UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

CURSO:

Circuitos Electronicos 1

GRUPO:
G3

DOCENTE:

Ing. Medina Calderon, Alfredo

TEMA:

INFORME JFET

INTEGRANTES:

Jacay Rodriguez, Javier Mattheu 21190133

(Ingeniería electrónica)

Noviembre 2022
 INFORME JFET

FUNCIONAMIENTO
Al proporcionar un voltaje en la terminal de la puerta (G). Si se ha polarizado correctamente la
compuerta en el transistor, el semiconductor tipo P (si es canal N) o tipo N (si es canal P)
producirá un campo eléctrico que irá creciendo conforme se aumenta el voltaje de la fuente. Este
campo eléctrico aumentará el tamaño de la región de agotamiento del JFET, por lo que los
electrones tendrán más dificultad para cruzar del drenador (D) a la fuente (S) hasta llegar a un
punto donde les es imposible cruzar. Caso contrario, es decir, si no se proporciona ningún voltaje
en la puerta (G) la corriente que cruza del drenador (D) a la fuente (S) será máxima, dado que no
hay región de agotamiento o es mínima.

Tensión de Estrangulamiento: La tensión de estrangulamiento VP es el punto por encima del

cual incremento de VDS dan a lugar a un aumento proporcional de la resistencia del canal. Esto
significa que, si la resistencia del canal está aumentando en proporción directa a VDS por encima
de VP, ID debe mantenerse constante por encima de VP. Por otro lado, un incremento continuo de
VDS por encima del voltaje de estrangulamiento produce una corriente casi constante en el
drenaje. Este valor de la corriente en el drenaje es IDSS (Drenaje a fuente con la compuerta en
cortocircuito). IDSS es la corriente máxima en el drenaje que un JFET específico es capaz de
producir sin importar el circuito externo y siempre se especifica en la condición, VGS= 0 V.
Corriente máxima de drenado: Si cortocircuitamos la fuente de puerta, como se muestra en la
Figura 13.4 b, obtendremos la corriente máxima de drenado porque VGS= 0. La Figura 13.4c
muestra la gráfica de la corriente de drenador ID en función de la tensión drenador-fuente VDS
cuando la puerta está cortocircuitada. Observe que la corriente de drenador aumenta rápidamente y
que se hace casi horizontal cuando VDS es mayor que VP La región activa de un JFET se
encuentra entre VP y VDS(máx). La tensión mínima VP se denomina tensión de estrangulamiento,
y la tensión máxima es VDS(máx) y se denomina tensión de disrupción.
TENSIÓN DE CORTE DE PUERTA: Cuando una tensión 𝑉𝐺𝑆 es lo suficientemente negativa,
la corriente de drenador es prácticamente cero. Esta tensión de se denomina tensión de corte
puerta-fuente y se simboliza mediante 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) en las hojas de características. Para la curva de
drenador de ejemplo se tiene un 𝐼𝐷=10mA , un 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)=-4V y Vp=4v

CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Unipolar - En el transistor de efecto de campo, la conducción se realiza mediante un agujero o un
electrón, su impedancia de entrada es alta - el transistor de efecto de campo tiene una alta
impedancia de entrada ya que la corriente de entrada en FET ha volado solo debido a la
polarización inversa. si su impedancia de salida - La impedancia de salida de FET es muy
pequeña. y su Devic es controlado por voltaje. El transistor de efecto de campo se denomina
dispositivo controlado por voltaje ya que su voltaje de salida está controlado solo por el voltaje de
entrada de la puerta. El ruido es bajo - El ruido del transistor de efecto de campo es más bajo que
en BJT como en FET, no hay uniones presentes en la ruta de conducción Su ganancia se
caracteriza como transconductancia en transistor de efecto de campo.

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

Para IDSS=15 mA VGS(off)= -6v

VGS IDS
-4 1,667
-3,5 2,604
-3 3,750
-2,5 5,104
-2 6,667
-1,5 8,438
-1 10,417
-0,5 12,604
0 15,000