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Grupo: 4IM4
Tabla de Contenido
Objetivos...............................................................................................................................................2
RAP’s....................................................................................................................................................2
Introducción..........................................................................................................................................2
Marco teórico........................................................................................................................................2
Materiales..............................................................................................................................................3
Desarrollo .............................................................................................................................................4
Simulación.............................................................................................................................................9
Preguntas.............................................................................................................................................12
Conclusiones.......................................................................................................................................13
Tabla de Ilustraciones
Ilustración I Diodo semiconductor, símbolo físico y eléctrico..................................................3
Ilustración II Circuito en serie polarización directa...................................................................4
Ilustración III Procedimiento de polarización directa................................................................4
Ilustración IV Medición de corriente con multimetro................................................................5
Ilustración V Medición de voltaje con multimetro....................................................................5
Ilustración VI Circuito armado polarización directa..................................................................5
Ilustración VII Circuito con polarización inversa......................................................................6
Ilustración VIII Prodecimiento de polarización inversa............................................................6
Ilustración IX Medición de voltaje con multimetro...................................................................7
Ilustración X Medición de corriente con multimetro.................................................................7
Ilustración XI Circuito armado polarizacion inversa.................................................................7
Ilustración XII Circuito de doble malla, polarización directa....................................................8
Ilustración XIII Procedimieto de circuito de dos mallas............................................................8
Ilustración XIV Circuito armado de dos mallas.........................................................................9
Ilustración XV Simulación de polarización directa...................................................................9
Ilustración XVI Simulación de polarización inversa...............................................................10
Ilustración XVII Simulación de doble malla...........................................................................11
Tabla de Tablas
RAP’s
✧ Reconoce las diferencias entre la constitución física de materiales tipo P y tipo N.
✧ Conoce la teoría y el comportamiento de diodos semiconductores.
Introducción
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control
es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fugas.
Marco teórico
✧ Material intrínseco. Es aquel material semiconductor que se encuentra en su estado
puro en la naturaleza.
✧ Material extrínseco. Es un material semiconductor al cual se le han añadido ciertas
impurezas de algún otro material.
✧ Material tetravalente. Son aquellos materiales que tienen cuatro electrones en su capa
más exterior (capa de valencia) al núcleo de su átomo. Ejemplos de este tipo de
materiales son el silicio y el germanio.
✧ Material pentavalente. Son aquellos materiales que tienen cinco electrones en su capa
más exterior(capa de valencia) al núcleo de su átomo.
✧ Material trivalente. Son aquellos materiales que tienen tres electrones en su capa más
exterior (capa de valencia) al núcleo de su átomo.
✧ Proceso de dopaje. Es el proceso de añadir impurezas a un material tetravalente para
mejorar sus propiedades semiconductoras.
✧ Material tipo N. Es un material con base de silicio o germanio dopado
controladamente con impurezas de material pentavalente como por ejemplo el
antimonio (Sb).
✧ Material tipo P. Es un material con base de silicio o germanio dopado
controladamente con impurezas de material trivalente como por ejemplo el boro (B).
✧ Semiconductor. Es un material que bajo ciertas condiciones se puede comportar como
un muy buen conductor o bien como un buen aislante.
✧ Diodo. Es el elemento semiconductor más sencillo que existe, está formado por una
capa de material tipo N y otra capa de material tipo P. Tiene dos terminales de las
cuales una de ellas es el cátodo y la otra es el ánodo por lo cual este dispositivo tiene
polaridad. Su símbolo eléctrico y físico se muestra en la Figura 1.1.
Materiales
● 1 Fuente de CD.
● 1 Puntas para fuente.
● 4 Resistencia 1kΩ.
● 2 Resistencia 10kΩ
● 1 Diodo 1N4001
● 1 Multímetro digital
Desarrollo
Ilustración V Medición de voltaje con multimetro. Ilustración IV Medición de corriente con multimetro.
Ilustración VI Circuito armado polarización directa.
R1 0A 0 0V 0 0W
R2 0A 0 0V 0 0W
D1 0A 0 5.1 V 5V 0W
Ilustración VIII Prodecimiento de polarización inversa.
Ilustración IX Medición de corriente con multimetro. Ilustración X Medición de voltaje con multimetro.
Ilustración XI Circuito armado polarizacion inversa.
R1
R2
R3
D1
Ilustración XIII Procedimieto de circuito de dos mallas.
Simulación
Tabla IV Circuito de polarización directa simulado.
R1 0.40 mA 0.40 V
R2 0.40 mA 0.63 V
D1 0.40 mA 3.97 V
R1 0 0
R2 0 0
D1 0 5V
R1 1.67 mA 1.67 V
R2 0.33 mA 3.33 V
R3 1.33 mA 2.67 V
D1 0 0.66 V
¿Qué tan similares son entre sí los resultados obtenidos tanto de la simulación como de la
parte experimental y calculada?
Son muy parecidos, la diferencia es mínima.
Referencias
Fluke. (2016, Octubre 31). ¿Qué es un diodo? Fluke.com.
https://www.fluke.com/es-mx/informacion/blog/electrica/que-es-un-diodo
La resistencia continua de un diodo. (2023). Sc.ehu.es.
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina12.htm