DIP 8. 2. No todos los fabricantes utilizan el mismo código.20). El componente se mira desde arriba. pero la mayoría utiliza un código que consta de cuatro partes escritas en el siguiente orden: .

Número del Circuito: Se compone de tres a siete números y letras que identifican el tipo de AO y su intervalo de temperatura.

3.3 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

AMPLIFICADOR CLASE A (LINEAL)
En este amplificador, la señal de entrada es reproducida, aumentada en amplitud, exactamente con la misma forma de onda a la salida. Para ello, el punto de reposo (Q) se sitúa en el centro de la curva de corriente del colector (Ic), de forma que tanto la señal de entrada como la señal amplificada de salida trabajan solamente en la zona lineal de la misma. Ic es siempre saliente (fig.1) Los amplificadores Clase A se emplean siempre que la forma de onda de salida haya de ser la misma, con una distorsión mínima, que la de la señal de entrada. Los amplificadores operacionales y los amplificadores “de pequeña señal”, como por ejemplo amplificadores de radio frecuencia, amplificadores de frecuencia intermedia, preamplificadores, etc., son básicamente amplificadores en Clase A.

Figura 1.- Amplificador clase A

AMPLIFICADOR CLASE AB
En este tipo de amplificador el punto de trabajo (Q) se sitúa por debajo del punto central de la zona lineal de la curva Ic. Como resultado se ello se tiene que una mitad de la salida será una reproducción lineal de una mitad de la entrada, pero la segunda mitad de la salida estará parcialmente suprimida. Existen dos versiones Clase AB1 y Clase AB2. En Clase AB2 el punto Q esta muy cerca del punto de corte; en Clase AB1 este se sitúa aproximadamente un 20% o 30% por encima del punto de corte. Ambas versiones de usan en circuitos push-pull minimizándose la distorsión de cruce mediante, compensación mutua. Los amplificadores Clase AB1 y AB2 son ampliamente utilizados en la excitación de altavoces y motores de servomecanismos, aplicaciones en las que se requiere una amplificación sinusoidal lineal con potencias moderadas.

AMPLIFICADOR CLASE B
En este tipo de amplificador, el punto de trabajo (Q) se sitúa exactamente en el punto de corte de la curva del circuito integrado, teniendo esto como resultado la amplificación de solo medio ciclo de la señal sinusoidal de entrada. Los amplificadores Clase B son sistemáticamente empleados en configuraciones complementarias push-pull. En esta configuración, uno de los amplificadores trabaja sobre los semiciclos positivos de la señal de entrada, mientras que el otro lo hace sobre el semiciclo negativo de la señal sinusoidal de entrada. Ampliamente utilizado como amplificadores de audio, amplificadores para servomecanismos y aplicaciones similares en las que es esencial una alta linealidad en la seña sinusoidal de salida, los amplificadores en Clase B gozan de una excelente eficiencia y un buen comportamiento en lo relativo a la presencia de armónicos de segundo y tercer orden. Aparece cierta distorsión en el punto de cruce debido a la ligera linealidad de la curva Ic en este punto. El componente representativo de estos amplificadores es Fairchild TBA 810S.

AMPLIFICADOR CLASE C.
En los amplificadores Clase C, el punto de trabajo (Q) se sitúa al doble del punto de corte de la curva Ic. Solo una mitad de un semiciclo de señal sinusoidal es amplificada a la salida. Los amplificadores Clase C son utilizados usualmente en osciladores de radio frecuencia y, en algunos casos en transmisores de radio frecuencia. En estas aplicaciones el efecto del circuito resonante proporciona la otra mitad del ciclo. Alta eficiencia es la característica esencial para los amplificadores Clase C en circuitos de radio frecuencia adecuadamente diseñados y ajustados.

Los parámetros fundamentales son: a) Ganancia. En la mayoría de las aplicaciones, una ganancia en tensión de 20 es adecuada. b) Frecuencia. Para aplicaciones como osciladores o amplificadores la salida de transmisores RF, el límite de frecuencia del dispositivo deberá estar situado al menos un 10% por encima de la frecuencia de resonancia esperada. c) Potencia de salida. La potencia de salida puede variar en función con la frecuencia de trabajo, pero es un criterio básico de diseño. d) Disipación de potencia. Los amplificadores en Clase C trabajan normalmente cerca de sus límites especificados para la disipación de potencia, por lo que resulta critico el acoplo mecánico de sus características técnicas.

AMPLIFICADOR DE CORRIENTE (SEGUIDOR LINEAL).
Los amplificadores de corriente son básicamente amplificadores Clase A que tienen usualmente una ganancia en tensión de 1 y funcionan efectivamente como en transformadores de impedancias*. Su característica principal es su capacidad de manejar importantes corrientes de salida. Algunas veces se denominan seguidores lineales por similitud con los circuitos seguidores de emisor con transistores. Los amplificadores de corriente son frecuentemente utilizados, conjuntamente con amplificadores operacionales, dentro del lazo de realimentación para proporcionar una corriente de salida adicional.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Los amplificadores diferenciales tienen dos terminales de entrada, aislados ambos respecto de masa a través de la misma impedancia como se muestra en la figura 2. Básicamente similar a los amplificadores de tensión Clase A, el amplificador diferencial amplifica solamente la diferencia de tensión entre sus dos terminales de entrada. Las señales que aparecen en ambos terminales no son amplificadas, permitiendo el amplificador diferencial extraer pequeñas señales en presencia de fuertes interferencias electromagnéticas. Esta capacidad de rechazar señales comunes a ambos terminales de entrada se especifica en la relación de rechazo al modo común. El componente representativo es el Sprague ULN-2047.

En algunos casos se emplean baterías para evadir el problema de aislamiento de la fuente de alimentación. Los amplificadores de aislamiento están generalmente encapsulados en una unidad y se emplean en aquellas aplicaciones que requieren muy bajos niveles de conducta en continúa o a través de alimentación. modulándose en radio frecuencia su salida. El funcionamiento de los amplificadores por aislamiento óptico es similar. que se lleva a través de un transformador de RF hasta la segunda etapa. . en la que se remodula y filtra. La fuente de alimentación para la sección del amplificador de entrada también debe estar aislada de forma que no exista conexión en bajas frecuencias o en continua entre las secciones de entada y salida del amplificador. el amplificador de entrada está.3). Consistente en varias etapas de amplificación. El amplificador de entrada es usualmente de tipo diferencial.. Los amplificadores de aislamiento siempre requieren fuentes de alimentación aisladas así como cables convenientemente aislados entre la fuente alimentación y el amplificador.Figura 2. El componente representativo es el Análoga Devices AD293. bien eléctricamente bien ópticamente aislado de la salida (fig.Amplificador Diferencial AMPLIFICADOR DE AISLAMIENTO. sustituyéndose en transformador de RF por un opto-acoplador.

AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE AUDIO Estos dispositivos son amplificadores de potencia de baja frecuencia (generalmente desde 40Hz a 20. La potencia de salida disminuye al hacerlo la tensión fuente.3 % el valor normal. así como bajos niveles de distorsión. b) Distorsión armónica total. Es la potencia de salida especificada del dispositivo. Estos integrados ofrecen además funciones adicionales. La distorsión armónica total es la distorsión causada por el funcionamiento a lineal del amplificador. siendo el 0. Parámetros fundamentales a) Potencia de salida. Este parámetro se expresa como un porcentaje de la salida total. Para manejar las potencias digitales. c) Consideraciones térmicas. La salida esta diseñada para trabajar sobre bajas impedancias (un altavoz de 4 ohmios es típico). los efectos del calor producido por el integrado son un criterio primario para la construcción y funcionamiento de los circuitos integrados situados en los alrededores del . La potencia se da para una carga y frecuencia especificada. protección contra sobre tensiones y compensaciones en frecuencia.000Hz). Desde el momento que estos dispositivos están diseñados para la entrega de una potencia significativa a la carga. la mayoría de los integrados poseen varios terminales planos y grandes que se conectan a masa y actúan como radiadores térmicos. como por ejemplo shut-down térmico. Internamente están diseñados como amplificadores de potencia en clase B y ofrecen una ganancia de potencia razonable (entre 5 y 10 W típicamente)..

amplificador de potencia. . La disipación de potencia especificada para un integrado lo es para temperatura ambiente (25 grados Celsius). Los terminales anchos del integrado se emplean para la conducción del calor fuera del integrado y serán muy eficaces si se utilizan con propiedad. Los puntos de atención prioritaria incluyen los detalles físicos del montaje y los datos de potencia térmica. El fabricante entrega generalmente información mostrando la disipación de potencia frente a la temperatura indican como debe reducirse la disipación de potencia al aumentar la temperatura ambiente.

que generan ondas sin la necesidad de más excitación exterior que la propia fuente de alimentación. -De funcionamiento excitado. pero su forma de onda es una señal senoidal. C2 se va descargando. Si dividimos un multivibrador estable en dos verticalmente. llevando a T1 a saturación y T2 al corte. expuesta anteriormente. Estas cargas y descargas son provocadas por la conmutación de sendos transistores. Si hacemos T1=T2. Las formas de onda de salida Vo1 y Vo2 está desfasadas 180º. es decir. FUNCIONAMIENTO Si consideramos un instante en el que T2 esté en saturación y T1 en corte. C1 se empezará a cargar a través de T2 y R1. mucho más conocidos por éste último nombre. desde el punto de vista geométrico. Mientras C1 adquiría carga para provocar tal cambio. sino que generan una onda cuadrada. que requieren una tensión exterior de disparo o de excitación para salir de unas condiciones estáticas o de reposo. es decir. con lo que al conducir menos la tensión Vo2 aumentará. entre dichos componentes. C2. R2=R3 y C1=C2. Un multivibrador estable es un oscilador de relajación. la forma de onda de cualquiera de las salidas será simétrica. Existen dos clases de multivibradores: -De funcionamiento continuo.3. .4 MULTIVIBRADORES Los multivibradores son en realidad osciladores. La frecuencia de salida viene determinada por los valores de C1. llegará un momento en que la tensión en la base de T2 es insuficiente para que T2 permanezca saturado. Esto es debido a la situación de T1 en corte y T2 en saturación. si se rompe la igualdad. recurrentes o estables. se puede observar que es un circuito simétrico. MULTIVIBRADOR ESTABLE. iniciando el proceso descrito anteriormente pero en sentido contrario. la forma de onda de salida será asimétrica. y viceversa. y. R1=R4. su frecuencia de salida depende de la carga y descarga de condensadores. mientras una está en su nivel superior la otra está en el inferior. la duración de ambos niveles de tensión de cada ciclo será idéntica. como el punto de unión de C1 y R2 está conectado a la base de T2. R2 y R3. también llamados libres.

aproximadamente. al conectar su terminal positivo a masa a través de T2.69 · C2 · R3 En un tiempo menor se habrá cargado C1. respecto a masa. tardará un tiempo T2 = 0. Obsérvese la polaridad con que se había cargado C2. C2 se empieza a descargar. A partir del instante en que T2 pasa a saturación. el punto de unión de C2 y R3 será ligeramente positivo. por lo que también se aplicará polarización directa a la base de T1. que es la carga de C2. aproximadamente. en la base de T1 se reflejan -Vcc voltios.Este proceso se mantiene mientras estemos suministrando tensión al circuito de esta forma: Las condiciones iniciales son estas: C1 estaba prácticamente descargado. C2 estaba totalmente cargado. que provocará el basculamiento del circuito y que sitúa a T1 en saturación y a T2 en corte. esto es. al inicio de la descarga. Momentáneamente. la base de T1 se encuentra sometida a un potencial de -Vcc. C2 se cargará en un tiempo menor que T1. la base de T2 se encuentra en el instante de la conmutación sometida a un potencial negativo próximo a -Vcc que va disminuyendo según se descarga C1. C2 encuentra un camino de descarga a través de R3 y T2 y C1 se carga a través de la unión base-emisor de T2 y de R1. T1 estaba en corte T2 estaba en saturación En estas circunstancias. comenzado entonces C2 a cargarse a través de su circuito de carga y C1 a descargarse a través de R2 y T1.69 · R2 · C1 Por la razón expuesta anteriormente. . lo hará en un tiempo T1 = 0. ya que C1 = C2 y R1 << R3 Una vez que C2 se ha descargado totalmente empezará a cargarse en sentido contrario. De forma análoga al proceso anterior.

38 · R2 · C1 Esta expresión es cierta sólo en el caso de circuitos simétricos. . tendremos que t = 2 · (0. éste adquiere una pequeña carga en sentido contrario.69 · R2 · C1 + 0. AS MULTIVIBRADOR TABLE. Por todo esto se deduce que un ciclo tendrá un periodo T = t2 + t1 Como C1 = C2 y R2 = R3.Una vez extinguida la carga de C1. MULTIVIBRADOR MONOESTABLE. con lo que se inicia un nuevo ciclo. en cualquiera de los casos. en caso contrario. Dentro de los multivibradores de funcionamiento excitado se distinguen dos tipos: Monoestable. regresar de nuevo al de reposo y permanecer en él hasta la presencia de un nuevo impulso de excitación. la frecuencia de oscilación es conocida con facilidad. la duración de un ciclo será T = t1 + t2 = 0.69 · R2 · C1) = 1.69 · R3 · R2 Por lo que. que hará de nuevo conmutar al circuito. pasando T2 a saturación y T1 a corte. que permanecen en un estado determinado mientras no se les aplique una señal exterior que les haga cambiar al estado contrario para. posteriormente.

Desde el instante en que T1 pasa a saturación. como podemos observar. Funcionamiento Si suponemos inicialmente T2 en saturación.69 · R2 · C1 Una vez descargado empezará a cargarse en sentido contrario. Vo1 = Vcc y Vo2 = 0V. la placa conectada a la base de T2 se hará positiva y una vez alcanzada tensión suficiente en ese punto. La sustitución del condensador C2 por la resistencia R3 es lo que le permite que el circuito permanezca en un estado concreto. Cuando se aplica un impulso a Vd. la señal de salida ofrecerá una frecuencia constante. esto es. en este estado estará un tiempo determinado por R2 y C1. El multivibrador monoestable no es estrictamente un oscilador. Si la señal Vd es una señal que se repite a intervalos constantes. . T2 pasará a saturación. C1 se carga a través de R1 y de la unión base-emisor de T2 y el circuito permanece en esta situación indefinidamente. MULTIVIBRADOR MONOESTABLE. debido a la ausencia de tensión en la base de T1. pero en determinadas circunstancias se puede comportar como tal. Si aplicamos un impulso de amplitud suficiente en Vd. El multivibrador monoestable es muy similar al estable. y volverá de nuevo al estado primitivo. aunque siempre controlado por una señal exterior. de nuevo. T1 pasa al corte hasta la aparición de un nuevo impulso de disparo en Vd. si no se les aplica una señal exterior que les haga cambiar al estado contrario.Biestable. esto es. T1 pasará a saturación. C1 comienza a descargarse a través de R2 y T1 y lo hará en un tiempo T = 0. por lo que Vo1 se hará prácticamente 0 y en la base de T2 se reflejará una tensión negativa de valor próximo a -Vcc que hará que T2 pase al corte. que pueden permanecer en cualquiera de los dos estados de forma indefinida. luego. T1 pasa a conducir y T2 al corte. por lo que Vo2 se hace 0 y. éste permanecerá en corte ya que Vo2 = 0. T1 en corte y T2 en saturación. En estas circunstancias. por ello Vo2 tomará un valor próximo a Vcc y la base de T1 permanezca en saturación.

Cuando la señal de reloj cambia de 0 a 1. En los sistemas sincrónicos los tiempos exactos en que una salida puede cambiar de estado se determinan por medio de una señal que comúnmente se le denomina señal de reloj. se le denomina Transición de Pendiente Positiva (TPP).5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS CIRCUITOS TEMPORIZADORES INTEGRADOS Los sistemas digitales pueden operar en forma sincrónica o asincrónica. . Esta señal es una serie de pulsos rectangulares o cuadrados y se distribuye a todas las partes del sistema y algunas de sus salidas cambian de estado sólo cuando la señal de reloj hace una transición. cuando pasa de 1 a 0 se le conoce como Transición de Pendiente Negativa (TPN).3. En los sistemas asincrónicos las salidas de los circuitos lógicos pueden cambiar de estado en el momento en que una o más de las entradas cambien.

figura adjunta. 2. Los MVB sincronizados por reloj también poseen una o más entradas de control que pueden tener varios nombres. S-R ASINCRÓNICO CON COMPUERTAS NO O. lo que significa que es activada por una transición de señal. Q recibe el nombre de salida normal del MVB. tiene dos entradas S y R y dos salidas Q y Q'. y la tabla de verdad se facilita la explicación de su funcionamiento. la ecuación de estados se utiliza para realizar el proceso de análisis. Con el circuito. Posteriormente. su efecto está sincronizado con la señal aplicada en la entrada CLK. es decir. puede tomar el valor de 1 o 0. basado en compuertas No O. mientras que Q' es la salida negada o invertida. lo que depende de su operación. Esta entrada se dispara por flanco. éste será el de su estado normal y se entiende que Q' se encontrará en estado opuesto. . muestra el símbolo general empleado para un multivibrador (MVB). mientras que la transición activa en la entrada CLK es la que dispara un cambio. se explican detalladamente los MVB disparados por flanco.La Figura 2. Siempre que se haga referencia al estado del MVB. El multivibrador biestable S-R. donde Q' es el complemento de Q. 3. Los multivibradores (MVB) sincronizados por reloj tienen una entrada de reloj designada CLK (Clock-reloj). Por esta razón se les llama entradas sincronizadas de reloj. Características de los multivibradores sintonizados por reloj: 1. esto se especifica por la presencia de un triángulo en la entrada del reloj. El símbolo indica que el MVB tiene dos salidas Q y Q' inversas entre sí. Las entradas de control hacen que las salidas del MVB estén listas para cambiar. La tabla de excitación se utiliza para el proceso de síntesis o diseño y la x significa que es un término indiferente.

Q+=Q. Q+=0. o sea se presentan los estados prohibidos. cuando S=1 y R=0. cuando S=0 y R=1. se obtiene la tabla funcional del multivibrador: S R Q Q' 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 x 0 0 1 1 x después de S=1 y R=0 después de S=0 y R=1 estados prohibidos A continuación se presenta la tabla de estados. llamada característica. se presenta la tabla funcional de la compuerta No O. S R O 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 No 0 1 0 0 0 En base al circuito de la figura anterior y la tabla funcional de la compuerta No O. resume las observaciones anteriores: S R Q+ 0 0 1 1 0 1 0 1 Q 0 1 x . en donde Q+ es el estado siguiente: DEC S R Q Q+ 0 1 2 3 4 5 6 7 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 x x como MEMORIA puestas a CEROS puestas a UNOS estados PROHIBIDOS De la tabla de estados. se observa que cuando S=R=0. Q+=x. La siguiente tabla. Q+= 1 y cuando S=R=1.Como recordatorio.

R. S=0 y R puede ser 0 o 1. el diagrama a bloques del MVB es: . o sea indiferente. de la tabla de estados se determina la función canónica para Q+: Q+(S. se observa que cuando Q=Q+=0.7) Se simplifica por mapas de Karnaugh.5) + 3x (6. Nuevamente. y se obtiene la ecuación de estados. R. Q)= 3m (1. cuando Q=0 y Q+=1. se pueden determinar qué valores de las variables de entrada.De la misma tabla de estados. cuando Q=1 y Q+=0. S=1 y R=0. S y R. que dadas las salidas Q y Q+. Q)= S + R'Q Finalmente. como se muestra en la figura adjunta. y R=0. S=0 y R=1 y cuando Q=Q+=1. La tabla de excitación muestra estas observaciones: Q Q+ S 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 x R x 0 1 0 De la tabla de excitación se observa. dada por: Q+(S.4. S puede ser 0 o 1. indiferente. produjeron dichas salidas.

. cuyo logigrama se presenta en la figura adjunta.A continuación se presentan las tablas y diagramas correspondientes a este tipo de multivibrador.

en esta tabla se incluye la señal de reloj (CLK). finalmente. Q+ se pone a unos. cuando S=R=1 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente). puesta a ceros (S=0 y R=1).Tabla ESTADOS S R Q Q+ 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 x x de como MEMORIA puesta a CEROS puestas a UNOS estados PROHIBIDOS De la tabla de estados. R=1 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente). Q+ presenta estados prohibidos. cuando S=1. En las otras combinaciones. se presentan las cuatro posibilidades mostradas en la tabla de estados. es decir. R=0 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente). como memoria (S=R=0). puesta a unos (S=1 y R=0) y los estados prohibidos (S=R=1). Q+ mantiene el valor del estado presente (Q). Q+ se pone a ceros. cuando S=0. La tabla característica se obtiene a partir de la tabla de estados. sin importar los valores de S y R. Q+ se comporta como memoria. Tabla CARACTERÍSTICA CLK 0 1 1 1 1 S R Q+ x 0 0 1 1 x 0 1 0 1 Q Q 0 1 x Debe observarse que cuando CLK=0. R=0 y Q es igual a 0 o 1 (indiferente) . las entradas S y R y el estado siguiente Q+. que se obtiene a partir de la tabla de estados: Tabla EXCITACIÓN Q 0 0 1 1 Q+ S 0 1 0 1 0 1 0 x R x 0 1 0 de . A continuación se presenta la tabla de excitación. cuando CLK=1. se observa que cuando S=0.

5 y 7. S puede ser 0 o 1 y R Para determinar la ecuación de estados. por tanto Q+=1 para las combinaciones 1. cuando Q=1 y Q+=0. Q+=Q. S y R. cuyas entradas sean CLK. se pueden determinar qué valores de las variables de entrada. combinaciones 8-15. S=0 y R puede ser 0 o 1. cuando Q=Q+=1. se debe tener una tabla ampliada de la tabla de estados. se tiene que para cuando S=R=0. Se observa que cuando Q=Q+=0. R. combinaciones 0-7. S=1 y R=0. S=0 y R=1. Los valores funcionales de Q+ se obtienen de la tabla característica: DEC CLK S 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 R 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Q+ 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 x x Obsérvese que cuando CLK=0. 3. Q+=Q. Q y tenga como salida el estado siguiente Q+. cuando Q=0 y Q+=1. siendo Q+=1 para . lo que ocurre para las combinaciones de entrada 8 y 9. produjeron dichas salidas. para CLK=1. S.De tabla de excitación se observa. que dadas las salidas Q y Q+. finalmente.

. La siguiente tabla presenta un resumen explicativo de la gráfica anterior. cuando S=1 y R=0. finalmente. Q+=1. muestra la función de conmutación de Q+.la combinación de entrada 9. cumpliéndose para las combinaciones 12 y 13. que es la función de estados. La figura siguiente. el mapa de Karnaugh para reducir dicha función y la función reducida para Q+. La figura adjunta presenta la carta de tiempo del multivibrador S-R sincronizado por reloj con TPP (transición de pendiente positiva).

variar o cambiar de estado). su diagrama a bloques se muestra en la figura adjunta. se obtiene la tabla característica. cuya variable de entrada es T y la de salida el estado siguiente Q+: De la tablas. es decir: Q+=Q'. Q+=Q y cuando T=1. la tabla de excitación presenta como entradas a las variables de estado presente y siguiente. En el multivibrador tipo T. Q y Q+. Independientemente del estado presente del multivibrador.3. y como salida a la variable T que las produce: Tabla EXCITACIÓN Q Q+ 0 1 0 1 T 0 1 1 0 0 0 1 1 de Tabla CARACTERÍSTICA T 0 1 Q+ Q Q' ´ . éste asume el estado de complemento cuando ocurre el pulso de reloj. el estado siguiente es igual al complemento del estado presente.6CIRCUITOS DE TIEMPO MULTIVIBRADOR TIPO T (Toggle. Q+=Q. el estado siguiente es igual al estado presente. y cuando T=1. En otras palabras. siempre y cuando el estado lógico de T esté a nivel alto. La tabla de estados correspondiente a este MVB se presenta a continuación: Tabla ESTADOS T 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 Q+ 0 1 1 0 de De la tabla. el nombre del MVB se deriva de la habilidad de variar (toggle) o cambiar de estado. Finalmente. Q+=Q'. cuando pulsa la entrada T el biestable cambia de estado. se observa que cuando T=0. la señal de reloj es la única existente. se observa claramente que cuando T=0. A partir de esta tabla.

El valor de entrada D se transfiere a la salida Q cuando CLK tiene una transición de pendiente positiva (TPP). . es decir: Q+(T. en el cual las transiciones de salida ocurren en un nivel específico del pulso de reloj. Q+(T. MULTIVIBRADOR DISPARADO POR FLANCO Un tipo más común de multivibrador.La ecuación de estados. Las figuras siguientes. es el multivibrador disparado por flanco. para sincronizar el cambio de estado durante una transición de pulso de reloj. corresponden al diagrama a bloques de un multivibrador tipo D disparado por flanco positivo y la gráfica de tiempo.Q)=TrQ A continuación se presenta la carta de tiempo del multivibrador tipo T sincronizado por reloj con TPP. se deduce de la tabla de estados. se cierran las entradas y el multivibrador se hace inactivo a cambios posteriores en las entradas hasta que el pulso de reloj regresa a cero y ocurre otro pulso. en la cual se observa que dicha función es igual a la O EXC de T y Q. Cuando el nivel de entrada excede este umbral. Q).

los niveles presentes de las entradas de control (CLK. no incluyen ningún multivibrador maestro/esclavo dentro de sus series. 7476 y 74107. tales como 74LS. de lo contrario puede ocurrir una operación no previsible. Las figuras siguientes corresponden a un multivibrador tipo D disparado por flanco negativo. ambas cambian sólo después de cada TPN del reloj.La transición de reloj positiva efectiva incluye un tiempo mínimo llamado tiempo de establecimiento. un multivibrador maestro/esclavo. en el cual la entrada D debe permanecer en un valor constante antes de la transición y un tiempo definido llamado tiempo de retención. . R) se emplean para determinar la salida del multivibrador maestro. donde la entrada D no debe cambiar después de la transición positiva. 74AS. en el cual el símbolo gráfico incluye un círculo de negación enfrente de CLK. mientras que CLK se encuentre en estado ALTO. indicando que fue disparado por flanco negativo. Por tanto. el multivibrador maestro/esclavo debe mantener estables las entradas de control. aunque puede encontrarse en equipos viejos. Durante la transición de pendiente positiva (TPP) de la señal de reloj. La transición de reloj positiva efectiva es por lo general una fracción muy pequeña del período total del pulso de reloj. S. Cuando existe un cambio de TPP. las nuevas tecnologías. algunos estándares en la familia TTL son 7473. MULTIVIBRADOR MAESTRO/ESCLAVO En el caso de circuitos integrados (CI). El multivibrador maestro/esclavo no es más que dos MVB: uno maestro y otro esclavo. En conclusión. cuyas salidas son Q y Q'. los estados del maestro se transfieren al esclavo. En este caso el multivibrador corresponde a la transición de la señal de reloj de nivel 1 al nivel 0. ya es obsoleto. 74ALS y 74HCT.

.Las siguientes figuras muestran el diagrama a bloques de un multivibrador maestro/esclavo sincronizado por reloj. así como su carta de tiempo.

Z=1 Lo s mu ltivi bra dor es dis po nib les en CI proporcionan a veces terminales de entrada para iniciar o borrar el multivibrador en forma asincrónica. la salida Y del elemento maestro va a 1. Después de un retardo de compuerta adicional. Las señales asincrónicas ocurren a menudo como resultado de una señal interruptora al azar. Con CLK=q=0. La mayoría de los sistemas digitales son sincrónicos en su operación. la salida Y del primer par de compuertas con acoplamiento transversal del elemento maestro es igual que Z. Obsérvese que no existe ninguna otra actividad del circuito hasta que el reloj vuelve a 0. 1. por lo que será una señal asincrónica. y después de otro retardo de compuerta. de p=0 y después de un retardo de compuerta sigue al borde delantero del pulso 2.6 CONVERSIÓN ENTRE MULTIVIBRADORES . En algunos casos. entonces Y=0. por lo general. se llaman preinicio (preset) y borrado (clear) y afectan al multivibrador en el nivel negativo de la señal de entrada sin necesidad de un pulso de reloj. Esta selección no programada puede producir resultados impredecibles. La salida Z del segundo par de compuertas con acoplamiento transversal.La siguiente tabla explica la operación del multivibrador maestro/esclavo: Operación del multivibrador MAESTRO/ESCLAVO Inicialmente la salida Z=0. en ausencia de las entradas para cambiar a 1. existirá una señal interna que no esté sincronizada por el reloj. pues la generalidad de las señales cambiarán estados de sincronización con las transmisiones del reloj. elemento esclavo. permanece en 0. en relación con la señal de reloj. Sincronización de multivibradores. La entrada uno pasa a 1 antes de que el pulso 2 del reloj se acople a dicha entrada. Estas entradas. Estas entradas son útiles para llevar a los multivibradores a un estado inicial antes de su operación cronometrada.

K.4. representa la salida del circuito de excitación (marcado con ? en la figura). la cual se obtiene de la tabla de estados del inciso a). como se muestra en el diagrama de bloques adjunto. Obtener un multivibrador J-K a partir del multivibrador tipo D.1.6) Reduciendo la función por mapas K: . Pasos a seguir: a) Obtener la tabla de estados del multivibrador que se desea alcanzar: Tabla de ESTADOS De la tabla se observa que la ecuación de estados es: D=Q+ c) La entrada del multivibrador D.5. Q) = 3m (1. es decir: D =Q+(J.

Se siguen los pasos indicados en el ejemplo anterior.Obsérvese que el logigrama se obtuvo con compuertas No Y. Obtener un multivibrador J-K a partir del multivibrador tipo T. a) Obtención de la tabla de estados del multivibrador que se desea . como se muestra en el diagrama a bloques adjunto. como se muestra en el mapa de Karnaugh. 2. lo cual se logra complementando dos veces la función y aplicando uno de los complementos.

Q y Q+ tienen distinto valor de verdad. cuando Q y Q+ tengan el mismo valor de verdad T=0 y cuando Q y Q+ tengan distinto valor de verdad T=1.7) Reduciendo por mapas K: .Q)=3m(3. para las combinaciones 3. 6 y 7. Q+) = Q r Q+ c) Para determinar a T en función de J.De la tabla se observa que: T(Q. Q y Q+ tienen el mismo valor de verdad.K. se tiene la siguiente función canónica: T(J.4. Expresando a T en función de J. como se muestra en la siguiente tabla: Tabla de ESTADOS DEC 0 1 2 3 4 5 6 7 J 0 0 0 0 1 1 1 1 K 0 0 1 1 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 0 1 0 1 Q+ 0 1 0 0 1 1 1 0 como MEMORIA puesta CEROS puesta UNOS complemento de Q a a Obsérvese que para las combinaciones 0. K y Q. se agrega una columna extra a la tabla de estados y los valores de T se determinan en base a la tabla de excitación del multivibrador tipo T. Así. K y Q.6. 1. 4. por tanto T=0. por tanto T=1. 2 y 5.

Y realizando el logigrama, se tiene:

También en este caso, la función se genera con compuertas No Y. 3. Obtener el multivibrador tipo D a partir del multivibrador tipo J-K. Obtención de la tabla de estados del multivibrador tipo D (el que se desea alcanzar):
Tabla ESTADOS D 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 Q+ 0 0 1 1 de

Se obtiene la tabla de excitación del multivibrador J-K:
Tabla ESTADOS D 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 Q+ 0 0 1 1 de

Se genera una tercera tabla para relacionar a D y Q con J y K. Esto se logra agregando tres columnas a la tabla de estados del MVB tipo D; una a su izquierda que muestra los decimales asociados a las combinaciones de D y Q; y dos a la derecha correspondientes a J y K. Los valores de J y K se obtienen de la tabla de excitación del multivibrador J-K; es decir, cuando Q=Q+=0, J=0 y K=x; cuando Q=0 y Q+=1, entonces J=1 y K=x y así sucesivamente, como se muestra a continuación:
Tabla ESTADOS DEC 0 1 2 3 D 0 0 1 1 Q 0 1 0 1 Q+ 0 0 1 1
J

de
K

0 x 1 x

x 1 x 0

Ahora si podemos encontrar a J y K en función de D y Q, como se muestra a continuación: J(D, Q) = 3m (2) + 3x (1,3) K(D, Q) = 3m (1) + 3x (0,2)

Reduciendo por mapas de Karnaugh las funciones anteriores y realizando el logigrama, se tiene:

UNIDAD IV

PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DIGITAL 4.1 SISTEMA BINARIO

4.2 EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR

4.3 ÁLGEBRA BOLEANA

4.4 CONFIGURACIÓN LÓGICA DE OPERACIONES DIGITALES

4.5 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

4.6 APLICACIONES

y además es el coeficiente que determina cuál es el valor de cada símbolo dependiendo de la posición que ocupe. Conjunto de 8 bits  Kilobyte (KB). 210 = 1024 .1SISTEMA BINARIO Un sistema de numeración puede ser definido como: "el conjunto de símbolos y reglas que se utilizan para la representación de datos numéricos o cantidades”. La base o números que utiliza el sistema binario son 2. siendo éstos el 0 y el 1. Para la medida de cantidades de información representadas en binarios se utilizan una serie de múltiplos del BIT que poseen nombre propio. es por ser el múltiplo de 2 más próximo a 1000. Un sistema de de numeración se caracteriza fundamentalmente por su base. que es el número de símbolos distintos que utiliza. Conjunto de 1024 gigabytes (1024 * 8 bits) La razón por la que se utiliza el factor multiplicador 1024 en lugar de 1000. cuestión importante desde el punto de vista electrónico. como sucede en otras magnitudes físicas. Cada cifra o dígito de un número representado en este sistema se denomina BIT (contracción de BInary digiT). Conjunto de 1024 kilobytes (1024² * 8 bits)  Gigabyte (GB). éstos son los siguientes:  Nivel o cuarteto. Conjunto de 1024 bytes (1024 * 8 bits)  Megabyte (MB).4. El sistema binario es el sistema de numeración que utiliza internamente los circuitos digitales que configuran el hardware de las computadoras actuales. Conjunto de 1024 megabytes (1024³ * 8 bits) 4  Terabyte (TB). Conjunto de cuatro bits  Byte u octeto.

se sustraes una unidad del dígito de más a la izquierda en el minuendo (si existe y vale 1). con la diferencia de que se manejan sólo 2 dígitos (0 y 1). convirtiéndose este último en 0 y equivaliendo la unidad extraída a 1*2 en el minuendo de resta parcial que estamos realizando. de tal forma que cuando el resultado excede de los símbolos utilizados se agrega el exceso (denominado acarreo) a la suma parcial siguiente hacia la izquierda. uno del minuendo y otro del sustraendo. Las tablas de sumar son: Tabla del 0 0+0=0 0 +1=1 Tabla del 1 1+0=1 1 + 1 = 1 0 ( 0 con acarreo 1) Ejercicios: 100100 +010010 110110 11 11001 + 10011 101100 1 Acarreos Resta Binaria Es similar a la decimal. Las tablas de restar son: Tabla del 0 0-0=0 0 . Si es 0 el dígito siguiente a la izquierda.SUMA BINARIA Es semejante a la suma en el sistema decimal. con la diferencia de que se manejan sólo 2 dígitos. si el segundo excede al primero. se busca en los sucesivos. y teniendo en cuenta que al realizar las restas parciales entre dos dígitos de idénticas posiciones.1 = no cabe Tabla del 1 1-0=1 1-1=0 .

Ejemplos: 100010 110 110↓ ↓ 1010 101→ Cociente 110 100 → Resto 10001000100 101010 101010 1101 00 11010 → Cociente 1010 10 101010 101010 00 → Resto .Multiplicación binaria Se realiza similar a la multiplicación decimal salvo que la suma final de los productos se hace en binario. Las tablas de multiplicar son: Tabla del 0 0*0=0 0*1=0 Tabla del 1 1*0=0 1*1=1 Ejercicios: 110101 * 001101 110101 000000 110101 110101 1010110001 111111 * 101010 000000 111111 111111 111111 101001010110 División Binaria Al igual que las operaciones anteriores. se realiza de forma similar a la división decimal salvo que las multiplicaciones y restas internas al proceso de la división se hacen en binario.

El número decimal buscado es la sumatoria de las multiplicaciones parciales. teniendo en cuenta que para el primer dígito. el resultado de la operación anterior es 0. Método de las sumas de las potencias de 2.625 .500 0*2 0 = 0 1*2 1 = 2 0*2 2 = 0 1*2 3 = 8 10. Ejemplo: 1 0 1 0 ↓ ↓ ↓ ↓ → → → → . Método para convertir números binarios enteros a decimal. Consiste en rescribir el número binario en posición vertical de tal forma que el dígito de la derecha quede en la zona superior y el dígito de la izquierda quede en la zona inferior. Es válido para números binarios con o sin decimales.CONVERSIONES A OTROS SISTEMAS De binario a decimal 1. Ejemplo: 10 1 1 ↓ 2 * 5 + 1 = 11 Resultado ↓ 2*2+1=5 ↓ 2*1+0=2 →→→→2 * 0 + 1 = 1 2.125 0*2-2 = 0 1*2-1 = 0. Se repetirá el siguiente proceso para cada uno de los dígitos comenzando por el inferior: se suma el dígito al producto de 2 por el resultado de la operación anterior. 1 0 1 ↓ → 1*2-3 = 0. El número decimal buscado será el resultado obtenido en la última operación. Consiste en realizar la multiplicación del dígito binario por la potencia del 2 de acuerdo a la posición que le corresponde con referencia al punto.

. Repetiremos de esta forma. Ejemplo: 10 0 ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ 2 5 1 ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ → 1 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ → → → → → → → 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ → → 1 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ → 0 ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 2 2 0 ↓ ↓ ↓ ↓ → → 2 1 1 ↓ ↓ → → → 2 0 → → → → 2.65625*2= 0. Ejemplo: 0.65625 1.25*2= 0. Consiste en multiplicar dicha fracción por 2.625 1. Se trata de dividir sucesivamente el número decimal y los sucesivos cocientes entre 2.De decimal a binario 1.3125 0.625*2= 0. Se utiliza para convertir una fracción decimal a su equivalente fracción en binario. Divisiones sucesivas entre 2. A continuación.828125*2= 0.5 1. obteniendo en la parte entera del resultado el primero de los dígitos binarios de la fracción que buscamos. hasta que el cociente en una de las divisiones tome el valor de 0. escritos en orden inverso.25 0. La unión de todos los restos obtenidos. Este se utiliza para convertir un número entero decimal a su respectivo número entero en binario.3125*2= 0. repetimos el mismo proceso con la parte fraccionaria del resultado anterior.0 → → → ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ 1 1 0 1 0 1 0 . Multiplicaciones sucesivas por 2.5*2= ↑→→→ 1. nos proporciona el número expresado en binario. hasta que desaparezca la parte fraccionaria de los resultados parciales o hasta que tengamos los dígitos binarios suficientes.

10111100 → 7BA3. se agrupan los dígitos de 4 en 4 a partir del punto decimal hacia la izquierda y hacia la derecha.De binario a hexadecimal Para convertir números binarios a hexadecimales.BC 0111 1011 1010 0011. de acuerdo a la siguiente tabla. sustituyendo cada cuarteto por su correspondiente dígito hexadecimal. Ejemplo: 2BC → 1010111100 2 B C 0010 1011 1100 . 1011 1100 7 B A 3 . Dígito Dígitos hexadecimal binarios Ejemplo: 0 0000 1 0001 2 0010 3 0011 4 0100 5 0101 6 0110 7 0111 8 1000 9 1001 A 1010 B 1011 C 1100 D 1101 E 1110 F 1111 0111101110100011. B C De hexadecimal a binario Para convertir números hexadecimales a binarios se sustituye cada dígito hexadecimal por su representación binaria con cuatro dígitos de acuerdo a la anterior tabla.

de acuerdo a la siguiente tabla. sustituyendo cada grupo de tres dígitos binarios por su correspondiente dígito octal. Dígito octal 0 1 2 3 4 5 6 7 Dígitos binarios 000 001 010 011 100 101 110 111 Ejemplo: 1010111100 → 1274 1 010 111 100 1 2 7 4 .De binario a octal Para convertir números binarios a octal. pero aquí se agrupan los dígitos de 3 en 3 a partir del punto decimal hacia la izquierda y hacia la derecha. se sigue el método que se usa para convertir de binario a hexadecimal.

y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la señal aplicada. pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4. Transistor inversor.24. La única fuente de dc está conectada al colector o lado de la salida. Figura 4. A través de un diseño adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. El nivel de saturación para la corriente del colector y para el circuito está definido por: ICsat = Vcc/ Rc .2 EL TRANSISTOR COMO CONMUTADOR Aplicar los transistores no se limita únicamente a la amplificación de señales. Cuando Vi = 5 V. que aparece cerca del nivel de saturación.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplicó sobre la base o a la terminal de entrada. También obsérvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. para estos propósitos se asumirá que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 µA (una excelente aproximación de acuerdo con las mejoras de las técnicas de fabricación). el transistor se encontrará "encendido" y el diseño debe asegurar que la red está saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lógicos de las computadoras.52. El diseño ideal para el proceso de inversión requiere que el punto de operación conmute de corte a la saturación.4. Observe la figura 4. en este caso 5 V.

por lo tanto se desprecia. abierto: IB = 0 IC = 0 CORTE (el transistor no conduce) Recta de carga: Esto era lo ideal. lo exacto sería: Pero para electrónica digital no tiene mucha importancia ese pequeño margen. .Transistor en conmutación Tenemos un interruptor en posición 1.

Interruptor en posición 2: Finalmente tenemos una gráfica de la siguiente forma: Aplicación: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada. . Se invierte la Vsal. Ese circuito se utiliza en electrónica digital. invierte la onda de entrada en la salida.

On/Off. lo exacto es: Entonces se cogen los márgenes. etc. la operación de conmutación es la siguiente: cuando la base está a unos 0. el transistor no conduce y se comporta como un interruptor abierto entre el colector y el emisor.a.) de una forma más o menos rápida. Pero este que hemos hecho no es exacto. 1/0. el transistor se comporta idealmente como un interruptor cerrado entre el colector y el emisor. En esta situación. En el caso de los transistores.7 V por encima del emisor. Marcha/Paro. Cuando la base está a menos de 0. ambos estados se identifican con las situaciones de Saturación y Corte. que era bueno para corte y saturación. . para conmutación.7 voltios por encima del emisor (y se suministra corriente suficiente a la base) el transistor conduce y entra en saturación. Para un transistor bipolar.A ese circuito le llamábamos "Circuito de polarización de base". La conmutación se puede describir de una forma sencilla como la posibilidad de un dispositivo de saltar o cambiar entre dos posiciones o dos estados distintos (que podemos llamar Alto/Bajo. como ilustra la figura 1. bien sean bipolares (BJT) o de efecto campo (MOSFET). pero como están muy separados se desprecia y no se le da importancia a ese pequeño error. Conmutación ideal La acción de conmutación de los transistores.

el MOSFET no conduce (corte) y se comporta idealmente como un interruptor abierto entre el drenador y la fuente (ver figura 2). . Los transistores MOSFET (transistores de efecto campo) difieren enormemente en su construcción y en su funcionamiento interno de los transistores bipolares. b) Transistor en Corte. funcionan como interruptores abiertos o cerrados. a) Transistor en Saturación. Idealmente. Cuando la tensión de puerta de un MOSFET de canal-n (NMOS) es más positiva que la de fuente. Los MOSFET de canal-p (PMOS) funcionan con polaridades de tensión opuestas. Conmutación ideal de un transistor BJT. Figura 2. dependiendo de su entrada. Cuando la tensión puerta-fuente es cero. el MOSFET conduce (saturación) e. b) Transistor en Corte. Conmutación ideal de un transistor MOSFET de canal-n. Figura 1. se comporta como un conmutador cerrado entre el drenador y la fuente. idealmente.a) Transistor en Saturación. pero su acción de conmutación es básicamente la misma. tal como muestra la figura 3.

a) Transistor en Saturación. Conmutación ideal de un transistor MOSFET de canal-p. b) Transistor en Corte. Figura 3. .

.4v 1. Se dice que zona prohibida es aquella en la que no se puede garantizar un nivel lógico 1 o 0. y EXNOR. OR. exige tener en cuenta unos conceptos básicos que se estudiaran en este apartado. pues en electrónica digital lo que pretendemos es enviar información fiable. Puertas Lógicas. Zona Zona Tecnología prohibida prohibida Vcc entrada salida 0. EX-OR. NAND. tanto alto como bajo. Pueden poseer una entrada o más y una sola salida.En TTL y CMOS los niveles de tensión en entradas y salidas no son fijos. Alto significa 1 (H) y bajo significa 0 (L) Las puertas lógicas básicas son: AND.99 a 5v 0 a 0. Son capaces de realizar funciones dando un nivel de tensión a la salida que puede ser alto o bajo.3 COMPUERTAS LÓGICAS INTRODUCCIÓN El conocimiento de las puertas lógicas.01 a CMOS 3 a 15v 3.4 a TTL 0.5v 4.5v VOH VOL 2.4v 4.4. VIH= Nivel alto de tensión (H) de entrada (L) VIL= Nivel bajo de tensión (L) de entrada (L) VOH= Nivel alto de tensión (H) de salida (O) VOL= Nivel bajo de tensión (L) de salida (O) .99v VIH 2 a 5. hay fluctuaciones entre dos márgenes. En esta tabla comparativa entre las dos tecnologías se observan las diferencias que son capaces de soportar de niveles de tensión..01v Siendo: Vcc= Tensión de alimentación de las puertas.5v 0 a 0.8 a 2v 5v 2. Este es un concepto importante.8v 0 a 1.es la unidad básica sobre la que se diseña un sistema digital.5 a 0. Niveles Lógicos. NOR. En CMOS se ha supuesto dicha tensión en 5v. NOT.5 a 5v VIL 0 a 0.5v 3.4 a 5.

están cerradas (alguna de las variables de entrada es 0). En las dos páginas siguientes veremos otras puertas que permiten simplificar el diseño e implementación de los circuitos lógicos más complejos.A través de las tablas de verdad se puede conocer teóricamente el comportamiento de las puertas lógicas. Las variables A y B representan dos variables booleanas cualesquiera y. Si una de las dos. en función de los niveles que se aplican a la entrada. así como la salida. modificando sus valores. son los estandares empleados en electrónica digital. Sólo podemos entrar si ambas están abiertas (las dos variables de entrada. o ambas. Así mismo se representa la notación booleana de la función representada por cada una de las puertas mostradas y su nombre en inglés ya que es usado en muchos textos. A nivel de lógica proposicional la función Y corresponde a la conjunción o producto lógico.. tambien será verdadera su conjunción. De hecho con esas puertas bastaría para poder diseñar cualquiera de ellos. Más adelante veremos como además nos van a servir para diseñar circuitos digitales PUERTA AND En las escenas de esta página se muestran las tres puertas lógicas elementales y que son la base de cualquier circuito digital. Un ejemplo sería: "Juan es moreno y Luis practica baloncesto".Tablas de verdad. podemos ver cómo se modifica el valor de salida. La primera puerta que vemos es la puerta "Y". . En el caso de que ambas proposiciones sean verdaderas. no podemos entrar al establecimiento. Una puerta "Y" la podemos imaginar como la entrada a un comercio en el que hay una barrera y una puerta a continuación. Los símbolos usados en las escenas. serán 1). Podeis observar que tiene dos entradas (inputs) y una salida (output). Cualquiera de estas puertas existen cómo productos comerciales electrónicos. para representar las puertas.

SÍMBOLO FUNCIÓN S=A. ayudan a poder simplificar algunas expresiones que resultarian algo complejas si únicamente dispusieramos de las puertas y funciones vistas en la página anterior. en un sinfín de circuitos integrados (sumadores. Igualmente sucede con las puertas NO-O.. por razones prácticas. En la realidad. la puerta NO-Y y la puerta NO-O. 3 o 4 entradas. Dicho círculo nos indica que se invierten las salidas de una Y y una O. En la parte derecha de las puertas se puede observar un pequeño círculo. se suelen comercializar con 2. así mismo.B TABLA DE VERDAD ANIMACION A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 0 0 1 PUERTA NAND En las escenas de esta página se presentan dos nuevas puertas lógicas.. en gran cantidad. Por ello están presentes. Dichas puertas permiten implementar circuitos con un menor número de componentes y..) SÍMBOLO FUNCIÓN S  A B . Estas puertas tienen la característica que con ellas se puede implementar cualquier expresión booleana sin usar ninguna otra puerta de otro tipo. flips-flops. respectivamente. las puertas NO-Y .

tal como hiciste en la escena anterior. verás cómo varía la salida correspondiente. Hay ejemplos más complejos pero éste resulta suficientemente claro). Un ejemplo físico sencillo que se asemeja al comportamiento de una puerta O sería el de una puerta de doble hoja de una casa.TABLA DE VERDAD ANIMACIÓN A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 1 1 1 0 PUERTA OR Como se puede observar también tiene dos entradas (inputs). Si modificas los valores de las entradas. Basta abrir una de las dos hojas para poder entrar o abrir las dos hojas. y una salida (output). SIMBOLO FUNCION S  A B TABLA DE VERDAD ANIMACION . Dicho aserto será verdadero siempre que lo sea alguna de las dos proposiciones (frases) que lo forman. Preposicionalmente se corresponde con la disyunción. también llamada suma lógica. Un ejemplo sería el aserto "esta página tiene el fondo blanco O se acaba este párrafo". A y B .

La salida toma valor 1 cuando el estado lógico de las entradas es diferente. y tomará valor 0 cuando ambas tienen el mismo estado. .A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 1 1 1 PUERTA NOR Su respuesta es contraria a la de la puerta OR. Solo cuando tengamos nivel bajo de tensión en todas las entradas se obtendrá un nivel alto a la salida SIMBOLO FUNCION S  A B TABLA DE VERDAD ANIMACION A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 1 0 0 0 PUERTA EX-OR También denominada Or Exclusive.

SIMBOLO FUNCION S  A  B  ( A  B )  ( A  B) TABLA DE VERDAD ANIMACION A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 1 1 0 .

..las operaciones tienen elementos identidad diferentes dentro de B. Mientras que una variable es un símbolo que representa un elemento arbitrario del álgebra. En cualquier álgebra de Boole se pueden demostrar los siguientes teoremas: Teorema 2.4 ÁLGEBRA BOLEANA Se define como álgebra de Boole a un sistema matemático con un conjunto de elementos B y dos operaciones binarias cerradas (·) y (+) siempre y cuando se cumplan los siguientes postulados: • P1. a.. a+b = b+a a·b = b·a • P2.para cada elemento. . es único. del conjunto B. a+0 = a a·1 = a • P4. ya sea una constante o una fórmula algebraica completa.. es decir. Teoremas del Álgebra de Boole. tal que se cumple: a+a = 1 a·a = 0 Como podemos ver. Así..las operaciones tienen la propiedad conmutativa. podemos disponer de constantes y de variables.las operaciones son distributivas entre sí a·(b+c) = a·b + a·c a+(b·c) = (a+b)·(a+c) • P3.4. una constante se define como cualquier elemento del conjunto B. existe otro elemento denominado complemento. Estos elementos son definidos como 0 para (+) y 1 para (·).El elemento a del 4º postulado (denominado complemento o negación de a) está unívocamente determinado.1. a también del conjunto B. Como en cualquier álgebra. en cualquier álgebra booleana se cumple el principio de dualidad: Cualquier teorema o identidad algebraica deducible de los postulados anteriores puede transformarse en un segundo teorema o identidad válida sin más que intercambiar las operaciones binarias y los elementos identidad.

(o Teorema de idempotencia) Para cada elemento a.4.(o Teorema de elementos nulos) Para cada cualquier elemento a. se verifica a+1 = 1 y a·0 = 0 Demostración.7.. 1‟ = 0 y 0‟ = 1 Demostración.3..5.2..6. se verifica: a+a·b=a a · (a + b) = a Demostración.(o Teorema de absorción) Para cada par de elementos.. es decir.Cada uno de los elementos identidad es el complemento del otro. se verifica: a + a‟ · b = a + b .(o Teorema de involución) Para cada elemento de a.Si fuese cierto. es decir. a y b. a y b..a+1 = 1·(a+1) = (a+a‟)·(a+1) = a + a‟·1 = a + a‟ = 1 a·0 = a·0+0 = a·0 + a·a‟ = a·(a‟+0) = a·a‟ = 0 Teorema 2. (a‟)‟ = a Demostración..Para cada par de elementos.a + a · b = a · 1 + a · b = a · (1 + b) = a · 1 = a a·(a + b) = (a + 0) · (a + b) = a + 0 · b = a Teorema 2.Demostración.Supongamos que existen dos complementos de a: a1 y a2.. a2 = a2·1 = a2·(a+ a1) = a2·a + a2·a1 = a·a1 + a2·a1 = (a + a2)·a1 = a1 Teorema 2.- Teorema 2.. se verifica que el complemento del complemento de a es a. deberían cumplir el cuarto postulado del álgebra: 1 = 0 + 0‟ 0 = 0 · 0‟ Por ser único l complemento: 0‟ = 1 1 = 1 + 1‟ 0 = 1 · 1‟ Por ser único el complemento: 1‟ = 0 Teorema 2.a + a = a + a · 1 = a + a · (a + a‟) = a + a · a + a · a‟ = a · (1 + a) = a · 1 = a a · a = a · a + 0 = a · a + a · a‟ = a·(a + a‟) = a·1 = a Teorema 2. se verifica: a+a=a a·a=a Demostración.

b y c. Hasta ahora no hemos puesto ninguna restricción al conjunto de elementos ni a los operadores binarios (salvo los postulados que deberían cumplir).9.(o Leyes de DeMorgan generalizadas) Para cualquier conjunto de elementos se verifica: (X0 + X1 + … + Xn) = X0 · X1 · … · Xn (X0 · X1 · … · Xn) = X0 + X1 + … + Xn Teorema 2..8.10. Si particularizamos para el caso de los circuitos digitales. restringimos el conjunto de elementos a los dos dígitos binarios {0. se verifica (a + b) + c = a + (b + c) (a · b) · c = a · (b · c) Álgebra de Conmutación.. se verifica (a + b)‟ = a‟ · b‟ (a · b)‟ = a‟ + b‟ Demostración.(o Teorema de asociatividad) Cada uno de los operadores binarios (+) y (·) cumple la propiedad asociativa.a · (a‟ + b) = a · b Demostración. para cada tres elementos.(o Leyes de DeMorgan) Para cada par de elementos.1} y las operaciones binarias son las siguientes: .a + a‟ · b = (a + a‟)·(a + b) = 1·(a + b) = a + b a · (a‟ + b) = a · a‟ + a · b = a · b Teorema 2.Se comprobará si se satisface el cuarto postulado a + b + (a + b)‟ = a + b + a‟ · b‟ = a + a‟ · b‟ + b + b‟ · a‟ = = a + b‟ + b + a‟ = a + a‟ + b + b‟ = 1 + 1 = 1 (a + b) · (a‟ · b‟) = a · a‟ · b‟ + b · b‟ · a‟ = b‟ · 0 + 0 · a‟ = 0 + 0 = 0 a · b + (a · b)‟ = a · b + a‟ + b‟ = a · b + a‟ + a · b + b‟ = = a + a‟ + b + b‟ = 1 + 1 = 1 a · b · (a‟ + b‟) = a · a‟ · b + a · b · b‟ = 0 · b + a · 0 = 0 + 0 = 0 Teorema 2.. es decir. a y b. a..

. AND y NOT o inversor).Se verifica que un álgebra definida de la forma mostrada en la tabla 2.. Éstos son los símbolos tradicionales... Estas puertas tienen unos símbolos especiales. los cuales son mostrados en la figura 2. La demostración de esta afirmación se realiza mediante la verificación de los cuatro postulados: • P1. • P4. • P2.Se comprueba por simple inspección de la definición de las operaciones.Por inspección de los operadores se puede verificar. Un álgebra así definida se denomina álgebra de conmutación. y aunque existe una simbología internacional también mostrada. • P3. usaremos preferentemente estos símbolos: .Por definición del operador complemento.Se puede comprobar evaluando todas las combinaciones posibles.1.1 se trata de un álgebra de Boole. Los operadores de esta álgebra reciben los siguientes nombres: • Operador + operador OR • Operador · operador AND • Operador „operador NOT Y los circuitos electrónicos que realizan estas operaciones se denominan puertas (OR.

Una vez visto el álgebra de Boole.10. La tabla de combinaciones para la suma de dos entradas es la tabla 2. resta. pasaremos a ver como se harían las operaciones más básicas de la aritmética (suma. que se encuentra junto a un ejemplo: Resta.Aritmética binaria. que se encuentra junto a un ejemplo: . como si fuese un nuevo substraendo. mientras que el desbordamiento es lo que se le vuelve a restar a la siguiente suboperación. mientras que el acarreo es lo que se le añade a la siguiente suboperación. La salida suma es el resultado. Suma binaria. La suma binaria tiene dos salidas: suma y acarreo. La resta binaria tiene dos salidas: resta y desbordamiento. La salida resta es el resultado. multiplicación y división) utilizando el código binario. La tabla de combinaciones para la suma de dos entradas es la tabla 2.11. y en particular el de conmutación.

éstas resultan muy simples por propia construcción del código binario. Esta forma se puede demostrar por la expresión polinómica de los números binarios. En el caso de que no existan más dígitos. 32). el número que se obtiene es el número negativo binario. 4. En el caso de que el resultado sea negativo. el complemento a dos del número en cuestión. y por tanto. . como podemos ver en el siguiente ejemplo: Otra forma de obtener el complemento a dos es la siguiente: empezando por la derecha se deja todo igual hasta encontrar el primer 1 (inclusive) y a partir de ahí se invierte la parte restante bit a bit. se rellenarán con ceros. Al igual que la resta de los números reales se puede ver como la suma del número negativo. En el caso que queramos realizar operaciones complejas (multiplicación y/o división) con números de potencia de dos (2. Desplazamiento. tanto con la suma con el complemento a dos como en la resta binaria. 16.Complemento. representado por 2B. El número negativo en binario es el denominado complemento a dos de dicho número. El complemento a dos de un número binario se calcula invirtiendo dicho número y sumarle 1 a la inversión. en la resta binaria se puede hacer lo mismo. La multiplicación (división) por 2n se realiza desplazando el punto decimal n dígitos a la derecha (izquierda). 8.

y se vuelve a empezar. Si el resultado de esta resta es negativo. Si el resultado es positivo. Así. El divisor se alineará con la parte más significativa (más a la izquierda) del dividendo y se restará. A continuación. la división correspondiente a 45/5: . mostramos como ejemplo la multiplicación de 5.75.12 de combinaciones: Después se realiza la suma de los productos parciales (como en el caso decimal). al cociente se le añade un cero a la derecha y el divisor se desplaza un dígito a la derecha y volvemos a restar. y a modo de Ejemplo. al cociente se le añade un 1 a la derecha y al resultado de la resta se le añade el dígito inmediatamente siguiente de la derecha del dividendo. vemos en la figura 2. realizándose generalmente a través de un algoritmo.2. El algoritmo que vamos a emplear será el siguiente. La división es la operación más compleja.75 x 5 = 28.Multiplicación. División. La multiplicación de dos números binarios cualesquiera se basa en la tabla 2.

tales como dígitos decimales o letras de alfabeto. Los computadores digitales utilizan el sistema de números binarios. La información binaria se representa en un sistema digital por cantidades físicas denominadas señales.4. ' La in fonación está representada en los computadores digitales en grupos de bits. Como sabemos en la práctica. Debido al hecho que los componentes electrónicos atienden a dos estados ( encendido / apagado ) y que la lógica humana tiende a ser binaria ( esto es. Por ejemplo. que tiene dos dígitos 0 y 1.5 CONFIGURACIÓN DIGITALES LÓGICA DE OPERACIONES Un computador digital. Las señales eléctricas tales como voltajes existen a través del sistema digital en cualquiera de dos valores reconocibles y representan un a variable binaria igual a 1 o 0. cierto o falsa.. los dígitos binarios o grupos de bits pueden utilizarse para desarrollar conjuntos completos de instrucciones para realizar diversos tipos de cálculos. proporcionan 10 valores discretos ( 0 .5 [volts 1 para el binario "0". como su nombre lo indica. Estos valores son procesados internamente por componentes que pueden mantener un número limitado de estados discretos. Un dígito binario se denomina un BIT. Utilizando arreglos binarios y diversas técnicas de codificación. 9 ). si o no ) se utiliza el sistema binario y se dice que son binarias. La siguiente ilustración muestra un ejemplo de una señal binaria. un sistema digital particular puede emplear una señal de 3 [volts 1 para representar el binario "I" y 0. La palabra Digital implica que la información que se representa en el computador por medio de variables que toman un número limitado de valores Discretos o cuantizados. Utilizando diversas técnicas de codificación los grupos de bits pueden hacerse que representen no solamente números binarios sino también otros símbolos discretos cualesquiera. . es un sistema digital que realiza diversas operaciones de cómputo. Los dígitos decimales por ejemplo. los computadores funcionan más confiablemente si sólo utilizan dos estados equiprobables.

cada valor binario tiene una desviación aceptable del valor nominal. La manipulación de información binaria se hace por circuitos lógico que se denominan Compuertas. Los terminales de entrada de un circuito digital aceptan señales binarias dentro de las tolerancias permitidas y los circuitos responden en los terminales de salida con señales binarias que caen dentro de las tolerancias permitidas.Como se muestra en la figura.salida de las variables binarias para cada compuerta pueden representarse en forma tabular en una tabla de verdad. Es utilizada para escribir. La manipulación y. A continuación se detallan los nombres. Las diversas compuertas lógicas se encuentran comúnmente en sistemas de computadores digitales. La lógica binaria tiene que ver con variables binarias y con operaciones que toman un sentido lógico. Las relaciones entrada . en forma algebraica o tabular. . Cada compuerta tiene un símbolo gráfico diferente y su operación puede describirse por medio de una función algebraica. Las compuertas son bloques del hardware que producen señales del binario 1 ó 0 cuando se satisfacen los requisitos de entrada lógica. gráficos. La región intermedia entre las dos regiones permitidas se cruza solamente durante la transición de estado. funciones algebraicas. símbolos. y tablas de verdad de ocho compuertas. procesamiento de información binaria.

de otra manera. Estas condiciones también son especificadas en la tabla de verdad para la compuerta AND. similar a la operación de aritmética de suma. Es decir cambia los valores binarios 1 a 0 y viceversa. Compuerta OR: La compuerta OR produce la función OR inclusiva. El círculo pequeño en la salida de un símbolo gráfico de un inversor designa un complemento lógico.Compuerta ADN: Cada compuerta tiene una o dos variables de entrada designadas por A y B y una salida binaria designada por x. esto es. Podemos utilizar o un punto entre las variables o concatenar las variables sin ningún símbolo de operación entre ellas. El símbolo de operación algebraico de la función AND es el mismo que el símbolo de la multiplicación de la aritmética ordinaria (*). Si la variable binaria posee un valor 0. Las compuertas OR pueden tener más de dos entradas y por definición la salida es 1 si cualquier entrada es 1. la salida es 1 si cualquier entrada es 1. . la salida es 0. la salida es 0. La compuerta AND produce la unión lógica AND: esto es: la salida es 1 si la entrada A y la entrada B están ambas en el binario 1: de otra manera. El símbolo algebraico utilizado para el complemento es una barra sobra el símbolo de la variable binaria. Compuerta NOT (Inversor): El circuito inversor invierte el sentido lógico de una señal binaria. Las compuertas AND pueden tener más de dos entradas y por definición. la salida es 1 si la entrada A o la entrada B o ambas entradas son 1. El símbolo algebraico de la función OR (+). La tabla muestra que la salida x es 1 solamente cuando ambas entradas A y B están en 1 . Produce el NOT.. o función complemento. la compuerta NOT cambia su estado al valor 1 y viceversa.

Por ejemplo. un separador que utiliza i volt para el binario 1 producirá una salida de 3 volt cuando la entrada es 3 volt. un separador puede excitar muchas otras compuertas que requieren una cantidad mayor de corriente que de otra manera no se encontraría en la pequeña cantidad de corriente aplicada a la entrada del separador. Compuerta NAND: Es el complemento de la función AND. la corriente suministrada en la entrada es mucho más pequeña que la corriente producida en la salida. respectivamente. La designación NAND se deriva de la abreviación NOT . . Compuerta NOR: La compuerta NOR es el complemento de la compuerta OR y utiliza un símbolo gráfico OR seguido de un círculo pequeño.Compuerta Separador: Un símbolo triángulo por sí mismo designa un circuito separador no produce ninguna función lógica particular puesto que el valor binario de la salida es el mismo de la entrada. Una designación más adecuada habría sido AND invertido puesto que Es la función AND la que se ha invertido. De ésta manera. Este circuito se utiliza simplemente para amplificación de la señal. como se indica por el símbolo gráfico que consiste en un símbolo gráfico AND seguido por un pequeño círculo. y la salida es siempre el complemento de las funciones AND u OR.AND. Sin embargo. Tanto las compuertas NAND como la NOR pueden tener más de dos entradas.

pero las dos funciones son iguales cuando el número de entradas es impar. La función OR exclusivo tiene su propio símbolo gráfico o puede expresarse en términos de operaciones complementarias AND. Nosotros nos referiremos a la función NOR exclusivo como la función de equivalencia. su salida es 1 si un número par de entradas es 0. la salida es 1 si solamente la entrada es 1 o si todas las entradas son 1. esto es. . OR . esto es. Para un función de equivalencia de tres entradas.Compuerta OR exclusivo (XOR): La compuerta OR exclusiva tiene un símbolo gráfico similar a la compuerta OR excepto por una línea adicional curva en el lado de la entrada. Compuerta NOR exclusivo (XOR): El NOR exclusivo como se indica por el círculo pequeño en el símbolo gráfico. la salida es 1 si ninguna de las entradas son 0 ( todas las entradas son 1 ) o si dos de las entradas son 0 ( una entrada es 1 Una investigación cuidadosa revelará que el OR exclusivo y las funciones de equivalencia son el complemento la una de la otra cuando las compuertas tienen un número par de entradas. La función de equivalencia es una función par. Puesto que las funciones OR exclusivo y funciones de equivalencia no son siempre el complemento la una de la otra. la salida es 1 si un número impar de entrada es 1. Estas dos compuertas están comúnmente disponibles con dos entradas y solamente en forma rara se encuentran con tres o más entradas. La salida de ésta compuerta es 1 solamente si ambas entradas son tienen el mismo valor binario. La salida de esta compuerta es 1 si cada entrada es 1 pero excluye la combinación cuando las dos entradas son 1. Un nombre más adecuado para la operación OR exclusivo sería la de una función impar. Así en una función OR (impar) exclusiva de tres entradas.

.

3 X = [( A' + B ) * B' ] ' . nosotros podemos representarla por un símbolo gráfico AND precedido por círculos en toda la entrada. La salida de la primera compuerta NAND es. Similarmente. las compuertas NOR y NAND tienen dos símbolos gráficos distintos como se muestra en la figura: En vez de representar una compuerta NOR por el símbolo gráfico OR seguido por un círculo. una función NAND puede ser expresada bien sea por (xy)' o por x' + y' por esta razón. (AB)' = A' + B' . El inversor AND para la compuerta NOR proviene M teorema De Morgan y de la convención de que los círculos pequeños denotan complementación. Expresa que una compuerta NOR que realiza la función (x + y)' es equivalente a la expresión función xy' . por el teorema De Morgan. Similarmente la compuerta NAND también posee dos símbolos gráficos. Para ver cómo se utiliza la manipulación del álgebra Booleana para simplificar circuitos digitales considere el diagrama lógico de la siguiente figura. La salida del circuito es la operación NAND de este término y B' .Retornemos el teorema De Morgan: El teorema De Morgan es muy importante al tratar compuertas NOR y NAND.

obtenemos: 4 X = (A' + B)' + B = AB' + B Note que el teorema De Morgan ha sido aplicado tres veces ( para demostrar su utilización ) pero podría ser aplicado solamente una vez de la siguiente manera: X = [(AB‟)*B']' = AB' + B La expresión para x puede simplificarse por aplicación de las relaciones mencionadas anteriormente .Utilizando el teorema De Morgan dos veces.

Configuración interna de las compuertas lógicas más comunes: NAND 7400 NOR 7402 .X = AB'+ B = B + AB' = (B + A) (B + B') = (BEA)* 1 =B+A =A+B El resultado final produce una función OR y puede ser implementado con una sola compuerta OR como se muestra en la figura parte (b).Salida simplemente obteniendo la tabla de verdad para cada uno de ellos. Uno Puede demostrar que dos circuitos producen relaciones binarias idénticas Entrada .

INVERSOR AND 7408 OR 7432 .

XOR 7486 .

El alineador posee un dispositivo muy pequeño llamado mascara. cuando la luz alcanza un área determinada de la pastilla elimina el fotorresistencia presente en esa zona. que evita que la luz incida sobre puntos específicos de la pastilla. Estas últimas zonas aun permanecen recubiertas de " fotorresistencia". La pastilla es entonces bombardeada con luz. las pastillas de silicio se procesan primero para hacer transistores. Cada barra se corta en pastillas de 0. DE LOS Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de pastillas de silicio. el mismo utilizado para producir transistores en masa. el químico se deposita en las regiones descubiertas por la luz e ignora las encubiertas por la mascara. Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones seleccionadas un químico protector sensible a la luz llamado fotorresistencia.9999999%. el cual forma una película muy delgada sobre la superficie de la pastilla.. Las conexiones se realizan a través de líneas metálicas. A este proceso se le denomina fotolitografía.. Una pastilla de silicio por si misma es aislante y no conduce corriente.4. . el silicio se funde en una atmósfera inerte y se cristaliza en forma de barras cilíndricas de hasta 10cm de diámetro y 1 m de largo.6 ESTRUCTURA Y ESPECIFICACIONES CIRCUITOS INTEGRADOS Como se fabrican los Circuitos Integrados. mediante un proyector deslizante muy preciso llamado alineador óptico. Dependiendo de su tamaño. Los transistores se crean agregando impurezas como fósforo o arsénico a determinadas regiones de la pastilla. Para fabricar un chip. Una vez sintetizado.50 mm de espesor y las superficies de estas ultimas se pulen hasta quedar brillantes. El silicio utilizado para la fabricación de chips es de una pureza de orden del 99. se obtienen varios cientos de circuitos idénticos (chips) sobre ambas superficies mediante un proceso llamado planar. Mediante un proceso de revelado.25 a 0. El procesamiento del silicio para obtener CI o chips es relativamente complicado.

Los Circuitos Integrados SSI se fabrican empleando tecnologías ttl. A continuación. el SiO2 se trata nuevamente con "fotorresistencia" y se expone al alineador óptico. VLSI. Para obtener una nueva capa de metalización. esto origina que el silicio no procesado de la superficie se convierta en oxido de silicio (SiO2). los transistores alcanzan tamaños inferiores a una velocidad de respuesta de los dispositivos. Clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura. A comienzos de los 70´s. El SiO2 se esparce sobre la superficie de la pastilla y forma sobre la misma una delgada película aislante de unas pocas micras de espesor.La precisión del alineador óptico determina que tan fino puede hacerse un rasto. cmos y ecl. . SSI. Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una estructura parecida a un sándwich. Ahora. las compuertas son los bloques constructivos básicos de todos los circuitos digitales. era difícil hacer transistores de menos de 10 micras de tamaño. Ejemplos: compuertas y flip flops. De este modo se obtiene el primer nivel de metalización de chips. MSI. con el SiO2 como el pan y el metal o el silicio dopado como la salchicha. La clasificación de los Circuitos Integrados de acuerdo a su estructura puede ser de acuerdo a la cantidad de compuertas utilizadas para implementar la función propia del chip (llamado Escalas de Integración) como sabemos. Las escalas de Integración son 4: SSI. repitiéndose el mismo procedimiento seguido con el silicio del primer nivel.. LSI. la mayoría de Circuitos Integrados no se hacen con mas de tres capas de metalización. la pastilla se calienta a altas temperaturas.Significa Small Scale Integration (integración en pequeña escala) y comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas. Los primeros Circuitos Integrados eran SSI . a continuación veremos cada una de ellas.

unidades aritméticas y lógicas (alu's). efecto de campo. de codificadores y de multiplexores. con características eléctricas comunes que garantizan su compatibilidad. En la mayoría de los casos el usuario no esta interesado en este aspecto de los Circuitos Integrados. los Circuitos Integrados MSI se fabrican empleando tecnologías ttl. cmos.Significa Very Large Scale Integration ( integración en muy alta escala) y comprende los chips que contienen más de 1000 compuertas ejemplos: micro-procesadores de 32 bits. sistemas de adquisición de datos. los Circuitos Integrados LSI se fabrican principalmente empleando tecnologías. ejemplos: memorias.significa Large-Scale Integration ( integración en alta escala) y comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas..MSI.Significan Médium Scale Integration ( integración en mediana escala). cmos y pmos. ejemplos: codificadores.. y comprende los chips que contienen de 13 a 100 compuertas . y solo es importante su compatibilidad con los requisitos de alimentación. Incluso en este aspecto. ya que únicamente puede basar su trabajo en las especificaciones del fabricante. debido a que estos se emplean en “familias lógicas”. los Circuitos Integrados VSLI se fabrican también empleando tecnologías ttl. A continuación veremos cada uno de estos. LSI. la mayoría de los Circuitos Integrados analógicos están disponibles con amplios .. óxidos metálicos y combinaciones de estas tres. Los Circuitos Integrados se clasifican en CI analógicos. Los Circuitos Integrados analógicos se fabrican usado gran variedad de tecnologías de semiconductores. registros. digitales. La tecnología empleada en la fabricación de los Circuitos Integrados digitales es importante para el usuario. microcontroladores. de interfase y de consumo. Los Circuitos Integrados analógicos se seleccionan normalmente siguiendo criterios individuales. multiplexores. contadores . y ecl. microprocesadores de 8 y 16 bits . VLSI. como bipolar. Clasificación de los circuitos Integrados de acuerdo a su función. Circuitos Integrados Analógicos.

Características Importantes TTL La familia TTL usa transistores del tipo bipolar por lo que está dentro de las familias lógicas bipolares. La diferencia entre las versiones 5400 y 7400 es que la primera es de uso militar. operable sobre rangos mayores de temperatura (de –55 a +125ºC) y suministro de alimentación (cuya variación en el suministro de voltaje va de 4. al costo de mayores retardos en propagación. TTL de baja potencia.5 a 5. Pero la velocidad aumentada se logra a expensas de una disipación mayor de potencia.75 V.márgenes de alimentación. esta serie es ideal para aplicaciones en las cuales la disipación de potencia es más crítica que la velocidad. La serie 5400/7400 ha sido una de las familias lógicas de Circuitos Integrados más usadas. Las familias TTL estándar. La serie 7400 opera sobre el rango de temperatura 0 – 70ºC y con una tensión de alimentación de 4. serie 74H00: Poseen una velocidad de conmutación mucho más rápida con un retardo promedio de propagación de 6ns. Circuitos de baja frecuencia operados por batería tales como calculadoras son apropiados para la serie TTL. TTL Schotty. serie 74L00: Tienen menor consumo de energía. por lo que su empleo no suele estar condicionado por su compatibilidad.5 V). TTL de alta velocidad. Ambas tienen un fan-out típico de 10. por lo que pueden manejar otras 10 entradas. serie 74S00: .75 a 5.Texas Instruments (1964) introdujo la primera línea estándar de productos circuitales TTL.

-Se presentan situaciones en que una entrada TTL debe mantenerse normalmente BAJA y luego hecha pasar a ALTA por la actuación de un swich mecánico. Otras propiedades de los TTL son: -En cualquier Circuito Integrado TTL. CMOS usa sólo una fracción de la potencia que se necesita para la serie TTL de baja potencia (74L00) y es así apropiada idealmente para aplicaciones que usan potencia de batería o potencia con batería de respaldo. . El proceso de fabricación del CMOS es más simple que TTL y tiene una densidad de empaque mayor. pero se espera mejorar en este respecto. permitiendo por consiguiente más circuitería en un área dada y reduciendo el costo por función. La lógica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el área MSI. Si los tiempos de subida o de caída son mayores que 1 µs. La velocidad de operación de CMOS no es comparable aún con las series TTL más rápidas. Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de conmutación. todas las entradas son 1 a menos que estén conectadas con alguna señal lógica. estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de electricidad. hay posibilidad de ocurrencia de oscilaciones en la salida. con la cual es de directa competencia. mayormente a expensas de TTL. CMOS Acrónimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor (Semiconductor Complementario de Óxido Metálico). -Las señales de entrada que manejan circuitos TTL deben tener transiciones relativamente rápidas para una operación confiable.Tiene la mayor velocidad disponible en la línea TTL. -No todas las entradas en un Circuito Integrado TTL se usan en una aplicación particular. Pueden resultar dañados fácilmente por la electricidad estática.

Diferencias mas importantes: Los voltajes de alimentación son de 5V para los circuitos TTL y de 3 V a 15 V para los circuitos CMOS. siendo los niveles de voltaje de las dos familias los mismos. Algunas características más importantes de esta familia lógica son: -La disipación de potencia de estado estático de los circuitos lógicos CMOS es muy baja. -La velocidad de conmutación de la familia CMOS 4000A varía con el voltaje de la fuente. El suministro + VDD puede estar en el rango 3 V a 15 V para la serie 4000A. Cuando se usa CMOS con TTL. -Los niveles lógicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lógico y + VDD para 1 lógico. Esto es altamente improbable debido al alto fan-out del CMOS. por lo que la regulación de la fuente no es una consideración seria para CMOS. porque estas entradas serían susceptibles al ruido.La serie 4000A es la línea más usada de Circuitos Integrados digitales CMOS. Entradas no usadas no pueden dejarse flotado (desconectadas). preferiblemente tierra o VDD. siempre y cuando no se exceda el fan-out de la fuente de señal.  En la fabricación de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el TTL y transistores MOSFET para La tecnología CMOS. Contiene algunas funciones disponibles en la serie TTL 7400 y está en expansión constante. -Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algún nivel de voltaje.  El circuito integrado CMOS es de menor consumo de energía pero de menor velocidad que los TTL.  . el voltaje de la fuente se hace 5 V. Estas entradas no usadas pueden también ser conectadas a una de las entradas usadas.

FUNCIONES Y TABLAS DE VERDAD Una función de un Álgebra de Boole es una variable binaria cuyo valor es igual al de una expresión algebraica en la que se relacionan entre sí las variables binarias por medio de las operaciones básicas. producto lógico. depende del de las variables a.. Se llama termino canónico de una función lógica a todo producto o suma en la cual aparecen todas las variables en su forma directa o inversa. suma lógica e inversión. c. El álgebra booleana considera que las proposiciones lógicas son verdaderas o falsas... c. Para mayor facilidad de representación. Los circuitos digitales operan en el sistema numérico binario. El número máximo de productos canónicos o sumas canónicas viene dado por las variaciones con repetición de dos elementos tomados de n en n. c). El álgebra utilizada para resolver problemas y procesar la información en los sistemas digitales se denomina álgebra de Boole.. El término abc es un producto canónico mientras que el término a + b + c es una suma canónica. Por ejemplo sea una función de tres variables f (a. Al primero de ellos se le llama producto canónico y al segundo suma canónica.) El valor lógico de f. b. cada termino canónico se expresa mediante un número decimal equivalente al binario obtenido al sustituir las variables ordenadas con un criterio determinado por un 1 o un 0 según aparezcan en su forma directa o complementada respectivamente. Se representa una función lógica por la expresión f = f (a. basada sobre la lógica más que sobre el cálculo de valores numéricos reales.. que implica que todas las variables de circuito deben ser 1 o 0. b. b. Verdadero corresponde al valor . según el tipo de operación que describen y si las variables son verdaderas o falsas.. El número de productos o sumas canónicas de n variables es por lo tanto 2n.

Si. ha de formar parte de la función. para una determinada combinación de las entradas. En la siguiente tabla se representa la tabla de verdad de una función de tres variables. el producto canónico de todos los posibles 2n. Para poder realizar esto se emplean las llamadas tablas de verdad que no son otra cosa que representaciones gráficas de todos los casos que pueden darse en una relación y de sus respectivos resultados. que vale 1 para dicha combinación. presentan todas las posibles combinaciones de entrada frente a las salidas resultantes.digital 1. La tabla de verdad de una función lógica es una forma de representación de la misma en la que se indica el valor 1 o 0 que toma la función para cada una de las combinaciones posibles de las variables de las cuales depende. mientras que falso corresponde a 0. c 0 0 0 0 1 1 1 1 b 0 0 1 1 0 0 1 1 a 0 1 0 1 0 1 0 1 f 0 1 0 1 1 0 1 1 . La deducción de la forma canónica de la función por medio de la tabla de verdad resulta sencilla. Las tablas de verdad. Los teoremas del álgebra de Boole son demostrables a diferencia de los del álgebra convencional. llamadas tablas booleanas. la fusión toma el valor lógico 1. La deducción del producto canónico correspondiente es inmediata asignando al estado 0 la variable inversa y al estado 1 la variable directa. por el método de inducción completa.

No existe actualmente un criterio unico de minimización de la expresión de una función lógica y además se prevé una gran evolución de este concepto debido a la cada día mayor disponibilidad de sistemas funcionales complejos en circuitos integrados que permite realizar cualquier función lógica. símbolo mas extendido y ecuación. ocho. Simbolo Función Sumadora O (Or) Multiplicadora (AND) Y S = a. tres o cuatro entradas Se fabrican en una entrada Se fabrican en dos. tres. tres o cuatro. junto a su nombre . CIRCUITOS BÁSICOS Los siguientes son pequeños circuitos digitales integrados cuyo funcionamiento se adapta a las operaciones y postulados del álgebra de Boole . doce o trece entradas Ecuación Lógica S = a+b Tipos comerciales Se fabrican en dos entradas Inversora No (NOT) S=ā Sumadora S = a+b Negadora No O (NOR) Multiplicadora S = ab Negadora No Y(NAND) .b Se fabrican en dos. cuatro o cinco entradas Se fabrican en dos. Los operadores o puertas lógicas mas importantes aparecen en la siguiente tabla .

La salida de la compuerta OR será baja (nivel lógico 0)si todas sus entradas están en el nivel lógico 0. Por consiguiente la salida de cualquier compuerta OR se puede expresar como la suma OR de todas sus entradas. El signo (+) denota la función propia de una compuerta OR y no se puede omitir. que debe leerse como "S es igual a o B"o "A o B es igual a S" y no como "S es igual a A más B" En otras palabras. . La figura siguiente muestra el símbolo correspondiente a una compuerta OR de dos entradas. donde una vez debe hacerse hincapié en que el signo + representa la operación OR. la salida x puede expresarse como X = A + B + C. a esta operación se le denomina también suma lógica.Este es el principio general es el mismo que rige para compuertas OR con cualquier número de entradas . Es un circuito que tiene dos o más entradas y su salida es igual a la suma OR de las entradas. esto es S = A+B. Mediante el uso del lenguaje del álgebra booleana . y una salida alta cuando existe por lo menos un alto en cualquiera de sus entradas o en las dos al mismo tiempo. la compuerta OR opera en tal forma que su salida es alta (nivel lógico 1)si la entrada A. B o ambas están en el nivel lógico 1. tampoco debe confundirse con el signo más de la suma aritmética. Las entradas A y B son niveles de voltaje lógico y la salida S es un nivel de voltaje lógico cuyo valor es el resultado de la operación OR de A y B. Esta misma idea puede ampliarse a más de dos entradas Por ejemplo si tuviéramos tres entradas la tabla lógica que se muestra a continuación nos demuestra una vez más que la salida 1 se dará en el caso de que una o más entradas sean 1.Ahora pasaremos a especificar cada uno de los circuitos básicos que hemos resumido anteriormente en la tabla. CIRCUITO OR Es un dispositivo digital que entrega una salida baja cuando todas sus entradas son bajas.

Al igual que en el caso del circuito OR también se cumple que esta operación también se cumpla para más de dos entradas . Cabe resaltar que la salida de la compuerta es 1 solamente en el caso que A = B = C = 1.) denota la función propia de una compuerta AND y se puede omitir.A 0 0 0 0 1 1 1 1 CIRCUITO AND B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 X=A+B+C 0 1 1 1 1 1 1 1 Una compuerta AND de dos entradas es un dispositivo lógico que entrega una salida alta cuando todas sus entradas son altas y una salida baja cuando hay un alto en cualquiera de sus entradas . En todos los otros casos la salida de la compuerta AND es baja es decir 0. de modo que da lo mismo si se coloca o no. Se debe tener cuidado a la hora de observar los símbolos para operar dado que como son un poco parecidos podría haber una equivocación y obviamente esto sería realmente fatal si lo que se busca es reducir o resolver el circuito. En la figura que se muestra a continuación se encuentra una tabla con tres entradas. Es un circuito con dos o mas entradas. . A la función AND se le llama también producto lógico.. la salida de estas es igual al producto AND de las entradas lógicas es decir S = A.B Es un circuito que opera en tal forma que su salida es alta solamente cuando todas sus entradas son altas . El signo (. La expresión para la salida sería la siguiente X =ABC.

Si lo quisiéramos representar en una tabla de verdad sería de la forma siguiente: A 0 1 X= Ā 1 0 . En este circuito solo observamos dos casos cuando 1 se ha negado o complementado se convierte en 0 y cuando 0 se ha negado o complementado se convierte en 1. A continuación se muestra esto simbólicamente .A 0 0 0 0 1 1 1 CIRCUITO 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 X=ABC 0 0 0 0 0 0 0 1 NOT Esta operación se puede efectuar con una sola variable de entrada. A este circuito también se le conoce con el nombre de inversor o complementador puesto que también pudimos haber dicho Ā es el complemento de A. Lo que indica la negación vendría a ser el simbolito que se encuentra encima de la variable de entrada.Existen varias formas de expresar esta operación una de ellas es: X es igual a la inversa de A o X es igual a no A. En el caso de que la variable fuera B si la sometemos a la operación NOT el resultado sería X = Ā.

b. Par realiza con puertas NAND ( NOR) la expresión mínima de la función obtenida por el método tabular o el método numérico. se aplican a cada una de ellas dos inversiones y se opera una de ellas par convertirla en el inverso del producto (suma). . Si la operación más externa es una suma (producto)lógica. con el fin de optimizar algunos circuitos. Si en el interior de la expresión existen sumas (producto) lógicas. Las reglas par realizar cualquier expresión con puertas NAND no son iguales a las de la puerta NOR sustituyendo la palabra suma por producto. c. El diseño de puertas lógicas con transistores en un principio y la posterior aparición de los circuitos ha hecho que las puertas NAND y NOR sean las mas utilizadas en la realización de las funciones lógicas Se ha demostrado que las funciones NAND y NOR pueden realizar cualquiera de las tres funciones elementales suma. en la etapa de diseño de un circuito digital. Componentes Digitales Muchas veces. se opera una de las inversiones aplicando el Teorema de Morgan y si es producto (suma) no se operan ninguna de las dos. a. Se continúa realizando esta operación hasta que todas las sumas (producto)hayan llegado convertidas en inversos de productos (sumas). lo cual se ha indicado incluyendo la palabra suma entre paréntesis en las reglas que acabamos de indicar. se requiere utilizar una compuerta. producto e inversión. se aplicaran las siguientes reglas cuya validez se deduce de los postulados y teoremas existentes. Se aplican a la expresión global de la función dos inversores con lo cual la misma queda invariable.CIRCUITOS NAND Y NOR Una vez que se ha obtenida la expresión mínima de una función es necesario realizarla en la practica mediante elementos físicos. Para evitar este problema realizaremos algunos dispositivos digitales con componentes discretos y/o con otros dispositivos. Utilizar un circuito integrado y sólo disponer de una compuerta de éste es muy ineficaz. d.

El segundo circuito. . pero su respuesta es casi igual al de una compuerta del tipo CD4XXX. Con lo cual debe ser utilizado en circuitos con grandes exigencias a nivel de lógica. El transistor es .La primera compuerta lógica que fabricaremos con componentes discretos será la NOT. VCC es la tensión de alimentación del circuito. Esta compuerta es útil en 1k sistemas tanto TTL como CMOS. Algunos esquemas posibles son los siguientes: NOT: El primer circuito es el más simple y el más usado. es un poco más complicado. que es del tipo CMOS. R1 es de 10k . mientras que R2 adopta un valor de cualquier transistor pequeño.

Sin embargo. basta sólo colocar tantos diodos en paralelo con D1 y D2 como entradas adicionales se requiera.AND: La compuerta AND se realiza de la siguiente manera: Nuevamente. el diodos son cualquier diodo pequeño y la resistencia es de 10k segundo ofrece características mucho más similares a las de un circuito integrado. algo muy difícil de conseguir en un circuito integrado convencional. el primer circuito es el más utilizado y el más versátil. OR: De forma similar a las AND las compuertas OR se crean de la siguiente manera: . Para agregar más entradas a la compuerta. Los . Aquí se observa una nueva ventaja de la "fabricación" de compuertas: es perfectamente factible realizar una AND ó una OR con 30 ó 40 entradas.

De nuevo aparece el compromiso entre la versatilidad y facilidad o la similitud de respuesta entre ambos diseños. X-NOR surgen de la combinación de los tres diseños anteriores. X-OR. realizar una compuerta con componentes discretos es útil en algunas circunstancias. NOR. del que se utilizan 3 y se requiere una compuerta "NOT". Si bien. no hace falta colocar otro CI con una compuerta NOT es posible utilizar la compuerta NAND como una NOT. Se pueden fabricar unos componentes con otros. Las compuertas NAND. como se explicó arriba. en otras es necesario crear un componente digital a partir de otros. Por ejemplo: si se dispone de un circuito integrado con 4 compuertas NAND. por ejemplo: • COMPUERTA NOT CON NAND: • COMPUERTA NOT CON NOR: .

• COMPUERTA AND CON NOR: • COMPUERTA NAND CON NOR: • COMPUERTA OR CON NAND: • COMPUERTA NOR CON NAND: .

Transceptor Asíncrono Universal) 16550 estándar en la Industria . para permitir que se añadan prestaciones propietarias al diseño de la tarjeta. pero sin necesidad de escribir controladores de los dispositivos en el núcleo. . implementa toda la decodificación y lógica de protocolos requeridos por la interfaz con el “host”. XP. 98SE. El VPU.4. que representa Tarjeta UART Versátil para PC. CE. 2000. El VPU implementa también algunas funcionalidades novedosas. integrados con una UART (Universal Asynchronous Receiver Transmitter. hará uso de los controladores por defecto a partir de todos los Sistemas Operativos Windows. ME. Esto permite la conexión directa con cualquier dispositivo asíncrono hasta 1 Mb/s. procedentes de compañías como SystemSoft y Award. PocketPC y MacOS. El VPU funcionará asimismo con controladores de DOS. acoplado con una Estructura de Información de Tarjetas adecuada. esto es: Windows95. más allá del funcionamiento normal del UART.7 APLICACIONES Tarjeta UART para PC – elevada integración en los diseños con Compact Flash: VPU16550 El VPU16550 es la solución de Elan para promotores que deseen crear tarjetas PC o Compact Flash que posean una conexión de datos en serie. 98. El chip VPU .

Puerto E/S digital de amplio uso general de 8 bits (precisa controlador Elan) Acceso mediante "puerto paralelo" a los búferes de TX y RX (en el lado de la tarjeta) para aquellos diseños que no pueden usar el modo serie.. Por ejemplo: 1. 4. Tarjetas para interfaz RS232. existe un conjunto de diseño de referencia que incluye: chips. Soporte de oscilador a cristal o unidad de reloj TTL externo. de modo ideal. en el “host” PDA (como iPaq). Utiliza EEPROM en paralelo re-programable en circuito (como AT28C16). 6. Módulos RF con E/S en serie.hasta 8 VPU en una tarjeta. 16mm x 16mm x 1. 3. Características técnicas 16C550 compatible UART con FIFO TX y RX de 16 bytes. Resistencias de “pull-up” y “pull-down” incorporadas (rev Ch hacia adelante) Controlador del LED de actividad del registro UART.completamente independiente del puerto serie. herramientas de software. para llegar hasta 1 Mb/s (y más allá) Paquete VQFP ultra-delgado y de 100 bolitas. Muy fácil de usar. El VPU16551 se adecua. le permite escoger la profundidad de FIFO y obtener caudales continuos utilizables de más de 5 MBits/seg. El VPU proporciona señales de control a la EEPROM para permitir que el software activado “desbloquee” la secuencia antes de la escritura (con el fin de protegerla contra una corrupción accidental por parte del “host”). esquemas y datos de muestra sobre CIS. Soporte del modo FIFO externo hiperacelerado. Interfaz para escáner.2 Radio Bluetooth. Soporta interfaces PCMCIA y Compact Flash. Soporta las tasas binarias estándar en la Industria y el modo mejorado x8.. llamada "TXRDY".1 mm típ. 422 y 485. Módulos de radio CDMA. Transmisores / etiquetas Smart.. Soporte multifunción. 4.. 7. 8. para mayor velocidad y fiabilidad de las comunicaciones. Esta característica requiere el controlador Elan.Para apoyar a los distribuidores en el uso y producción de su tarjeta. Módulos GPS. 2. a la creación de las tarjetas PC que precisen de una funcionalidad "COM" de tipo puerto estándar. o compartición con otras . Se proporciona una señal para auto-triestado RS485. 5. Módulos de radio GSM y GPRS. No se precisan conocimientos especiales.

Windows 95. Este tipo de dispositivos. cristales de cuarzo. transformadores y componentes tanto pasivos como activos que disipan una potencia considerable respecto de la que podrían soportar una vez integrados. son capaces de albergar en su interior y de forma casi microscópica gran cantidad de componentes. 2000. Me. Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. así mismo ocurre con relés. También está disponible el controlador mejorado para PocketPC. Bajo consumo de energía: típicamente. displays. Esto no quiere decir que por si mismos son capaces de cumplir la función para los que estén diseñados. semiconductores. para dar soporte a las prestaciones extendidas del VPU (llegará pronto otros soportes sobre SO). sobre todo. XP. Por último las bobinas no se integran por la dificultad física que entrañan. a través e la detención del oscilador Señal de desconexión controlada por software disponible a nivel de conector. 5 mA a 5 V o 3. los transistores y diodos. básicamente. presentan menos problemas y menor costo en la integración. 98. por su diseño. Para ello serán necesarios unos componentes pasivos y activos para completar dicha funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito impreso para los aparatos serían muy grandes y además estarían llenos de componentes. Soporte del modo de adormecimiento con consumo reducido. Igualmente tanto resistencias como condensadores se pueden integrar pero aumenta el coste. para usarse en su circuito. CE/ Pocket PC y MacOS. 98SE.funciones lógicas.3 V. No todos los componentes electrónicos se pueden integrar con la misma facilidad: Como antes se indicó los semiconductores. Soporte por los controladores estándar de DOS. El proceso de fabricación de un circuito integrado es como se observa en la figura de un modo esquemático: .

ESCALAS DE INTEGRACION Las escalas de integración hacen referencia a la complejidad de los circuitos integrados. integración 106 microcontroladores. registros. Escala de integración SSI: pequeña integración MSI: media integración escala escala de de Nº Aplicaciones típicas componentes <100 +100 y -1000 Puertas lógica y biestables Codificadores. b) Máscara integrada con los semiconductores necesarios según el diseño del circuito.Circuitos aritméticos complejos. +1000 y .a) Diseño del circuito que se quiere integrar. VLSI: Muy alta escala de +100000 y . memorias. ULSI: Ultra alta escala de Procesadores digitales y + 106 integración microprocesadores avanzados . dichas escalas están normalizadas por los fabricantes. d) Corte del microchip. c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips... sumadores. LSI: gran escala de integración 100000 memorias.. e) Ensamblado correspondientes... del microchip en su encapsulado y a los pines f) Terminación del encapsulado..Microprocesadores.

Este puede ser cerámico (marrón) o de plástico (negro). mirando al integrada desde arriba. 6. La numeración de sus patillas es exactamente igual al anterior.54mm). La distancia entre patillas es de 1. Se suelen fabricar a partir de 4. así como. en los circuitos integrados es de vital importancia este dato. Por regla general. Sus terminales tienen forma de ala de gaviota. 40. estos son los que más se utilizan.27mm.ENCAPSULADOS Encapsulado DIP o DIL Encapsulado flat-pack (Dual In Line) Encapsulado SOIC (Small Outline Integrated Circuit) Encapsulado LCCC Encapsulado PLCC ( Leaded Ceramic Chip Encapsulado SIP (Plastic Lead Chip Carrier) Carrier) ENCAPSULADO DIP o DIL. así en este tipo el estándar se establece en 0.1 pulgadas (2. en todos los encapsulados aparece la denominación del integrado. Un dato importante en todos los componentes es la distancia entre patillas que poseen.. 32. la mitad que en los DIP. 16. 8.. ENCAPSULADO FLAT-PACK. . El material con el que se fabrican es cerámico. 14.se diseñan para ser soldados en máquinas automáticas o semiautomáticas. los códigos particulares de cada fabricante. 24. ya que por la disposición de sus patillas se pueden soldar por puntos. 48. 28. 22. Otra norma que también suele cumplirse se refiere a la identificación de la numeración de las patillas o pines: la patilla número uno se encuentra en un extremo señalada por un punto o una muesca en el encapsulado y se continua la numeración en sentido antihorario (sentido contrario a las agujas del reloj).Este es el encapsulado más empleado en montaje por taladro pasante en placa. 64 patillas.

ENCAPSULADO PLCC. Se fabrican en material plástico. Se fabrica en material cerámico y la distancia entre terminales es cerámico.Se emplea en técnicas de montaje superficial pero. al montaje en placa de circuito impreso (Montaje convencional y SMD). en un área denominada footprint.Circuito integrado de pequeño contorno..05").ENCAPSULADO SOIC. Son los más populares en los circuitos de lógica combinacional. Los encapsulados que aparecen en este tema son los más importantes y los más utilizados. El punto de inicio se encuentra en uno de los lados del encapsulado. Se sueldan directamente sobre las pistas de la placa de circuito impreso. tanto en TTL como en CMOS. así como.27mm. esto es debido a que por la forma en J que tienen sus terminales la soldadura es difícil de verificar con garantías. También la terminación de las patillas es en forma de ala de gaviota. Si pulsas en el siguiente botón verás una clasificación de circuitos integrados bajo dos criterios que se refieren a la forma física y disposición de patillaje. generalmente.. ENCAPSULADO LCC. La distancia entre terminales es de 1. La numeración de los pines es exactamente igual a los casos anteriores. Esto permite su uso en técnicas de montaje convencional. Como es lógico esta es una pequeña selección de la infinidad de tipos de cápsulas que existen. La distancia entre patillas es de 1.. y siguiendo en sentido antihorario. montados en zócalos.27mm (0. Montaje convencional Montaje Superficial . que coincide con el lado de la cápsula que acaba en chaflán.Al igual que el anterior se monta en zócalo y puede utilizarse tanto en montaje superficial como en montaje de taladro pasante. En este caso la numeración de sus patillas varía respecto de los anteriores.

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PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA 5.1.6.DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS Y SUS APLICACIONES 5....6.6.3.3.5.EL UJT 5.4...Optoacopladores 5..Fototransistor .El TRIAC 5.6.4..Controles simples de velocidad 5.CONTROL DE POTENCIA CON TIRISTORES 5.2..1....UNIDAD V.Protección contra elevación de voltaje 5.Fotodiodo 5.Aplicaciones 5.1..Led 5.6.3..3..3.Control de iluminación 5..1.2.APLICACIONES DEL SCR Y DEL TRIAC 5.4.3.El SCR 5.2.

Figura 4.01 a 0. el de mayor interés hoy en día. La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental. en que una tercera terminal. La resistencia inversa es típicamente de 100 k o más.26. . circuitos de protección. llamada compuerta. Operación Básica del Rectificador Controlado de Silicio Como su nombre lo indica. fuentes de alimentación reguladas. determina cuándo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. y fue presentado por primera vez en 1956 por los Bell Telephone Laboratories. Construcción básica del SCR. En la región de conducción la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0. En años recientes han sido diseñados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10 MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Se escogió el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. cargadores de baterías. y las conexiones correspondientes a la estructura de semiconductor de cuatro capas en la figura 4. interruptores estáticos.27.1 TIRISTORES (SCR) Dentro de la familia de dispositivos pnpn.26. No es suficiente sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. cicloconversores. Su rango de frecuencia de aplicación también ha sido extendido a cerca de 50 kHz. Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR incluyen controles de relevador. controles de motores. el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para efecto de control. recortadores. controles de calefacción y controles de fase. el rectificador controlado de silicio (SCR) es.5. lo que ha permitido algunas aplicaciones de alta frecuencia. inversores. sin duda. El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la figura 4.1 . circuitos de retardo de tiempo.

Figura 4.27.Figura 4.28. Voltaje de ruptura directo V(BR) F* es el voltaje por arriba del cual el SCR entra a la región de conducción. Características del SCR. 1. El asterisco (*) es una letra que se agregará dependiendo de la condición de la terminal de compuesta de la manera siguiente: O = circuito abierto de G a K S = circuito cerrado de G a K .28 se proporcionan las características de un SCR para diversos valores de corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes más usados se indican en las características. Símbolo del SCR. MENU PRINCIPAL Características y Valores Nominales del SCR En la figura 4.

Recortadores. Si el interruptor está cerrado. Cargadores de baterías. debido a que el ánodo es negativo respecto al . Controles de calefacción. Para la región negativa de la señal de entrada el SCR se apagará. Controles de motores. el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de conducción. Regiones de bloqueo directo e inverso son las regiones que corresponden a la condición de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del ánodo al cátodo. Interruptores estáticos. MENU PRINCIPAL 4.29b. Circuitos de protección. dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca pérdida en el circuito de compuerta. Fuentes de alimentación reguladas. Inversores.29a se muestra un interruptor estático es serie de medida de media onda. encendiendo al SCR. Aplicaciones del SCR Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes:            Controles de relevador. como se presenta en la figura 4. Controles de fase. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. Voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la región de avalancha del diodo semiconductor de dos capas fundamental.R = resistencia de G a K V = Polarización fija (voltaje) de G a K 2. la corriente de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada. En la figura 4. Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas. Circuitos de retardo de tiempo. 3. Cuando el SCR se enciende.

29a. la corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de ence4ndido. dependiendo de la aplicación. Es un método efectivo para controlar la corriente rms y. por tanto. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de compuerta. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada. como se muestra en la figura 4. debido a que la entrada está a su valor máximo en este punto. Si R1 está en su valor máximo. Interruptor estático en serie de media onda. el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la señal de entrada. la potencia se dirige hacia la carga. Si R1es bajo. . Si se desea conducción a menos de 180º.29.29b. el control no puede extenderse más allá de un desplazamiento de fase de 90º.30a se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y 180º.cátodo. el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción que la obtenida del circuito de la figura 4. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0º y 90º. electromagnético. a) Figura 4. El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga. la corriente de compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. con excepción de la resistencia variable y la eliminación del interruptor. b) MENU PRINCIPAL En la figura 4. El interruptor puede ser electrónico.30b. La combinación de las resistencias R y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Conforme R1 disminuye desde el máximo. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura 4. A esta operación se le menciona normalmente en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia variable.30b. se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. El circuito es similar al de la figura 4.

el triac puede entrar en conducción directa. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta. 5.a) b) Figura 4. 2 . Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto. diagrama equivalente FIG. con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. Construcción básica.30. hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra. 1 FIG. dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac (dv/dt) aún sin conducción previa. símbolo. Control de fase de resistencia variable de media onda. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2. mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Descripción general Cuando el triac conduce. la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2.2 TRIAC El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. es decir.

los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores En la FIG. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido MT1MT2 a través de P2N1P1N4. a través del Triac. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1. El punto VBD ( tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente.La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. 4 describe la característica tensión – corriente del Triac. 3. La complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas. aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. 4 La FIG. este dispositivo es equivalente a dos latchs. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac. la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. FIG. 1. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. 3 Característica tensión – corriente FIG. El Triac actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. . crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo.

Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Se dispara por el procedimiento de puerta remota. Métodos de disparo Como hemos dicho. por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta.. pues la característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del cuadrante III. y designado por III(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto al ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). Una vez que el Triac entra en conducción. El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1 – El primer modo del primer cuadrante designado por I (+). 2 – El Segundo modo. es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo mas común (Intensidad de compuerta entrante). Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1. del tercer cuadrante. el Triac posee dos ánodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo.El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. 3 – El tercer modo del cuarto cuadrante. Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. la compuerta no controla mas la conducción. conduciendo las capas P2N1P1N4. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y . se miden con respecto al ánodo 1. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2. en parte por la union P2N2 y en parte a través de la zona P2. que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante. .

La unión P2N1 de la estructura principal. 4 – El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1. y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El estado I(+). dada por el fabricante.El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. Formas de onda de los triacs . asegura el disparo en todos los estados. haciéndose más conductora. seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo es mínima. La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. El modo III(+) es el de disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible. entrando en conducción. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. En general. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. que soporta la tensión exterior. la corriente de encendido de la compuerta.

Con un arreglo adecuado del disparador.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a través de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. Después de transcurrido los 30 . la corriente promedio será alta. En la FIG. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga. sin aplicar ningún voltaje a la carga. el triac y la carga se representa en la FIG. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción. las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada semiciclo.8 (a).7. En la FIG. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR. esto lo realiza durante el resto del semiciclo. durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac. durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor. La FIG. Si permanece una parte pequeña del tiempo en el estado encendido. . La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el estado encendido. puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga. en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido.La relación en el circuito entre la fuente de voltaje. el flujo de corriente promedio a través de muchos ciclos será pequeño. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo.

El resistor R F es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian.5 En la FIG. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la línea de ca. y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el primario. 6 (a). . El transformador T1 es un transformador de aislamiento. 5 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. para este caso aísla el circuito de potencia ca del circuito de disparo. Esta forma de onda es mostrada en la FIG.8 Circuito practico para disparo FIG.FIG.

6 (b). Las formas de onda del capacitor( Vc 1).Cuando la alimentación de 24 v se establece. por lo tanto C1 se carga con rapidez. Si R F es pequeño en relación a R1. El triac es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. . FIG. por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por otra parte se RF es grande en relación a R1. se muestran en la FIG. Este se acopla al devanado secundario. entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. encendiéndolo durante el resto del semiciclo. con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base. esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C 1 se reduce. que forman un divisor de voltaje.6 5. Control de potencia con tiristores El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control por tiristores. corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD).(d). La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1. entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior. C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca. el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2.5. (c). y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac. entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v .

(recordar que un trisitor solo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mínimo para cada tiristor) Entonces. que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y así.A2: Anodo 2 del Triac .C. Ejemplo: Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes (circuito de control de fase).C: condensador (capacitor) . Donde: . MENU PRINCIPAL La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta. se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.P: potenciómetro . controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción. pasando continuamente entre los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) .El triac sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor. de igual manera: La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta. de esta manera la corriente circulará de arriba hacia abajo (pasará por el tiristor que apunta hacia abajo).) MENU PRINCIPAL El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga).T: Triac .Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.G: Gate.L: lámpara . si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción.R: Resistencia . se dispara por la compuerta. Lo interesante es. de esta manera la corriente circulará de abajo hacia arriba (pasará por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Como el triac funciona en corriente alterna.A3: Anodo 3 del Triac . habrá una parte de la onda que será positiva y otra negativa. puerta o compuerta del Triac .

. aunque el campo magnético se retire y el reed switch se abra el SCR ya que está en conducción y se mantendrá así hasta que se abra el circuito usado el pulsador normalmente cerrado (NC). El encapsulado del triac es idéntico al de los tiristores. el SCR entra en conducción y el relé se cierra activando la sirena. 5. la resistencia se escoge de forma que por ella pase una corriente mayor que IGTmin.3 Aplicaciones del SCR y del TRIAC.Si se varía el potenciómetro. se varía el tiempo de carga del condensador causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la compuerta Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orígenes de las mismas. DISPARO DE UNA ALARMA El reed switch se cierra en presencia de un campo magnético. en corriente alterna. a través de R pasa la corriente de compuerta. Su curva característica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes. La aplicación de los triacs. En la parte de SCR se escoge de forma que soporte la corriente que requiere la bobina del relé. Aplicando unos milisegundos se retardo (tiempo de disparo) entre el instante en que la señal alterna pasa por cero para disparar el SCR. La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga. Esto es debido a su bidireccionalidad. APLICACIONES DE SCR Existen muchas aplicaciones de SCR de las cuales se indican aquí unas pocas. a diferencia de los tiristores. R máx V / IGTmin PUENTES RECTIFICADORES CONTROLADOS Son puentes rectificadores de onda completa (monofásicos o polifásicos) donde la mitad de los diodos se reemplazan por SCR. se encuentra básicamente en corriente alterna. ejemplo un imán.

Modificando el resistencia del potenciómetro se hace más rápida o más . Puente rectificado trifásico controlado y formas de onda.16 ms el voltaje habrá bajado a la mitad y con td= 8. En cada semiciclo al ir aumentando el voltaje pasa una corriente muy pequeña por la carga que no la activa pero esa corriente va por el potenciómetro y es suficiente para cargar el condensador. En el semiciclo positivo el condensador se carga positivo y el Triac dispara en el cuadrante I. Se usa especialmente para control de iluminación con lámparas incandescentes o control de velocidades de motores universales. cuando el condensador se ha cargado a unos 2 o 3 voltios la compuerta entra en conducción descargando el condensador y ésta es la corriente de compuerta que dispara el Triac y enciende la carga.33 ms el voltaje habrá llegado a cero. en el semiciclo negativo el condensador se carga negativo y el Triac se dispara en el cuadrante III. para 60 Hz con un tiempo de disparo de 4.A mayor tiempo de disparo será menor el voltaje medio en la carga. APLICACIONES DEL TRIAC Control de voltaje RMS sobre una carga monofásica.

algunos modelos pueden trabajar con DC o AC. Para solucionar esta situación se agrega en la compuerta un dispositivo llamado DIAC. Sus características básicas son el voltaje de activación en la entrada que normalmente esta entre 3 y 30 voltios. Su ventaja es que al no ser un interruptor físico metálico se presenta una caída de tensión entre los terminales de Triac (Von) que multiplicada por la corriente que pide la carga representa una potencia que se pierde en forma de calor y eleva la temperatura del relé.3. y cambiando el valor del potenciómetro. su ventaja es que no tiene elementos móviles por lo que su tiempo de conexión es menor.lenta la carga del condensador con lo que se varía el tiempo de disparo el valor RMS de voltaje en la carga varia. otra característica es la máxima corriente que pueden conducir hacia la carga que depende de la capacidad del Triac. R2 y C1.1 Protección contra elevación de voltaje.). esto hace que el tiempo de disparo en el semiciclo negativo sea mayor. Algunos Triacs requieren de mayor corriente de compuerta en el cuadrante III que en el I. Para corregir este defecto se ha incluido en el circuito las resistencias R1. RELÉ DE ESTADO SÓLIDO Este dispositivo reemplaza a los relés magnéticos. El conjunto de elementos P (potenciómetro) y C2 son los necesarios mínimos para que el triac sea disparado. Si desea controlar el nivel de iluminación del dormitorio o desea controlar la velocidad de tu taladro o un ventilador (motores de corriente alterna). el voltaje positivo aplicado a la carga resulta mayor que el negativo y en muchos casos inestabilidad en el circuito o variaciones bruscas el voltaje RMS en la carga. obliga a tener precauciones sobre disipación de calor. Esto causa que se pueda tener control sobre la cantidad de corriente que pasa a la carga y por ende la potencia que se le aplica. no sufre desgaste mecánico y no presenta generación de chispas. en el mercado se consigue el Triac con Diac incluido y se llama Quádrac. Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen un punto de encendido y apagado que no coincide (a este fenómeno se le llama histéresis). el atraso que tiene y por ende el desfase con la señal alterna original. 5. . Hay que aclarar que el condensador en un circuito de corriente alterna (como este) tiene su voltaje atrasado con respecto a la señal original. la señal de corriente alterna que viene por el tomacorrientes de nuestras casas El triac se disipará cuando el voltaje entre el condensador y el potenciómetro (conectado a la compuerta del TRIAC) sea el adecuado. este es el circuito que busca. y es común en los TRIACS. necesario. El triac controla el paso de la corriente alterna a la carga conmutando entre los estados de conducción (pasa corriente) y corte (no pasa corriente) durante los semiciclos negativos y positivos de la señal de alimentación (110 / 220 voltios. El conjunto R3 y C3 se utiliza para filtrar picos transitorios de alto voltaje que pudieran aparecer. se modifica la razón de carga del condensador.

3. . Al igual que en el control de iluminacion se presenta el mismo funcionamiento 5. ( uF = microfaradios) Otros: 1 TRIAC (depende de la carga.1 uF. 1 de 100Ω.3 Control de iluminación. 1 potenciómetro de 100KΩ (1KΩ = 1 Kilohmio) Condensadores: 3 de 0. 1 enchufe para la carga: de uso general.3. uno de 2 Amperios para aplicaciones comunes como este dimmer).Lista de componentes: Resistencias: 2 de 47 KΩ. (ohmios). Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes (circuito de control de fase). (kilohmios). (110 / 220 Voltios) 5.2 Controles simples de velocidad.

la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como (12. cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas.10) en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y ((es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca.Donde: . Por ello.b esta constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas.) .P: potenciómetro .A2: Anodo 2 del Triac . R1 y R2.R: Resistencia . pasando continuamente entre los estados de conducción (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se varía el potenciómetro.T: Triac .4 El UJT.21.c.21. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.C: condensador (capacitor) .A3: Anodo 3 del Triac . la resistencia entre las dos bases. El modelo equivalente representado en la figura 12. que verifican RBB=R1+R2.a aparece la estructura física de este dispositivo. es elevada (de 5 a 10KΩ estando el emisor abierto). Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en R1 es muy baja. En la figura 12. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21. RBB o resistencia interbase.C.G: Gate.L: lámpara .Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.d. El transistor UJT o de uni-unión El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. Cuando el diodo no conduce. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12. se varía el tiempo de carga del condensador causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensión de alimentación y la que se aplica a la compuerta Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos señales u ondas se define como el ángulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orígenes de las mismas 5.21. . puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga).

IV). la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. Funcionamiento de un UJT El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.21. Por ejemplo. Si no se verifica las condiciones del punto de valle.5 V.7 V con un valor típico de 0. En esta región. Desde el emisor. b) modelo equivalente. c) circuito equivalente y d) símbolo. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. Región de corte. En esta región. a) Estructura física. la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.11) donde la VF varia entre 0. En la figura 12. que se detallan a continuación: Figura 12. Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (VP. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP.22. ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.22 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).22 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Características eléctricas de un UJT.Figura 12. En la grafica de la figura 12. región de resistencia negativa y región de saturación. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación (12. Transistor UJT. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte. el UJT entrara de forma natural a la región de corte. la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). para el 2N2646 es de 0. En esta región.35 V a 0. Región de resistencia negativa. Esta curva tiene una . IP) y punto de valle o valley-point (VV. se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). es decir.49V a 25ºC. Región de saturación.

6.4. Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso. 5.1 Aplicaciones.forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor. 5.6 Dispositivos opteoeléctricos y sus aplicaciones.1 Led diodo led Es un diodo emisor de luz. Símbolo: Se basa en: . circuitos de bases de tiempos y circuitos de control de ángulo de encendido de tiristores 5.

(E = h*f. Etc. Diodo normal hecho de silicio. f = frecuencia que da color a esa luz). al bajar de BC a BV pierde una energía E que se desprende en forma de luz (fotón de luz). Podemos usar esto en una fuente de alimentación que hemos dado. La intensidad del LED: . Diodo LED. Ga y aleaciones entre ellas. y emitirá luz.. E en forma de calor.. MENU PRINCIPAL Diferencias entre un diodo normal y un LED:   Diodo normal.El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p. Para cada material de estos la distancia de BC y BV es distinta y así hay distintos colores. se recombina con él y ya no es electrón libre. Aplicación:    Lámparas de señalización. se encuentran en p con un hueco. E en forma de fotón. P. hasta de luz invisible al ojo humano. h = cte de Planck. Alarmas (fotones no visibles). Diodo LED hecho de As. y mezclándolos se consiguen todos. El diodo LED siempre polarizado en directa.

Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el catálogo). Aquí el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentación está encendida o apagada. . La tensión en el LED: MENU PRINCIPAL Diferencia con el silicio. la tensión es mayor. Cuando no dice nada se coge V LED = 2 V.

A diferencia del LDR o fotorresistencia. Luz incidente Sentido de la corriente generada El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz. de manera que su reacción a la luz sea más evidente. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. de manera que por él circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo). por lo tanto. MENU PRINCIPAL 5. la luz que lo incide no tendría efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal. si se pueden tomar valores grandes. Display de 7 segmentos Son 7 diodos LED: Se utiliza en electrónica digital con + 5 V y 0 V. . La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide.Conclusión: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien.2 Fotodiodo El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común. pero tiene una característica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).6. y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. pues convierte la luz en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo. Esta corriente eléctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. Si el fotodiodo quedara conectado.

Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del transistor). .Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar. se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica.3 Optoacopladores Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor. MENU PRINCIPAL La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.6. un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED. 5. que podrían ser pulsos de tensión. Este responde a las señales de entrada.

. El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de iluminación es muy importante. en esencia.Como fototransistor. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica β veces. (IP) (modo de iluminación). y es la corriente que puede entregar el fototransistor.6. solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: .4. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Se observa que está compuesto por un fotodiodo y un transistor. solo que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor. tiene un tiempo de respuesta muy corto. En el gráfico siguiente se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. lo mismo que un transistor normal. debido a la baja iluminación. con el cátodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el ánodo a la base.Tipos Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT.Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común) . con ayuda de polarización externa El circuito equivalente de un fototransistor. Se pueden utilizar las dos en forma simultánea. Como el fotodiodo. 5. es un transistor común con un fotodiodo conectado entre la base y el colector. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. (IB = 0) MENU PRINCIPAL La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente de base (por iluminación): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del transistor. se puede incrementar la corriente de base (IB ). aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. Fototransistor Un fototransistor es.

Nota: β es la ganancia de corriente del fototransistor. .

conteo de eventos o hacer un evento dependiente de que ocurrieran otros.CONTOLADORES LÓGICOS PROGRAMABLES(PLC) 6.UNIDAD VI.1 LOS CONTROLADORES LÓGICOS PROGRAMABLES El desarrollo e introducción de los relés. Por ejemplo. tienen también naturalmente sus desventajas. MENU PRINCIPAL Los relés con todas sus ventajas. y en algunos casos eliminar la necesidad de operadores humanos.2.APLICACIONES 6.3..CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN 6. programar tiempos de retardo. que después de un tiempo de uso serán inservibles. desbaratando la lógica establecida y requiriendo su reemplazo.COMPONENTES PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN 6. .4...PRINCIPIOS FUNDAMENTALES DE CONTROL 6.1. tienen sólo un período de vida. su naturaleza electromecánica dictamina. fue un paso gigantesco hacia la automatización e incremento de la producción. La aplicación de los relés hizo posible añadir una serie de lógica a la operación de las máquinas y de esa manera reducir la carga de trabajo en el operador.. los relés hicieron posible establecer automáticamente una secuencia de operaciones. hace muchos años.. sus partes conductores de corriente pueden en un momento quemarse o fundirse.

todo está perfecto. no eran deseables para esta aplicación por un buen número de razones. Mientras que la máquina dirigida por el panel de relés continua llevando a cabo los mismos pasos en la misma secuencia. Si el cambio es lo suficientemente grande. pero adecuado para el ambiente industrial. Este fue el problema encarado por los productores de automóviles a mediados de los setenta. El reto fue enfrentado y alrededor de 1969. se entregó el primer controlador programable en las plantas ensambladoras de automóviles de Detroit. la lógica del panel debe ser re diseñada. pero cuando existe un re diseño en el producto o un cambio de producción en las operaciones de esa máquina o en su secuencia. cada vez que se necesitaba un cambio. tiempo y material. una opción más económica puede ser desechar el panel actual y construir uno nuevo. MENU PRINCIPAL . La lógica de un panel de relés es establecida por los ingenieros de diseño.Tal vez la inconveniencia más importante de la lógica con relés es su naturaleza fija. pudiese efectuar el control y pudiese fácilmente ser re programada. se invertía en él una gran cantidad de trabajo. A lo largo de los años se habían altamente automatizado las operaciones de producción mediante el uso de los relés. La computadora ya existía en esos tiempos y se le dio la idea a los fabricantes de que la clase de control que ellos necesitaban podría ser llevado a cabo con algo similar a la computadora. Estados Unidos. se implementa entonces colocando relés en el panel y se alambra como se prescribe. Las computadoras en sí mismas. como una computadora. La comunidad electrónica estaba frente a un gran reto: diseñar un artefacto que. sin tomar en cuenta la gran cantidad de tiempo de producción perdido.

registro y control de tiempos. . d) El procesador actualiza el estado de las salidas "copiando" hacia los módulos de salida el estado de la tabla de imagen de salidas (estas controlan el estado de los módulos de salida del PLC. relay. varios tipos de máquinas o procesos. Entra en modo de operación normal. secuenciación. Secuencia de Operaciones en un PLC. etc. que usa una memoria programable para el almacenamiento interno de instrucciones para implementar funciones específicas. etc.Controlador Lógico Programable De acuerdo con la definición de la "Nema" (National Electrical "Un aparato Manufacturers Association) un controlador programable es: electrónico operado digitalmente. triacs. tales como lógica. este efectúa un autochequeo de encendido e inhabilita las salidas. a través de módulos de entrada/salida digitales (ON/OFF) o analógicos (1 5 VDC. 4 20 mA.). b) Lee el estado de las entradas y las almacena en una zona especial de memoria llamada tabla de imagen de entradas c) En base a su programa de control. conteo y operaciones aritméticas para controlar. el PLC modifica una zona especial de memoria llamada tabla de imagen de salida.). a) Al encender el procesador.

MENU PRINCIPAL A cada ciclo de ejecución de esta lógica se le denomina ciclo de barrido (scan) que generalmente se divide en:   I/O scan Program Scan Funciones Adicionales 1) Autochequeo de Fallas: en cada ciclo de scan. 2) Inicializaciones: cada tipo de partida de un microprocesador también es reportada en bits internos de la memoria de PLC. el PLC efectúa un Chequeo del funcionamiento del sistema reportando el resultado en Bits internos que pueden ser accesados por el programa del usuario. 3) Salvaguarda de Estados: Es deseado de falta de algunas salidas o posible indicar al PLC estado variables internas en caso de falla o Esto es esencial cuando se requiere energía en el equipo. es posible expandir los sistemas a través de módulos de expansión de acuerdo al . proteger algunos externos de salida. 4) Modularidad: Gracias a la utilización de Microprocesadores.

tanto en sus funciones. como así también en unidades remotas y de comunicación. El direccionamiento de entradas y salidas en la programación de un PLC consiste en informar a la CPU. la especificación de SLOT y RACK no es utilizada. Como pueden existir gran cantidad de entradas y salidas. es necesario indicarle a la CPU la dirección de la entrada o salida a la que el programa usuario se está refiriendo. generalmente en un número inferior a 100. sin embargo.crecimiento del sistema. Permiten manejar entradas entradas y salidas digitales y algunos módulos especiales. El direccionamiento de I/O varía de marca en marca. Debido a la gran variedad de tipos distintos de PLC. de acuerdo al formato empleado por el fabricante. la mayoría adopta una nomenclatura dividida en campos que proporciona información sobre la ubicación física de la entrada o salida. análogas. MENU PRINCIPAL DIRECCIONAMIENTOS DE ENTRADAS Y SALIDAS. PLC tipo Nano: Generalmente PLC de tipo compacto ( Fuente.. CLASIFICACIÓN DE PLC. . la dirección lógica de las diferentes entradas y salidas. Es posible expandirse en Entradas y Salidas digitales. es que es posible clasificar los distintos tipos en varias categorías. por ejemplo: Para los PLC pequeños. en su capacidad. etc. CPU e I/O integradas ) que puede manejar un conjunto reducido de I/O. en su aspecto físico y otros.

la referencia exacta de la entrada o salida con la que queremos . su CPU y módulos de I/O en un solo módulo principal y permiten manejar desde unas pocas I/O hasta varios cientos ( alrededor de 500 I/O ) . DIRECCIONAMIENTO DE ENTRADAS Y SALIDAS Como existen gran cantidad de I/O y estas pueden estar alojadas en diferentes módulos. nace la necesidad de indicarle a la CPU. tales como: MENU PRINCIPAL      entradas y salidas analogas modulos contadores rapidos modulos de comunicaciones interfaces de operador expansiones de i/o PLC tipo Modular: Estos PLC se componen de un conjunto de elementos que conforman el controlador final. hasta los PLC de grandes prestaciones que permiten manejar miles de I/O. mediante nuestro programa. su tamaño es superior a los Nano PLC y soportan una gran variedad de módulos especiales.PLC tipo Compactos: Estos PLC tienen incorporado la Fuente de Alimentación. estos son:    Rack Fuente de Alimentación CPU  Módulos de I/O De estos tipos existen desde los denominados MicroPLC que soportan gran cantidad de I/O.

La programación en Ladder de alguna forma se ha ido normalizando y ya casi la mayoría de los fabricantes presentan y programan sus PLC en formatos muy parecidos. inclusive de modelo en modelo en los PLC. Un esquema de escalera o de contactos está constituido por varias líneas horizontales que contienen símbolos gráficos de prueba ( “ Contactos “) y de acción ( “ Bobinas “).interactuar. la mayoría de los fabricantes adopta una terminología que tiene relación con la ubicación física de la I/O. pero generalmente. Veamos algunos ejemplos: MENU PRINCIPAL      Direccionamiento PLC Nano Telemecanique Direccionamiento PLC TSX-17 Telemecanique Direccionamiento PLC TSX-37 Telemecanique Direccionamiento PLC Mitsubishi Direccionamiento PLC A/B SLC-500 PROGRAMACION EN DIAGRAMA DE ESCALERA ( Ladder ). Al mecanismo de identificación de I/O en los PLC se le denomina direccionamiento de entradas y salidas. El direccionamiento de I/O varia de marca en marca. que representan la secuencia lógica de operaciones que debe realizar el PLC. veamos algunos ejemplos:    Ladder en PLC Mitsubishi Ladder en PLC Telemecanique Ladder en PLC A/B .

MENU PRINCIPAL MÓDULOS Existe gran cantidad de funciones especiales que no son soportadas por los módulos normales en los PLC. Los siguientes listados muestran algunas de las operaciones que se encuentran el mayoría de los PLC. . etc. sin embargo. manejo eficaz de datos. Podemos mencionar funciones matemáticas avanzadas. Módulos de I/O Análogos: Estos módulos permiten manejar entradas y salidas análogas en nuestro PLC de manera de poder efectuar lecturas y control analógico de variables en nuestros procesos. Inicialmente estos solo disponían de instrucciones a nivel de test de entradas y salidas digitales. aritmética en punto flotante. filtros digitales. generalmente por: Resolución: Depende de la cantidad de bits del conversor utilizado. funciones avanzadas de control. generalmente se requiere una resolución no inferior a 10 bits.INSTRUCCIONES EN LOS PLC: Las instrucciones son en realidad una de los elementos que potencian a estos para su implementación en diferentes aplicaciones. estas entradas y salidas analógicas se caracterizan. esta situación a cambiado muy drásticamente al incorporar a estos funciones muy avanzadas que amplían su espectro de aplicación. para estas situaciones los fabricantes ofrecen una gran variedad de elementos adicionales que permiten incorporar funciones especiales al PLC para nuestros procesos.

sin embargo hoy en día es posible encontrar módulos de propósitos generales configurables por Software que permiten combinar distintos tipos de entrada o de salida. También existen agrupaciones de entradas y salidas agrupadas en un solo módulo. sobre 1 segundo. estas pueden ser Entrada o Salida en Corriente. por lo cual las exigencias de velocidad en los módulos analógicos no son muy exigentes. termocupla. se encuentran provistas de modernos dispositivos electrónicos en sus maquinas y procesos de control. 6. etc. alta confiabilidad. Tipo de Entrada: Corresponde al tipo de entrada que es posible manejar el módulo. gran eficiencia y flexibilidad.2 COMPONENTES PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN Las empresas de hoy. -10 ->+10 v. la velocidad de variación de las variables es relativamente lenta.Tiempo de Conversión: Corresponde al tiempo empleado en convertir el valor analógico en su correspondiente valor discreto. Generalmente razones de conversión del orden de los milisegundos es suficiente. MENU PRINCIPAL Los primeros módulos analógicos que se incorporaron a los PLC solo podían manejar un determinada tipo de entrada. en tensión . Este dispositivo fue inicialmente introducido en 1970 y se ha sido refinando con nuevos . que piensan en el futuro. Hoy las fabricas automatizadas deben proporcionar en sus sistemas. Número de Canales: Corresponde a la cantidad de entradas o salidas que puede manejar el módulo. Este es un factor muy importante ya que define el tipo de aplicación para el cual puede emplearse el modulo. Generalmente en control de procesos. generalmente están agrupadas en 4 o más I/O. 4-20 mA. 0-20 mA. Una de las bases principales de tales fabricas es un dispositivo electrónico llamado Controlador Lógico Programable. pt100. 0-10v.

El objetivo de este manual es mostrar el funcionamiento interno y de programación de este tipo de controladores. ruido ambiente o eléctrico. (PLC s. Los Controladores Lógicos Programables. también realizar una serie de practicas para que el técnico de la industria pueda iniciarse en este apasionante rema de la automatización. MENU PRINCIPAL Hemos seleccionado el Controlador Lógico de GE-Fanuc por ser un equipo de gran aceptación en la industria nacional además de ser un ideal para la enseñanza debido a su pantalla de cristal de cuarzo la cual consta de 2 líneas cada línea con una capacidad de 9 contactos y una bobina. alta repetibilidad.componentes electrónicos. PLC como ellos son comúnmente llamados. ya que fue diseñado y concebido para su uso en el medio ambiente industrial. Este medio ambiente es el que el Control Lógico Programable se encuentra en su elemento. altas temperaturas. 6. tales como Micro-procesadores de alta velocidad. agregándole funciones especiales para el control de proceso más complejos.3 CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE UN PLC Y SU FUNCIÓN Los Controladores Lógicos Programables. a finales de la década de los 60s y principios de los 70s. Hoy los Controladores Programables son diseñados usando lo ultimo en diseño de Micro-procesadores y circuiteria electrónica lo cual proporciona una mayor confiabilidad en su operación en aplicaciones industriales donde existen peligro debido al medio ambiente. temporizadores electrónicos. Ellas usaban . vibraciones mecánicas etc. nacieron esencialmente como tales. contadores y controles mecánicos como del tipo tambor. suministro de potencia eléctrica no confiable. Programable Logic Controller). además de mostrar algunas de sus aplicaciones en la industria. ofrecen muchas ventajas sobre otros dispositivos de control tales como relevadores. Las industrias que propiciaron este desarrollo fueron las automotrices.

MENU PRINCIPAL En la década de los 70s con el avance de la electrónica. de hardware o de ambiente. Los PLCs surgen como equipos electrónicos sustitutos de los sistemas de control basados en relevadores. Los primeros PLCs se usaron solamente como reemplazo de relevadores. los altos costos de los equipos. Losa altos costos de operación y mantenimiento y la foca Flexibilidad y confiabilidad de los equipos. que se hacían más complejos y esto arrojaba ciertas dificultades en cuanto a la instalación de los mismos. etc. 6. en sus sistemas de manufactura. En su creación. De echo todavía se siguen usando en muchos casos como tales. es decir.. 4. los enumero la General Motors de la manera siguiente 1.-El sistema deberá ocupar menor espacio que los sistemas de relevador y deberá consumir menor potencia que los sistemas de control por relevadores. 3. 2.Deberá ser capaz de trabajar con 120 volts de corriente alterna y con elementos estándar de control.A.-El PLC deberá ser capaz de comunicarse con un sistemas central de datos para propósitos de monitoreo.. Deberá diseñarse con indicadores de status y modularidad para facilitar las reparaciones y la búsqueda de errores. reliance Electric. Estas especificaciones definían un sistema de control por relevadores que podían ser asociado no solamente a la industria automotriz. se fue poco a poco mejorando la idea inicial de los PLCs convirtiéndose en lo que ahora son. 7. MODICON. 5. La gran diferencia con los controles por relevador fue su facilidad de instalación.-Todos los componentes del sistema deben ser capaces de operar en plantas industriales sin un especial equipo de soporte.. y proporcionan autodiagnósticos sencillos.-Las señales de salida deberán ser capaces de manejar arranques de motores y válvulas solenoides que operan a 120 volts de C. si no prácticamente a cualquier industria de manufactura. con interruptores de presión interruptores de limite. Estas especificaciones interesaron a ciertas compañías tales como GE-Fanuc. los requerimiento sobre los cuales se han desarrollado los PLC s. su capacidad se reducía exclusivamente al control On -Off (de dos posiciones) en maquinas y procesos industriales.sistemas industriales basadas en reveladores. la tecnología de los microprocesadores agrego facilidad e inteligencia adicional a los PLCs generando un gran avance y permitiendo un notorio incremento en la capacidad de interfase con el operador. la General Motor preparo en 1968 ciertas especificaciones detallando un "Controlador Lógico Programable". ocupan menor espacio.Dispositivo de control deberá ser fácil y rápidamente programable por el usuario con un mínimo de interrupción. costo reducido. Sistemas Electrónicos Versátiles y Flexibles. De tal forma que el resultado de su trabajo se convirtió en lo que hoy se conoce como Controlador Lógico Programable. . Buscando reducir los costos de los sistemas de control por relevadores.-El sistema debe ser de fácil mantenimiento y reparación. Digital Equipment Co.

MENU PRINCIPAL Esto quiere decir auxiliares. La tarea del usuario se reduce a realizar el "programa que no es mas que la relación entre las señales de entrada que se tienen cumplir para activar cada salida. temporización.Deberá ser competitivo en costo de venta e instalación. El PLC actual es una computadora de propósito especifico que proporciona una alternativa más flexible y funcional para los sistemas de control industriales. unos terminales de salida a los que se le conectaran bobinas de contactores...Deberá ser expandible desde su mínima configuración hasta su máxima. etc. La figura 1 muestra en general las funciones básicas de un PLC. Se excluyen los controles secuenciales mecánicos.. lámparas.. descrita como sigue: EL PLC es un aparato electrónico operado digitalmente que usa una memoria programable para el almacenamiento interno de instrucciones las cuales implementan funciones especificas tales como lógicas. finales de carrera. La constante evolución del Hardware y Software amplia continuamente este campo para poder satisfacer las necesidades que se detectan en el aspecto de sus posibilidades reales. se ha dado una definición formal por la NEMA (Nacional electrical Manufacturers Association).. con una mínima de alteración y de tiempo perdido.La estructura de memoria empleada deberá ser expandible a un mínimo de 4000 palabras o elementos de memoria. foto celdas.4 APLICACION DEL PLC EL PLC por sus especiales características de diseño tiene un campo de aplicación muy extenso. contadores. Los PLC actuales no solamente cumplen estos requisitos si no que lo superan. para controlar a través de módulos de entrada /salida digitales y analógicas. diseñada para controlar en tiempo real y en medio industrial procesos secuenciales de control. temporizadores. Son internos.8. De una manera general podemos definir al controlador lógico programable a toda maquina electrónica. Debido a la gran aceptación que ha tenido el PLC. MENU PRINCIPAL 9. De tal forma que la actuación de estos ultimo están en función de las señales de entrada que estén activadas en cada momento. 10. varios tipos de maquinas o procesos. Su programación y manejo puede ser realizado por personal con conocimientos electrónicos sin previos conocimientos sobre informática. conteo y aritméticas. electro válvulas. 6. relees de encallamiento. respecto de los sistemas en base a relevadores. secuénciales... Una computadora digital que es usada para ejecutar las funciones de un controlador programable. se puede considerar bajo este rubro. según el programa almacenado. detectores. También se le puede definir como una "caja negra" en la que existen unas terminales de entrada a los que se conectaran pulsadores. .

Los PLC están diseñados modularmente y por lo tanto con posibilidades de poder expandirse para satisfacer las necesidades de la . la posibilidad de almacenar los programas para su posterior y rápida utilización. Maquinaria industrial del mueble y la madera. MENU PRINCIPAL Maquinas-herramientas complejas. Maquinas de transferencia.Su utilización se da fundamentalmente en aquellas instalaciones en donde es necesario realizar procesos de maniobra. las extremas facilidades de u montaje. B).-MANIOBRA DE INSTALACIONES. no hay una rutina clara y concisa que evalué las necesidades que todas las aplicaciones Una ultima consideración importante en la aplicación de un PLC es el futura crecimiento del sistema. etc. Instalaciones de almacenamiento y transporte. Instalaciones de aire acondicionado y calefacción. Chequeo de programación centralizada de las partes del proceso EJEMPLOS DE APLICACIONES DE UN PLC A). Instalaciones en la industria automotriz Instalación de tratamientos térmicos. como nada aplicación es diferente. hace que su eficiencia se aprecie fundamentalmente en procesos en que se reduce necesidades tales como: Espacio reducido. Procesos de producción periódicamente cambiantes Maquinaria de procesos variables.. arena y cemento. Instalación de procesos complejos y amplios. la modificación o alteración de los mismos. De nuevo. Instalaciones de plantas embotelladoras. Las necesidades de la aplicación pueden ser definidas solamente por un análisis detallado del sistema completo. etc. Es interesante hacer notar que aunque el PLC fue originalmente diseñados como un dispositivo de reemplazo de control industrial cumpla las necesidad de los usuarios. señalización. Instalaciones de la industria azucarera.. Instalaciones de seguridad. Esto significa que los exámenes detallados deben ser ejecutados en todas las facetas de la maquina u operación del proceso. etc. por tanto. su aplicación abarca desde procesos de fabricación industrial de cualquier tipo al de transformaciones industriales. Maquinaria en proceso de grava. Maquinaria en la industria del plástico. control de instalaciones. Sus reducidas dimensiones.. Maquinaria de ensamblaje.-MANIOBRAS DE MAQUINAS. control.

la capacidad de almacenamiento del modulo de memoria es lo suficientemente grande c) La lista de materiales queda sensiblemente reducida. 1. por lo general. 4. esquema puede imprimirse en alguno de los lenguajes en que fue programado. 2..En base al PLC puede construirse esquemas de control tanto superviso rió como distribuido. b) No es necesario simplificar las ecuaciones lógicas.Una vez programado el dispositivo y habiendo probado su operación. distintos plazos de entrega. 3. dependiendo del tipo del PLC seleccionado. al elaborar el presupuesto correspondiente eliminaremos parte del problema que supone al contactar con diferentes proveedores... . ya que.Existen módulos de comunicación para el PLC.. etc.Menor tiempo empleado en la elaboración de proyectos debido a que MENU PRINCIPAL: a) No es necesario dibujar el esquema de contactos.industria. Es importante que a la aplicación de un PLC se pueda considerar los beneficios de las Futuras expansiones.

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TOLUCA No. OMAR GARCÍA DE LA ROSA I. Circuito Básico SMC (Actuador Basculante) Osciloscopio Generador de Funciones Fuente de alimentación 12 Vcd CANTIDAD 40 40 40 15 5 12 3 6 5 1 1 1 1 2 1 2 . 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 DESCRIPCION Cable ó terminal tipo Banana corta Cable ó terminal tipo Banana mediana Cable ó terminal tipo Banana larga Cable ó terminal tipo Caimán Multimetro Contactor (120Vca. 125 Psi 120 Vca. 60 Hz Botoneras Triples 120Vca Didácticas Compresor Campbell Hausfeld . 10Amp. 220 Vca. Circuito Básico SMC (Actuador lineal) Kit Neumática.LISTA DE REQUERIMIENTOS DE MATERIALES PARA CURSO DE OPTO-MECATRÓNICA INSTRUCTOR: ING.T. Didácticos Temporizador (Timer On Delay) 120 Vca.60Hz) Motor Trifásico. Maleta de equipo Neumático Kit Neumática. 1 Hp.

470 Ohms. 1KOmh (1/8 W) Regulador IC7805 Dip switch IC’s 7400.LISTA DE EQUIPO Y CONSUMIBLES ELECTRONICOS DE ACUERDO AL NÚMERO DE PARTICIPANTES DEL CURSO: No.74174 Transistor Bc 548 Transistor Bc 549 fotorresistencia Relay 5-12 Vcc Contactos(110220Vca) CANTIDAD 1 0. 20 mA) Resistencias eléctricas 330 Ohms.7408.7432.7404.5 mt 6 5 c/u 1 1 1 c/u 2 2 2 2 . 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 DESCRIPCION Proto-board Cable cal 23 o telefónico o de comunicaciones de Pc Leds ( 12 Vcd.7474.7402.

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