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INTRODUCCIN Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad elctrica intermedia, entre la de los metales y los aislantes;

y otras propiedades fsicas no usuales. Estos se pueden clasificar en dos tipos: Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica fcilmente controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros. Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente, a un semiconductor intrnseco sustancias dopantes. Su conductividad depender de la concentracin de esos tomos dopantes. Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos: Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos. Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES 2 TERMINALES

Los materiales semiconductores son aquellos que estn situados entre los conductores y los aislantes. O sea tienen un menor coeficiente de conductividad que los materiales conductores, y un mayor coeficiente de

conductividad que los materiales aislantes.

Existen dos tipos de semiconductores: Semiconductores tipo P.- (Positivo). El ms utilizado es el Silicio con impurezas de indio. Semiconductores tipo N.- (Negativo). Cuando al Silicio se le aade Arsnico obtenemos un semiconductor tipo N.

Dentro de los semiconductores podemos definir los siguientes componentes electrnicos:

DIODOS

Es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.

Constan de dos partes una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura tambin llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa: Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa con mucha facilidad el diodo comportndose ste prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa: Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o se del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, comportndose ste prcticamente como un circuito abierto. SIMBOLO

ENCAPSULADOS DIFERENTES DE LOS DIODOS

En dependencia de la tensin o voltaje que soportan, la intensidad de la corriente de trabajo, la funcin especfica que tendrn asignada dentro de un circuito electrnico y la potencia que disipan en watt, los diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados. Adems, un diodo especfico puede tener tamao y caractersticas de trabajo diferentes, as como diferente forma de encapsulado.

En

esta

ilustracin

aparecen

varios

diodos

de

caractersticas y usos. diferentes y con encapsulados tambin diferentes El tipo de encapsulado de estos diodos se identifica con las. Siguientes. siglas: 1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO-3, 5.- TO-48, 6.- SOD-23, 7.- KBL, 8.- WOW. Adems de estos ejemplos existen muchos. Tipos ms de.

Encapsulados.

Muestra de dos diodos rectificadores de silicio de diferentes caractersticas y encapsulados tambin diferentes, ambos comparados con un cntimo de euro. El diodo de arriba, de menor tamao, puede soportar una corriente de 1 ampere y trabajar con un voltaje de 1000 volt. A ese diodo le corresponde un encapsulado DO-41. El diodo de abajo, de mayor tamao, puede soportar una corriente de 10 ampere y trabajar, igualmente, con un voltaje de 1000 volt, pero a diferencia del anterior a ste le corresponde un

encapsulado R-6.

Existen tambin componentes miniaturizados para montar directamente sobre circuitos impresos, denominados SMD (Surface Mount Device Dispositivo de montaje en superficie). Entre esos componentes podemos encontrar, igualmentle, diodos de silicio como los que aparecen en la foto de la izquierda identificados como D7 y D8. Ntese los pocos milmetros que poseen tanto esos dos diodos como el resto de los componentes que le acompaan [capacitores (C) y resistencias (R)].

Fotodiodo

Es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.

Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

Fotodiodos de avalancha

Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.

El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m); o de cualquier otro material semiconductor.

Aplicacin

A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.

Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

Usados en fibra ptica

Diodo Gunn

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo.

Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Eventualmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa. La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para

construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz).

Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro), y la sintonizacin es realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son elctricos.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. Este efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensin y corriente y no es afectado por campos magnticos.

Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una placa delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la condicin de que la tensin aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una cavidad resonante, se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador.

Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se aplica la tensin continua.

Diodo Lser

El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.

En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un lado totalmente reflectante y otro slo reflectacte de forma parcial (aunque muy reflectacte tambin), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes.

Este conjunto forma una gua de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo).

Parte de estos fotones saldr del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente (la que es slo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo lser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre.

Aplicacin Comunicaciones de datos por fibra ptica.

Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados. Interconexiones pticas entre circuitos integrados. Impresoras lser. Escneres o digitalizadores. Sensores.

Diodo LED

Diodo

emisor

de

luz,

tambin

conocido

como LED (acrnimo del ingls de Light-Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia.

El color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de UV LED(UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

Aplicaciones

Los LEDs se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan). Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras,

agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED.

Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un

dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).

La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

Aplicaciones del diodo Schottky

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de logica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma potencia.

Diodo tnel

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a

una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador).

Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.

Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Caractersticas, principio de funcionamiento y aplicaciones.

Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones

que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Diodo Varicap

El diodo

de es

capacidad un tipo

variable o Varactor (Varicap)

de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.

La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin).

En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.

Diodo Zener

El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.

Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura.

En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin.

Aplicaciones. Los diodos Zener generan ruido. Por esa caracterstica, son usados en los generadores de ruido y puentes de ruido.

BIBLIOGRAFIA

Donald R. Askeland, Ciencia e ingeniera de los materiales, Ed. Paraninfo Thompson Learning, 2001 William F Smith, Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales, 3 Edicin, Ed. Mc Graw Hill.