Laboratorio 1 Informe ANALOGICA 2

ELECTRÓNICA ANALOGICA 2
ESCUELA MILITAR DE INGENIERIA

“MCAL. ANTONIO JOSÉ DE SUCRE”
U.A. COCHABAMBA
LAB N°1 – Polarización Y

Amplificación con FET
 NOMBRE:
Código
Borda Quintanilla Emily Nicol C9683-0
Peralta Padilla Hugo Andrés C9794-2
Tte. Cab. Torrico Cuellar Carlos A. A12739-6
 CARRERA: Sistemas Electrónicos

 MATERIA: Electrónica Analógica 2
 DOCENTE: Ing. David Alberto Terrazas Armendia
 SEMESTRE: Quinto
 CURSO: Segundo año
CBBA – BOLIVIA
1. OBJETIVOS
1.1. OBJETIVO GENERAL
Conocer el componente FET de canal n en laboratorio, tanto en polarización como
en amplificación.
1.2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Identificar los terminales del FET.
 Polarizar los diferentes circuitos del FET.
 Amplificar los diferentes circuitos del FET.
2. MARCO TEÓRICO
TRANSISTORES FET
El FET o transistor de efecto de campo, tiene ese nombre por lo siguiente, todos
sabemos de la capacidad de un imán para atraer las limaduras de metal hacia sí
mismo sin requerir un contacto real. El campo magnético del imán envuelve las
limaduras y las atrae hacia el imán porque las líneas de flujo magnético actúan hasta
donde es posible como un cortocircuito. Para el FET las cargas presentes
establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito de
salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las
controladas. Cuando se introduce un dispositivo con muchas aplicaciones
semejantes al que se introdujo, hay una tendencia natural a comparar algunas de
las características generales de uno con las del otro: Uno de las características más
importantes del FET es su alta impedancia de entrada. A un nivel de 1 M a varios
cientos de megaohms excede por mucho los niveles de resistencia de entrada
típicos de las configuraciones del transistor BJT, lo que es una característica muy
importante en el diseño de amplificadores de ca lineales. Por otra parte, el transistor
BJT es mucho más sensible a los cambios de la señal aplicada. Dicho de otro modo,
la variación de la corriente de entrada, en general, es mucho mayor para los BJT
que para los FET con el mismo cambio del voltaje aplicado. Por esta razón: Las
ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores
que para los FET. En general: Los FET son más estables a la temperatura que los
BJT, y en general son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente
útiles en chips de circuitos integrados (CI).
Se presentan 3 tipos de FET, JFET, MOSFET y MESFET, sin embargo, solo nos
importara saber sobre el JFET.
CONSTRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS FET

La construcción básica del FET se muestra en la siguiente figura:
Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el

canal entre las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n
está conectada mediante un contacto óhmico a un material conocido como drenaje
(D), en tanto que el extremo inferior del mismo material está conectado mediante un
contacto óhmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo
p están conectados entre sí y a la terminal de compuerta (G). En esencia, por
consiguiente, el drenaje y la fuente están conectados a los extremos del canal tipo
n y la compuerta a las dos capas de material tipo p.
En condiciones sin polarización, el resultado es una región de empobrecimiento en

cada termina, una región de empobrecimiento, no contiene portadores libres por lo
tanto en incapaz de conducir.
VGs es = 0 y VDs es > 0

En este caso aplicamos un voltaje positivo de VDs, a través del canal, y la
compuerta(GATE) está conectada directamente a la fuente para establecer la
condición VGs = 0, el resultado será una compuerta y una fuente al mismo potencial
y una región de empobrecimiento en el extremo bajo de cada material P, cuando
aplicamos VDs el flujo de electrones se acerca al drenador y asi se establece la
corriente convencional ID.
Si suponemos una resistencia uniforme en el canal n, decimos que la corriente ID

establecerá los niveles de voltaje a lo largo del canal, así de esta forma los
extremos superiores del material p se polarizaran en inversa a 1.5V y los inferiores
a solo 0.5V, recordando el análisis de operación de un diodo, cuanto más grande
es la polarización en inversa más ancha es la región de empobrecimiento, esto
provoca una corriente de 0A en la compuerta es decir IG = 0A.
Conforme el VDs vaya incrementándose de 0 a algunos voltios, la corriente ID

también lo hará, la pendiente constante relativa de la gráfica revela que en la región
de valores bajos de VDS, la resistencia en esencia es constante. A medida que VDS
se incrementa y se aproxima un nivel conocido como Vp, las regiones de
empobrecimiento se ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal. La
ruta reducida de conducción hace que la resistencia se incremente, y ocurra la curva
siguiente. Cuanto más horizontal sea la curva, más alta será la resistencia, lo que
indica que la resistencia se está acercando a un valor “infinito” de ohms en la región
horizontal. Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones
de empobrecimiento “se tocarán”, se originará un voltaje de estrangulamiento
denotado como Vp.
SIMBOLOGIA DEL FET CANAL N Y P
ECUACION DE SHOCKLEY
En el JFET no existe una relación lineal entre las cantidades de salida y entrada,
por eso utilizamos la ecuación de shockley.
Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no se

ven afectadas por la red en la cual se emplea el dispositivo.
Encontramos las siguientes relaciones resumidas:
Haciendo una tabla de resumen, de las aplicaciones de la ecuación de shockley:
Por ultimo tenemos unas relaciones importantes:

FET EN POLARIZACION
El objetivo de la polarización en el FET, es el mismo que en el BJT, no es más que
establecer el punto Q, en la región de operación esto para tener una buena
estabilidad, para el caso de los FET es mejor utilizar técnicas gráficas para su
polarización, con un error aproximado de décimas, pero será más rápido.
POLARIZACION FIJA
Esta es la polarización más sencilla para los JFET
Esta polarización se designa “fija” debido a que la fuente VGG, es fija y realizando
un análisis por Kirchhoff encontramos que VGS es directamente inversa a VGG, es
decir:
La ecuación de shockley controlara el nivel resultante de la corriente de drenaje ID.

Para realizar la gráfica utilizamos la tabla de resumen de la ecuación de shockley.
Para medirlo en un circuito físico, se hace de la siguiente manera:
Tenemos las siguientes ecuaciones:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
𝑉𝑆 = 0
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆
POLARIZACION POR AUTOPOLARIZACION

Esta configuración elimina la necesidad de 2 fuentes de tensión en CD, el control
de voltaje en GATE, ahora lo tiene el resistor RS, puesto en la rama de la fuente
(SOURCE).
Analizando por Kirchhoff obtendremos:
Al ser una relación entre el voltaje y la corriente de salida ID, podemos hacer un
análisis tanto grafico como matemático.
Para el método gráfico, primero definimos las características de transferencia,

posteriormente marcamos el punto VGS = 0, ID = 0.
Luego seleccionamos un valor de VGS o ID, para reemplazarlo dependiendo el

valor elegido en la ecuación correspondiente, de esta forma trazar una línea recta
y en la intersección encontrar el punto Q.
Contaremos con las siguientes ecuaciones:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷
𝑉𝐺 = 0
POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Esta configuración, es también aplicada en los BJT, y también la volveremos a ver
en los FET, el circuito será exactamente el mismo pero el análisis será totalmente
diferente.
Al igual que para los BJT lo primero que se tiene que hacer es realizar un divisor
de tensión para VG.
Aplicando Kirchhoff, obtendremos:

Para la gráfica, tomaremos en cuenta los puntos VGS = VG si ID = 0, también ID =

VG/RS si VGS = 0.
En este caso, la resistencia RS va ser lo que hará variar la posición del punto Q,
mientras más grande sea se acercara a la zona de corte y si es muy pequeña estará
en zona de saturación.
Cuenta con las siguientes ecuaciones:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
𝑅2 ∗ 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐷𝐷
𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
FET EN AMPLIFICACION
Los amplificadores con transistores FET, proporcionan una excelente ganancia de
voltaje con la ventaja adicional de que cuentan con una alta impedancia de entrada.
Estos también son configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen
intervalo de frecuencia y peso y tamaño mínimos.
Debido a la alta característica de entrada de los FET, a veces su circuito equivalente
en CA es un poco más simple que los empleados para los BJT.
Empleamos 4 pasos a seguir para el análisis en CA:
1. Polarizamos para encontrar rd y gm.
2. Corto circuitar las fuentes.
3. Corto circuitar los condensadores.
4. Redibujar el circuito y reemplazar por su modelo equivalente.
5. Encontramos Zi, Zo y Av.
MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA

El análisis de ca de una configuración del JFET requiere el desarrollo de un modelo
de ca de señal pequeña para el JFET. Un componente importante del modelo de ca
reflejará el hecho de que un voltaje de ca aplicado a las terminales de entrada de la
compuerta a la fuente controlará el nivel de corriente del drenaje a la fuente.
El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente
(canal) de un JFET.
La corriente del drenaje resultara del cambio en el voltaje de la compuerta a la
fuente, esto se determina por el factor de transconductancia.
Gráficamente lo obtenemos de la siguiente manera:

Matemáticamente hablando:
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la recta tangente
trazada en dicho punto.
El subíndice 0 en gm nos dice que esto sucede cuando VGS = 0.

Si graficamos gm VS VGS, obtendremos una línea recta o una función lineal:
Efecto de ID en gm:
En base a esta relación, tenemos lo siguiente:
Si empleamos unos términos específicos de ID tendremos:
El circuito equivalente de un JFET para el análisis en CA será el siguiente:
La flecha de la fuente apunta en esa dirección, para generar un desfasamiento de

180º entre los voltajes de salida y entrada.
CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA
Su modelo equivalente será:
Realizamos un análisis del modelo y así encontramos las siguientes ecuaciones:
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑟𝐷
𝑉𝑜
𝐴𝑉 = = −𝑔𝑚 (𝑟𝐷 ∥ 𝑅𝐷)
𝑉𝑖
Si rd >= 10RD entonces
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝐷
Δ𝑉𝐷𝑆
𝑟𝐷 =
Δ𝐼𝐷
CONFIGURACION EN AUTOPOLARIZACION, CON Rs PUENTEADO

La ventaja contra el modelo de polarización fija, es que este solo requiere de una
fuente de tensión para realizar su análisis.
Contaremos con las siguientes ecuaciones:
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑉𝑜
𝑉𝑖
Δ𝑉𝐷𝑆
𝑟𝐷 =
Δ𝐼𝐷
CONFIGURACION EN AUTOPOLARIZACION, CON Rs SIN PUENTEAR
Al no poder quitar Rs de la configuración, la dificultad es inevitable.

Tendremos las siguientes ecuaciones, las cuales se obtienen de un análisis
matemático:
𝑍𝑖 = 𝑅𝐺
𝑅𝑆
[1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + ]
𝑍𝑜 = 𝑟𝐷 𝑅
𝑅𝑆 𝑅𝐷 𝐷
[1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + ]
𝑟𝐷 + 𝑟𝐷
𝑉𝑜 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝑉 = =−
𝑉𝑖 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + 𝑟𝐷
Si rd >= 10RD entonces:

𝑅𝑠 𝑅𝐷
(1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 + )⋙
𝑟𝐷 𝑟𝐷
Si rd >= 10(RD+RS) entonces:
𝑉𝑜 𝑔𝑚𝑅𝐷
𝐴𝑉 = ≅−
𝑉𝑖 1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠
Δ𝑉𝐷𝑆
𝑟𝐷 =
Δ𝐼𝐷
CONFIGURACION DEL DIVISOR DE VOLTAJE
Establecemos las siguientes ecuaciones:
𝑍𝑖 = 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉𝑜
𝑉𝑖
Δ𝑉𝐷𝑆
𝑟𝐷 =
Δ𝐼𝐷
TABLA DE RESUMEN DE LAS AMPLIFICACIONES

3. IMPLEMENTOS DE LABORATORIO
3.1. EQUIPO
DETALLE UNIDAD CANTIDAD
COMPUTADOR CON SIMULADOR Equipo 1
SIMULADOR PROTEUS
Unidad 3

Multímetro Digital Unidad 1
Fuente de Alimentación Unidad 1
Protoboard Unidad 3
Transistores FET Unidad 3
Jumpers Unidad 10
Resistencias Unidad 10
Osciloscopio Unidad 1
3.2. REACTIVOS
No aplica.
3.3. EQUIPOS DE PROTECCIÓN PERSONAL

Guardapolvo Unidad 1
3.4. OTROS

Librería Virtual (Ref. Bibliográfica) Unidad 1
4. PROCEDIMIENTO
4.1. EJECUCIÓN EN LABORATORIO
Para la realización de este laboratorio seguimos los siguientes pasos, a
continuación, explicaremos el proceso que efectuamos para la toma de datos.
Paso 1: Arme los circuitos de la figura 1, 2 y 3.
FIGURA 1. FIGURA 2.
FIGURA 3.
Paso 2. En Proteus verificar el punto Q

Paso 3. Polarizar bien los 3 circuitos.
Paso 4. Inserte un generador de funciones a la entrada del circuito con 50 mV de
amplitud y frecuencia de 1KHz.
Paso 5. Calcular teóricamente Zi, Zo y Av.
4.2. TOMA DE DATOS

CIRCUITO 1.
SIMULACIÓN 1. POLARIZACION FIJA SIN VARIAR LA

FUENTE.
SIMULACIÓN 1. POLARIZACION FIJA VARIANDO LA FUENTE VGG.
CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ARMADO EN LABORATORIO.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA DATOS TEORICOS.

Con ayuda de nuestros datos teóricos se encontraron los siguientes valores:
VGS[V] ID[mA] VDS[mA] VS[V]

LAB -0.32 3.4 8.8 0
TEORICO -2 5.62 4.76 0
SIMULACION -0.39 3.6 8.65 0
MEDIA -0.9 4.2 7.4 0
ERRORES
Error lab 64.4% 19.04% 18.9% 0
Error teórico 99% 33.8% 35.8% 0
Error 56% 14.3% 16.7% 0
simulación
Analizando como amplificador en CA encontramos lo siguiente.
CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ANALISIS EN CA.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ANALISIS EN CA SIMULACION EN PROTEUS.
Resultados en AC
Zi [Ω] 1M
Zo [Ω] 947.34
Av [/] -1.33
CIRCUITO 1. CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA DATOS TEORICOS.

CIRCUITO 2.
SIMULACIÓN 2. AUTOPOLARIZACION SIN VARIAR RS.
SIMULACIÓN 2. AUTOPOLARIZACION VARIANDO RS.

CIRCUITO 2. AUTOPOLARIZACION ARMADO EN

LABORATORIO.
CIRCUITO 2. AUTOPOLARIZACION DATOS TEORICOS.

Con ayuda de nuestros datos teóricos se encontraron los siguientes valores:

LAB -0.55 2.56 11 0.56
TEORICO -2.25 2.25 10.325 2.25
SIMULACION -0.51 2.37 11.7 0.52
MEDIA -1.1 2.4 11 1.11
ERRORES
Error lab 50% 6.67% 0% 49%
Error teórico 99% 6.25% 5.9% 99%
Error 53.63% 1.25% 6.4% 52.72%
simulación
CIRCUITO 2. AUTOPOLARIZACION ANALISIS EN CA.

CIRCUITO 2. AUTOPOLARIZACION ANALISIS EN CA SIMULADO EN

PROTEUS.
Resultados en AC
Zi [Ω] 1M
Zo [Ω] 1.33 K
Av [/] -1.14
CIRCUITO 2. CONFIGURACION EN AUTOPOLARIZACION DATOS

TEORICOS.
CIRCUITO 3.
SIMULACIÓN 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE

TENSION SIN VARIAR R2.
SIMULACIÓN 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE

TENSION VARIANDO R2.
CIRCUITO 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

ARMADO EN LABORATORIO.
CIRCUITO 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION DATOS

TEORICOS.
Con ayuda nuestros datos teóricos se encontraron los siguientes valores:

LAB -0.52 2.33 6.95 3.43
TEORICO -1.8 2.4 6.64 3.6
SIMULACION -0.53 2.22 7.34 3.33
MEDIA -0.95 2.32 6.97 3.45
ERRORES
Error lab 45.26% 0.4% 0.3% 0.6%
Error teórico 89.5% 3.45% 4.73% 4.35%
Error 44.21% 4.31% 5.3% 3.5%
simulación
CIRCUITO 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION ANALISIS EN

CA.
CIRCUITO 3. POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION ANALISIS EN

CA SIMULACION EN PROTEUS.
Resultados en AC
Zi [Ω] 239.24 K
Zo [Ω] 4.44 K
Av [/] -6.23
CIRCUITO 3. CONFIGURACION DE POLARIZACION POR DIVISOR DE

TENSION DATOS TEORICOS.
5. CONCLUSIONES
 Se ha podido realizar el armado correcto para los diferentes circuitos con
transistores FET.
 Realizamos el análisis en polarización y amplificación para los circuitos con
FET.
 El circuito numero 1 cuenta con una desventaja y es que requiere de 2
fuentes en CD para su análisis.
 El circuito 1 cuenta con una Zi alta, una Zo media y una Av media.
 El circuito numero 2 tiene una ventaja sobre el anterior circuito y es que no
depende de 2 fuentes en CD, el control del punto Q lo tiene la resistencia
RS.
 El circuito 2 tiene una versión sencilla (Rs puenteado) y otra más
complicada (Rs sin puentear).
 El circuito 2 cuenta con una Zi alta, una Zo media y una Av media, en caso
de tener Rs sin puentear la Av se vuelve baja.
 El circuito numero 3 tiene la mejor polarización al ser muy exacto ya que el
punto Q normalmente siempre queda en la zona activa o de trabajo.
 El circuito 3 cuenta con una Zi alta, una Zo media y una Av media.
 De este modo, pudimos observar los circuitos tanto en laboratorio como en
simulación por PROTEUS.
 A partir del análisis precedente, decimos que gm está determinado por la
relación del cambio de la corriente de drenaje esto asociado a un cambio
particular del voltaje de gate a source.
 En relación a la práctica realizada de amplificación, la configuración de PF
amplifica la señal, sin embargo, es probable que las características del
transistor afecten a la señal de salida, al igual que también los
condensadores.
 En la configuración de Autopolarizacion, no encontramos ninguna
anormalidad al momento de realizar la práctica, amplifica correctamente.
 La configuración de PDV, nos da una onda de salida sin desfase, esto
quiere decir que la onda de entrada como la onda de salida se encuentran
en fase, esto puede ser debido a distintos factores, como la condición
interna del transistor, sus características de entrada y salida, así como
también los condensadores.
 Acompañando al aprendizaje en clases, decimos que cuanto más
horizontales son las curvas de características del drenaje, mayor es la
impedancia de salida.
 Como se ha podido observar, obtuvimos medidas de tensiones y corrientes.
 De esta manera, pudimos encontrar el punto Q para todos los circuitos en
sus diferentes polarizaciones.
 Así también, añadiendo capacitores a la entrada y salida para observar el

funcionamiento como amplificador en el osciloscopio.
 En virtud de la practica realizada, pudimos comprobar que al variar la fuente
de tensión VGG en polarización fija a valores más bajos VGS es la mitad
que VDD.
 Para terminar, el signo negativo en la Av siempre nos indica un desfase de
180º entre la tensión de entrada y salida.
6. RECOMENDACIONES
 Revisar muy bien el circuito, asegurándonos de que tenga buenas
conexiones.
 Para realizar el circuito debemos tratar de hacerlo idéntico al circuito de la
guía de laboratorio, para poder analizarlo de una mejor manera.
 Consultar todo tipo de dudas al docente, para evitar accidentes en
laboratorio.
 Tener transistores de repuesto en caso de quemar el componente.
 Realizar los cálculos 2 a 3 veces para evitar fallas al momento de
seleccionar los componentes.
 Reconocer bien los pines del transistor, verificando con el datasheet para
evitar problemas al momento de realizar medidas.
7. BIBLIOGRAFIA
 https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html
 file:///C:/Users/Hugo/Desktop/Analogica%20II/Electrónica%20teoría%20de
%20circuitos%20y%20dispositivos%20electrónicos,%2010m%20Edición-
FREELIBROS.COM.pdf
8. ANEXOS

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ELECTRÓNICA ANALOGICA 2

ESCUELA MILITAR DE INGENIERIA

LAB N°1 – Polarización Y

 CARRERA: Sistemas Electrónicos

CONSTRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS FET

Observe que la parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el

En condiciones sin polarización, el resultado es una región de empobrecimiento en

VGs es = 0 y VDs es > 0

Si suponemos una resistencia uniforme en el canal n, decimos que la corriente ID

Conforme el VDs vaya incrementándose de 0 a algunos voltios, la corriente ID

SIMBOLOGIA DEL FET CANAL N Y P

Las características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no se

Encontramos las siguientes relaciones resumidas:

Haciendo una tabla de resumen, de las aplicaciones de la ecuación de shockley:

Por ultimo tenemos unas relaciones importantes:

La ecuación de shockley controlara el nivel resultante de la corriente de drenaje ID.

Para medirlo en un circuito físico, se hace de la siguiente manera:

Tenemos las siguientes ecuaciones:

POLARIZACION POR AUTOPOLARIZACION

Analizando por Kirchhoff obtendremos:

Para el método gráfico, primero definimos las características de transferencia,

Luego seleccionamos un valor de VGS o ID, para reemplazarlo dependiendo el

Contaremos con las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Aplicando Kirchhoff, obtendremos:

Para la gráfica, tomaremos en cuenta los puntos VGS = VG si ID = 0, también ID =

Cuenta con las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )

MODELO DEL JFET DE SEÑAL PEQUEÑA

Gráficamente lo obtenemos de la siguiente manera:

El subíndice 0 en gm nos dice que esto sucede cuando VGS = 0.

En base a esta relación, tenemos lo siguiente:

Si empleamos unos términos específicos de ID tendremos:

El circuito equivalente de un JFET para el análisis en CA será el siguiente:

La flecha de la fuente apunta en esa dirección, para generar un desfasamiento de

CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA

Su modelo equivalente será:

Realizamos un análisis del modelo y así encontramos las siguientes ecuaciones:

CONFIGURACION EN AUTOPOLARIZACION, CON Rs PUENTEADO

Su modelo equivalente será:

Contaremos con las siguientes ecuaciones:

CONFIGURACION EN AUTOPOLARIZACION, CON Rs SIN PUENTEAR

Al no poder quitar Rs de la configuración, la dificultad es inevitable.

Si rd >= 10RD entonces:

CONFIGURACION DEL DIVISOR DE VOLTAJE

Su modelo equivalente será:

Establecemos las siguientes ecuaciones:

TABLA DE RESUMEN DE LAS AMPLIFICACIONES

DETALLE UNIDAD CANTIDAD

DETALLE UNIDAD CANTIDAD

DETALLE UNIDAD CANTIDAD

Paso 2. En Proteus verificar el punto Q

4.2. TOMA DE DATOS

SIMULACIÓN 1. POLARIZACION FIJA SIN VARIAR LA

SIMULACIÓN 1. POLARIZACION FIJA VARIANDO LA FUENTE VGG.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ARMADO EN LABORATORIO.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA DATOS TEORICOS.

Con ayuda de nuestros datos teóricos se encontraron los siguientes valores:

VGS[V] ID[mA] VDS[mA] VS[V]

Analizando como amplificador en CA encontramos lo siguiente.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ANALISIS EN CA.

CIRCUITO 1. POLARIZACION FIJA ANALISIS EN CA SIMULACION EN PROTEUS.