有機EL素子の基礎およびその作製技術材料科学の基礎 1

Material Matters Basics
Vol. 1, No. 1
EL
EL
EL
EL
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EL
EL
1 EL
1,2 3
1
E-mailyahiro@isit.or.jp
2
E-mailyahiro@cstf.kyushu-u.ac.jp
3
E-mailadachi@cstf.kyushu-u.ac.jp
1 EL .............................................................................. 2
1-1 ..................................................................... 2
1-2 EL -1- ............................................ 3
1-3 EL -2- ............................................ 3
2 EL .......................................... 5
2-1 EL ......................................................... 5
2-2 EL ......................................................... 6
2-2-1 EL ................................ 6
2-2-2 EL ......................... 6
3 EL ............................................................ 8
3-1 .......................................................... 8
3-2ITO .................................................... 8
3-2-1ITO ................................................. 8
3-2-2 .............................................................. 9
3-3 EL ........................ 9
3-3-1 ....................................................... 9
3-3-2 .............................................. 11
3-4 ................................................................... 11
4 ................................................................... 12
4-1............................ 12
4-2 ................................................. 13
5 .......................................................................... 14
6 .......................................................................... 14
1-1
Mechanoluminescence
Photo-luminescence
Electroluminescence
EL
Chemiluminescence
EL 1-1 EL
EL
EL
OLEDOrganic Light Emitting Diode
Appendix EL ................. 15
A1-1 ................................................................. 15
A1-1-1 .......................................................... 15
A1-1-2............................................ 15
A1-2 ........................................... 15
A1-2-1 ................................................... 15
A1-2-2 ................................................... 17
A1-3 ........................................... 17
A1-4 ......................... 18
Appendix ................................. 19
Appendix ......................................... 19
A3-1 ............................................... 19
A3-2 ............ 19
1-1 EL
EL
EL
EL mA/cm2
.indd 2
Tel:03-5796-7330Fax:03-5796-7335 E-mail:sialjpts@sial.com
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EL
kA/cm2
EL
1
2
3
4
- Indium-Tin Oxide:ITO
1-3
10
EL
1-2 EL -1 EL 1953
A.
Bernanose
EL EL
1
1960
New York M. Pope NRC Canada W. Helfrich
1-2
2-4
W. Helfrich
EL
1-3
1-3 EL -2 C. W. Tang EL
EL
EL 1987 C.
W. Tang 100 nm
EL 11ITO
75 nm
Tris8-quinolinolatealuminumAlq3
60 nmMgAg
ITO 10 V
1,000 cd/m2 1
EL
EL 1-4
1-2
EL
1970 1980
EL
Organic PhotoconductorOPC
5 6, 7
EL
LB
EL
8, 91980 S. Hayashi
Alq3
Diamine
1-4C. W. Tang EL
EL
EL
C. W. Tang EL
EL EL
C. Adachi
1-5
C. W. Tang
12, 13
Tel:03-5796-7340Fax:03-5796-7345 E-mail:safcjp@sial.com
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EL
Mg
PV
Emitter
TPD
Au
Glass
1-5 12)
1990 EL
C. Hosokawa
1-6
14Y. Hamada Alq3
EL 15
ITO
TPD
16
TPD12
PBD13 Alq311
14
EL
26, 27 EL 28
29 NTT30
EL
77 K
EL
5
8
C. Adachi S. Tokito
19 31 12 32 6
20 33, 34
1990 EL
1987 10 EL
2007 12 EL
1-8
1-9
1-64,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) biphenyl

1-8 EL XL-1

PPV EL 17
18
PAT
19
PF 1-7
EL
20
1-9 EL
PAT
PF
1-7PAT PF
625 nm 520 nm 460 nm

EL
21
22 EL
EL 23, 24
25
Princeton Southern California
EL
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EL
2 EL
2-1 EL
EL /
EL EL
2-1
Appendix
ext
-3.3 eV -3.8 eV Mg0.9Ag0.1

Al -4.3 eV Mg0.9Ag0.1
Al
LiF Al 0.5 nm 1.0

nm LiF
Mg0.9Ag0.1 22
CuPc LiF EL
EL
38
2.6eV
LUMO
3.3eV
3.8eV
MgAg
-NPD
Alq3
5.0eV
ITO
5.5eV
6.0eV
HOMO
2-22 EL
25
75
EL
ext
2-1 EL
EL
2-2
ITO/ -NPD50 nm/ Alq350 nm/ MgAg150 nm/
Ag10 nm
-NPD -5.5 eV Highest
Occupied Molecular OrbitalHOMO ITO
ITO -NPD HOMO
ITO -4.7 eV UV-
ITO -5.0 eV
Ultraviolet Photoelectron
SpectroscopyUPS
35CuPc 15 nm
CuPc
UPS
36
Lowest Unoccupied
Molecular OrbitalLUMOAlq3 LUMO
EL
10-3 10-6 cm/Vs
EL
Space Charge Limited Current,
39
SCLC
SCLC
2
cm/V/s
A/cm
J
Lm VVF/m
J=
9 0 V 2
8
L3
(2.1)
100 nm 10-3 cm/Vs

EL 10V
30 A/cm2
1 3
2-3 27
75
Ir EL
Intersystem CrossingISC
100
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EL
25
S1
75
T1
S0
2-3
/ / -
/
ITO/ TPD40 nm/ CBP6wt - Irppy

320 nm/
BCP10 nm/ Alq330 nm/ LiF0.5 nm/ Al100
nm
/ / / /
/
HOMOLUMO
DCM
Alq3 Alq3
DCM 2-4
DCM DCM 1mol
MgAg LiF/Al
Alq3LUMO3.0 eV
EL 20
80
40
Finite-difference time-domain
FDTD41
42 43
ITO ITO
44 EL
EL
EL
ext EL
( ext ) = r f ext 2.2
5
20 Appendix A1-2.
2-2 EL
DCMLUMO3.5 eV
DCMHOMO5.6eV
Alq3HOMO6.0eV
2-4
EL HOMO-LUMO
UPS
HOMO-LUMO
EL
520 nm Irppy3
-NPD
TPD
2-2-2 EL
HOMO HOMO
2-2-1 EL
EL 3
C. W. Tang
2-2
ITO/-NPD50 nm/ Alq350 nm/ MgAg150 nm/
Ag10 nm
/ / /
DCM
ITO/-NPD50 nm/ Alq31mol - DCM50 nm/
MgAg150 nm/ Ag10 nm
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CuPc
PEDOT/PSS
m-TDATA
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EL
-NPD
TPD
TCTA
BCP
BCP
DPvBi
CBP
t-Bu-PBD
Alq3
Flrpic
Alq3
100
Coumarin DCM
Alq3
(ppy)2Ir(acac)
PPV
PPV
EL
PPV
Ir(ppy)3
MEH-PPV
PF
Zn-PBO

Web
DMQ
DCM2
www.sigma-aldrich.com/ms-jp
www.ssigma-aldrich.com/ms-jp
Aldrich Materials Science
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EL
3 EL
3-1
C-C C-H
3-1
g
10-3 Pa
Train Sublimation

(b)
(a)
(c)
3-2CuPc
3-3
Train Sublimation
Heat
3-3
3-2ITO
EL ITOIndium-Tin Oxide
10/
ITO
3-2-1ITO
(a)
40mm
(b)
14mm
3-1Train Sublimation
abc
3-2
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ITO
(c)
(d)
3mm
2mm
4mm
2mm
3mm
EL
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EL
PPa TK Dm
45
(e)
= 3.1 10 24 T / PD 2 (3.1)
1:3 vol ratio

ITO ITO
10
ITO
ITO ITO
ITO
3-2-2
3-4
5
5
IPA 5
ITO
ITO IPA
EL ITO IPA
UV/ 10 15
15mm
(a)

1mm
(b)
3-4
3-3 EL
3-3-1
EL
EL Alq3
46 Alq3 2 1021
/cm-3 Alq3 Alq3
1.4 nm 300K1Pa
0.5 mm10-3 Pa 50 cm
10-3 Pa
50 cm 3
30 cm
10-4 Pa
Zn /m2s
PPa TK Mg/mol
45
Zn = 2.6 10 24 P /( MT )1 2 (3.2)
10-4 Pa 300 K M02 32
2.7 1018 /m2 1.4 nm Alq3
6.5 1017 /m2 1
C-C
10-4 Pa
10-3 Pa
H. Aziz
47
T. Ikeda 48
10-4 Pa
1
2
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EL
3-5
0.1 ppm
UV
FET FET
/
FET
TaMo
BN
K-
30cm
3-6
3-5
3-6
EL
2
2
30 cm
10 12 rpm
10 cm
Mg AgCa
LiF W Ta
V W
Al
Al
Cu
E-Al
W LiCs
2
10 V100 A Pt
Ta 450
3-7
Ta
Ta
Ta
Ta
Mg
Al, Ca
W
V
Ag, Au, LiF
3-7
10
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EL
3-8
Z-ratio
Tooling Factor
Tooling Factor
EL
10 100 nm
30 mg
10 mg
3-8
Whost : Wgest = Rhost : Rgest
Rgest =
M gest
M host
(3.5)
X
Rhost
100 X
(3.6)
X
EL 1 5/s
wt
Mhost=459.44 g/mol Alq3 Mgest=303.36 g/mol DCM

1mol
3.6
Rgest = 6.67 10 3 Rhost
(3.7)
Alq3 Rhost=5 /s
Rgest=0.033 /s
10 0.33
Tooling Factor Y
3 Y 3
Rhost=15 /s Rgest=0.099 /s10
1
Tooling Factor 3 Rgest 1
/10s
Rhost= 15 /s
Tooling Factor 3
1/3
MgAg101 wt ratio
3-3-2
X mol
M host Whost Rhost
Mgest Wgest Rgest
Wgest
M gest
100 = X
Whost Wgest
+
M host M gest
Wgest =
M gest
M host
mol% 3.3
X
Whost
100 X
(3.4)
3-4
EL
EL
20 V
EL
1 pA 100 mA 1A
nW mW
cd/m2
lm/W
0.1V 0.5V 15V
11
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( ext ) = N photon N career
= ( P E ) ( I e)
EL
EL
1.602 10 19 P
6.626 10 34 2.998 10 8 I
P
= 8.06 10 5
I
ext
int
lm/We
cd/Ac
EL
J-V
-J
ext
Appendix
Mlm/m2P
W/m2yKm
683lm/W
EL
EL
mA/cm2
M ( ) = P K m y ( )
M ( ' ) = P K m y ( ' )
External quantum efficiencyext
( ext )
EL
EL PW/m2
1 EJ
E = h = hc
(4.2)
N photon = P (W ) E ( J ) = P ( J s 1 ) E ( J )
(4.3)
1 W1 1 J
Js-1
A
I
EL
s-1 m-2
Ncareer
A/m2 e1.602
C=As
10-19
N career = I ( A) e(C ) = I ( A) e( A s 1 )
ext
12
.indd 12
(4.4)
F ( ' )
F ( )d
(4.7)
F ( ' )
M ( ' )d ' = P K m y ( ' )
d '
F ( ) d
(4.8)
M M
M = P Km
h 6.626 10-34
Jsv
8
s-1m
s-1c 2.998 10m
PW/m2
E
Nphotons-1 m-2
(4.6)
EL
EL
4-1
100 (4.1)
(4.5)
F ( ' ) y( ' )d ' (4.9)

F ( ) d
EL M
lm/m2
M = P Km
F ( ) y( )d (4.10)
F ( ) d
Lcd/m2
L=
(4.11)
EL
EL
W J/s
EL EL
W/m2
W/m2
Lcd/m2
Mlm/m2 PW/m2 1
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555nm
L-V
2.5 V
EL
1
lm
lm/m2
cd
cd/m2
lx
4
1
Lcd/m2
M
lm/m2
PW/m2 1
Lcd/m2
/683 2
Mlm/m
1/
1/683 2
683/
683
PW/m
2 1
1 555 nm
2683
Km=683lm/W 555 nm
4-2 - L-J
4-2
EL
ITO/-NPD50 nm/ Alq350 nm/ MgAg150

nm/ Ag10 nm
J - V
0 2.5 V 2.5 V
EL
EL
2.4 2.6 V10V 80
100 mA/cm2
Ex - J
Alq3 -NPD
4-1 - J-V
L - J
EL
4-3 - Ex-J
13
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EL PL
EL PL
EL
EL PL
5
EL
EL
EL
EL
Appendix
6
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)
4-4EL
10)
11)
12)
13)
14)
15)
16)
17)
PL UV-Vis
UV-Vis
PL
Appendix
PL
18)
19)
20)
21)
22)
23)
24)
25)
26)
27)
28)
29)
30)
31)
32)
33)
34)
35)
36)
37)
38)
39)
40)
41)
42)
43)
44)
45)
46)
47)
48)
4-5DCM Alq3
14
.indd 14
A. Bernanose, M. Conte, P Vouauzx, J. Chim. Phys., 1953, 50, 64.

M. Pope, H. P. Kallmann, P. Magnante, J. Chem. Phys., 1963, 38, 2042.
W. Herfrich and W. G. Schneider, Phys. Rev. Lett., 1965, 14, 229.
W. Herfrich and W. G. Schneider, J. Chem. Phys., 1965, 44, 2902.
W. D. Gill, J. Appl. Phys., 1972, 43, 5033.
G. Pfister, Phys. Rev., 1977, B 16, 3676.
P. M. Borsenberger, W. Mey and A. Chowdy, J. Appl. Phys., 1978, 49, 273.
P. S. Vincett, W. A. Barlow and R. A. Hann, Thin Solid Films., 1982, 94, 171.
G. G. Roberts, M. M. McGinniity, W. A. Barlow, P. S. Vincett, Solid State Commun., 1979,
32, 683.
S. Hayashi, T. T. Wang, S. Matsuoka, S. Saito, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1986, 135, 355.
C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 1987, 51, 913.
C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., 1988, 27, L269.
C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., 1988, 27, L713.
C. Hosokawa, H. Higashi, H. Nakamura, T. Kusumoto, Appl, Phys. Lett., 1995, 67, 3853.
Y. Hamada, T. Sano, M. Fijita, T. Fujii, Y. Nishio and K. Shibata, Jpn. J. Appl. Phys., 1993,
32, L514.
Y. Shirota, Y. Kuwabara and H. Inaba, Appl. Phys. Lett., 1994, 65, 807.
J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L.
Burns and A. B. Holmes, Nature, 1990, 347, 539.
Y. Ohmori, M. Uchida, K. Muro and K. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, L1938.
Y. Ohmori, M. Uchida, K. Muro and K. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, L1941.
A. R. Brown, D. D. C. Bradley, J. H. Burroughes, R. H. Friend, N. C. Greenham, P. L. Burn, A.
B. Holmes and A. Kraft, Appl. Phys. Lett., 1992, 61, 2793.
J. Kido, H. Shionoya and K. Nagai, Appl. Phys. Lett., 1992, 67, 2281.
T. Wakimoto, Y. Fukuda, K. Nagayama, A. Yokoi, H. Nakata, M. Tsuchida, IEEE
Transactions Electron Devices, 1997, 44, 1245.
N. Takada, T. Tsutsui and S. Saito, Appl. Phys. Lett., 1993, 63, 2032.
1998, 36, 479.
EL 19 p18.
M. A. Baldo, S. Lamansky, P. E. Burrows, M. E. Tompson, S. R. Forrest, Appl, Phys. Lett.,
1999, 75, 4.
M. A. Baldo, D. F. O Brien, Y. You, A. Shoustikov, A. Aibley, M. E. Thompson and S. R.
Forrest, Nature, 1998, 395, 151.
T. Tsutsui, M. Yang, M. Yahiro, K. Nakamura, T. Watanabe, T. Tsuji, Y. Fukuda, T.
Wakimoto, S. Miyaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., 1999, 38, L1502.
51
1990, p1041.
S. Hoshino and H. Suzuki, Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 224.
C. Adachi, M. A. Baldo, S. R. Forrest and M. E. Tompson, Appl. Phys. Lett., 2000, 77,
904.
C. Adachi, M. A. Baldo, S. R. Forrest, S. Lamansky, M. E. Thopmson and R. C. Kwong,
Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 1622.
C. Adachi, R. C. Kwong, P. Djurovich, V. Adamovich, M. A. Baldo, M. E. Thompson and S.
R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 2001, 79, 2082.
S. Tokito, T. Iijima, Y. Suzuki and F. Sato, Appl. Phy, Lett,. 2003, 83, 569.
K. Sugiyama, H. Ishii, Y. Ouchi and K. Seki, J. Appl. Phys., 2000, 87, 295.
EL 7 2001, p.103.
T. Wakimoto, Y. Fukuda, K. Nagayama, A. Yokoi, H. Nakada and M. Tsuchida, IEEE Trans.
Electron Devices, 1997, 44, 1245.
Y. Sato, T. Ogata, S.Ichisawa, M.Fugono and H. Kanai, Proc. SPIE, 1999, 3797, 198.
P. E. Burrows, Z. Shen, V. Bulovic, D. M. McCarty, S. R. Forrest, J. A. Cronin and S. R.
Forrest, J. Appl. Phys., 1996, 79, 7991.
N. C. Greenham, R. H. Friend and D. D. C. Bradlay, Adv. Mater., 1994, 6, 491.

50 No3, 2003, 1408.
G. Gu, D. Z. Garbuzov, P. E. Burrows, S. Venkatesh, S. R. Forrest and M. E. Thompson,
Opt. Lett., 1997, 22, 396.
S. Moller and S. R. Forrest, J. Appl. Phys., 2002, 91, 3324.
M. Fujita, T. Ueno, T. Asano, S. Noda, H. Ohhata, T. Tsuji, H. Nakada, N. Shimoji, Electron.
Lett., 2003, 39, 1750.
1977.
P. E. Burrows, Z. Shen, V. Bulobic D. M. McCarry, S. R. Forrest, J. A. Cronin, M.E.
Tompson, J. Appl. Phys., 1996, 79, 7991.
H. Aziz, Z. D. Popovic, S. Xie, A. M. Hor, N. X. Hu, C. Tripp, G. Xu, Appl. Phys. Lett.,
1998, 72, 756.
T. Ikeda, H. Murata, Y. Kinoshita, J. Shike, Y. Ikeda, M. Kitano, Chem. Phys. Lett., 2006,
426, 111.
2009/10/19 14:46:54
EL
Appendix
EL
M W
A1-1
4 EL
lm/Wcd/A
A1-1-1
int
r
f
ext
EL
A1-2
A1-2-1
int
rf A-2.1
Np Ne
A-1 I
IeIh
IeIh
Ir A-2.2
A-2.3
A
I
PW Sm2m
eC hJ
s
Anode
Organic layer
Cathode
A1-1-2
A-1 EL
15
.indd 15
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EL
Ir I
I = Ih = IeIh = Ie = 0
I = Ih = Ie = Ir =1.0
I = Ih > IeIh 0Ie = 0
0 3
1012 cm-3
A-2.12
8 1 3
A-2.12 T Sint
I = Ih = Ie + IhIr = Ie = Ih - Ih
5 1
A-2.9A-2.14
A-2.15
I = Ie > IhIe 0Ih = 0

Ir = Ih = Ie - Ie
I = Ie = Ih + Ie
r Sdir 0.25
-
Sint
0.40
Ih 0, Ie 0
A-2.7
1.0

f
1 EL
1
f f
f f
Kr=1 / TrTr
Kt EL
Knr
r
r eh
TS 3:1
Triplet-Triplet annihilation
A-2.10A-2.11A-2.10
2 1
T*
A-2.11 2 0
A-2.10
16
.indd 16
A-2.18f = 1.0 Knr > Kr

f < 1.0
1.0
Alq3 1
EL 100
2009/10/19 14:47:00
EL
ext
A1-2-2
A-2
ext3
Rf:
Rb:
c:
c:
d:
A-2
EL
c
c
c
c
1.7 A-2.19
19A-2.21 17
m RfRb RfRb
EL TE
transverse electric modeTM transverse magnetic mode
50
c RfRb
Rf 520 nm 0.014
Rb /
0.90
m = 0.95
ext =18 EL
80
n
>1.0
ext
0.05
1.0 0.2
norg
2
c 1-cos sin
/2
norg 1.0
A-2.21
A-2.21
c Rf
EL
/
Rb
ext
r
f
0.2
1.0
0.25
1.0
A1-3
EL
Eextext
W/m2
Pin
2
PemW/m
Eint Pem / Pin
2
VV A/m
J
Pin = J V
1 hc /
h
c Pem hc /
F Pem A-3.1
F0 Pem
L U
A-3.1
EintA-3.2
int
17
.indd 17
2009/10/19 14:47:03
EL
Nin
Nem Nem / Nin
J / e
- J /
e
2
A/m
J
Nin = J /
e e
int
PW
Lcd/m2
Lcd/m2 EL F
y
Mlm/m2
EL O Rm
0rad
+d dS
Ep Ep
= Pem / Nem
dsr
EL I
cdd
dMlm
A-3.2A-3.5
Eintint
A-3.6
Mlm
Icd
0
Mlm
Eextext
EL
2
Lcd/m
0
Mlm/m2
EL 0 /2 = /2
Mlm/m2
A1-4
555 nm W
lm
Km680 lm/W EL
Mlm/m2A-3.2
A-4.8A-4.9
F0
18
.indd 18
A-3.2
A-3.7
A-4.10Eext
A-3.4
A-3.8
A-4.10extA-4.11A-4.12
2009/10/19 14:47:08
EL
A-4.11A-4.12
m
A-4.11A-4.12
CMY Cyan
MagentaYellow
3
CMY 3 100
A-4.13
A-4.14
20 30
Appendix
PL
Alq3 DCM
DCM EL
Appendix
A-1
A3-2
CRT
CIE CIE
CIECommission Internationale de
lEclairage 1931
3 RGB
3
RGB RGB
1 R G B
2
xy CIE1931
NTSCNational Television Standards Committee
1953
CRTNTSC CRT
R0.67,0.33
G0.21,0.71
B
0.14,0.08
W0.310,0.316
NTSC
A3-1
RGB Red
Green
Blue
3
RGB 3
RGB 3 100
A-2CIE1931
19
.indd 19
2009/10/19 14:47:11

TM
Aldrich
TM
TM
Vol. 4, No. 1
2-1
2-2
2-3
2-4
3 3-1
3-2
3-3
3-4
4-1
4-2
Vol. 3,
No. 4
Genera
tion an
d Stora
g
ties
thesis & Proper
Controlled Syn
Alternativ
e Ener
gythe
way to
go
into Meaning
Morphing Materials
Material
Matters
3-4.indd
2009/07/13
15:49:0
URL
http://www.sigma-aldrich.com/mscatalog-jp
Material Matters sialjp@sial.com
2009101
Websigma-aldrich.com/japan
SAJ1146 2009.10
.indd 20
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有機EL素子の基礎およびその作製技術 材料科学の基礎 1

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Material Matters Basics

1-64,4'-bis (2,2-diphenylethenyl) biphenyl

625 nm 520 nm 460 nm

Princeton Southern California

-3.3 eV -3.8 eV Mg0.9Ag0.1

LiF Al 0.5 nm 1.0

ITO -4.7 eV UV-

100 nm 10-3 cm/Vs

ITO/ TPD40 nm/ CBP6wt - Irppy

( ext ) = r f ext 2.2

1:3 vol ratio

6.5 1017 /m2 1

Whost : Wgest = Rhost : Rgest

Mhost=459.44 g/mol Alq3 Mgest=303.36 g/mol DCM

Rgest = 6.67 10 3 Rhost

( ext ) = N photon N career

External quantum efficiencyext

F ( ' ) y( ' )d ' (4.9)

ITO/-NPD50 nm/ Alq350 nm/ MgAg150

A. Bernanose, M. Conte, P Vouauzx, J. Chim. Phys., 1953, 50, 64.

I = Ih > IeIh 0Ie = 0

I = Ie > IhIe 0Ih = 0

A-2.18f = 1.0 Knr > Kr

Material Matters sialjp@sial.com

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