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Clasicacin de Estructuras Cristalinas

Los sistemas cristalinos pueden ser clasicados en un nmero denido de grupos. Veamos
la terminologa necesaria para describirlos.
El agrupamiento ms pequeo en un cristal el cual es representativo de la estructura
cristalina es llamada una celda unitaria o motif. Es posible denir un cristal como un
arreglo regular de unidades, es decir, la unidad se repite a intervalos regulares a lo largo
de cada una de las direcciones del cristal. En un cristal el ambiente en cualquier lugar es
idntico en todo respecto al ambiente en un punto correspondiente en cualquier otra parte
del cristal.
En la gura 1 se muestra un cristal tridimensional en el cual el paraleleppedo ABCDE-
FGH es una celda unitaria de la red y est determinada por los vectores base a, b y c. Todos
los desplazamientos traslacionales de ABCDEFGH por mltiplos enteros de los vecotres a,
b y c a lo largo de estas tres direcciones lo trasladan a alguna otra regin del cristal idntica
a su ambiente original. As, el cristal completo puede ser construido repitiendo este proceso
para todas las combinaciones posibles de los mltiples enteros de los vectores base o ejes
cristalinos, a, b y c. Cualquier punto a una distancia r
0
del origen puede ser alcanzado desde
cualquier otro punto a una distancia r por la relacin
r
0
= r + T. (1)
donde
T = :
1
a + :
2
b + :
3
c. (2)
Aqu T es llamado el operador de traslacin y :
1
, :
2
y :
3
son enteros arbitrarios.
Figura 1
1
Consideremos ahora la siguiente denicin. Una celda unitaria es cualquier poliedro por
medio del cual se puede construir un cristal por aplicacin repetida del operador de traslacin.
El arreglo de puntos generado por el operador de traslacin es la red; cada punto de la red
es un punto de red.
Escogemos las longitudes de los vectores a, b y c, y los ngulos c, ,, entre estos
vectores, arbitrariamente, lo cual puede llevarnos a pensar que hay un nmero indenido de
tipos de red. Pero esto no es as, Usando ciertas propiedades de simetra es posible dividir
las redes en un nmero nito de grupos. Primero digamos que una operacin de simetra es
tal que despus de haber sido realizada deja invariante el ambiente cristalino. Hay cuatro
tipos principales de operaciones de simetra: (i) traslacin, (ii) rotacin, (iii) reexin, y (iv)
inversin.
Figura 2
Ya hemos discutido la operacin de traslacin. Un objeto tiene una simetra de rotacin
alrededor de un eje si, despus de haber sido rotado un ngulo o, tiene el mismo ambiente
como antes de haberse efectuado la rotacin. Se dice que un objeto tiene una simetra de
reexin si, despus de que se reeja a lo largo de una lnea (en dos dimensiones) o un plano
(en tres dimensiones), permanece sin cambio. Un objeto tiene simetra de inversin si,
despus de haber sido invertido respecto a un punto, cambia un sistema de mano izquierda a
2
Sistema
cristalino
Nmero de
redes de Bravais
en un sistema
Tipo de red
de Bravais
Caractersticas
de la celda
unitaria
Longitudes y
ngulos que deben
ser especicados
1. Cbico 3
simple
centrada en el cuerpo
centrada en la cara
c = / = c
c = , = = 90
0
c
2. Tetragonal 2
simple
centrada en el cuerpo
c = / ,= c
c = , = = 90
0
c. c
3. Ortormbico 4
simple
centrado en la base
centrada en el cuerpo
centrada en la cara
c ,= / ,= c
c = , = = 90
0
c. /. c
4. Monoclnico 2
simple
centrado en la base
c ,= / ,= c
c = , = 90
0
,=
c. /. c

5. Triclnico 1 simple
c ,= / ,= c
c = , = ,= 90
0
c. /. c
c
6. Trigonal
(romboedral)
1 simple
c = / = c
c = , = ,= 90
0
c
c
7. Hexagonal 1 simple
c = / ,= c
c = , = 90
0
= 120
0
c. c
Table 1:
uno de mano derecha, y viceversa. Las operaciones (ii), (iii), y (iv), o cualquier combinacin
de ellas forma un grupo puntual.
Combinacin de los grupos puntuales con el grupo de traslacin llev al cientco francs
Auguste Bravais a concluir, en 1866, que hay nicamente 14 tipos de redes espaciales (tridi-
mensionales) que pueden ocurrir en los cristales. Estas 14 redes espaciales, conocidas como
redes de Bravais, se muestran en la gura 2, la cual tambin las clasica en siete sistemas
cristalinos. La tabla 1 proporciona esta misma informacin en forma tabular.
3
Defectos puntuales y dislocaciones
En general no es posible encontrar cristales con redes perfectas. Todos los cristales
reales, sin importar como estn formados, tienen algunas imperfecciones. El estudio de las
propiedades y efectos de las imperfecciones en las estructuras cristalinas es parte del estudio
de la fsica del estado slido. Ciertas propiedades de los slidos -tal como la dureza mecnica,
el comportamiento elctrico y la calidad ptica- dependen de la presencia de impurezas. Por
otra parte, la presencia de imperfecciones prcticamente no altera propiedades tales como
el paramagnetismo y la conductividad elctrica en metales. Las imperfecciones de las redes
cristalinas se clasican en dos grupos: (a) defectos puntuales, y (b) dislocaciones.
a) Defectos puntuales. Como su nombre lo indica, son defectos siempre localizados y
pueden ser divididos en tres categoras: (i) vacancias, (ii) impurezas sustitucionales, y (iii)
impurezas intersticiales (ver la gura 3).
En la gura 3(a) se muestra un defecto puntual debido a una vacancia en algunos puntos
de la red. Un tomo no aparece en un sitio dado. Para crear tal vacancia un tomo debe
tener suciente energa para romper sus enlaces con sus vecinos y dejar el sitio. Esta energa
-alrededor de 1 a 2 eV para cristales- la puede obtener de las vibraciones trmicas a altas
temperaturas. As, este tipo de defecto se incrementa cuando la temperatura se incrementa.
La gura 3(b) muestra una impureza sustitucional: Un tomo en un arreglo regular ha
sido reemplazado por algn tomo extrao. La gura 3(c) muestra defectos puntuales debidos
a un tomo interstiticial: Un tomo extra se coloca entre los constituyentes regulares de la
red. Este tomo puede ser del mismo tipo como el resto de los tomos de la red (g. 3(c)(i))
o puede ser un tomo de alguna impureza (g. 3(c)(ii)). Una vacancia de in positivo y una
vacancia de in negativo simultneas es llamada un defecto de Schottky. Una sustitucin
intersticial de in positivo y una vacancia de in positivo simultneas es llamado un defecto
de Frenkel. Estos defectos tambin ocurren en cristales distintos a los cristales inicos.
Figura 3
4
La presencia de cualquiera de los defectos puntuales en un cristal lleva a un reacomodo
de los tomos en la vecindad del sitio del defecto. Los cientcos han aprendido bastante a
partir del estudio de la conductividad inica en cristales inicos imperfectos que son, en otra
forma, no conductores.
Los defectos puntuales pueden ser producidos calentando los cristales a muy altas tem-
peraturas o bombardendolos con partculas de altas energas, las cuales pueden fcilmente
golpear y dislocar los tomos de la red. Sin embargo, el dao por radiacin cambia muchas
caractersticas de los cristales.
b) Dislocaciones. Los defectos de lnea en cristales son llamados dislocaciones. Suponga
que hay una lnea de tomos que no tiene la misma coordenada como el resto de los tomos
en el cristal. Se dice entonces que el cristal tiene una dislocacin (ver gura 4). Las dislo-
caciones no slo cambian propiedades pticas y elctricas, sino que ayudan a comprender el
comportamiento plstico de los slidos y la ductibilidad de los metales. Las dislocaciones en
el cristal reducen la fuerza de los enlaces hasta en 1/100 del valor que tena antes el cristal.
La energa necesaria para producir tales dislocaciones vara desde 3 hasta 10 eV.
Hay dos tipos principales de dislocaciones: dislocaciones de arista (g. 4(a)) y disloca-
ciones de tornillo (g. 4(b)). La dislocacin de arista se puede visualizar como una capa
extra de tomos que ha sido empujada media distancia en el cristal, o una capa de tomos
ha sido removida media distancia. En el proceso de reacomodo los tomos crean una seria
distorsin en la estructura. La dislocacin de tornillo puede verse como sigue: suponga que se
hace un corte en un cristal perfecto y luego un lado del corte es desplazado (o deslizado) con
respecto al otro. La dislocacin misma es la lnea fronteriza entre las porciones deslizadas y
no deslizadas del cristal. Usualmente ambos tipos de dislocaciones ocurren simultneamente.
Figura 4
5
Teoras de Electrn Libre de los Metales
Las propiedades trmicas, elctricas y magnticas de los slidos son determinadas por la
carga intrnseca, el momento magntico y la distribucin de los electrones que rodean a los
tomos. Dependiendo del arreglo de sus electrones, un slido puede ser clasicado en (a) un
aislante, o (b) un metal. (a) En un aislante la mayora de los electrones estn fuertemente
ligados al tomo; muy pocos de los electrones estn libres para moverse por el cristal. (b)
En un metal hay siempre algunos electrones que estn dbilmente ligados a sus respectivos
tomos y estn libres para moverse por el cristal. Vamos ahora a considerar las propiedades
de los metales a partir de la teora del electrn libre.
a) Teora Clsica del electrn libre. Paul Karl Ludwig Drude, en 1900, sugiri que
en los metales los iones positivos estn jos mientras que los electrones de valencia estn
libres para moverse a cualquier lugar dentro del cristal. Estos electrones libres constituyen
un gas de electrones libres (un gas que como cualquier otro, obedece las reglas de la teora
cintica de los gases). Drude les llam electrones de conduccin, y a los electrones de las
capas cerradas les llam electrones de la coraza inica. En 1909 H. A. Lorentz incorpor
las siguientes suposiciones que llevaron a la formulacin de la teora clsica del electrn
libre de Drude-Lorentz: (i) La estadstica clsica de Maxwell-Boltzmann se aplica al gas
de electrones libres. (ii) La repulsin entre electrones libres es despreciable. (iii) Los iones
positivos producen un potencial constante.
Esta teora predijo exitosamente muchos aspectos cualitativos de las conductividades tr-
micas y elctricas. Por ejemplo, predice la ley de Ohm y la relacin entre las conductividades
trmica y elctrica. Sin embargo, falla en predecir la dependencia correcta de la conductivi-
dad elctrica sobre la temperatura. Tambin falla en predecir las magnitudes de los calores
especcos de los metales, as como propiedades magnticas como las susceptibilidades dia-
magntica y paramagntica. La teora es, sin embargo, sucientemente vlida como para
considerar una discusin de sus caractersticas.
i) Conductividades elctrica y trmica. De acuerdo a la ley de Ohm la corriente i en
metales es proporcional al voltaje aplicado \ , esto es
i =
\
1
(3)
donde 1 es la resistencia. Denamos la densidad de corriente , = i,, donde es el rea
de la seccin transversal del conductor, y \ = c|, donde c es el campo elctrico y | es la
longitud del conductor. Entonces podemos escribir la ley de Ohm como
, =
c|
1
o , =
|
1
c
Esto es
, =
1
1
c = oc. (4)
donde
o =
1
j
=
|

1
1
.
6
Aqu j es la resistividad y o es la conductividad del metal.
De acuerdo a la teora clsica del electrn libre obtenemos la expresin
o
teo

10
6
_
1
. (5)
donde 1 es la temperatura absoluta. Sin embargo, experimentalmente encontramos que,
excepto a temperatura baja, la relacin siguiente es cierta:
o
exp

1
1
. (6)
Por el contrario, la teora clsica predice correctamente que la razn de la conductividad
elctrica o a la conductividad trmica 1 es proporcional a la temperatura absoluta 1. Esto
es
1
1
o
1
= co::t 2.5. (7)
La razn

K
es llamada razn Wiedemann-Franz.
ii) Calor especco. De acuerdo a la teora cintica de gases, si el gas de electrones de
un metal se comporta como un gas ideal, su calor especco debera ser
3
2
1, donde 1 es la
constante universal de los gases. Experimentalmente se encuentra que el calor especco de
un gas de electrones libres depende de la temperatura de acuerdo a la relacin
C
velec
= 10
4
11. (8)
Estos y muchos otros defectos de la teora clsica del electrn libre fueron superados por
la introduccin de un nuevo modelo por Sommerfeld. Veamos este modelo.
b) Teora cuntica del electrn libre (modelo de Sommerfeld). En 1928 Som-
merfeld sugiri dos modicaciones a la teora clsica del electrn libre. Primero, dijo que
los electrones libres en un metal deben ser tratados cunticamente, lo que condujo a la idea
de que estos electrones tienen niveles discretos de energa. Segundo, dijo que para el gas de
electrones se debera utilizar la estadstica de Fermi-Dirac y no la de Maxwell-Boltzmann.
Veamos estas dos modicaciones.
i) Mecnica cuntica y estadstica de Fermi-Dirac aplicado a los electrones libres en
metales. De acuerdo con Sommerfeld, el potencial dentro de un cristal metlico puede ser
asumido como constante, de modo que no hay fuerza neta actuando sobre los electrones en
el cristal. El movimiento de los electrones est restringido al cristal por la presencia de altas
barreras de potencial en las fronteras del cristal. As, podemos visualizar al cristal como una
caja cbica de longitud 1 conteniendo electrones libres. Recordemos que en un pozo innito
unidimensional de ancho 1 la energa de un electrn est dada por
1
n
= :
2
x
:
2
/
2
2:1
2
. :
x
= 1. 2. 3. ...... (9)
donde : es la masa del electrn. Cuando se extiende al caso tridimensional, es decir, una
caja cbica de arista 1, la ecuacin anterior es ahora
1 =
_
:
2
x
+ :
2
y
+ :
2
z
_
:
2
/
2
2:1
2
= :
2
:
2
/
2
2:1
2
. (10)
7
donde
:
2
= :
2
x
+ :
2
y
+ :
2
z
. :
x
. :
y
. :
z
= 1. 2. 3. .......
En la gura 5(a) se muestra la grca de 1 versus :. Puede demostrarse que an
para valores tan pequeos como 1 = 0.1c: la separacin entre los niveles de energa es ~
10
14
eV, lo cual es tan pequeo que los niveles pueden ser asumidos como muy empaquetados,
formando un casi-continuo de niveles. Cada nivel energtico es designado por cuatro nmeros
cunticos :
x
, :
y
, :
x
y :
s
donde :
s
=
1
2
. Dado que :
s
puede tomar slo dos valores, cada
nivel puede ser ocupado por dos electrones, como lo muestra la gura 5(b). En el estado
base la energa del ltimo electrn aadido al sistema -es decir, la energa del electrn en el
nivel ms alto, con : = :
f
como se ve en la gura 5(b)- es una funcin de :
f
y 1. Esta
energa mxima del electrn correspondiente a : = :
f
en el cero absoluto se llama energa
de Fermi del punto cero, 1
F
(0).
Figura 5
Usualmente se desea conocer la energa de Fermi en trminos del nmero total de elec-
trones y el tamao de la caja. As, supngase que hay ` electrones por volumen unitario,
de modo que el nmero total de electrones en el sistema es `1
3
. Designando cada punto
de la red ocupado por un electrn con los nmeros cunticos :
x
, :
y
, :
x
y :
s
, obtenemos la
siguiente expresin para la energa de Fermi del punto cero:
1
F
(0) =
/
2
2:
_
3:
2
`
_2
3
. (11)
Obviamente, la energa de Fermi es una funcin del nmero de electrones `. La ecuacin
anterior da los siguientes valores para las energas de Fermi en el cero absoluto: Cs, 1.53eV;
Na, 3.12eV; Ag, 5.51eV.
8
Ejemplo: Calculemos la energa de Fermi del sodio, haciendo uso de la ecuacin (11).
As, tenemos que / = 1.05457266 10
34
J s, : = 9.1093897 10
31
kg, y ` es el nmero
de electrones por unidad de volumen en el sodio, que se calcula como sigue:
` =
j`
A

=
0.9712 g,cm
3
6.0221367 10
23
,g mol
1
22.9898, mol
= 2.53 10
22
,cm
3
Por tanto
1
F
(0) =
(1.05457266 10
34
J s)
2
(3 :
2
2.53 10
22
,cm
3
)
2
3
2 (9.1093897 10
31
kg)
= 5.03 10
23
J
2
s
2
kg cm
2
=
5.03 10
19
1.602 10
19
J,eV
= 3.15 eV
Para calcular la energa cintica promedio

1 (0) de los electrones en el metal a 0
0
1,
debemos conocer la densidad de estados q (1), denida como el nmero de estados por
unidad de energa por unidad de volumen. Esta cantidad se puede calcular considerando
que la expresin (11) puede utilizarse para obtener el nmero de estados con energa menor
o igual a 1:
` (1) =
1
3:
2
_
2:1
/
2
_3
2
.
y de aqu
q (1) =
d`
d1
=
1
2:
2
_
2:
/
2
_3
2
1
1
2
. (12)
La densidad de estados cumple con la relacin
_
E
F
(0)
0
q (1) d1 = ` (13)
de donde

1 (0) =
_
E
F
(0)
0
q (1) 1d1
_
E
F
(0)
0
q (1) d1
(14)
Cuando estas ecuaciones se combinan se obtiene

1 (0) =
3
5
1
F
(0) (15)
Ntese que, de acuerdo con la teora clsica,

1 (0) debera ser cero en 0
0
1.
De acuerdo a lo anterior, a 0
0
1 todos los estados con energas hasta 1
F
(0) estn comple-
tamente llenos, mientras que los estados con 1 1
F
(0) estn completamente vacos. Esto
lleva a la siguiente ley de distribucin del punto cero, de acuerdo a la cual la probabilidad
, (1) de que el estado est ocupado est dada por
, (1) =
_
1. 1 < 1
F
(0)
0. 1 1
F
(0)
(16)
La gura 6 muestra una grca de , (1) versus 1.
9
Figura 6
Dado que los electrones son fermiones, su distribucin en un metal en diferentes estados
energticos debera seguir la estadstica de Fermi-Dirac, la cual est dada por
` (1) d1 = q (1) , (1) d1 =
q (1) d1
exp
(EE
F
)
kT
+ 1
(17)
Esto es
, (1) =
1
exp
(EE
F
)
kT
+ 1
(18)
donde ` (1) es el nmero de electrones por unidad de energa en el estado de energa 1 y
1
F
es la energa de Fermi a temperatura 1
0
1, dada por
1
F
1
F
(0)
_
1
:
2
12
_
/1
1
F
(0)
_
2
_
(19)
Figura 7
En la gura 7 se muestra una grca de ` (1) versus 1 para metales a distintas tem-
peraturas.
Si se eleva la temperatura arriba de 0
0
1 se fuerza a los electrones de los niveles justo
abajo de la energa 1
F
a ir a niveles excitados justo arriba de 1
F
. A temperatura 1
0
1
slo aquellos electrones en niveles con energas entre 1
F
/1 y 1
F
son excitados a niveles
10
con energas entre 1
F
y 1
F
+ /1. (Si otros electrones fuesen excitados, tendran que ir a
estados ocupados, lo cual no es posible de acuerdo al principio de exclusin de Pauli). As,
la fraccin de electrones en un metal que pueden ser excitados por medio de fuentes externas
(tales como fuentes trmicas, elctricas o magnticas) es igual a la razn del rea sombreada
al rea total de la gura 8; esto es,
rea sombreada
rea total
=
/1
1
F

0.03
3.00
=
1
100
(20)
Figura 8
ii) Aplicaciones de la teora a las propiedades de los metales. Ahora se pueden explicar
algunas de las propiedades de los metales usando la teora cuntica de los electrones libres.
a) Conductividad elctrica de metales. De acuerdo a la teora cuntica, los electrones
libres en los metales ocupan estados denidos de energa, de acuerdo a la estadstica de
Fermi-Dirac. Como se muestra en la gura 9, en ausencia de campo externo, los electrones
se mueven aleatoriamente. Esto es, hay tantos electrones movindose con alguna velocidad
dada en la direccin +r como en la direccin r. Por tanto, no hay corriente neta.
Figura 9
Pero tan pronto como un campo elctrico c es aplicado, los electrones se aceleran hacia
la terminal positiva del campo. Esta aceleracin signica un incremento en la velocidad y
por tanto, de la energa. Pero slo aquellos electrones con energa cercana a la energa de
Fermi 1
F
puede adquirir suciente energa para ser redistribuido como muestra la gura 10.
El exceso neto de electrones a lo largo del eje +r da como resultado una corriente elctrica,
11
y contribuye a la conductividad elctrica. Los clculos basados en la teora muestras que la
conductividad o es inversamente proporcional a la temperatura absoluta 1, como se esperara
de la evidencia experimental.
Figura 10
b) Conductividad trmica de metales. La alta conductividad trmica de los metales y
su relacin con la conductividad elctrica puede entenderse fcilmente. En los metales, la
conduccin se debe a las vibraciones de los tomos as como de los electrones libres. En
los materiales no metlicos, la conduccin se debe primordialmente a las vibraciones de los
tomos. En lugar de hablar acerca de las vibraciones de los tomos, podemos hablar en
trminos de los fonones. (En analoga con un fotn, el cual es un quantum de energa radia-
tiva, un fonn es un quantum de energa vibracional) El nmero de fonones se incrementa
con el incremento de la temperatura, pero las trayectorias libres medias de los fonones per-
manecen cortas (10-100). As, para materiales no metlicos las conductividades son muy
cortas. Sin embargo, aunque las trayectorias libres medias de los fonones en los metales son
tambin cortas, las trayectorias libres medias de los electrones son largas. Por ello es que los
electrones libres son la causa de la buena conductividad trmica de los metales. Los mismos
electrones libres son tambin responsables de la conductividad elctrica de los metales de
modo que es de esperarse alguna relacin entre ambas conductividades. La teora cuntica
del electrn libre predice la ley de Wiedemann-Franz discutida un poco antes.
c) Calores especcos electrnicos en metales. El calor especco de un metal puede ser
escrito como
C
v
= C
v
(atmico) + C
v
(electrnico) = 31 +
3
2
1 =
9
2
1 (21)
(recurdese que los electrones tiene tres grados de libertad).
Pero es bien sabido que arriba de cierta temperatura el calor especco de todos los
slidos es 31. As, de alguna manera debemos librarnos del trmino
3
2
1. De acuerdo a la
estadstica de Fermi-Dirac, a cualquier temperatura 1 slo aquellos electrones con energas
en el intervalo 1
F
/1 absorben calor. Estos electrones son una fraccin 2/1,1
F
del total,
de modo que el calor especco electrnico est dado por
C
v
(electrnico) =
3
2
1
2/1
1
F
=
31/
1
F
1 = 1 (22)
12
donde = 31/,1
F
es una cantidad muy pequea, de modo que la contribucin del calor
especco electrnico es despreciable y por tanto
C
v
C
v
(atmico) .
13
Teora de Bandas y Aplicaciones
La descripcin que hemos hecho anteriormente en trminos de la teora del electrn libre
no fue suciente para explicar por qu algunos slidos son aislantes, otros conductores y
algunos otros semiconductores. Estos y otros fenmenos pueden ser explicados mediante la
teora cuntica de slidos, tambin llamada teora de bandas de los slidos. Existen varios
modelos de aproximacin para estudiar al slido. Uno de ellos es modicar el modelo del
electrn libre para considerar el movimiento de un electrn en un potencial peridico, lo que
tambin se llama teora de zonas. Otro modelo es el llamado aproximacin de enlace fuerte
(tight-binding approximation) y que se conoce tambin como teora de bandas Veremos en
qu consisten estos dos modelos.
Electrones en un potencial peridico (Teora de Zonas)
En la teora del electrn libre se asumi que el movimiento de los electrones en un cristal
es completamente, de modo que los electrones pueden ir a cualquier parte dentro del cristal.
Se supuso tambin que haba una barrera alta de potencial que impeda que los electrones
abandonaran el cristal. Esto en realidad no es as. El potencial real es peridico, como
se muestra en la gura 11 para el caso de un cristal unidimensional. La periodicidad del
potencial es el resultado de la interaccin coulombiana entre el electrn en movimiento y la
distribucin de carga peridica debida a los iones positivos colocados en los sitios de la red.
Figura 11
Encontrar los niveles de energa permitidos de un electrn implica resolver la ecuacin de
Schrdinger para un electrn que se mueve en un potencial peridico. Es posible simplicar
bastante el problema sin afectar los resultados nales si se remplaza el potencial de la gura
anterior por un potencial peridico con barreras rectangulares, como el de la gura 12. Este
es el llamado Modelo de Kronig-Penney. La ecuacin de Schrdinger a resolver es
d
2
(r)
dr
2
+
2:
/
2
[1 \ (r)] (r) = 0 (23)
donde \ (r) = 0 para regiones del tipo I y \ (r) = \
0
para regiones del tipo II.
14
Figura 12
El efecto del potencial peridico sobre la funcin de onda es cambiar la funcin de onda
del electrn c
ikx
a
(r) = n(r) c
ikx
. / =
_
2:[1 \ (r)]
/
(24)
y n(r) es la amplitud de modulacin, la cual es casi uno en el centro del pozo y apreciable-
mente diferente de uno cerca de la frontera de cada pozo. Dado que n(r) se repite de red a
red (con c el espaciamiento de red), debe satisfacer la condicin
n(r + c) = n(r) (25)
Las ecuaciones (24) y (25) juntas constituyen el llamado teorema de Bloch. Usando este
teorema y las condiciones de frontera peridicas para la continuidad de una funcin de onda
y su derivada, se obtiene la relacin
cos /c = 1
sin cc
cc
+ cos cc (26)
donde 1 es una constante dada por
1 = lim
b!0
!1
_
1
2
,
2
c/
_
=
:c
/
2
\
0
/ (27)
y
c =
_
2:1
/
. , =
_
2:(\
0
1)
/
. (28)
Los niveles de energa permitidos para el electrn en un potencial peridico pueden obtenerse
considerando las siguientes dos interpretaciones de la ecuacin (26):
15
Figura 13
a) Interpretacin del lado derecho de la ecuacin
La gura 13 muestra la curva oscilatoria correspondiente al lado derecho de la ecuacin
(26) versus cc. Las lneas horizontales son los lmites +1 y 1 impuestos por el lado
izquierdo de esa misma ecuacin, esto es, por cos /c. Para valores reales de /, las soluciones
fsicamente signicativas de la ecuacin (26) deben estar dentro de estos lmites, los cuales
son mostrados por las lneas verticales horizontales. Estas energas, -las energas que un
electrn movindose en un potencial peridico puede tomar- son llamadas bandas de energa
o regiones permitidas o zonas permitidas. Entre las bandas permitidas estn las bandas
prohibidas o regiones prohibidas o zonas prohibidas de energa, las cuales no puede tomar el
electrn mientras se est moviendo en un potencial peridico.
Note que si \
0
/ es muy grande las zonas permitidas son muy angostas y el electrn no
puede moverse libremente. Esto es lo que ocurre en el caso de que los electrones estn
fuertemente ligados al ncleo. Por otra parte, si \
0
se aproxima a cero, las zonas permitidas
se ensanchan tanto que las zonas prohibidas desaparecen. Esto es lo que ocurre en el caso
de los electrones del tomo. Para \
0
= 0 la situacin se reduce al caso de electrones libres.
El origen y posicin de estas bandas los podemos entender como sigue. Si por un momento
pensamos en el cristal como un conjunto de pozos aislados por barreras impenetrables, las
soluciones de la ecuacin de Schrdinger seran precisamente las que corresponden a un pozo
innito. Los electrones del cristal tendran entonces el espectro discreto de un pozo innito.
Al interconectar ` pozos bajando las barreras que los separan, cada nivel se descompone
en ` niveles innitamente prximos, crendose una sucesin de bandas, cada una con un
continuo de niveles alrededor de la solucin para un pozo aislado, como se muestra en la
gura 14.
16
Figura 14
b) Interpretacin del lado izquierdo de la ecuacin
Puede alcanzarse una interpretacin ms til y directa de la ecuacin (26) considerando
el lado izquierdo de la ecuacin. La funcin cos /c puede asumir slo aquellos valores que
corresponden a valores permitidos de 1. Las lneas gruesas de la gura 13 se muestran en
una grca de valores permitidos de 1 versus /c (gura 15). Si se proyectan estos valores
permitidos a la derecha, se obtiene las bandas o zonas permitidas, y entre estas bandas estn
las bandas prohibidas.
Figura 15
La parbola con lnea punteada en la gura 15 corresponde al caso de un electrn libre
para el cual 1 = /
2
/
2
,2:. Note que las lneas gruesas se separan ligeramente de la parbola
17
punteada slo en la vecindad de ::, donde : es un entero. Esto signica que el electrn
que se mueve en un potencial peridico se comporta como un electrn libre para la mayora
de los valores de /, excepto aquellos cercanos a ::. Para valores grandes de 1 los dos son
casi similares.
Tambin note que las discontinuidades en los valores permitidos de 1 ocurren en cos /c =
1. Esto es,
/c = ::. : = 0. 1. 2. 3. ...... (29)
y si sustituimos / = 2:,`, se obtiene
:` = 2c. (30)
el cual corresponde a la condicin de Bragg, si se sustituye o = 90
0
en :` = 2c sin o. Esto
implica que las discontinuidades representan lugares en los cuales las ondas electrnicas son
reejadas hacia atrs. La regin que contiene electrones con momento tal que 0 < / < :,c
[esto es, : = 1 en la ecuacin (29)] es llamada primera zona de Brillouin. La segunda zona
de Brillouin es una que contiene electrones con valores de / entre :,c y 2:,c. La tercera,
cuarta y superiores zonas de Brillouin pueden ser denidas de manera similar.
Teora de Bandas de Slidos (Aproximacin de Enlace Fuerte)
Los aislantes, conductores y semiconductores pueden distinguirse (entre otros factores)
por sus conductividades elctricas. Los aislantes son pobres conductores de electricidad;
ejemplos son: diamante, cuarzo y la mayora de los slidos inicos y covalentes. Los con-
ductores son buenos conductores de electricidad; ejemplos son: plata y otros metales. La
conductividad de los semiconductores est entre la de los aislantes y la de los conductores;
ejemplos son: germanio y silicio. Vamos ahora a discutir la formacin de estos tres tipos de
materiales de acuerdo a la teora de bandas.
La teora de aproximacin de enlace fuerte asume que cada electrn est fuertemente
ligado a su ncleo -una suposicin completamente opuesta a la de la teora de zonas-, aunque
los resultados que se obtienen son casi los mismos. Es conveniente utilizar la teora de zonas
cuando se estudia a los metales y la teora de bandas cuando se estudia a los aislantes y
semiconductores.
Para encontrar los niveles de energa de los electrones en los slidos necesitamos conocer
los niveles de energa de los tomos individuales cuando se agregan para formar un slido.
Imagine que agregamos dos tomos de hidrgeno para formar una molcula. Los dos niveles
1: (uno de cada tomo) se combinan para formar dos nuevos niveles moleculares con diferente
energa. En el caso de los slidos hay muchos ms tomos y la situacin es ms complicada.
Por ejemplo, suponga que agregamos seis tomos de sodio, cada uno con un electrn en
el estado 3:. Tendremos seis funciones de onda resultantes, como lo muestra la gura 16.
La combinacin en la gura 16(a) es la funcin de onda perfectamente simtrica con la
menor energa, mientras que en la gura 16(b) se muestra la funcin de onda perfectamente
antisimtrica, con la energa mxima. Las energas del resto de funciones de onda combinadas
estn entre estos dos extremos pero tambin dependen de qu tan cercanos estn colocados
los tomos
18
Figura 16
El resultado es la formacin de bandas de energa, como lo muestra la gura 17. Real-
mente, debido a la degeneracin de spin (un estado con spin "hacia arriba" y otro con spin
"hacia abajo"), el nmero total de estados de energa es el doble. Adems, si hay un nmero
grande de tomos, los niveles de energa en las bandas son casi continuos, como se muestra
en la gura 17(c) para los niveles 1:, 2:, 2j, y 3: de ` tomos aislados. La situacin provoca
la formacin de bandas permitidas de energa 1:, 2:, 2j, y 3:, as como bandas prohibidas de
energa. En general, en la formacin de cualquier slido a partir de ` tomos individuales,
hay 2` estados en cada banda 1:, 2:, 3:, ..., 6` estados en cada banda 2j, 3j, 4j, ..., 10`
estados en cada banda 3d, 4d, ... y as en adelante. Esto es
[Nmero de estados en cada banda |] = 2 (2| + 1) ` (31)
Cuando los slidos se forman tambin se forman cuatro tipos de bandas, como lo muestra
la gura 18. Esto lleva a la clasicacin de los slidos en: aislantes, semiconductores y
conductores. Veamos cada uno de ellos.
19
Figura 17
a) Aislantes. Para estos materiales la formacin de bandas es como lo muestra la gura
18(a). La caracterstica de estas bandas es que la regin prohibida entre la ms alta banda
llena y la ms baja banda vaca es muy amplia, ~ 36eV. An cuando se excite trmicamente
a los electrones (con cualquier temperatura alcanzable) o se les aplique un campo elctrico,
muy pocos de ellos en la banda llena se muevan a la banda vaca. Sin embargo, debido al
principio de exclusin de Pauli, los electrones no pueden moverse dentro de la banda llena,
por lo que no hay modo de obtener una corriente por electrones libres. Esta es la razn por
la cual los slidos de este tipo son pobres conductores de electricidad y se clasican como
aislantes. En la tabla 1 se muestra una lista de las anchuras de las bandas prohibidas entre la
ms alta banda llena y la ms baja banda vaca para algunos aislantes, as como de algunos
semiconductores. La ms alta banda llena, o parcialmente llena, se llama banda de valencia.
Figura 18
b) Semiconductores. En estos materiales la formacin de bandas se ilustra en la gura
18(b). Aqu la caracterstica es que la regin prohibida entre la ms alta banda llena y la
ms baja banda vaca es muy angosta, ~ 0.1 1eV (ver tabla 1). En este caso los electrones
pueden moverse de la ms alta banda llena a la ms baja banda vaca sin mucho problema.
Esto se consigue por excitacin trmica o aplicacin de algn campo elctrico. As, los pocos
electrones de la banda vaca estn disponibles para producir corriente elctrica debido a que
20
pueden moverse en esta banda. En la gura 19((a) y (b)) se muestran distribuciones de
electrones en un semiconductor a 0
0
K y 300
0
K.
Aislantes Gap, eV Semiconductores Gap, eV
Diamante (C) 5.33 Silicio (Si) 1.14
xido de Zinc (ZnO) 3.2 Germanio (Ge) 0.67
Cloruro de Plata (AgCl) 3.2 Telurio (Te) 0.33
Tabla 1 Algunos Gaps de Energa Prohibida
Adems, existe otro mecanismo que produce corriente elctrica: Las vacancias (o lugares
vacos dejados por los electrones que se mueven) que estn cerca del tope de la ms alta
banda llena son llamados huecos. Estos huecos se comportan como electrones positivos y
pueden contribuir al ujo de corriente elctrica, como lo muestra la gura 19(c). Cuando se
aplica un campo elctrico, el electrn debajo del hueco puede obtener energa suciente para
saltar y ocupar al hueco, por lo que, para todo propsito, el hueco se mueve a un estado de
menor energa. Tal movimiento del hueco contribuye a la corriente elctrica
Figura 19
c) Conductores. En estos materiales la formacin de bandas es como el mostrado en la
gura 18(c) o 18(d). Aqu la caracterstica es que la banda de valencia est parcialmente
llena (g. 18(c)), o si est llena la siguiente banda permitida vaca se traslapa con la banda
21
llena (g. 18(d)). En cualquier caso hay estados desocupados para los electrones de la banda
ms alta, de modo que estos electrones estn disponibles para portar corriente. Por ello es
que estos slidos se llaman conductores. An cuando no sean metlicos, exhiben todas las
caractersticas de los conductores metlicos.
Veamos algunos ejemplos. El sodio (2 = 11) tiene una conguracin electrnica 1:
2
2:
2
2j
6
3:
1
.
As, en un slido con ` tomos de sodio hay 2` electrones 1:, 2` electrones 2:, 6` elec-
trones 2j y ` electrones 3:. Esto implica que las bandas 1:, 2:, y 2j estn completamente
llenas, mientras que la banda 3: est slo medio llena. De aqu que el sodio y todos los
metales alcalinos deberan ser conductores. Y lo son!
Sin embargo, la situacin es ligeramente complicada. La distancia de equilibrio entre los
tomos de sodio en la forma slida es :
0
= 3.67. De acuerdo a la aproximacin de enlace
fuerte a esta distancia las bandas 1:, 2: y 2j permanecen imperturbadas y separadas, pero
las bandas correspondientes a los estados 3: y 3j se traslapan. Esto signica que para los `
electrones de conduccin en los estados 3:, hay ` estados 3: y 6` estados 3j, es decir, un
total de 7` estados disponibles.
Enseguida consideremos al magnesio (2 = 12) cuya conguracin electrnica es 1:
2
2:
2
2j
6
3:
2
.
De acuerdo a la aproximacin de enlace fuerte, debido a que las bandas 1:, 2:, 2j, y 3: estn
completamente llenas el magnesio debera ser un aislante. Sin embargo, como en el caso del
sodio, las bandas 3: y 3j se traslapan de modo que de los 2` estados 3: y los 6` estados
3j slo 2` estados estn ocupados. El resto estn disponibles para conduccin electrnica.
As, todos los slidos como el magnesio -cuya banda de valencias est llena pero con estados
disponibles para conduccin electrnica debido al traslape de las bandas- sern conductores.
En efecto, algunas veces estos materiales son llamados semimetales. Por ejemplo, en los
elementos de transicin las bandas 3d, 4: y 4j se traslapan; y en los elementos de tierras
raras las bandas 4,, 5d, 6: y 6j se traslapan. Por ello todos estos elementos son conductores.
Ahora consideremos el caso ms importante de distincin entre aislantes y semiconduc-
tores, de acuerdo a la teora de bandas. Tomemos el diamante (uno slido covalente) cuya
conguracin electrnica es 1:
2
2:
2
2j
2
. Cuando ` tomos de carbn se agregan, se deberan
de formar tres bandas (1:, 2:, y 2j). Las bandas 1: y 2j deberan estar completamente
llenas, pero de los 6` estados de la banda 2j slo 2` estados deberan estar llenos. Sin
embargo no es esto lo que ocurre. Cuando los tomos de carbn se agregan para formar un
slido, los niveles 2: y 2j se empiezan a ensanchar en bandas. A medida que el espaciamiento
interatmico disminuye, estas bandas empiezan a traslaparse, como lo muestra la gura 20.
Entre ms y ms pequeas son estas distancias, el continuo de los estados 2: y 2j que tena
un total de 2` + 6` = 8` estados se separa en dos bandas, cada una conteniendo 4`
estados cunticos. Cuando el carbn es un slido estable, los cuatro electrones del tomo de
carbn que solan estar en los estados 2: y 2j ahora llenan la banda inferior con 4` elec-
trones, mientras que la banda superior, que contiene 4` estados, est vaca. La distancia
de equilibrio del diamante es ~ 1.5; a esta distancia la separacin entre la ms baja banda
llena y la ms alta banda vaca es ~ 5eV, lo cual es un gap de energa prohibida muy grande.
Esta es la razn por la cual el diamante es un buen aislante.
El esquema de bandas para el carbn mostrado en la gura 20 tambin se aplica a
semiconductores como el Si y el Ge, excepto que las bandas corresponden a diferentes niveles
de energa atmica. Pero hay una diferencia fundamental muy importante: La separacin
de equilibrio de los tomos de Si y Ge son mucho mayores que en el diamante, de modo que
22
los gaps de energa son mucho menores en estos materiales. El ancho de la banda prohibida
es 1.2eV en el silicio y 0.7eV en el germanio (ver gura 20). Los estrechos gaps de energa en
Si y Ge implican que ms electrones de la banda inferior completamente llena o de valencia
pueden ser excitados trmicamente a las vacas bandas de conduccin. Cuando esto ocurre,
estos slidos vienen a ser conductores. Debemos mantener siempre en mente que tanto los
electrones como los huecos contribuyen a la corriente elctrica.
Figura 20
Semiconductores intrnsecos y de impureza
Hemos hablado del tipo de semiconductores en los cuales el movimiento de los electrones
a la banda de conduccin y la creacin de huecos en la banda de valencia es efectuado exclusi-
vamente por medio de excitacin trmica. Estos semiconductores se llaman semiconductores
intrnsecos. Los electrones y huecos son portadores de carga intrnsecos, y la conductividad
resultante es conductividad intrnseca.
Sin embargo, es posible incrementar enormemente la conductividad de un semiconductor
intrnseco aadiendo cierto tipo de impurezas al otrora material puro. Haciendo esto se
obtienen los semiconductores de impureza. Hay dos tipos diferentes de impurezas que se
pueden agregar: tipo n y tipo p. Cada una da un tipo diferente de semiconductor de
impureza. Veremos los dos tipos.
Consideremos que se introduce una pequea cantidad de fsforo o arsnico (o cualquier
otro elemento del Grupo V de la tabla peridica) como impureza dentro de un cristal puro de
silicio o germanio. Agregar una impureza signica reemplazar un tomo de silicio o germanio
en un sitio de red por un tomo de la impureza. Los tomos de silicio o germanio tienen
cada uno cuatro electrones de valencia, mientras que los tomos de elementos del Grupo
V tienen cinco electrones de valencia. Cuatro de los electrones del tomo de la impureza
forman enlaces de par covalente con los electrones de los tomos vecinos en el semiconductor,
como lo muestra la gura 21(a). Pero el quinto electrn queda dbilmente ligado por fuerzas
electrostticas al tomo de la impureza.
23
Figura 21
As, cada tomo de impureza en el semiconductor tiene un electrn extra. Este electrn
no puede acomodarse en la banda de valencia original ya llena. Por lo tanto, ocupa un
nivel discreto de energa justo abajo de la banda de conduccin (ver gura 22(a)). La
separacin entre este nuevo nivel y la banda de conduccin puede ser de slo unas dcimas
de electrn-volt. As, los tomos de la impureza del Grupo V son ionizados muy fcilmente (a
temperaturas arriba de ~ 20
0
K) y los electrones extra saltan a la banda de conduccin, donde
contribuyen a la conductividad elctrica del semiconductor. Note que estos electrones son
adicionales a los pares electrn-hueco producidos por excitacin trmica del semiconductor
puro. Como se ve, hay ms electrones que huecos para servir como portadores de carga y por
ello estos materiales son llamados semiconductores tipo n, o semiconductores negativos. Los
tomos del Grupo V son llamados tomos donadores, debido a que cada tomo de impureza
dona un electrn libre adicional al semiconductor. La parte de la conductividad elctrica
que es debida al tomo de impureza es la conductividad de impureza.
Figura 22
Ahora, si en lugar de agregar tomos del Grupo V al cristal de silicio o germanio, se
agregan tomos del Grupo III -tal como Al, Ga o In- como impurezas, la situacin es difer-
ente. Los tomos del Grupo III tienen slo tres electrones de valencia, de modo que cuando
un tomo de este grupo sustituye a un tomo del cristal semiconductor de Si o Ge, los
tres electrones de valencia del tomo del Grupo III forman enlaces de pares covalentes con
electrones de los tomos vecinos del semiconductor. Pero el cuarto electrn disponible del
semiconductor carece de un electrn con el cual formar enlace, lo que resulta equivalente a
decir que hay un hueco creado en el sitio del tomo de impureza. Un electrn del tomo
24
semiconductor ms cercano salta para llenar este hueco, imponiendo as una carga negativa
sobre el tomo de impureza. As, el hueco es transferido al tomo de donde sali el electrn
(ver gura 21(b)). En este caso el tomo del semiconductor (Si o Ge) es el tomo antrin
mientras que el tomo de la impureza del Grupo III es el tomo aceptor, debido a que ha
aceptado un electrn de la estructura de enlace covalente del semiconductor, dejando un
hueco migratorio detrs.
Los tomos de impureza del Grupo III introducen niveles discretos de energa vacantes
muy cerca del tope de las bandas de valencia completamente llenas del semiconductor an-
trin (ver gura 22(b). Como en el caso anterior, no toma mucha energa mover el hueco
del tomo de la impureza, o mover un electrn de la banda de valencia para llenar el hueco.
Excepto a bajas temperaturas, todos los huecos son migratorios. Estos huecos se comportan
como portadores de carga positivos y son indistinguibles de los huecos creados por excitacin
trmica. Debido a que los cristales de este tipo siempre tienen un exceso de huecos, o porta-
dores de carga positiva, son llamados semiconductores tipo p, o semiconductores positivos.
La conductividad de los semiconductores de impureza tipo n o tipo p es mayor que la
conductividad de un semiconductor intrnseco. Todo lo que se necesita es un tomo de
impureza por millones de tomos del semiconductor intrnseco para producir un cambio
signicativo en la conductividad. Las impurezas son introducidas por difusin.
Mecanismos semiconductores
Hoy en da se habla mucho de los aparatos de estado slido, aunque realmente son aparatos
semiconductores. En los aos recientes los materiales semiconductores han sido usados para
fabricar muchos artculos tiles de gran importancia tecnolgica: recticadores, transistores,
fotoceldas, circuitos de encendido, reguladores de voltaje, amplicadores y muchos otros
ms. Vinieron a reemplazar al diodo electrnico y los tubos de vaco. Pero antes de hablar
ms de estos mecanismos, hablemos primero del llamado potencial de contacto.
Los distintos materiales requieren diferentes cantidades de energa para remover un elec-
trn desde su supercie. Esta energa, usualmente medida en electrn-volts, es la funcin
de trabajo del metal, denotada por c. Cuando dos metales o semiconductores diferentes son
colocados en contacto, una diferencia de potencial se establece entre ellos. Este potencial de
contacto, \
e
, es igual a la diferencia entre las funciones de trabajo de los dos materiales en
contacto:
\
e
= c
1
c
2
(32)
Podemos explicar la existencia de un potencial de contacto como sigue: Supongamos que
tenemos dos tipos de cristales, cada uno con un nivel de energa diferente. Y supongamos
que colocamos estos dos cristales en contacto, tal que electrones de un cristal pueden moverse
al otro. Debido a la diferencia entre sus energas de Fermi, los electrones en el material con
la mayor energa de Fermi encuentran estados de energa desocupados en el material con
la menor energa de Fermi as que empiezan a poblar estos estados. Este proceso contina
hasta que la energa de Fermi en ambos cristales sea la misma. Este paso de electrones hace
un cristal positivo con respecto al otro y por ello se establece una diferencia de potencial.
Este es el potencial de contacto. Usaremos este concepto de potencial de contacto -algunas
veces llamado potencial difundido- en la discusin de dos mecanismos semiconductores: (a)
el diodo semiconductor o unin p-n, y (b) el transistor unin (n-p-n p-n-p).
a) Diodo semiconductor o unin p-n. Supongamos que tenemos dos cristales del mismo
25
material semiconductor, tal como germanio. Uno es de tipo p y el otro de tipo n (ver
gura 23(a)). Colocamos estos dos cristales en contacto para formar una unin p-n. Los
huecos uyen de izquierda a derecha, y los electrones de derecha a izquierda. Este ujo
doble contina, produciendo capas positivas del lado derecho y capas negativas del lado
izquierdo de la unin, respectivamente. En el estado de equilibrio el potencial de contacto
queda establecido (gura 23.(b)). Esto evita cualquier ujo adicional de huecos y electrones
a travs de la unin. La anchura de la regin de transicin es del orden de unos pocos cientos
de angstroms.
Figura 23
26
Cmo sera el ujo de corriente a travs de la unin si se limitara nuestra discusin al
movimiento de los huecos nicamente? (El movimiento de los electrones es siempre igual
y opuesto al movimiento de los huecos). Habra electrones libres (o de conduccin) en el
material tipo n. Por tanto, habra una recombinacin de huecos y electrones y de aqu el
nmero de huecos en el material tipo n disminuira. Esto llevara a un ujo continuo de
corriente por huecos, 1
1
, del lado p al lado n. Debido a la excitacin trmica se estaran
continuamente produciendo pares electrn-hueco en el material tipo n. El ujo de estos
huecos al lado p producira la corriente 1
2
. En el equilibrio las dos corrientes por hueco
seran equivalentes, esto es, 1
1
= 1
2
.
Un razonamiento similar se aplica a los electrones. En un semiconductor de impureza
siempre hay ms portadores de corriente de un signo que del otro. Los que predominan son
llamados portadores mayoritarios; los otros son portadores minoritarios. En materiales tipo
n los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
En materiales tipo p ocurre lo opuesto.
Qu ocurre si se aplica una diferencia de potencial \ (gura 23(c)) tal que la terminal
positiva de la fuente de voltaje est conectada al semiconductor tipo p y la terminal negativa
al tipo n? La altura de la barrera de potencial disminuye lo cual incrementa la corriente
1
1
. Hay una gran fuente de huecos en el lado p de modo que la corriente 1
1
rpidamente se
incrementa cuando as lo hace el voltaje. La corriente 1 = 1
1
1
2
es como se muestra en la
gura 24 (Note que 1
2
no se afecta mucho por la aplicacin de \ ). Tal arreglo es llamado
una unin p-n polarizada directa.
Considere el caso opuesto (gura 23(d)). Esto es, suponga que se conecta la terminal
negativa al tipo p y la terminal positiva al tipo n. Esto incrementara la diferencia de
potencial a travs de la unin, lo cual causara la reduccin de la corriente 1
1
(debido a que
no muchos huecos del lado p podran ir al lado n), mientras que la corriente 1
2
no cambiara.
La unin n-p en estas situaciones es llamada unin p-n polarizada inversa.
La grca de 1(= 1
1
1
2
) -esto es, la corriente neta a travs de la unin p-n versus el
voltaje aplicado \ (ver gura 24)- indica que el ujo de corriente es favorecido en la direccin
p a n. Esto signica que se puede usar una unin p-n como un recticador, justo igual que
un diodo o triodo de tubo de vaco. La unin p-n tiene la ventaja de que usa mucho menos
energa.
27
Figura 24
b) Transistor unin. El transistor unin es equivalente a un diodo de tubo de vaco.
Consiste de un trozo sencillo de semiconductor en el cual, si la porcin central tiene con-
ductividad tipo p, las otras dos partes tienen tipo n, y viceversa. La regin central es muy
delgada (aproximadamente unas pocas milsimas de pulgada) tal que los electrones que
cruzan una unin se encuentran a s mismos en el otro lado. El transistor unin resultante es
ya sea n-p-n p-n-p. Se puede pensar tambin un transistor unin como una combinacin
de dos uniones p-n.
La gura 25(a) muestra un transistor n-p-n. Hay muchas formas en la cual se puede
usar en un circuito electrnico. La gura 25(b) muestra el transistor n-p-n usado como un
amplicador. Es obvio qe la unin de la izquierda es polarizada directa y la de la derecha
es polarizada inversa. La porcin central es la base, la porcin izquierda es el emisor y la
porcin derecha es el colector. Un circuito de este tipo es llamado una operacin base-comn.
28
Figura 25
Cuando ambas regiones en una unin p-n son altamente dopadas -es decir, tienen grandes
cantidades de impurezas- el mecanismo es llamado un diodo tnel. Cuando un transistor
unin no tiene portadores minoritarios y su operacin depende slo de los portadores may-
oritarios, el mecanismo es llamado un transistor de efecto de campo (FET).
Superconductividad
De la evidencia experimental se sabe que la resistividad de un metal disminuye con la
temperatura. La razn es que al disminuir la temperatura las amplitudes de vibracin de los
tomos tambin disminuyen, lo cual incrementa la trayectoria libre media de los electrones.
Esto disminuye la resistividad o incrementa la conductividad del metal. Sin embargo, se
ha encontrado que en la vecindad de 4
0
K muchos metales exhiben una conductividad anor-
malmente alta. Este es el estado superconductor y a esta propiedad se le conoce como
superconductividad.
Este fenmeno fue descubierto por Kamerlingh Onnes, en 1911, cuando meda la resis-
tividad del mercurio a bajas temperaturas. Es obvio de los resultados (gura 26) que la
resistencia del mercurio cae muy abruptamente a casi cero abajo de los 4.2
0
K. Experimentos
posteriores probaron que no slo los metales, sino tambin conductores pobres como plomo
e indio, exhiben superconductividad a bajas temperaturas.
29
Figura 26
La Tabla 2 enlista la temperatura crtica 1
c
para algunos elementos y compuestos. Abajo
de su temperatura crtica un material viene a ser superconductor.
Elemento 1
c
,
0
K Compuesto 1
c
,
0
K
Tungsteno 0.01 ZrAl
2
0.30
Cadmio 0.56 AuBe 2.64
Aluminio 1.19 NiBi 4.25
Estao 3.75 Nb
2
Al 17.5
Mercurio 4.15 Nb
2
18.05
Lantano 6.00 Nb
3
Al
0:8
Ge
0:2
20.05
Plomo 7.22 MgB
2
39
Tecnecio 7.92 ~ 8.22 YBa
2
Cu
3
O
7
90
Niobio 9.46 Hg
:8
Tl
:2
Ba
2
Ca
2
Cu
3
O
8:33
138
Tabla 2. Temperaturas de Transicin de algunos elementos y compuestos superconductores
Adems de la propiedad de superconduccin -la cual puede tambin considerarse como
una desaparicin de la resistividad por abajo de la temperatura crtica- hay otra propiedad
importante de un material en el estado superconductor: la exclusin de ujo magntico o
efecto Meissner.
Supongamos que enfriamos un superconductor por abajo de su temperatura crtica y
luego lo colocamos en un campo magntico. El campo magntico no puede existir dentro del
conductor y de aqu que el ujo magntico se expulsa del interior del superconductor (gura
27).
Figura 27
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Cuando un material est en un estado superconductor, es tambin perfectamente dia-
magntico. De acuerdo a la ley de Lenz, la corriente inducida en el superconductor es de
tal magnitud que todo el ujo es completamente expulsado del interior del superconductor.
Esto es, dentro del superconductor 1 = 0 a 1 < 1
c
.
Esta propiedad tiene una aplicacin muy interesante al caso de un anillo superconductor.
En la gura 28(a) se muestra un conductor ordinario a baja temperatura y en la gura
28(b) se muestra un superconductor a baja temperatura, ambos bajo la inuencia de un
campo magntico. Cuando un anillo hecho de material superconductor se coloca en un
campo magntico a 1 1
c
, las lneas de fuerza pueden pasar a travs del anillo. Ahora
supongamos que bajamos la temperatura del anillo por abajo de 1
c
. Entonces las lneas de
fuerza no pueden pasar a travs de la seccin transversal del anillo, pero an hay lneas de
fuerza que pasan a travs del hueco, como se muestra en la gura.
Ahora supongamos que se apaga el campo. El ujo en el exterior del anillo desaparece,
pero qu ocurre al ujo en el interior del hueco del anillo? Queda atrapado debido a que no
puede pasar a travs de las paredes del superconductor. Una gran corriente es inducida en el
conductor debido al colapso del campo exterior. El colapso del campo magntico exterior al
anillo induce una gran corriente dentro del anillo mismo y esto mantiene al ujo atrapado,
como se muestra en la gura 28(b). As, si la corriente inicia en el anillo superconductor, an
cuando se apague el campo, la corriente contina uyendo indenidamente dentro del anillo,
debido a que la resistividad en el superconductor es casi cero. Por tanto, tal mecanismo no
muestra ninguna prdida. Los experimentos realizados no han sido capaces de detectar una
disminucin en la corriente an en periodos de varios aos.
La primera explicacin exitosa de la superconductividad fue dada por J. Bardeen, L.N.
Cooper y J.R. Schrieer y se conoce como la teora BCS. Es claro que existe una fuerte
interaccin electrn-red en el material superconductor a bajas temperaturas. Esta interaccin
es la que conduce a las sorprendentes caractersticas de los superconductores.
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