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Dinamica de Portadores
Dinamica de Portadores
TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL
AVELLANEDA Dispositivos Electrónicos – 2021
Física de semiconductores
DINAMICA DE PORTADORES
Contenido:
Lectura recomendada:
Tremosa, Cap. 2, §§2.9, 2.10 – Cap. 5
Selva, Cap. 2 – Cap. 3
Dinámica de portadores 2
Preguntas clave
• Sufren colisiones (scattering) con los átomos de Si de la red que están vibrando.
• Interactúan electrostáticamente con los átomos dopantes cargados y entre si.
𝜆 = 𝑣"# 𝜏!
𝜏! ≅ 10$%& ~10$%' 𝑠
→ 𝜆 ≅ 1~10 𝑛𝑚
𝐹? = ±𝑞𝐸? (Coulomb)
La velocidad promedio de los portadores deja de ser cero cuando se aplica un campo
eléctrico → velocidad de arrastre
Pero → Todos los efectos de la red periódica están incluidos en el parámetro masa
eficaz =≫ solo las divergencias respecto a la periodicidad provocaran una desviación
de los portadores:
Por lo tanto, cuanto más rápido se mueva el portador → más choques realizara por
unidad de tiempo.
No es la perdida de energía en cada choque la que limita la corriente, sino los cambios aleatorios
de dirección de los miembros del grupo de portadores provocados por los procesos de dispersión.
MOVILIDAD
Dado un grupo de electrones con energía térmica similar 𝛿𝑛, con velocidad media
incremental 𝑣) (además de la térmica) → si se aplica un campo eléctrico aparecerá
una fuerza 𝐹 neta sobre el grupo.
𝑑𝑣)
𝐹. 𝛿𝑛 = 𝑚*∗ . 𝛿𝑛. + 𝛼. 𝑣) . 𝛿𝑛
𝑑𝑡
Donde:
𝐹 𝑑𝑣) 𝑣) 𝐹 𝑑𝑣) 𝑣)
= + 𝑜 = +
𝑚*∗ 𝑑𝑡 𝑚*∗ /𝛼 𝑚*∗ 𝑑𝑡 𝜏!
𝜏! ≡ 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑙𝑎𝑗𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛
𝑣) = 𝑣) (0)𝑒 $"/-!
Lo cual indica que la velocidad del grupo de portadores disminuye (o se relaja) hacia
su estado de equilibrio térmico (𝑣) = 0) con una constante de tiempo 𝜏! .
𝐹 𝑣) 𝑞𝐸 𝑣) 𝑞𝜏!
= ∴ − = → 𝑣) = − 𝐸 = −𝑣.
𝑚*∗ 𝜏! 𝑚∗ 𝜏! 𝑚*∗
Y si definimos
𝑞𝜏!
𝜇* =
𝑚*∗
→ 𝑣. = −𝜇* 𝐸
𝜏! → coincide con el tiempo libre medio al pensar en los choques de los portadores
como sucesos discretos separados por “tiempos libres” entre choques.
Esta relación lineal entre 𝑣. y 𝐸 es válida dentro de un rango amplio pero acotado:
CORRIENTE DE ARRASTRE
𝑛𝑣. 𝑑𝑡𝐴
𝑑𝑞 = −𝑞𝑛𝑣. 𝑑𝑡𝐴
𝑑𝑞
→ 𝐼 = = −𝑞𝑛𝑣. 𝐴 Intensidad de corriente de arrastre
𝑑𝑡
Donde:
Entonces:
𝜎 = 𝑞Y𝑛𝜇* + 𝑝𝜇/ Z = 𝜎* + 𝜎/
1 1
𝜌= =
𝜎 𝑞Y𝑛𝜇* + 𝑝𝜇/ Z
𝐽011 = Y𝜎* + 𝜎/ Z𝐸 = 𝜎𝐸
Si tenemos una barra de semiconductor, con una tensión aplicada entre sus
extremos, se generara una corriente I:
𝐼 𝑉
𝐽= y sabemos que: 𝐸=
𝐴 𝐿
𝐼 𝑉 𝐿 𝐿
=𝜎 o, 𝑉=^ _ 𝐼 = ^𝜌 _ 𝐼 = 𝐼𝑅
𝐴 𝐿 𝜎𝐴 𝐴
𝐿 𝐿
𝑅= =𝜌 Resistencia
𝜎𝐴 𝐴
• En un semiconductor tipo n:
1
𝜌* ≅
𝑞𝑁. 𝜇*
• En un semiconductor tipo p:
1
𝜌/ ≅
𝑞𝑁0 𝜇/
Para Si a 300K:
3. Difusión de portadores
Dirección de difusión
Elementos de la Difusión:
Para electrones:
𝑑𝑛
𝐹* = −𝐷*
𝑑𝑥
Para lagunas:
𝑑𝑝
𝐹/ = −𝐷/
𝑑𝑥
𝐷 está limitada por las vibraciones de los átomos de Si de la red y de los dopantes
ionizados.
Densidad de corriente de difusión ≡ carga x número de partículas cruzando un área por unidad
de tiempo
3)4 𝑑𝑛
𝐽* = 𝑞𝐷*
𝑑𝑥
3)4 𝑑𝑝
𝐽/ = −𝑞𝐷/
𝑑𝑥
-!
Después de un tiempo 2
debido a su movimiento aleatorio, se tiene que:
• la mitad de las lagunas de la región izquierda habrán atravesado el plano de
referencia en 𝑎
• la mitad de las lagunas de la región derecha habrán atravesado el plano de
referencia en 𝑎
𝐼 1 ∆𝑝𝐴𝜆!
= e𝑝(𝑎)𝐴𝜆! + g
2 2 2
Donde,
𝐼 1 𝜆2! 𝑑𝑝
→ = h𝑝(𝑎)𝐴𝜆! − 𝐴i
2 2 2 𝑑𝑥
-
Entonces, como el tiempo involucrado es 2!, el flujo de lagunas por unidad de
tiempo y unidad de área será que atraviesa el plano en 𝑎 de izquierda a derecha será:
1 𝜆2! 𝑑𝑝
𝐹6 = h𝑝(𝑎)𝜆! − i
𝜏! 2 𝑑𝑥
1 𝜆2! 𝑑𝑝
𝐹3 = h𝑝(𝑎)𝜆! + i
𝜏! 2 𝑑𝑥
𝜆2! 𝑑𝑝
𝐹6 − 𝐹3 = −
𝜏! 𝑑𝑥
𝜆2!
=≫ 𝐷/ =
𝜏!
RELACION DE EINSTEIN
Tenemos que:
2
𝜆2! 𝑣"#
𝐷*,/ = =
𝜏! 𝜏!
y
𝑞𝜏!
𝜇*,/ = ∗
𝑚*,/
1 ∗ 2 1
𝑚*,/ 𝑣"# = 𝑘𝑇
2 2
5
Donde, 𝑣"# = -! es la velocidad de agitación térmica
!
𝐷*,/ 1 ∗ 2 𝑘𝑇
= 𝑚*,/ 𝑣"# =
𝜇*,/ 𝑞 𝑞
𝑘𝑇
𝐷*,/ = ^ _ 𝜇*,/ 𝑅𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝐸𝑖𝑛𝑠𝑡𝑒𝑖𝑛
𝑞
𝑘𝑇
≡ tiene unidades de tensión y se llama “Voltaje Térmico”, 𝑉"# :
𝑞
𝑘𝑇
𝑉"# = ≅ 25 𝑚𝑉 𝑎 300𝐾
𝑞
.)4 𝑑𝑛
𝐽* = 𝐽*011 + 𝐽* = 𝑞𝑛𝜇* 𝐸 + 𝑞𝐷*
𝑑𝑥
.)4 𝑑𝑝
𝐽/ = 𝐽/011 + 𝐽/ = 𝑞𝑝𝜇/ 𝐸 − 𝑞𝐷/
𝑑𝑥
Entonces,
𝐽"8"09 = 𝐽* + 𝐽/
• Excitación óptica
• Polarización en directa de una juntura p-n
Se crean nuevos pares (en exceso) electrón-laguna que se suman a los de equilibrio
térmico =≫
𝑛: = 𝑛 − 𝑛8
𝑝: = 𝑝 − 𝑝8
Además,
𝑛: = 𝑝 :
“La mayoría de los casos de inyección de portadores minoritarios son procesos de inyección de pares”
Donde,
𝑛 = 𝑛8 + 𝑛:
𝑝 = 𝑝8 + 𝑝:
Entonces,
Pero,
Esto nos indica que el mayor número de recombinaciones se da entre los excesos de portadores
inyectados del tipo minoritario con los mayoritarios del estado de equilibrio.
𝑑𝑝 𝑝: 𝑝 − 𝑝8 1
− = = 𝜏/ =
𝑑𝑡 𝜏/ 𝜏/ 𝑟(𝑇)𝑛8
𝑑𝑛 𝑛: 𝑛 − 𝑛8 1
− = = 𝜏* =
𝑑𝑡 𝜏* 𝜏* 𝑟(𝑇)𝑝8
𝜏*,/ ≅ 0,1~1000𝜇𝑠
5. Ecuación de continuidad
La dinámica de electrones y lagunas en un semiconductor puede darse por:
Ahora consideraremos el efecto de todos los procesos actuando juntos dentro del
material semiconductor → la ecuación que lo representa se llama ecuación de
continuidad. Expresa la conservación de la carga eléctrica.
• El semiconductor es extrínseco, 𝑛8 ≫ 𝑝8 o 𝑝8 ≫ 𝑛8
• Inyección débil: Los excesos inyectados son muy inferiores a los mayoritarios
Analizamos para lagunas:
Entonces,
𝜕𝑝 𝐽/ (𝑥)𝐴 𝐽/ (𝑥 + ∆𝑥)𝐴
𝐴∆𝑥 = − + 𝐺. 𝐴∆𝑥 − 𝑅(𝑛, 𝑝). 𝐴∆𝑥
𝜕𝑡 𝑞 𝑞
𝜕𝑝 1 𝐽/ (𝑥) − 𝐽/ (𝑥 + ∆𝑥)
= h i + 𝐺 − 𝑅(𝑛, 𝑝)
𝜕𝑡 𝑞 ∆𝑥
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽/
=− + 𝐺 − 𝑅(𝑛, 𝑝) Ec. de continuidad para lagunas
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥
además,
𝑝 − 𝑝8 𝑝:
𝑅(𝑛, 𝑝) − 𝐺"# = = 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜏/ 𝜏/
𝑛 − 𝑛8 𝑛:
𝑅(𝑛, 𝑝) − 𝐺"# = = 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜏* 𝜏*
entonces,
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽/ 𝑝 − 𝑝8
=− +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏/
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽* 𝑛−𝑛
= +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏*
𝑑𝑝
𝐽/ = 𝑞𝑝𝜇/ 𝐸 − 𝑞𝐷/
𝑑𝑥
𝑑𝑛
𝐽* = 𝑞𝑛𝜇* 𝐸 + 𝑞𝐷*
𝑑𝑥
nos queda,
𝜕𝑝 𝜕𝐸 𝜕𝑝 𝜕2𝑝 𝑝 − 𝑝8
= −𝜇/ 𝑝 − 𝜇/ 𝐸 + 𝐷/ 2 + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏/
𝜕𝑛 𝜕𝐸 𝜕𝑛 𝜕2𝑛 𝑛 − 𝑛8
= 𝜇* 𝑛 + 𝜇* 𝐸 + 𝐷* 2 + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏*
𝜕𝑝 𝑝 − 𝑝8
= 𝑔(𝐿) −
𝜕𝑡 𝜏/
Como 𝑝 = 𝑝8 + 𝑝: y 𝑑𝑝 = 𝑑𝑝: =≫
𝜕𝑝: 𝑝:
= 𝑔(𝐿) −
𝜕𝑡 𝜏/
</" /"
Para 𝑡 = ∞ → <"
= 0 =≫ 𝑔(𝐿) = -
#
(condición de equilibrio 𝐺 = 𝑅)
"
$-
:
𝑝 (𝑡) = 𝑔(𝐿)𝜏/ y1 − 𝑒 # z
𝜕𝑝: 𝑝:
= −
𝜕𝑡 𝜏/
Su solución es:
"
$-
: :
𝑝 (𝑡) = 𝑝 (0)𝑒 #
Pulso de luz:
Los excesos se difunden hacia la derecha creando una corriente de difusión. Se crean
en la superficie, penetran por difusión en el material y finalmente se destruyen por
recombinación.
</
En el estado estacionario, la distribución de portadores NO varia con el tiempo <" =
0 en todos los puntos de la barra =≫ la ecuación de continuidad queda:
𝜕 2 𝑝: 𝑝: 𝜕 2 𝑝: 𝑝:
0 = 𝐷/ − =≫ 2 − = 0
𝜕𝑥 2 𝜏/ 𝜕𝑥 𝐷/ 𝜏/
; ;
$
:( =# =#
𝑝 𝑥) = 𝐶% 𝑒 + 𝐶2 𝑒
𝑊−𝑥
sinh ^ 𝐿 _
/
𝑝: (𝑥) = 𝑝: (0) • †
𝑊
sinh ^𝐿 _
/
C. Experimento de Haynes-Shockley
CIRCUITO DE MEDICION
Generador
de pulsos Batería de colector
hf
Sync
“emisor” “colector”
+ + +
tipo n
+ + + Osciloscopio
x=0 l x=d
V
Batería de barrido
;$ "
𝑁 ?$&3 "$- @
𝑝: (𝑥, 𝑡) = 𝑒 # #
|4𝜋𝐷/ 𝑡
|4𝜋𝐷/ 𝑡
𝑙 𝑣F 𝑉
𝑣F = ; 𝜇/ = 𝑦 𝐸 = =≫
∆𝑡 𝐸 𝐿
𝑣F 𝑙. 𝐿
𝜇/ = =
𝐸 ∆𝑡. 𝑉
∆𝑡 = 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑡𝑜
Resumen
𝐽011 ∝ 𝐸
• Corriente de difusión: producida por un gradiente de concentración.
𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽.)4 ∝ ,
𝑑𝑥 𝑑𝑥
• Los portadores se mueven rápido en respuesta a campos eléctricos y a
gradientes.
• Los dispositivos semiconductores modernos tienen la capacidad de controlar
las corrientes de arrastre y/o difusión.
• La recombinación neta de los portadores minoritarios en exceso inyectados
es:
𝑝: 𝑛:
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺"# = 𝑜 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺"# =
𝜏/ 𝜏*
• La ecuación de continuidad representa la respuesta de un semiconductor ante
la perturbación e su estado de equilibrio:
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽/ 𝑝:
=− + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏/
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽* 𝑛:
= + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏*