ELECTRÓNICA DE POTENCIA

SEMANA_02_Sesión_01
 • Dispositivos de Rectificación
• Diodos semiconductores de potencia y sus características.
• Tipos de diodos de potencia
• Circuitos con diodos.

• Identifica dispositivos de rectificación.

• Resuelve problemas aplicativos de configuraciones con diodos.
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 El diodo de potencia es el elemento rectificador
más común.
Características:
Presenta dos estados bien diferenciados:
corte y conducción. El paso de uno a otro, no
es instantáneo y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a alta frecuencia, es
muy importante el tiempo de paso entre estados,
puesto que éste acotará las frecuencias de
trabajo.

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 Márgenes de funcionamiento:
En conducción pueden soportar una corriente
media de 1500A llegando hasta tensiones
inversas de 2000V. Actualmente las técnicas
de fabricación de diodos han avanzado hasta
un nivel de tensión de 5000V en inverso y
corrientes de 3000A en directo. El Si es el elemento
semiconductor más empleado. Es decir que lo
deseable es:

- Corriente elevada con baja caída de tensión

- Tensión inversa elevada con mínimas fugas
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 Características:
En conducción es capaz de soportar altas
intensidades con bajas caídas de tensión.
En inverso soportan altas tensiones negativas
de ánodo con bajas corrientes de
fugas.
Inconvenientes:
I Dispositivo unidireccional.
I Único procedimiento de control: inversión del voltaje.

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 Simbología empleada:
Características estáticas del diodo de Potencia.
Parámetros en estado de bloqueo:

1.- VR: Tensión inversa de trabajo

2.- VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo
3.- VRSM :Tensión inversa de pico único
4.- Tensión de ruptura
5.- Intensidad de fugas

Parámetros en estado de conducción:

1.- IF(AV) (Intensidad media nominal)
2.- IFRM (Intensidad de pico repetitivo)
3.- IFSM (Intensidad de pico único)

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 Construcción y encapsulado

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 Características estáticas

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 Características dinámicas
• Paso de conducción a corte, Turn off
Cuando un diodo se encuentra conduciendo una
intensidad, Id la zona central de la unión p-n está
saturada de portadores mayoritarios y con mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea dicha intensidad.
Si el circuito exterior fuerza la disminución de la
corriente con una cierta velocidad, di/dt aplicando una
tensión inversa, resultará que después del paso por
cero de la señal i(t), hay un periodo en el cual cierta
cantidad de portadores cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en
sentido contrario.

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 La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se
establece hasta después de un tiempo ta, durante
el cual los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unión una zona de carga espacial. La
intensidad todavía tarda un tiempo tb en pasar de
un valor de pico negativo Irr a un valor
prácticamente nulo, mientras se va descargando la
capacidad interna de la unión.

La capacidad se considera como la suma de la

Capacidad de Difusión Cdif y la Capacidad de
Deplexión o de transición Cj. La 1ra. es
proporcional a la corriente por el diodo y sólo tiene
relevancia con éste polarizado en directo, mientras
que la 2da., aparece con el diodo polarizado en
inverso.

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 Tiempo de recuperación inverso, trr
Comprende el intervalo de tiempo desde que
la corriente if pasa por cero en el cambio on –
off hasta que la corriente vuelve a adquirir el
10 % del valor Irr. También se puede definir
como el periodo durante el cual el diodo
permite la conducción en sentido negativo.
Está compuesto por la suma del tiempo de
almacenamiento, ta y el tiempo de caída, tb.

Tiempo de almacenamiento, ta Es el tiempo

que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta que se alcanza el pico
negativo y es debido a la acumulación de
portadores en la región de deplexión de la
unión.

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 Tiempo de caída, tb Es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que
ésta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unión polarizada en inverso. En la
práctica se suele medir desde el valor de pico
negativo de la corriente hasta que se alcanza el
10% de dicho valor.
Q almacenada o desplazada Qrr
Factor de suavizado, Es la relación entre los
tiempos de caída y almacenamiento.

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 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Diodo rectificador normal
Su tiempo de recuperación inversa es alto, típico de 25
µs, y se usan en aplicaciones de baja velocidad, en las
que el tiempo de recuperación no es crítico.
M. de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles
de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky
Se puede eliminar (o minimizar) el problema de
almacenamiento de carga de una unión pn. Para ello,
se establece una “barrera de potencial” con un contacto
entre un metal y un semiconductor
M. de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en
rectificadores de bajo voltaje para mejorar la eficacia.

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 Diodo de recuperación rápida
Los diodos de recuperación rápida tienen un
tiempo de recuperación bajo, por lo general menor
que 5µs. Esta característica es especialmente
valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta
variación de corriente tan rápida necesitará
contactos de protección, sobre todo cuando en el
contacto exterior encontramos elementos
inductivos.
Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV

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 ASOCIACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA
Las dos características más importantes del diodo de
potencia son: La intensidad máxima en directo y la
tensión inversa máxima de bloqueo. Si las necesidades
del circuito pueden llegar a sobrepasar la capacidad
máxima del dispositivo, es necesario utilizar varios
diodos asociados en serie o en paralelo.
Asociación de diodos en serie
Cuando aparecen tensiones inversas elevadas por
rama, como por ejemplo en rectificadores de potencia,
la capacidad de bloqueo de un único diodo puede no
ser suficiente. Será necesario una conexión serie de
dos o más elementos. Si los elementos están
colocados en serie, tendrán la misma corriente de
fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas
diferentes.

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 Los diodos pueden destruirse por exceder
su tensión inversa máxima. El problema se
resueve conectando resistencias en
paralelo con cada diodo. Las resistencias
deben conducir corriente mucho mayor que
la de fuga del diodo.

Asociación de diodos en serie

Tensiones inversas y corrientes de fuga

en dos diodos distintos

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 Asociación de diodos en paralelo
Se usa cuando se requieren altas intensidades. El
incon-veniente es el reparto desigual de la corriente
por cada una de las ramas de los diodos debido a sus
distintas características de conducción.
Se resuelve mediante dos criterios: conectando
resistencias en serie con cada diodo o bien
inductancias iguales acopladas en cada rama de la red
paralelo. Las resistencias ayudan a estabilizar e
igualar los valores de intensidad I1 e I2. Las
inductancias se pueden obtener usando
transformadores de relación 1:1, conectados tal y
como muestra en la figura. El segundo método es
aplicable únicamente en condiciones de operación en
las que la alimentación sea pulsatoria o senoidal.

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 Asociación de diodos en paralelo. Ckto. de
estabilización de corriente por resistencias
e inductancias.

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 Diodos de potencia comerciales

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 Estructura de hoja de características
En la práctica se trabaja con una serie de hojas de
características que proporcionan los fabricantes. Toda
hoja de características suele estructurarse de la
siguiente forma:
• Descripción externa y enfatizado de las características
más interesantes del elemento. Ambas se efectúan de
una forma general y sin incorporar medidas o
parámetros específicos. Adicionalmente puede darse
el patillaje del elemento

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 • Valores límites: se corresponden con las
características del elemento. Normalmente el
fabricante agrupa las características por grupos
(térmicas, dinámicas, estáticas, etc...), indicando en
todo momento las condiciones en que se han realizado
las medidas para obtener los valores dados. Los
valores se suelen dar indicando los extremos máximos
y mínimos admisibles, también puede darse el valor
típico o medio en algunos fabricantes.

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 A continuación se presentan las curvas características
de los diodo. Normalmente habrá una serie de curvas
que aparezcan en todas las hojas sea cual sea el tipo
de diodo y otras que sólo las dará el fabricante si son
necesarias para poder trabajar con el elemento.
También es posible que se adjunte la definición de
algún parámetro para comprender mejor los datos
proporcionados.

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 • Adicionalmente el fabricante puede proporcionar los
circuitos empleados para efectuar las medidas de una
o todas las características, además de la explicación
de algún parámetro importante.

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 • Finalmente se añaden las características mecánicas
del elemento, que proporcionan las medidas del
mismo para su correcta situación y montaje.

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 Uso del catálogo de fabricantes.

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 Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)
Es el límite superior de temperatura que nunca
debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destrucción. En
ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se
nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un
intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mínimo y otro máximo.

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 Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el
encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este
dato el fabricante se puede calcular mediante la
fórmula: Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la
potencia máxima disipable.

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 Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del
dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se
supone que la propagación se efectúa directamente
sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

Rjc = Resist. unión - contenedor

Rcd = Resist. contenedor – disip.
Rd = Resistencia del disipador
Tj = Temperatura de la unión
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente

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 Protección contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente,
la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a
cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer
picos de corriente en el caso de alimentación de
motores, carga de condesadores, utilización en
régimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se
traducen en una elevación de temperatura enorme en
la unión, que es incapaz de evacuar las calorias
generadas, pasando de forma casi instantánea al
estado de cortocircuito (avalancha térmica).

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 Dispositivos de protección
Los dispositivos de protección que aseguran una
eficacia elevada o total son numerosos y por eso los
más empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los
casos. Los fusibles, como su nombre indica, actúan
por la fusión del metal de que están compuestos y
tienen sus características indicadas en función de la
potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un
fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente,
sino incluso con su I2t y su tensión.

Parámetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterísitca de fusión del
cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
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