Materiales semiconductores 1.1 Definicion de material semiconductor La mayor parte de los dispositivos electronicos y optoelectronicos modemos estan fabricados a parflir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito eléetrioo u éptico, es necesario conocer el comportamiento de los ‘componentes desde un Por ello, en este tema se presentan las fundamentales de este tipo de materiales. Un material semiconductor se define como aquel que , presentando posibles estados cudnticos en su banda de conduccién. Presenta una estructura crstalina denominada diamantina donde el dtomo ocupa una posicién central en un tetraedro con otros atomos en sus vertices. Los étomos se unen entre si formado enlaces covalentes de dos tomos contiguos. Los materiales semiconductores més importantes son el SiliGiol(Si)jelGermaniol(Gé), y algunos compuestos como el Arsenio de Galio(ASGa).o cl InGaAs, Lalenergia de Salto de Su'banda prohibida Ec depende de la temperatura y cisminuye segtn 2 aT Big = Bo — Ev = Fey -—— = Fg q'- AT T+b ey Los valores que aparecen en al ecuacién 3.1 son constantes que dependen del tipo de material. La tabla | presenta los valores tipicos para los semiconductores mas usuales. Ego (eV) O71 1,16 a (xtot) 456 7,02 bok) 210° 1108 Ego’ (eV) 0774 1195 1,566 B (x10* evi"k) 3792.67 4,35 Tati valores ls parsers qu lcionan a ena sto ba pron con a AAs|, si se eleva la temperatura de un semiconductor por'encimaldel0iK, parte de la energia térmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos: 1) Aparece un electrén libre capaz de moverse a través de la red en presencia de un ‘campo eléctrico. 2) En el dtomo al que sé asociaba el electron aparece un defecto de carga negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco. Recapitulando, los semiconductores se diferencian: ‘carga: el electron y el hueco, ‘OptoctectrénicaMateriales semiconductores (3.2) 1.2 Tipos de semiconductores ‘Asi, en un semiconductor dado, la ausencia de un electrén en algin nivel ocasiona un hueco, que serd considerado como un portador de carga de masa diferente al electrén (aunque se suclen considerar iguales) y carga positiva, por lo que su sentido de desplazamiento seré contrario al electrén, © ‘> © O06 eee Figura 3.1 Esquema bidimensional de una red de slicio monocristalino y su diagrama de bandas ‘Optoctectrénica 2Materiales semiconductores ‘Al proceso de liberar electrones, y por tanto también huecos, se le llama generacién, mientras el proceso de acupacién de un hueco por un electron se llama recombinacion. La conductividad de un semiconductor intrinseco vendra dada por la expresion o =aem, #nu,)=40,{a, *44,) (34) EI namero de portadores en este tipo de" semiconductores es muy bajo, en retacién con la concentracién de atomos, lo que da lugar a que estos serniconductores presenten una baja Conductividad. Sin embargo esta aumentara con la temperatura al crecer exponencialmente el numero de portadores de carga con respecto a ella, 1.2.2 Semiconductores extrinsecos. En un semiconductor intrinseco"las_concentraciones de huecos y de electrones pueden alterarse mediante la adicién de pequefas cantidades de elementos llamados impurezas 0 dopantes, a la composicién cristalina. La cuestion es: zQué sucede si ademas de elevar la temperatura por encima de 0 K consideramos la presencia de impurezas en el silicio (Si)? Supongamos que sustituimos un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de antimonio (Sb) (grupo V), pentavalente. Como sélo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes con los atomos de silicio adyacentes, un electron quedara libre. Teniendo ‘en cuenta esto, es facil deducir que es lo que ocurrira si se sustituye un atomo de silicio por ‘otro de un elemento perteneciente al grupo Ill, el Boro por ejemplo: evidentemente se introduciré un hueco, ya que el Boro (B) solo aporta tres electrones de valencia (Ver figura 32) ‘Aceptor de Dador de impurezas impurazas ‘genera ‘gonera hhucoos clectrones otc acgy* eS Figura 3.2 Introduccion de impurezas a) donadores yb) aceptorés en una red de silico monocristalino Si la introduccién de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse las propiedades eléctricas en zonas determinadas del material. Asi, se habla de dopado tipo P 6 N. (en su caso, de silicio P 6 N) segdn se introduzcan huecos o electrones respectivamente. 1.2.2.1 Semiconductor extrinseco tipo P EI semiconductor tipo P se obtiene introduciendo atomos de tres electrones (grupo Ill de la tabla periddica), por lo que quedara-un enlace sin constituir por cada impureza dopante. (ilMateriales semiconductores La figura 3.3 explica desde el punto de vista det diagrama de bandas lo que sucede. Aparece un nivel de energia permitido dentro de la banda prohibida proximo a la banda de Valencia, Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos procedentes de él_superan en varios érdenes de magnitud al resto de portadores. Ello confiere el cardcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que existen electrones. En estecaso, los shuecos son los portadores mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Hay que resaltar nuevamente que el dopado no Figura 3.3 Diagrama de bandas de energia__altera la neutralidad eléctrica global del material. ‘do su semiconductor Tipo P ‘Asitendremos que la concentracién de Portadores huecos sera mayor que la de Portadores electrones, que ademas serd igual a la que tendria un semiconductor intrinseco. p> m o-e O-e d-e oO} n, (35) 1.2.2.2 Semiconductor extrinseco tipo'N EI semiconductor tipo N se obtiene introduciendo atomos de cinco electrones (grupo V de la tabla periddica), por 10 que quedara un electrén sin formar parte de un enlace por cada impureza dopante. avenergfa necesaria para arrancar este electron es pequena, por lo quel La figura 3.4"explica desde el punto de vista del-diagrama de bandas lo que sucede. Aparece un nivel de energia permitido dentro de la banda prohibida préximo a la banda de ee e cconducci6n. BE | b g _ Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los electrones procedentes de é! superan en varios érdenes de magnitud al resto de portadores. Ello cconfiere el cardcter global N del material. Sin ‘embargo, ha de tenerse en cuenta que existen hhuecos. En este caso, los electrones son los. ortadores mayoritarios, y los huecos los minoritarios. Hay que resaltar nuevamente que Figura 3.4 Diagrama de bandas deenergia’ — | dopado no. altera la neutralidad eléctrica es global del material oO ‘Asi tendremos que la concentracién de Optoclectrénica 4Materiales semiconductores portadores electrones sera mayor que la de portadores huecos, que ademas sera igual a la que tendria un semiconductor intrinseco. n> Pp La concentracién de impurezas aceptoras introducidas se representan por No, considerndose las ionizadas como Nc. En general, para concentraciones de impureza mucho mayor que la Cconcentracién intrinseca y a temperatura ambiente, las impurezas ionizadas son practicamente el 100% de las introducidas =m,=p, (6) La conductividad de un semiconductor extrinseco vendré dada por la expresion 9, -alpu, #04,) (7) EI numero de portadores en este tipo de semiconductores es allo, lo qué da lugar a que estos semiconductores presenten una alta conductividad. 1.2.3 Resumen. La tabla II pretende ser un resumen de los tipos de semiconductores y de la nomenclatura usada cuando se refieren a ellos. Ademas se debe hacer hincapié en que se tratan de materiales homogéneos en su dopado y no degenerados, es decir que el numero de impurezas ue se introducen no provoca cambio de la estructura cristalina del material Material rater} Extrinseco tipo P___Extrinseco tipo N Ree Xo} ferro WM Rc MCI Re OPC No ats Dred Ded piety Aceptoras Pec oe cic} are eed eer ged Piherhib Ee cies ar re ea een) Tabla II. Resumen de los tipos de semiconductores existentes, 1.3 Calculo de concentraciones de portadores de cargapyn Los estados cuanticos permitidos para los portadores en los sdlidos se presentan mediante [BSSIDENGESTETENEMGISISUESHCONINUASY Pretenderemos entonces calcular concentracién de portadores y su distribucion en dichas bandas. Tomamos por tanto un elemento diferencial de energia dE, que nos permite calcular un elemento diferencial de concentracién de manera que la concentracién de portador electrén entre dos niveles de energia de la banda de conduccién vendra dado por fanz) (38) El valor de concentracién de portadores esta regido por la existencia de estados posibles a ‘ocupar y por la probabilidad de ocuparios. dn(E) = h(E)dE = g(E)-f(EYdE (3.9) Optoclectrénica 5Materiales semiconductores La expresién 3.9 representa este hecho donde g(E) es Ia llamada funcién densidad de estados ‘cuanticos, que nos muestra la cantidad de estados por unidad de volumen y energia y {(E) es la funcién densidad de probabilidad de existencia de portador, también llamada funcion de Fermi- Dirac. 1.3.1 Funcion densidad de estados cuanticos g(E). La funcién densidad de estados cuénticos se calcula partiendo de las leyes de la mecénica cuntica en el caso de materiales intrinsecos. Se define una funcién a trozos, es decir que tiene distinta expresién segin la zona que se defina. Dislinguiremos siguiendo la teoria de bandas tres zonas: banda de conduccién, banda prohibida y banda de valencia, donde (E) tomara los, siguientes valores, validos para energias no muy alejadas de los bordes de las bandas. [BC:K({E-E,)" g(E)=4BP:0 (3.10) BY :K,(E, -E)” Las constantes K: y Ke vienen dadas por las expresiones 3.11 y 3.12, donde m* representa la masa efectiva de las particulas en las distintas bandas y h la constante de Planck. fom? Yo K, =4n( 28) (3.11) om VE K, ar( 2m) (3.12) La densidad de estados cudnticos se mide en estados / ud. volumen. ud. Energia. Y su representacién grafica aparece en la figura 3.5, E BC Ee BP B BV a(E) Figura 3.5 Dependencia de la energia E con la densidad de estados 9(E) 3.2 Funcién de Fermi f(E). fcarn ocsodow por un deco de ia probable ave un ara permigo 0 ————————— eee ‘Optoctectrénica 6Materiales semiconductores (3.13) {)= ee nea donde E+ es conocida como la Energia o nivel de Fermi, K es la conslante de Boltzman (1.38 10 Julios/*k) y T es la temperatura en grados Kelvin. El nivel energia de Fermi se define como la energia para la cual la probabilidad de este ocupada por un electron es %. Estudiando la dependencia con la energia de la funcién de Fermi (ver figura 3.6), se observa que cuando la temperatura tiende cero, la funcién de Fermi es cero para todas la energia sSuperiores a la energia de Fermi y uno para todas la energia inferiores a la energia de Fermi, Esto nos indica que los estados de energia por debajo del nivel de Fermi estaran llenos y por encima estaran vacios. Es decir cuando la temperatura tiende al cero absoluto, se produce un fuerte corte en el llenado de estados permitidos de energia en el nivel de Fer ‘Cuando la temperatura T>0°K, se puede observar que los estados de energia por debajo de Er-3KT, se encuentran totalmente llenos, y por el contrario los estados de energia por encima de Ert3KT, se encuentran totalmente vacios. 2 1 Figura 3.6 Dependencia de la energia E con la funcién de Fermi f(E) para 0% y >0°K Establecido los valores de 9(E) y f(E) ,se puede obtener facilmente la densidad de electrones realizando el producto de las dos funciones. Se definen dos funciones h.(E) como densidad de electrones en la banda de conduccién y hu(E) como densidad de huecos en la banda de valencia h(E) = &c(EV SE) (3.44) AE) = gy(Ey 0 SE) (3.15) Al definir la funcién de Fermi la probabilidad de estar ocupado por un electrén, la probabilidad de estar ocupado por un hueco sera 1-f(E), Centrandonos en la banda de conduccién, la figura 3.7 muestra que la funcién h(E), toma el valor cero en el borde de la banda y alcanza rapidamente un maximo cerca de este valor, para después caer rapidamente a cero. En la banda de Valencia el resultado es totalmente andlogo para los huecos, Figura 3.7 Funcién densidad de electrones en relacién con la energia y la temperatura ‘Optoctectrénica 7Materiales semiconductores Llegados a este punto, hemos dado todos los pasos que nos permiten calcular la concentracién de portadores en equilibrio. Esto significa calcular el nimero de portadores electrones en la banda de conduccién o el numero de portadores huecos en la banda de Valencia. Sustituyendo en la ecuacién 3.8, los resultados de las ecuaciones 3.14 y 3,15, obtenemos. ” Th (Ede = Jectéys(Ende (3.16) n= [@ae= f2,(Ey0= FEE @17) : ‘ La figura 3.8 pretende aclarar las condiciones y parametros de las ecuaciones anteriores. E, ‘superior E+dE Sustituyendo, y resolviendo, teniendo en consideracién que la energia superior tiende a infinito, lo cual es aplicable al caer la funcién a integrar a cero para valores de energia poco mayores que Ez, se obtienen las relaciones siguientes, a (3.18) (3.19) Donde ‘Optoctectrénica 8Materiales semiconductores EF aqui semiconductor degenerado Ee aqui semiconductor ro degenerado T EF aqui semiconductor 34 degenerado Los valores de No y Nv son facilmente calculables dada un temperatura, solo los valores de masas efectivas dependen del tipo de elemento que constituiria la parte intrinseca del semiconductor. Para el Silicio por ejemplo la masa efectiva en la banda de conduccién es 1.18 veces la masa del electron y en la banda de Valencia es 0.81 veces la masa del electron. Para el Germanio 0.55 y 0.36 respectivamente y para el arseniuro de Galio 0.066 y 0.52 respectivamente, Cualquier cAlculo que se pueda realizar de la concentracién de portadores en un semiconductor dado puede ser relacionado con la concentracién de portadores que tendria con un comportamiento de semiconductor intrinseco: Es decir podra ser referido a la concentracién intrinseca de portadores (n)). ‘Asi si tenemos un semiconductor intrinseco donde n=p=n; podremos poner que La expresién 3.22 nos demuestra que ni es facilmente calculable para una temperatura dada. Y que no depende del valor del nivel de Fermi, sino de la anchura de la banda prohibida Por otro lado si sustituimos los valores obtenidos en 3,22 y 3.23 en 3.18 y 3.19 obtenemos unas expresiones altemativas para n y p validas para todo tipo de semiconductor no degenerado. (3.25) (3.26) Y si multiplicamos cada miembro obtenemos ‘Optoctectrénica °Materiales semiconductores lpn Esta relacion es llamada teorema del producto o ley de accién de masas, y aunque pueda parecer trivial es muy util, ya que conocida la concentracién de un portador se puede conocer la del otro, siempre que se trate de un semiconductor en equilibrio y no degenerado. Para introducir en las expresiones presentadas la dependencia explicita a la concentracién de impurezas introducidas, utilizaremos la ecuacién de neutralidad de la carga, que es la que mantiene la relacién entre impurezas y portadores. Para establecer la neutralidad de carga, se considera un semiconductor homogéneamente dopado, es decir que la concentracién de impurezas es idéntica en cualquier posicién del semiconductor. Suponiendo condiciones de equilibrio, la carga neta en cada seccién del semiconductor debe ser nula. Por tanto, en-un semiconductor con huecos, electrones, impurezas donadoras y aceptoras ionizadas se cumple i (3.27) p-qntqNj-qN7 =0> p+Ng=n+N7 (3.28) Donde No" y Nx: representan las impurezas ionizadas donadoras y aceptoras, respectivamente. A temperatura ambiente, practicamente hay energia térmica suficiente para ionizar el 100% de las impurezas por lo que la concentracién de impurezas jonizadas se puede igualar a la concentracién de_impurezas inroducidas, [ESUNEGRnfOnaiEiea NC eiSCUseIo ANGE! gem, =e, (3.29) 1.3.7 Concentracién de portadores Dado un semiconductor uniformemente dopado, en condiciones de equilibrio, supuesto no degenerado y con todas las impurezas introducidas ionizadas, cumplen las ecuaciones 3.27 y 3.29. Considerando nj conocida para un temperatura T dada y, No yNa controladas y determinadas, las Unicas incégnitas resultantes son las concentraciones n y p. Asi =n -(N,-N,)n—n} =0 (3.30) (3.31) ni _(Ns=No) \* 7 5 re } +n} (3.32) Solo se consideraran las raices positivas ya que las concentraciones nunca pueden ser negativas, Estas ecuaciones representan la forma general, pero pueden se reducidas para casos iculares como se muestra en la tabla Tabla Ill. Resumen de concentraciones de semiconductores no degenerados e ionizacién total ‘Optoctectrénica 10Materiales semiconductores 1.4 Niveles de Fermi Ala hora de analizar los semiconductors resulta muy interesante conocer la posicién exacta del nivel de Fermi, ya que nos permitiria’determinar ‘entre otras (cosas sivel ‘semiconductor dopado serd degenerado 0 no degenerado. Utiizando las ecuaciones 3.18 y 3.19-que presenta una relacién entre las concentraciones de portadores y la energia del nivel de Fermi, se puede observar que se tienen tres variables, y conocida una las dos restantes pueden ser calculadas. Aplicando estas dos ecuaciones a caso Particulares tendremos a) Material intrinseco. En un material intrinseco "las concentraciones'de electrones y huecos son iguales, por lo que Af y(&) (2.3) 2% Si Los coeficientes Nv y Ne fuesen iguales el nivel de Fermi intrinseco se situaria en el centro de la banda prohibida. Pero esto no suele ser lo habitual, por ejemplo en el sllicio ef nivel de Fermi se situa 0.0073 eV por debajo del valor central de la banda. b) Material extrinseco, no degenerado y con ionizacién total de impurezas. ho DNs, En un material extrinseco las concentraciones de’portadores vienen dadas por la ley de accién de masas y_por la ecuacién de neutralidad de carga. Despejando de la ecuacién 3.25 6 3.26, obtenemos B,-E, =Kref*}--sean{ 2] (3.34) a, 1, Partiendo estas ecuaciones, se observa que cuando la concentracién p es mayor que la intrinseca (semiconductor extrinseco tipo P), el nivel de Fermi se situa por debajo del nivel de Fermi intrinseco, mientras en el tipo N, se situa por encima de este nivel. Si la concentracién del os portadores mayoritarias crece excesivamente, puede ocurrir que el nivel de Fermi se sitde a una energia inferior a 3-K-T de la banda de valencia en tipo P y de la banda de conduccién en tipo N, pasando a ser degenerado. Por lo descrito, sé intentara’ calcular siempre “elnivel, de Fermi como si el material semiconductor fuese no degenerado. Si el resultado fuese que esté degenerado se repetira el proceso utilizado la formulacion mas compleja para degenerados y que esta fuera del alcance de estas notas. 1.5 Dependencia de las concentraciones con la temperatura. La dependencia térmica de las concentraciones se ha ido desgranando de forma desordenada_ en apartados anteriores, por lo que intentaremos ahora presentar esta dependencia de forma) conjunta y completa La figura 3.10 presenta la dependencia térmica de las concentraciones de un semiconductor ‘extrinseco. En ella se observa tres zonas muy delimitadas, una zona denominada de congelacién donde la concentracién de portadores decae bruscamente hasta tender a cero cuando la temperatura Son 0°K. Una segunda donde el valor de la concentracién mayoritaria se mantiene estable, llamada zona extrinseca y es la de funcionamiento habitual. Y una tercera donde la temperatura es muy alta y la concentracion de los portadores se hace igual a la intrinseca, por lo que es llamada zona intrinseca. Considerando por tanto un» semiconductor extrinseco tipo N con una concentracién de impurezas introducidas No a T=0°K, novexiste energia térmica capaz de liberar el quinto electron de las impurezas donadoras. Conforme aumenta la temperatura se liberan algunos electrones y por tanto se ionizan algunas de las impurezas. El nivel de Fermi se situa entre Ec y Eo por lo que su comportamiento puede ser degenerado, Optoclectrénica ”Materiales semiconductores Concentracione: s Gur et con as npureosieizdes Sse amena mio aso poacoesGoerdon Las tablas IV y V resumen las variaciones de la concentracién para semiconductores extrinsecos tipo N y P respectivamente. OPK n=No" = Not = No > Not, nsp=ni OPK Exe> Ex n=0=p=Ne p= Na =Na p> Ne, nspan ‘Optoctectrénica 2