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1.

Introduccin a la Fsica Electrnica


1.4 Exceso de portadores en semiconductores
! Interaccin de fotones con semiconductores de banda prohibida directa e indirecta. ! Generacin-recombinacin de portadores en exceso. !Corrientes de difusin

" La mayora de los semiconductores operan por la creacin de portadores de carga en exceso de valores de equilibrio trmico " Estos portadores en exceso se pueden crear por absorcin ptica. " Tambin se pueden generar por inyeccin a travs de polarizacin directa en uniones p-n

" Si un haz de fotones con h! > Eg incide sobre un semiconductor, habr absorcin, determinada por las propiedades del material. " Se esperara que la razn de intensidad transmitida respecto a la luz incidente depende de la longitud de onda y el espesor de la muestra

La degradacin de la intensidad -dI(x)/dx es proporcional a la intensidad remanente en x: dI(x) # " ! I(x) dx La solucin a esta ecuacin es
I(x)= I0e!x

Y la intensidad de la luz transmitida a travs del espesor de la muestra l es:


It(x)= I0e!l

Donde ! es llamado de coeficiente de absorcin y sus unidades son cm-1. Este coeficiente variar con la longitud de onda del fotn y con el material.

La relacin entre la energa del fotn y la longitud de onda es E = hc/". Si E est dada en electron-volts y " en micrmetros, entonces E = 1.24/ ".

Luminiscencia
" Solo algunos semiconductores pueden emitir luz, particularmente los compuestos semiconductores con banda prohibida directa. " La propiedad general de emisin de luz se llama luminiscencia. 1. Fotoluminiscencia. Si los portadores son excitados por absorcin de fotones. 2. Catodoluminiscencia. Si los portadores son creados por bombardeo de electrones de alta energa sobre el material. 3. Electroluminiscencia. Si la excitacin ocurre nicamente por la introduccin de corriente en el material.

Fotoluminiscencia

" La recombinacin directa es un proceso rpido, el tiempo de vida medio del EHP es del orden de 108 s o menor. De este modo, la emisin de fotones se detiene despus de 10-8 s cuando la excitacin se apaga. El proceso de luminiscencia rpida se refiere como fluorescencia. " Sin embargo, alguna emisin en materiales continua por periodos de minutos o segundos despus que la excitacin se ha detenido. Este pequeo proceso se conoce como fosforescencia.

Tiempo de vida de portadores y Fotoconductividad


" Cuando se crea un exceso de electrones y huecos en un semiconductor, existe un correspondiente incremento en la conductividad de la muestra Jx = q(n!n + p!p )E " Si el exceso de portadores surge por una excitacin ptica, el incremento resultante de la conductividad se llama fotoconductividad.

Recombinacin directa de electrones y huecos


" En recombinacin directa, el exceso de poblacin decae por la disminucin de electrones de la banda de conduccin a estados vacos (huecos) en la banda de valencia. " La energa perdida por un electrn durante la transicin se transforma en un fotn. " La probabilidad de que un electrn y hueco se recombinen es constante en el tiempo. " Como en el caso de portadores por dispersin, esta probabilidad lleva a esperar un solucin constante de la disminucin del exceso de portadores.

" Razn neta de cambio de la concentracin de electrones en la banda de conduccin: razn de generacin trmica menos la razn de recombinacin.

dn(t) 2 " $r ni #$r n(t) p(t) dt


" Exceso de poblacin de pares electrn-hueco

d)n(t ) " $ r ni 2 # $ r %n0 * )n(t )&% p0 * )p (t )& dt 2 " #$ r 'n0 * p0 ()n(t ) * ')n(t ) (

&

" Si el material es tipo-p

(p0>> n0)

d)n(t) " #$r p0)n(t) dt

" Solucin: exponencial a partir de la concentracin original del exceso de portadores

0 t )n(t ) " 1n exp%# $ r p0t & " 1n exp .# + / 2n ,

" Exceso de electrones en un semiconductor tipo-p se recombinan en funcin de la constante de tiempo de vida de portadores minoritarios, 2n=($rp0)-1

Recombinacin Indirecta
" Para semiconductores de banda indirecta, el proceso de recombinacin dominante es una transicin indirecta va estados de energa localizados en la banda prohibida.

Difusin
" Donde quiera que exista un gradiente de concentracin de

partculas mviles, habr una difusin de las regiones de alta concentracin hacia las regiones de baja concentracin, debido al movimiento aleatorio. " La difusin representa un proceso muy importante de transporte de carga en semiconductores

" Como los electrones (o huecos) se mueven con velocidad trmica vth sufrirn colisiones aleatorias. " En la ausencia de campo elctrico tienen igual probabilidad de moverse en cualquier direccin entre colisiones. " La distancia promedio de recorrido entre colisiones es el camino medio libre l " El tiempo promedio entre colisiones es el tiempo medio libre

2c

l " ! th2 c

" Semiconductor tipo-n con concentracin de portadores que varia en la direccin x

"Flujo de electrones por unidad de rea cruzando el plano desde la izquierda 1 n'# l (.l 1 2 " n'# l (.! th 3n " 2c 2 " Flujo de electrones por unidad de rea cruzando el plano desde la derecha

1 n'l (.l 1 3n " 2 " n'l (.! th 2c 2

" Flujo neto de electrones fluyendo de la izquierda hacia la derecha

3 n " ! th %n'# l ( # n'l (&

1 2

" Se pueden aproximar las densidades de electrones a x=-l y x=l para los dos primeros trminos de una serie de Taylor

dn 6 9 dn 61 09 3 n " ! th .7 n'0( # l 4 # 7 n'0( * l 4+ dx 5 8 dx 5, 2 /8


" Lo cual reduce la expresin a,

dn 3 n " #! thl dx

Coeficiente de difusin depende de procesos de dispersin y temperatura

dn 3 n " # Dn dx

Densidad de corriente de difusin


"La densidad de corriente puede fluir en ausencia de un campo elctrico debido a la difusin de huecos y electrones

J 'diff ( " J n 'diff ( * J p 'diff (


"La densidad de corriente es el producto de la carga y el flujo de la partcula

dn dp # qD p J 'diff ( " qDn dx dx

Difusin y Deriva de portadores


" Si un campo elctrico esta presente junto al gradiente de

portadores, la densidad de corriente tendr una componente de deriva y una componente de difusin.
drift diffusion

dn' x ( J n ' x ( " q: n n' x (F ' x ( * qDn dx

dp'x( J p 'x( " q:p p'x(F'x( # qDp dx

" La densidad de corriente total es la suma de las contribuciones por electrones y huecos.

J 'x ( " J n 'x ( * J p 'x (

" La corriente total se debe por el flujo de electrones o de huecos,

dependiendo de las concentraciones, magnitudes y direcciones del campo elctrico y gradientes de portadores.

" Un resultado importante es que los portadores minoritarios

pueden contribuir significativamente a la densidad de corriente a travs de la difusin.

El potencial electrosttico varia en la direccin opuesta al campo elctrico.

dV ' x ( F 'x ( " # dx


Se puede relacionar F(x) a la energa potencia en el diagrama de bandas. Escogiendo Ei como referencia:

dV 'x ( d 0 Ei - 1 dEi "# . +" F 'x ( " # dx dx / # q , q dx

Relacin de Einstein (relacin entre movilidad y difusividad)


En equilibrio, no hay flujos de densidad de corriente en un semiconductor.

0 " q: p p' x (F ' x ( # qD p F 'x ( " F 'x ( " Dp Dp

dp'x ( 0 E # EF by u sin g p ( x) " ni exp . i + : p p' x ( dx / kT , p' x ( 0 dEi dEF . dx # dx + : p p' x ( kT / ,

dp' x ( dx

The equilibrium Fermi Level does not var y with x, the derivative of Ei is given by the equ. in the previus page : D " kT q

Einsteins relation

Mobilities and diffusivities in Si and GaAs at 300 K as a function of impurity concentration.

Ecuacin de continuidad
A simple statement of conservation of particles emerges Rate of particle flow = Particle flow rate due to current Particle loss due to recombination + Particle gain due to generation.

To derive it we will consider a thin slice of semiconductor and the processes which control the number of electrons within it, rate of flow in at x, rate of flow out at x+dx, and the rates of generation and recombination within the slice

Ecuacin de continuidad de corriente


A simple statement of conservation of particles emerges Rate of particle flow = Particle flow rate due to current Particle loss due to recombination + Particle gain due to generation. Hole flow rate into the slice at x is simply the current at x divided by the charge of an electron, J ' x (A
p

q
Similarly hole flow rate out of the slice at x+dx is simply the current at x+dx divided by the charge of an hole,

J p ' x * dx (A q

The rates of generation and recombination within the slice are defined for the moment simply as Gn and Rn respectively. The overall rate of change in the number of electrons in the slice is then,

0 J p ' x (A J p ' x * dx (A ;p Adx " . # + * 'Gn # Rn (Adx #q ;t , / q


A Taylor series expansion of the second current term gives,

J p ' x * dx ( < J p ' x ( *

;J p ;x

dx

So the basic continuity equation for holes reduces to,

;p 1 ;J p "# * 'G p # R p ( ;t q ;x
Similarly for electrons,

;n 1 ;J n " * 'Gn # Rn ( ;t e ;x

Razn de recombinacin
Electrons in the conduction band can recombine with holes in the valence band to generate a photon. Lets consider a p-type semiconductor where p >> n Excess electrons injected by some means (e.g. the absorption of light) will recombine with the majority carriers (holes) with a recombination rate given by, Recombination lifetime

Rn "

1n

Excess electron density

2n

1 2n " =p po

1n " n p # n po
electron density equilibrium electron density

Back to the continuity equation then with our recombination rate,

;n p
Similarly for holes,

n p # n po 1 ;J n " * Gn # 2n q ;x ;t

;pn pn # pno 1 ;J p "# * Gp # ;t 2p q ;x

Things could start to get really complicated when we substitute in our earlier expressions for drift and diffusion currents but instead we will look at the special case where the current is carried only by the diffusion process and there is no generation. This is often the case when considering transport in p-n junction diodes and bipolar transistors when there are no optical excitations.

J n 'diff ( " eDn

;n p ;x

;n p ;t

" Dn

; 2n p ;x
2

n p # n po

2n

This will play a role later in our discussion of p-n diodes & bipolar transistors.

Longitud de difusin
In the steady state the time derivative is zero so,

Dn ; 2n p ;x
2

; 2n p ;x
2

"

n p # n po

2n
" n p # n po L2 n

"

n p # n po Dn2 n

Where we have defined an important quantity called the diffusion length,

Ln " Dn2 n

L p " D p2 p

Consider an n-type semiconductor with steady state injection on one side

;pn ; 2 pn pn # pno " 0 " Dp # 2 2p ;t ;x


pn ' x " 0 ( " pn '0 (
Solution of pn(x) is, Boundary conditions are,

pn ' x ? > ( " pno

pn ' x ( " pno * % pn '0 ( # pno &e

# x Lp

Minority carrier density decays with a characteristic length given by Lp


Semiconductor Devices, 2/E by S. M. Sze Copyright 2002 John Wiley & Sons. Inc. All rights reserved.

If all excess carriers are extracted at W (the thickness of the sample),

Boundary conditions are,

pn ' x " 0 ( " pn '0 (


Semiconductor Devices, 2/E by S. M. Sze Copyright 2002 John Wiley & Sons. Inc. All rights reserved.

pn 'W ( " pno

0 sinh 'W # x L p (pn ' x ( " pno * % pn '0 ( # pno &. + . sinh 'W L p ( + / ,
For a small W pn(x) decays linearly

Solution of pn(x) is,

W >> Lp
This is the case for example in a long p-n diode where the carriers are injected at the origin and the excess density decays exponentially to zero deep within the bulk of the semiconductor.

W << Lp
This is the case for example in a bipolar transistor with a narrow base region. In this case the carrier density varies essentially linearly from one boundary value to the other.
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