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Electronica Comportamiento de Un Amplificador Emisor - Común
Electronica Comportamiento de Un Amplificador Emisor - Común
NÚCLEO DE ANZOÁTEGUI
ESCUELA DE INGENIERÍA Y CIENCIAS APLICADAS
DEPARTAMENTO DE COMPUTACIÓN Y SISTEMAS
ELECTRÓNICA
CÓDIGO: 0723533
Comportamiento de un Amplificador
Emisor – Común
Profesora: Bachiller:
C.I: 27.181.660
R1= 3,3kΩ, R2= 18kΩ, RE= 200Ω, RC= 675Ω → Resistencias del circuito de
polarización
Los condensadores se comportan como un circuito abierto ante la aplicación de una señal
de c.c. y como un corto circuito ante la aplicación de una señal de c.a.
Para saber si el transistor esta en zona activa, debemos buscar los valores de: VCE e IC.
II
Malla I: Entrada
En el circuito equivalente podemos aplicar divisor de voltaje para hallar I’, ya que vamos
considerando a IB≈0 y poder resolver la malla de entrada:
V
R 1+ R 2
I’=
12
I’= =0.56 mA
3,3+18
Sustituyendo en Malla I:
1,85−0,7
IC = =0.006 A=6 mA ICQ
200
Consideraremos que:
En este circuito la salida del transistor (v ce) es equivalente a la salida del amplificador (VL)
VL = vce
VCE = VCEQ + vce. Donde VCEQ es el valor de VCE obtenido en el análisis de c.c. y vce es la
componente de c.a.
La corriente total que existe a través del colector (I C) está dada por: IC = ICQ + ic. Donde ICQ
es el valor obtenido en el análisis de c.c. e ic es c.a.
Con las ecuaciones de IC y VCE total, podemos obtener la ecuación de recta de carga a.c:
IC = ICQ + ic ic = IC + ICQ
VCE = VCEQ - (IC + ICQ)*(RC||RL) tenemos así la ecuación de la recta de carga a.c.
Ahora buscaría los cortes con los ejes que me servirán para realizar las gráficas que me
permitirán obtener la forma de onda de la señal de salida del BJT
Vcc 12
Para VCE = 0 IC = = =0,014 A=14 mA
Rc + ℜ 675+200
675∗10000
Para IC = 0 VCE = 6,75 + 0,006 * ( ) = 6,75 + 0,006 * 632,32 = 10,54 V
675+10000
Vcc 6,75
Para VCE = 0 Ic = + ICQ = + 0,006 = 0,017 A = 17 mA
R C∨¿ ℜ 632,32
Nos restaría encontrar el V CEsat, para proceder a graficar. Este se puede hallar desde la
siguiente ecuación:
La ubicación del punto Q con respecto a los valores V CE y VCEsat determina la magnitud
pico de la señal de salida VL, vLp = vcep
mA
ICQ
VCEQ Voltios
VL
Av =
Vi
Como hasta ahora desconocemos los valores de entrada y salida del amplificador,
analizaremos el circuito utilizando un modelo de señal BJT, el cual es equivalente al
transistor BJT:
El transistor utilizado en este estudio es el 2N3904 el cual es uno de los más comunes
transistores NPN generalmente usado para amplificación. El cual según la investigación
realizada tiene las siguientes características:
25 mv 25 mV
re’= re’= = 4,17 Ω
Ic 6 mA
3,3∗18 0,675∗10
ri = = 2,79 kΩ rc= = 0,63 kΩ
3,3+18 0,675+10
Tenemos así:
Dónde:
ib: Corriente de entrada
Desde este punto podemos obtener la ganancia de voltaje del amplificador transistorizado.
−vo
La cual se expresa como Av= esta configuración tiene la particularidad que la señal de
vi
voltaje de salida se amplifica y se desfasa unos 180° con respecto a la señal de voltaje de
entrada.
Como desconocemos vo y vi, desde el esquema del circuito podemos ver que:
vi = ic*rc y vo = ib*βre’
ic∗rc ic
Y tenemos que: Av=- sabiendo que β=
ib∗βre ’ ib
β∗rc rc 0,63
Quedaría: Av= =- =- = - 151,1
βre ’ ℜ’ 0.00417
Esto nos indica que la señal de salida es 151,1 veces más amplia que la señal de entrada.
Con un desfase de 180º.
Tomando en cuenta el valor de β del transistor, realizaremos una tabla con los valores de:
VCEQ, VBEQ, VBQ, VEQ, VCQ, IBQ, ICQ, IEQ, VLpp, VEpp y Av. De estos ya tenemos los valores de:
ICQ ≈ IEQ = 6mA VCEQ = 6,75 V VBEQ = 0,7 V (Silicio)
Ic Ic 6
Para hallar IBQ partimos de: β = IBQ = = = 0,06 mA
IB β 100
Luego para encontrar los valores de VBQ, VEQ, VCQ, los cuales los medimos con respecto a la
tierra.
Luego decimos que VEQ = VBQ – VBEQ VEQ = 1,85 – 0,7 = 1,15 V
Para hallar VCQ podemos decir que: VCQ = -Ic*Rc + 12V VCQ = 7,9V
vce = VL= VCE – VCEQ = 10,54 – 6,75 = 3,79 V Entonces VLpp = 2 * 3,79 = 7,58 V
Vo 3,79
Vi= Vo= 3,79 V Vi = =25.08mV Vipp= 50.16 mV
Av 151,1
Para efectos de la simulación se toma Vi como una señal senoidal de 0,5 Vp y 10 kHz. En
la siguiente imagen muestra los valores obtenidos en la simulación de V BQ = 1,76 V, VCQ =
8,43 V, VEQ = 1,06 V IB = 36,73 µA ≈ 0,4 mA
Vlpp = 2*2,5 = 5 V
Vepp en la simulación: 1.51 V – 0.51V= 1V
ICQ 6 mA 5,30 mA
β 100 100
Vipp 50.16 mV 1V
VLpp 7,58 V 5V
VEpp 0 1V
AV 151,1 5
Conclusiones del estudio
Todos los amplificadores de señales buscan que la señal de salida se amplifique sin
poseer ninguna interferencia de ruido, por lo tanto es importante configurar bien el punto Q
del transistor que depende de la corriente del colector y el voltaje colector-emisor. Para que
una señal esa amplificada tenga que ser una señal de corriente alterna. No tiene sentido
amplificar una señal de corriente continua, porque esta no lleva ninguna información. En un
amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes: la corriente alterna
y la corriente continua.
Como pudimos observar durante los cálculos teóricos en este amplificador existe un
máximo desplazamiento simétrico, por lo cual se tiene una máxima señal de salida Este
estudio ha permitido conocer las características del transistor utilizado. Como también
entender cómo logra funcionar el amplificador gracias a la combinación de los elementos
necesarios para formar dicho circuito. Esta configuración tiene la particularidad que la señal
de voltaje de salida se amplifica y se desfasa unos 180° con respecto a la señal de voltaje de
entrada.
Observando los resultados de los cálculos tenemos que existe una señal de salida 151,1
veces más amplia que la señal de entrada. Por otro lado a través de la simulación la ganancia
de voltaje fue de 5, lo que indica que la entrada de 0,5 v fue ampliada unas 5 veces su valor.
Recordando que esta configuración tiene la particularidad que la señal de voltaje de salida se
amplifica y se desfasa unos 180° con respecto a la señal de voltaje de entrada. También se
observa como el valor de Voltaje del emisor (Ve) = 0. Pues al hacer el análisis de corriente y
estar en paralelo con el condensador CE se convierte en cortocircuito.
Finalizado el estudio se observa que existe cierta diferencia entre los valores de la
simulacion con los obtenidos a traves de los calculos teoricos, mas sin embargo estos
resultados son bastante aproximados, lo cual no es una diferencia considerable.
Anexo